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二维硒化钼薄膜的研究进展 被引量：5
1
作者 张强 马锡英 《微纳电子技术》 北大核心 2016年第11期719-725,共7页
少数层MoSe_2材料作为一种新型半导体材料,具有较高的光电转换效率。综述了单层或数层MoSe_2二维材料的特性,简述了MoSe_2二维纳米材料的主要制备方法,包括机械剥离法、化学气相沉积(CVD)法和分子束外延(MBE)法。MoSe_2材料可形成直接... 少数层MoSe_2材料作为一种新型半导体材料,具有较高的光电转换效率。综述了单层或数层MoSe_2二维材料的特性,简述了MoSe_2二维纳米材料的主要制备方法,包括机械剥离法、化学气相沉积(CVD)法和分子束外延(MBE)法。MoSe_2材料可形成直接带隙半导体材料,MoSe_2场效应管应用了MoSe_2材料良好的电学特性,由于MoSe_2材料具有优异的光学特性,因此可用于制作二次谐波器。介绍了MoSe_2二维材料中光二次谐波的产生及相关特性,并列举了MoSe_2二维材料在晶体管、光学探测器方面现有的研究及应用。最后指出,提升制备效率是使MoSe_2材料得到广泛应用的必备条件。 展开更多
关键词 MoSe2 直接带隙半导体 二维纳米材料 化学气相沉积(cvd)法 层状结构 光学二次谐波
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不同衬底上层状MoS2薄膜制备及应用的研究进展 被引量：2
2
作者 陶化文 黄玲琴 朱靖 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第10期737-747,759,共12页
二维层状MoS2薄膜具有超高的光响应度、高导电特性、良好的光学透明度以及优异的机械性能,是制造多功能和高性能光电探测器、传感器等最理想的半导体材料之一。在不同衬底上制备的MoS2薄膜性质有所差异,其构成的异质结性能也各具特色。... 二维层状MoS2薄膜具有超高的光响应度、高导电特性、良好的光学透明度以及优异的机械性能,是制造多功能和高性能光电探测器、传感器等最理想的半导体材料之一。在不同衬底上制备的MoS2薄膜性质有所差异,其构成的异质结性能也各具特色。首先,介绍了常用于制备层状MoS2薄膜的化学气相沉积(CVD)法和高温热分解法;然后,综述了在Si、塑料、GaN、GaAs、Si纳米线、蓝宝石、SiO2/Si和SiC等不同衬底上制备层状MoS2薄膜的方法,利用原子力显微镜、X射线衍射、拉曼光谱、X射线光电子能谱等测试方法对各衬底上制备的MoS2薄膜结构和性能进行了表征;同时讨论了相应的异质结器件的特性及应用,并对高质量MoS2薄膜在光电探测器、气体传感器、压电器件等光电子和纳电子器件中的应用进行了展望。 展开更多
关键词 二维层状MoS2 GAN 蓝宝石 SiC 化学气相沉积(cvd)法 高温热分解法 异质结
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碳化硅衬底外延石墨烯 被引量：2
3
作者 盛百城 刘庆彬 +5 位作者 蔚翠 何泽召 高学栋 郭建超 周闯杰 冯志红 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第8期635-640,共6页
通过高温热解法和化学气相沉积(CVD)法在SiC(0001)衬底外延石墨烯。采用光学显微镜、原子力显微镜、扫描电子显微镜、喇曼光谱、X射线光电子能谱和霍尔测试系统对样品进行表征,并对比了两种不同生长方法对石墨烯材料的影响以及不同的成... 通过高温热解法和化学气相沉积(CVD)法在SiC(0001)衬底外延石墨烯。采用光学显微镜、原子力显微镜、扫描电子显微镜、喇曼光谱、X射线光电子能谱和霍尔测试系统对样品进行表征,并对比了两种不同生长方法对石墨烯材料的影响以及不同的成核机理。结果表明,高温热解法制备的石墨烯材料有明显的台阶形貌,台阶区域平坦均匀,褶皱少,晶体质量取决于SiC衬底表面原子层,电学特性受衬底影响大,迁移率较低。CVD法制备的石墨烯材料整体均匀,褶皱较多,晶体质量更好。该方法制备的石墨烯薄膜悬浮在SiC衬底表面,与衬底之间为范德华力连接,电学特性受衬底影响小,迁移率较高。 展开更多
关键词 石墨烯 碳化硅衬底 高温热解法 化学气相沉积(cvd)法 成核机理
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石墨烯材料、器件与电路的研究现状 被引量：2
4
作者 王宗成 王淑华 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2015年第10期613-619,628,共8页
简单介绍了石墨烯优异的电学特性及主要国家的发展规划。详细论述了石墨烯材料制备技术的发展现状,如SiC外延法和CVD法的优缺点和目前的技术水平,其中SiC外延法生长的石墨烯尺寸达4英寸(1英寸=2.54 cm),迁移率高;CVD法生长的石墨烯尺寸... 简单介绍了石墨烯优异的电学特性及主要国家的发展规划。详细论述了石墨烯材料制备技术的发展现状,如SiC外延法和CVD法的优缺点和目前的技术水平,其中SiC外延法生长的石墨烯尺寸达4英寸(1英寸=2.54 cm),迁移率高;CVD法生长的石墨烯尺寸达30英寸以上,质量好,基本能满足石墨烯器件和电路的应用需求。从RF器件和电路、数字逻辑器件和电路以及THz器件和电路几个方面重点阐述了石墨烯电子器件和电路的最新研究进展,目前石墨烯RF晶体管在栅长分别为67和140 nm时,截止频率fT分别为427和300 GHz,而石墨烯逻辑器件在带隙研究的推动下,导通关断电流比(Ion/Ioff)已达到107。最后,从石墨烯材料制备和电子器件与电路方面对其发展方向进行了总结。 展开更多
关键词 石墨烯 SiC外延生长 化学气相沉积(cvd)法 射频(RF)器件 逻辑器件 太赫兹(THz)器件
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温度对硅衬底上生长石墨烯的影响 被引量：1
5
作者 刘庆彬 蔚翠 +4 位作者 何泽召 王晶晶 李佳 芦伟立 冯志红 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第11期852-856,共5页
通过化学气相沉积(CVD)法在Si衬底上制备石墨烯薄膜,研究了生长温度对薄膜的影响以及石墨烯生长机理。采用傅里叶变换红外光谱(FTIR)、喇曼光谱、光学显微镜(OM)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子谱(XPS)表征石墨... 通过化学气相沉积(CVD)法在Si衬底上制备石墨烯薄膜,研究了生长温度对薄膜的影响以及石墨烯生长机理。采用傅里叶变换红外光谱(FTIR)、喇曼光谱、光学显微镜(OM)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子谱(XPS)表征石墨烯材料。结果表明,生长温度越高,越有利于Si衬底上石墨烯薄膜的形成和连续。生长过程中,C原子渗入Si衬底表层,在其表面优先形成3C-SiC缓冲层,随后在缓冲层表面重构形成石墨烯。在Si衬底上沉积SiO_2和Si_3N_4覆盖层,发现生长过程中不再出现3C-SiC缓冲层。随着生长温度的增加,石墨烯薄膜缺陷降低,薄膜与衬底之间为范德华力。生长温度1 100℃下结晶质量最好。 展开更多
关键词 石墨烯 硅衬底 化学气相沉积(cvd)法 生长温度 生长机理
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二维WS2薄膜的制备及光电特性 被引量：1
6
作者 丁馨 徐铖 +2 位作者 许珂 朱静怡 马锡英 《微纳电子技术》 北大核心 2020年第5期366-371,共6页
以硫化钨(WS2)水溶液为原料、氩气为携载气体、利用化学气相沉积(CVD)法在硅衬底上制备了二维WS2薄膜,并研究了其形貌、晶体结构、光吸收特性及光电特性等。发现利用该方法生长的WS2薄膜非常光滑均匀,并具有良好的结晶性。另外,发现WS2... 以硫化钨(WS2)水溶液为原料、氩气为携载气体、利用化学气相沉积(CVD)法在硅衬底上制备了二维WS2薄膜,并研究了其形貌、晶体结构、光吸收特性及光电特性等。发现利用该方法生长的WS2薄膜非常光滑均匀,并具有良好的结晶性。另外,发现WS2薄膜不仅在466 nm处有很强的蓝光发射,还在617和725 nm处有显著的红光发射,前者可能是由于量子尺寸效应引起的分立能级的发光,后者则分别对应WS2单层和多层的本征发射。最后,研究了WS2/Si异质结的光电效应和温度效应,发现随照射光功率或温度的增加,异质结的电流显著增大,说明WS2/Si异质结对光照和温度非常敏感,可用于制备太阳电池和光探测器等新型光电子器件。 展开更多
关键词 硫化钨(WS2)薄膜 化学气相沉积(cvd)法 WS2/Si异质结 光电特性 温度效应
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碳纳米纤维超高产合成及磁性和微波吸收性能(英文) 被引量：1
7
作者 祁小四 顼建乐 +1 位作者 钟伟 都有为 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2015年第3期142-147,156,共7页
利用溶胶凝胶和氢气还原的方法合成出Fe/SnO2纳米颗粒。通过催化裂解乙炔的方法,可在该纳米颗粒表面合成出高产率、高选择性的碳纳米纤维。研究表明温度对所合成碳纳米纤维的产率、尺寸和微结构有着很大的影响。获得了超高的碳纳米纤维... 利用溶胶凝胶和氢气还原的方法合成出Fe/SnO2纳米颗粒。通过催化裂解乙炔的方法,可在该纳米颗粒表面合成出高产率、高选择性的碳纳米纤维。研究表明温度对所合成碳纳米纤维的产率、尺寸和微结构有着很大的影响。获得了超高的碳纳米纤维的产率（278和445）,并且所合成的碳纳米纤维材料表现出较好的微波吸收性能。在15.29 GHz处,样品的反射损耗达到最小,其数值约为-7.28 dB,且可在3.90~18 GHz内获得低于-5 dB的反射损耗值。因此,提出了一个简单、环境友好的碳纳米纤维超高产合成路径,该路径有利于该材料的广泛使用。 展开更多
关键词 Fe/SnO2纳米颗粒 碳纳米纤维 化学气相沉积(cvd)法 超高产 反射损耗 微波吸收性能
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基于温度控制的MoS_2薄膜制备的探究
8
作者 龚家志 周仁龙 +1 位作者 杨飒 翁惠仪 《广州化工》 CAS 2019年第7期55-57,60,共4页
采用化学气相沉积法(CVD)制备高质量的纳米二硫化钼薄膜,并对纳米二硫化钼薄膜在形貌和尺寸调控方面开展了探究工作。实验研究表明:CVD制备的反应温度是影响二硫化钼合成的关键要素,利用CVD法调节反应温度可获得三角形和飞镖形两种形貌... 采用化学气相沉积法(CVD)制备高质量的纳米二硫化钼薄膜,并对纳米二硫化钼薄膜在形貌和尺寸调控方面开展了探究工作。实验研究表明:CVD制备的反应温度是影响二硫化钼合成的关键要素,利用CVD法调节反应温度可获得三角形和飞镖形两种形貌的二硫化钼薄膜,在不同反应温度下制备的三角形二硫化钼,其尺寸大小也不同。本文初步探究了反应温度与有效成核点数目的关系。研究成果对于大规模合成MoS2样品有一定指导意义。 展开更多
关键词 二硫化钼(MoS2) 化学气相沉积(cvd)法 反应温度 有效成核点
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空心碳纳米球在锂离子电池中的性能
9
作者 黄求来 罗海东 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第4期243-248,共6页
为了探究高性能的锂电池负极新型碳基材料,通过高温退火碳包铜纳米颗粒材料制备得到空心碳纳米球,该材料的平均粒径为20 nm,这比其他空心碳球的平均粒径都要小,碳层厚度为1~3 nm,喇曼强度比值为1.06,比表面积为300 m^2·g^(-1)。空... 为了探究高性能的锂电池负极新型碳基材料,通过高温退火碳包铜纳米颗粒材料制备得到空心碳纳米球,该材料的平均粒径为20 nm,这比其他空心碳球的平均粒径都要小,碳层厚度为1~3 nm,喇曼强度比值为1.06,比表面积为300 m^2·g^(-1)。空心碳纳米球作为锂电池负极材料表现出出众的电化学性能,在186 mA·g^(-1)的电流密度下比容量达到400 mA·h·g^(-1),在不同的电流密度下具有良好的比容量,循环100次的容量保持率为100%,这些优异的电化学性能与空心碳纳米球的高比表面积、空心结构和非常小的粒径有关,这些结果表明空心碳纳米球是一种具有潜力的锂电池负极材料。 展开更多
关键词 锂离子电池 空心碳纳米球 化学气相沉积(cvd)法 负极材料 电化学性能
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