Y2000-62067-44 0009263绝缘体上硅技术,器件与挑战=Silicon on insulatortechnology,devices,and challenges[会,英]/Cristoloveanu,S.//1998 IEEE International Conferenceon Optoelectronic and Microelectronic Materials and De-v...Y2000-62067-44 0009263绝缘体上硅技术,器件与挑战=Silicon on insulatortechnology,devices,and challenges[会,英]/Cristoloveanu,S.//1998 IEEE International Conferenceon Optoelectronic and Microelectronic Materials and De-vices.—44～48(EC)展开更多
设计并模拟分析了光纤通信用超高速单电源 Ga As判决再生电路 ,采用非掺 SI Ga As衬底直接离子注入、1μm耗尽型 Ga As MESFET、平面电路工艺研制出单片 Ga As判决再生电路。实验测试结果表明 ,该电路可对输入信号进行正确的“0”、“1...设计并模拟分析了光纤通信用超高速单电源 Ga As判决再生电路 ,采用非掺 SI Ga As衬底直接离子注入、1μm耗尽型 Ga As MESFET、平面电路工艺研制出单片 Ga As判决再生电路。实验测试结果表明 ,该电路可对输入信号进行正确的“0”、“1”判决 ,并经时钟抽样后 ,输出正确的数字信号 ,传输速率可达 2 .8Gbit/s,可用于覆盖 2 .展开更多
Y2000-62027-37 0005671珠式凸点应力对缩比 MOS 场效应晶体管器件退化的影响=The influence of Stud bumping Stress on devicedegradation in scaled MOSFETs[会,英]/Shimoyama,N.& Machida,K.//1999 IEEE International Reliabil...Y2000-62027-37 0005671珠式凸点应力对缩比 MOS 场效应晶体管器件退化的影响=The influence of Stud bumping Stress on devicedegradation in scaled MOSFETs[会,英]/Shimoyama,N.& Machida,K.//1999 IEEE International Reliabili-ty Physics Symposium.—37～41(UC)展开更多
Y2000-62027-233 0005638热载流子(收录论文6篇)=Hot carriers[会,英]/1999 IEEE International Reliability Physics Symposium.—233～262(UC)收入本部分的论文题目有:在模拟工作条件下大倾角离子注入漏 n 型 MOS 场效应晶体管的热载...Y2000-62027-233 0005638热载流子(收录论文6篇)=Hot carriers[会,英]/1999 IEEE International Reliability Physics Symposium.—233～262(UC)收入本部分的论文题目有:在模拟工作条件下大倾角离子注入漏 n 型 MOS 场效应晶体管的热载流子退化与沟道长度的关系,在模拟工作条件下 MOS 晶体管的低频噪声的热载流子退化。展开更多
N2001-07044 0107554电子情报通信学会技术研究报告:硅材料与器件SDM99-199～211(信学技报,Vol.99,No.618)[汇,曰]/日本电子情报通信学会.—2000.02.—90P.(L)本文集内容与信学技报,Vol.99,No.616相同。请参见文献 N2001-07042。Y2000-6...N2001-07044 0107554电子情报通信学会技术研究报告:硅材料与器件SDM99-199～211(信学技报,Vol.99,No.618)[汇,曰]/日本电子情报通信学会.—2000.02.—90P.(L)本文集内容与信学技报,Vol.99,No.616相同。请参见文献 N2001-07042。Y2000-62524-125 0107555高功率压入封装绝缘栅双极晶体管的开发与应用=Development of high power press-pack IGBT and It’s ap-plicatiotis[会,英]/Uchida,Y.& Seki,Y.//2000IEEE Proceedings of 22nd International Conference onMicroelectronics,Vol.1.—125～129(EC)展开更多
文摘Y2000-62067-44 0009263绝缘体上硅技术,器件与挑战=Silicon on insulatortechnology,devices,and challenges[会,英]/Cristoloveanu,S.//1998 IEEE International Conferenceon Optoelectronic and Microelectronic Materials and De-vices.—44～48(EC)
文摘设计并模拟分析了光纤通信用超高速单电源 Ga As判决再生电路 ,采用非掺 SI Ga As衬底直接离子注入、1μm耗尽型 Ga As MESFET、平面电路工艺研制出单片 Ga As判决再生电路。实验测试结果表明 ,该电路可对输入信号进行正确的“0”、“1”判决 ,并经时钟抽样后 ,输出正确的数字信号 ,传输速率可达 2 .8Gbit/s,可用于覆盖 2 .
文摘Y2000-62027-37 0005671珠式凸点应力对缩比 MOS 场效应晶体管器件退化的影响=The influence of Stud bumping Stress on devicedegradation in scaled MOSFETs[会,英]/Shimoyama,N.& Machida,K.//1999 IEEE International Reliabili-ty Physics Symposium.—37～41(UC)
文摘Y2000-62027-233 0005638热载流子(收录论文6篇)=Hot carriers[会,英]/1999 IEEE International Reliability Physics Symposium.—233～262(UC)收入本部分的论文题目有:在模拟工作条件下大倾角离子注入漏 n 型 MOS 场效应晶体管的热载流子退化与沟道长度的关系,在模拟工作条件下 MOS 晶体管的低频噪声的热载流子退化。
文摘N2001-07044 0107554电子情报通信学会技术研究报告:硅材料与器件SDM99-199～211(信学技报,Vol.99,No.618)[汇,曰]/日本电子情报通信学会.—2000.02.—90P.(L)本文集内容与信学技报,Vol.99,No.616相同。请参见文献 N2001-07042。Y2000-62524-125 0107555高功率压入封装绝缘栅双极晶体管的开发与应用=Development of high power press-pack IGBT and It’s ap-plicatiotis[会,英]/Uchida,Y.& Seki,Y.//2000IEEE Proceedings of 22nd International Conference onMicroelectronics,Vol.1.—125～129(EC)
