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石墨烯及其功能纺织品的制备方法 被引量:17
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作者 唐晓宁 田明伟 +2 位作者 朱士凤 郭肖青 曲丽君 《棉纺织技术》 CAS 北大核心 2015年第5期80-84,共5页
总结石墨烯及其功能纺织品的制备方法。介绍了石墨烯的性能;分别阐述了当前石墨烯功能纺织品的制备方法,包括直接浸轧法、喷涂法、复配液整理法、交联改性法、紫外光固化法、化学气相沉淀法等。介绍了应用于石墨烯功能纺织品的新技术,... 总结石墨烯及其功能纺织品的制备方法。介绍了石墨烯的性能;分别阐述了当前石墨烯功能纺织品的制备方法,包括直接浸轧法、喷涂法、复配液整理法、交联改性法、紫外光固化法、化学气相沉淀法等。介绍了应用于石墨烯功能纺织品的新技术,包括电泳沉积技术、层层自组装技术等。认为:石墨烯材料具有优异的导电性能、导热性能、抑菌性能和防紫外线性能等,在功能纺织品领域具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 石墨烯 功能纺织品 交联改性 紫外固化 化学气相沉淀
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CVD法制备硅基氮化镓薄膜 被引量:5
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作者 王连红 梁建 +2 位作者 马淑芳 刘旭光 许并社 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期152-155,共4页
利用化学气相沉积法(CVD),分别以三氧化二镓(Ga2O3)和氨气(NH3)为镓源和氮源在硅衬底合成了一种由片状微晶构成的氮化镓(GaN)薄膜,实验中没有使用缓冲层。通过场发射扫描电子显微镜(FESEM)、电子能量散射谱(EDS)、X射线衍射(XRD)、高分... 利用化学气相沉积法(CVD),分别以三氧化二镓(Ga2O3)和氨气(NH3)为镓源和氮源在硅衬底合成了一种由片状微晶构成的氮化镓(GaN)薄膜,实验中没有使用缓冲层。通过场发射扫描电子显微镜(FESEM)、电子能量散射谱(EDS)、X射线衍射(XRD)、高分辨电镜(HRTEM)和光致发光谱(PL)对样品进行分析,生成物为质量较好的富镓的纯氮化镓薄膜。片状氮化镓微晶表面大小约数百纳米,厚度数十纳米,薄膜表面平整、致密,没有裂纹或龟裂现象,与Si衬底结合紧密。氮化镓薄膜的带边峰位于367nm处,同时出现了黄光发射峰。并对此种氮化镓薄膜的生长机理进行了探讨。 展开更多
关键词 氮化镓薄膜 化学气相沉淀 生长机理
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基于统计矩的轮廓缺陷检测 被引量:2
3
作者 英昌盛 徐志伟 常大俊 《长春大学学报》 2015年第12期30-33,共4页
金刚石膜片在切割成样品的过程中,在样品边缘和切割线处可能产生具有轮廓缺陷的残次品。本文探讨了轮廓缺陷产生的原因,设计了基于不变矩的轮廓缺陷检测系统。在检测过程中采用了待检测样品与标准样品轮廓匹配的方式,在获取待测样品轮... 金刚石膜片在切割成样品的过程中,在样品边缘和切割线处可能产生具有轮廓缺陷的残次品。本文探讨了轮廓缺陷产生的原因,设计了基于不变矩的轮廓缺陷检测系统。在检测过程中采用了待检测样品与标准样品轮廓匹配的方式,在获取待测样品轮廓信息之后,计算其与标准样品的不变矩信息,在此基础上判定其是否为轮廓缺陷样品。经实验,轮廓缺陷检测系统取得了较好的检测效果,并且提高了生产效率。 展开更多
关键词 化学气相沉淀 轮廓缺陷 不变矩
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金刚石晶形显露的化学控制 被引量:2
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作者 陈友存 谢仿卿 +1 位作者 张青哲 林章达 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1998年第9期799-803,共5页
采用热丝化学气相沉积法(HPCV),研究了N2、O2对金刚石晶形显露的影响。发现微量的氮气的加入([N2]/[CH4]<1%)有利于金刚石(100)晶面的显露,且不会降低金刚石晶形的完整性;微量氧的加入有利于金刚石(111)面显露.采用氧辅... 采用热丝化学气相沉积法(HPCV),研究了N2、O2对金刚石晶形显露的影响。发现微量的氮气的加入([N2]/[CH4]<1%)有利于金刚石(100)晶面的显露,且不会降低金刚石晶形的完整性;微量氧的加入有利于金刚石(111)面显露.采用氧辅助控制金刚石膜(111)织构生长,可以使X射线(111)峰摇摆曲线的半宽降到6.2°.氮或氧的加入扩大了织构生长金刚石(100)或(111)膜的基片温度范围. 展开更多
关键词 金刚石 织构生长 化学气相沉淀 晶形
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GaN纳米棒的合成与表征
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作者 王连红 梁建 +2 位作者 马淑芳 万正国 许并社 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A06期2278-2279,共2页
利用化学气相沉淀法(CVD)以Ga2O3和NH3为原料在沉积有乙酸镍的硅衬底上合成出了GaN纳米棒,纳米棒直径在50-200nm,长度在2-10μm,表面比较光滑,利用场发射扫描电镜(FESEM),X射线衍射仪(XRD),能量散射谱(EDS)对样品进行了成... 利用化学气相沉淀法(CVD)以Ga2O3和NH3为原料在沉积有乙酸镍的硅衬底上合成出了GaN纳米棒,纳米棒直径在50-200nm,长度在2-10μm,表面比较光滑,利用场发射扫描电镜(FESEM),X射线衍射仪(XRD),能量散射谱(EDS)对样品进行了成分和结构分析,表明GaN纳米棒是单晶的纤锌矿结构,同时对其生长机理进行了探讨。 展开更多
关键词 氮化镓 纳米棒 化学气相沉淀 催化剂 气液固机理
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金刚石的快速合成法
6
作者 刘乃谦 《国外科技》 1992年第7期12-14,共3页
关键词 金刚石 合成 化学气相沉淀
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小钻石的大事件——2014年春国际钻石检测行业的热点
7
作者 俞瑾玎 于娜 卢靭 《宝石和宝石学杂志》 CAS 2014年第5期17-27,共11页
目前,钻石行业顶级鉴定机构每天的检测量非常大,同时,国际检测机构对高质量宝石级合成钻石的报道成为行业的高敏感话题。本文旨在保障消费者的信心、行业的稳定以及长期发展,响应行业目前热点中的热点——快捷并准确地检测市场上的钻石... 目前,钻石行业顶级鉴定机构每天的检测量非常大,同时,国际检测机构对高质量宝石级合成钻石的报道成为行业的高敏感话题。本文旨在保障消费者的信心、行业的稳定以及长期发展,响应行业目前热点中的热点——快捷并准确地检测市场上的钻石是国际钻石行业及检测机构迫在眉睫的大事。笔者以2014年春天在上海钻石交易所(SDE)运用美国宝石学院(GIA)推出的快捷检测合成钻石设备——DiamondCheckTM的测试亲历,通过查阅信息资料、咨询业内人士等方法,研究了合成钻石的市场和快捷检测合成钻石设备的现状,进一步介绍了国际顶级鉴定机构几乎同时推出的三项设备:HRD Antwerp(比利时钻石高层议会)的Alpha Diamond Analyzer(阿尔法钻石分析仪)、GIA的DiamondCheckTM以及De Beers(戴比尔斯)的Automated Melee Screening Device(自动小钻筛选器)。最终明确表明"合成钻石百分百可检测"的行业信心。 展开更多
关键词 合成钻石 化学气相沉淀 高温高压 快捷检测
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化学气相沉积法制备多壁碳纳米管研究 被引量:7
8
作者 孙晓刚 曾效舒 《中国粉体技术》 CAS 2002年第5期34-36,共3页
根据实验结果 ,讨论了反应管直径、催化剂组分、反应温度及反应气体对多壁碳纳米管的产量和质量的影响。反应管直径大小将影响多壁碳纳米管的单位产量并对多壁碳纳米管质量产生影响。通过改变混合反应气体导入反应管的方式 ,可以提高多... 根据实验结果 ,讨论了反应管直径、催化剂组分、反应温度及反应气体对多壁碳纳米管的产量和质量的影响。反应管直径大小将影响多壁碳纳米管的单位产量并对多壁碳纳米管质量产生影响。通过改变混合反应气体导入反应管的方式 ,可以提高多壁碳纳米管产量和改进质量。催化剂是影响多壁碳纳米管产量和质量的重要因素。在 70 0~80 0℃ ,反应温度仅对多壁碳纳米管的产量造成影响。 展开更多
关键词 纳米材料 多碳纳米管 化学气相沉淀 催化剂
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化学气相沉淀法SiC连续纤维用炭芯的研究 Ⅲ.大直径中间相沥青纤维的氧化 被引量:7
9
作者 查庆芳 张玉贞 +1 位作者 吴明铂 朱星明 《石油学报(石油加工)》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期24-31,共8页
为获得热固性大直径中间相沥青纤维 ,在高于软化点 2 0℃和不同恒温时间的条件下 ,对纺制的大直径中间相沥青纤维进行氧化 (不熔化 )处理。由于稠环芳烃的次甲基发生氧化而形成 C O 键合的大分子 ,以及氧化构成的醚型交联键 C—O— C的... 为获得热固性大直径中间相沥青纤维 ,在高于软化点 2 0℃和不同恒温时间的条件下 ,对纺制的大直径中间相沥青纤维进行氧化 (不熔化 )处理。由于稠环芳烃的次甲基发生氧化而形成 C O 键合的大分子 ,以及氧化构成的醚型交联键 C—O— C的大分子的存在 ,使中间相沥青纤维不熔化。笔者初步考察了化学反应速率控制和扩散控制在常压和加压齐聚反应所得大直径中间相沥青纤维氧化过程中的作用 ,O、 C、 H在氧化过程中的变化 ,使用原子力显微镜得到的表面结构。结果表明 ,常压齐聚反应后中间相沥青纤维的化学反应速度低于加压齐聚反应后中间相沥青纤维的 。 展开更多
关键词 中间相沥青纤维 氧化 扩散 化学气相沉淀 碳化硅 炭芯
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纳米粒子的新应用—纳米润滑添加剂的发展现状 被引量:2
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作者 齐艳妮 殷德宏 +1 位作者 王季平 王金渠 《化工新型材料》 CAS CSCD 2004年第10期7-10,共4页
总结了当前用于润滑油领域的纳米添加剂的类型、所能达到的润滑效果以及在摩擦过程中起抗磨性的原理。特别介绍了纳米氢氧化物、纳米硼酸盐等的润滑性能。叙述了纳米粒子及其抗磨性的检测手段 。
关键词 润滑油 纳米添加剂 抗磨性 纳米粒子 制备方法 纳米材料 氢氧化镍 纳米薄膜 纳米复合材料 表征 喷雾法 化学气相沉淀 化学还原法 化学沉淀
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纳米MoS_2的制备与研究进展 被引量:5
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作者 何江山 崔雅茹 李凯茂 《湿法冶金》 CAS 北大核心 2012年第5期274-277,共4页
纳米二硫化钼具有优异性能,应用广泛。介绍了纳米二硫化钼的液相法、化学气相沉淀法的制备研究进展,及几种方法中存在的问题,指出了纳米二硫化钼制备方法的发展趋势。
关键词 纳米二硫化钼 液相法 化学气相沉淀 制备
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氮流量对热丝制备富硅-氮化硅薄膜的结构及性质影响 被引量:5
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作者 高爱明 周炳卿 +1 位作者 张林睿 乌仁图雅 《信息记录材料》 2016年第1期53-58,共6页
采用热丝化学气相沉积法,以Si H4、NH3、N2作为反应气源,通过改变氮气流量来制备富硅-氮化硅薄膜材料。通过傅里叶红外变换谱、紫外-可见光吸收谱、光致发光谱、扫描电镜分别对薄膜的结构、带隙宽度、发光特性及表面形貌进行表征与分析... 采用热丝化学气相沉积法,以Si H4、NH3、N2作为反应气源,通过改变氮气流量来制备富硅-氮化硅薄膜材料。通过傅里叶红外变换谱、紫外-可见光吸收谱、光致发光谱、扫描电镜分别对薄膜的结构、带隙宽度、发光特性及表面形貌进行表征与分析。实验结果表明,随着氮气流量增加,薄膜中N原子含量减少,镶嵌在氮化硅母质中的硅团簇增大,Si-N键的键密度逐渐减少,薄膜的光学带隙Eg和带尾能EU呈现减小的趋势,薄膜有序度增加,且由氮悬挂键所引起的缺陷态发光峰增强。当氮气流量为30sccm时,Si-N键的非对称伸缩模式和Si-H键伸缩振动模发生了蓝移,当[N2]/[NH3]流量比小于5:1时,氮气流量对薄膜中氮含量的影响非常明显,适当地降低氮流量有利于制备出富硅-氮化硅薄膜。 展开更多
关键词 热丝化学气相沉淀 富硅-氮化硅 微结构 发光特性
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化学气相沉淀法合成单晶金刚石膜实验探索 被引量:3
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作者 李晓 陶隆凤 +1 位作者 陈美华 王礼胜 《宝石和宝石学杂志》 CAS 2009年第2期11-14,共4页
采用微波等离子体化学气相沉淀法合成了单晶金刚石膜,探索了化学气相沉淀法(CVD)单晶金刚石膜的生长机理。实验仪器采用石英管式微波等离子体化学气相沉积装置,种晶为3颗IaAB型天然金刚石原石,生长面近平行于(111)和(110)方向,生长温度... 采用微波等离子体化学气相沉淀法合成了单晶金刚石膜,探索了化学气相沉淀法(CVD)单晶金刚石膜的生长机理。实验仪器采用石英管式微波等离子体化学气相沉积装置,种晶为3颗IaAB型天然金刚石原石,生长面近平行于(111)和(110)方向,生长温度为800℃,压力约为6 kPa,时间约为8 h。使用宝石显微镜和环境扫描电子显微镜观察分析了CVD单晶金刚石膜的生长表面形貌。结果表明,在生长面上可见明显的生长层,生长晶体无色透明,CVD单晶金刚石膜在生长面上横向外延生长,并形成定向的台阶状表面——"阶梯流"。在相同的条件下,(111)方向上生长的CVD单晶金刚石膜比(110)方向上的更有序。H2浓度的大小对CVD单晶金刚石膜的质量有影响。 展开更多
关键词 化学气相沉淀 单晶金刚石膜 表面形貌 横向生长
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话说化学气相沉淀法(也称CVD法)合成钻石 被引量:2
14
作者 沈才卿 《超硬材料工程》 CAS 2012年第6期52-55,共4页
化学气相沉淀法,英文名称Chemical Vapor Deposition,简称CVD法,可以用于人工合成钻石。最近,南于技术的突破,可以生产出大颗粒的钻石,国检中心在近期日常委托检验中,陆续发现了两批次CVD合成钻石,证明CVD合成钻石已经进入国内... 化学气相沉淀法,英文名称Chemical Vapor Deposition,简称CVD法,可以用于人工合成钻石。最近,南于技术的突破,可以生产出大颗粒的钻石,国检中心在近期日常委托检验中,陆续发现了两批次CVD合成钻石,证明CVD合成钻石已经进入国内市场,引起了大家的关切。笔者从宝石人工合成的角度,介绍一下化学气相沉淀法(也称CVD法)合成钻石的技术。 展开更多
关键词 化学气相沉淀 合成钻石 CVD法 人工合成 英文名称 委托检验 国内市场 大颗粒
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RPCVD生长SiGe薄膜及其性能研究 被引量:2
15
作者 柳伟达 周旗钢 何自强 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第8期791-793,822,共4页
利用应用材料公司外延设备,在Si(001)衬底上,通过RPCVD方式生长出完全应变、无位错的SiGe外延层。通过X射线衍射和原子力显微镜测试技术,得到了外延层Ge摩尔分数、外延层厚度、生长速率以及表面粗糙度等参数,研究了运用RPCVD方法制备... 利用应用材料公司外延设备,在Si(001)衬底上,通过RPCVD方式生长出完全应变、无位错的SiGe外延层。通过X射线衍射和原子力显微镜测试技术,得到了外延层Ge摩尔分数、外延层厚度、生长速率以及表面粗糙度等参数,研究了运用RPCVD方法制备的应变SiGe外延层的生长特性以及薄膜特性。结果表明,在660℃所生长的薄膜,其XRD图像均出现了Pendelossung条纹,表明薄膜质量较好。Ge摩尔分数高达16.5%。薄膜表面粗糙度RMS在0.3~0.6 nm。 展开更多
关键词 减压化学气相沉淀 锗硅 外延 应变薄膜 表面粗糙度 生长速率
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Numerical simulation of aerodynamic heating and stresses of chemical vapor deposition ZnS for hypersonic vehicles 被引量:2
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作者 Yuan-chun LIU Yu-rong HE +2 位作者 Jia-qi ZHU Jie-cai HAN Dong-liang QUAN 《Journal of Zhejiang University-Science A(Applied Physics & Engineering)》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第3期185-196,共12页
Hypersonic vehicles subjected to strong aerodynamic forces and serious aerodynamic heating require more stringent design for an infrared window. In this paper, a finite element analysis is used to present the distribu... Hypersonic vehicles subjected to strong aerodynamic forces and serious aerodynamic heating require more stringent design for an infrared window. In this paper, a finite element analysis is used to present the distributions of thermal and stress fields in the infrared window for hypersonic vehicles based on flowfield studies. A theoretical guidance is provided to evaluate the influence of aerodynamic heating and forces on infrared window materials. The aerodynamic heat flux from Mach 3 to Mach 6 flight at an altitude of 15 km in a standard atmosphere is obtained through flowfield analysis. The thermal and stress responses are then investigated under constant heat transfer coefficient boundary conditions for different Mach numbers. The numerical results show that the maximum stress is higher than the material strength at Mach 6, which means a failure of the material may occur. The maximum stress and temperatures are lower than the material strength and melting point under other conditions, so the material is safe. 展开更多
关键词 Chemical vapor deposition (CVD) ZnS Infrared window material Thermal and stress responses Hypersonicvehicles
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金属有机化学气相沉淀反应器结构的模拟优化 被引量:1
17
作者 张红 《化工进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第8期1328-1332,共5页
研究了金属有机化学气相沉淀反应器的几何形状对于反应腔内的涡旋产生的影响,表明衬底上方的涡旋不仅会影响到薄膜生长的厚度,而且会影响到薄膜的纯度和成分的均匀性。通过改变反应器的结构和形状来优化反应器设计,从而消除衬底上方的涡... 研究了金属有机化学气相沉淀反应器的几何形状对于反应腔内的涡旋产生的影响,表明衬底上方的涡旋不仅会影响到薄膜生长的厚度,而且会影响到薄膜的纯度和成分的均匀性。通过改变反应器的结构和形状来优化反应器设计,从而消除衬底上方的涡旋,得到光滑而均匀的流场。根据模拟结果发现,流道高度在影响热对流涡旋的几何参数中起主要作用,而流道长度影响较小。对于优化后的反应器,引发自然对流的临界流道高度为H=2.5cm(D=20cm)。 展开更多
关键词 金属有机化学气相沉淀 输运过程 薄膜生长 优化设计
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InAs/GaAs和InAs/InxGa1-xAs/GaAs纳米线异质结构的生长研究 被引量:2
18
作者 叶显 黄辉 +4 位作者 任晓敏 郭经纬 黄永清 王琦 张霞 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期421-426,共6页
利用金辅助金属有机化学气相沉淀法(MOCVD)在GaAs(111)B衬底上分别制备了InAs/GaAs和InAs/InxGa1-xAs/GaAs(0≤x≤1)纳米线异质结构.实验结果显示,直接生长在GaAs纳米线上的InAs纳米线生长方向杂乱或者沿着GaAs纳米线侧壁向衬底方向生长... 利用金辅助金属有机化学气相沉淀法(MOCVD)在GaAs(111)B衬底上分别制备了InAs/GaAs和InAs/InxGa1-xAs/GaAs(0≤x≤1)纳米线异质结构.实验结果显示,直接生长在GaAs纳米线上的InAs纳米线生长方向杂乱或者沿着GaAs纳米线侧壁向衬底方向生长,生长的含有InxGa1-xAs组分渐变缓冲段的InAs/InxGa1-xAs/GaAs三段式纳米线异质结构在轴向上串接生长而形成双异质结构.通过插入三元化合物InxGa1-xAs渐变缓冲段可以有效的克服界面能差异和晶格失配带来的负面影响,提高纳米线的晶体质量和生长可控性. 展开更多
关键词 纳米线异质结构 INXGA1-XAS 组分渐变缓冲层 金属有机化学气相沉淀
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发光二极管发展和应用的探讨 被引量:2
19
作者 章荷珍 陈大华 《光源与照明》 2010年第4期15-16,共2页
从促进发光二极管(LED)照明科技发展和应用的愿望出发,对LED科技发展和应用的现状作了分析,尤其LED照明在上海世博会中的成功应用,以及LED在室内照明突破的可能性,并探讨了我国LED照明在今后的发展趋势和应注意的问题。
关键词 发光二极管(LED)照明 景观照明 道路照明 室内照明 金属有机化学气相沉淀(MOCVD)
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无氢硅烷常压化学气相沉积SiO_(x)薄膜在晶体硅太阳能电池制造中的应用
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作者 高艳飞 《中文科技期刊数据库(全文版)工程技术》 2023年第6期49-51,共3页
本研究主要探讨晶体硅太阳能电池制造工业中,对无氢硅烷常压化学气相沉积SiO_(x)薄膜的有效应用。通过三组样品分析了常压化学气相沉淀 SIO_(X)薄膜内存在的结构缺陷与耐久性,室温下,在热板中开展退火实验,对比常压化学气相沉淀 SIO_(X... 本研究主要探讨晶体硅太阳能电池制造工业中,对无氢硅烷常压化学气相沉积SiO_(x)薄膜的有效应用。通过三组样品分析了常压化学气相沉淀 SIO_(X)薄膜内存在的结构缺陷与耐久性,室温下,在热板中开展退火实验,对比常压化学气相沉淀 SIO_(X)薄膜在1%HF溶液与1.5%KOH的腐蚀速率和未退火样品,从而明确耐受腐蚀溶液的温度最低值。研究结果显示,化学气相沉淀 SIO_(X)中的PERC细胞正面涂层区并没有寄生镀层出现,且未检测到划痕和镀金痕迹,金字塔更未检测出金属颗粒,因此该技术能够被应用于晶体硅太阳能电池制造中。 展开更多
关键词 常压化学气相沉淀 SIO_(X)薄膜 晶体硅 太阳能电池
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