基于准浮栅的低功耗差分运算放大器 被引量：8

1

作者 肖明 吴玉广 董大伟 《微计算机信息》 北大核心 2007年第02Z期286-287,270,共3页

分析了准浮栅晶体管PMOS的工作原理、电学特性和等效电路,设计了一种电路结构简单的共模反馈电路(CMFB),实现了一个低压低功耗的差分运算放大器。采用Chrt 0.35umCMOS工艺库,在Hspice下仿真结果表明:在电源电压为1.5V时,运放的增益为74.... 分析了准浮栅晶体管PMOS的工作原理、电学特性和等效电路,设计了一种电路结构简单的共模反馈电路(CMFB),实现了一个低压低功耗的差分运算放大器。采用Chrt 0.35umCMOS工艺库,在Hspice下仿真结果表明:在电源电压为1.5V时,运放的增益为74.5dB,单位增益带宽为40.5MHz,相位裕度为650,静态功耗为1.2mW。 展开更多

关键词 准浮栅 差分运算放大器 共模反馈

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一种基于准浮栅技术的新型低压全差分运算放大器

2

作者 任乐宁 朱樟明 杨银堂 《电路与系统学报》 CSCD 2004年第5期123-126,共4页

讨论分析了准浮栅晶体管的工作原理、电气特性及其等效电路。基于准浮栅 PMOS 晶体管,设计实现了全差分运算放大器。在 1.3V 的单电源电压下,运算放大器的最大开环增益为 63.7dB,相位裕度为 63°,单位增益带宽为26.1MHz。利用本文... 讨论分析了准浮栅晶体管的工作原理、电气特性及其等效电路。基于准浮栅 PMOS 晶体管,设计实现了全差分运算放大器。在 1.3V 的单电源电压下,运算放大器的最大开环增益为 63.7dB,相位裕度为 63°,单位增益带宽为26.1MHz。利用本文设计的准浮栅全差分运放,设计实现了增益可调的放大器。 展开更多

关键词 准浮栅 全差分运算放大器 CMOS 增益可调放大器

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基于准浮栅技术的超低压运算放大器 被引量：2

3

作者 杨银堂 任乐宁 付俊兴 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期501-503,527,共4页

分析了准浮栅晶体管的工作原理、电气特性及其等效电路,基于准浮栅PMOS晶体管,设计了超低压低功耗运算放大器.基于台积电的0.25μmCMOS工艺,利用Hspice对所设计的运放进行了模拟仿真.仿真结果显示,在0.8V的单源电压下,运算放大器的最大... 分析了准浮栅晶体管的工作原理、电气特性及其等效电路,基于准浮栅PMOS晶体管,设计了超低压低功耗运算放大器.基于台积电的0.25μmCMOS工艺,利用Hspice对所设计的运放进行了模拟仿真.仿真结果显示,在0.8V的单源电压下,运算放大器的最大开环增益为76.5dB,相位裕度为62,°单位增益带宽为2.98MHz,功耗仅为9.45μW. 展开更多

关键词 准浮栅 超低压 运算放大器 CMOS

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一种基于准浮栅技术的0.6V,2.4GHz CMOS混频器 被引量：2

4

作者 任乐宁 朱樟明 杨银堂 《电路与系统学报》 CSCD 北大核心 2005年第1期144-146,共3页

讨论分析了准浮栅晶体管的工作原理、电气特性及其等效电路。基于准浮栅NMOS晶体管,对Gilbert混频器电路结构进行改进设计,实现了超低压混频器。基于TSMC0.25μmCMOS工艺的BSIM3V3模型,采用Hspice对混频器进行了仿真,仿真结果显示,该混... 讨论分析了准浮栅晶体管的工作原理、电气特性及其等效电路。基于准浮栅NMOS晶体管,对Gilbert混频器电路结构进行改进设计,实现了超低压混频器。基于TSMC0.25μmCMOS工艺的BSIM3V3模型,采用Hspice对混频器进行了仿真,仿真结果显示,该混频器在0.6V的单电源电压下,仍可以对2.4GHz的正弦信号进行混频,转换增益为-21.8dB,三阶输入截止点的值为34.6dB。 展开更多

关键词 准浮栅 超低压 混频器 CMOS

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一种新型低功耗两级运算放大器的实现 被引量：1

5

作者 易清明 江蓉 《微计算机信息》 北大核心 2008年第11期287-289,共3页

针对目前低功耗设计的问题,讨论了一种有效的低成本的实现方式。介绍了准浮栅技术晶体管的工作原理,并运用此技术对传统的两级运算放大器进行改进。采用了Chartered 0.35umCMOS工艺来实现电路,在CADENCE Spectre的仿真结果表明,在一个... 针对目前低功耗设计的问题,讨论了一种有效的低成本的实现方式。介绍了准浮栅技术晶体管的工作原理,并运用此技术对传统的两级运算放大器进行改进。采用了Chartered 0.35umCMOS工艺来实现电路,在CADENCE Spectre的仿真结果表明,在一个工作电压为1.2V的情况下,最大开环增益可达到72.6db,相位裕度为54度,单位增益带宽为1.8MHZ,功耗仅为8.75uW,充分体现了这种技术的优越性。 展开更多

关键词 准浮栅 两级运算放大器 低功耗 COMS

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一种基于准浮栅技术的12位D/A转换器 被引量：1

6

作者 杨银堂 张宝君 张海军 《电路与系统学报》 CSCD 北大核心 2008年第5期44-47,共4页

提出了基于准浮栅技术的1.2V全差分运算放大器。由该准浮栅全差分运算放大器实现了一个12位并行结构的电容定标数模转换器(DAC)。所设计的DAC通过按比例缩放方法由两个6位并行DAC组合构成,在提高其分辨率的同时减少了DAC所需的芯片面积... 提出了基于准浮栅技术的1.2V全差分运算放大器。由该准浮栅全差分运算放大器实现了一个12位并行结构的电容定标数模转换器(DAC)。所设计的DAC通过按比例缩放方法由两个6位并行DAC组合构成,在提高其分辨率的同时减少了DAC所需的芯片面积,解决了匹配精度随分辨率的增加而下降的问题。最后给出了该DAC的模拟仿真结果。 展开更多

关键词 准浮栅 CMOS 运算放大器 数模转换器

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超低压CMOS混频器比较设计及特性分析 被引量：1

7

作者 魏莹辉 朱樟明 杨银堂 《电子器件》 EI CAS 2005年第1期114-117,121,共5页

讨论并设计了基于PMOS衬底驱动技术和 CMOS准浮栅技术的两种超低压 CMOS混频器电路,并对混频器的特性进行了比较分析。在电源电压为0.8 V,本征频率和射频频率分别是20 MHz、100 MHz和1 GHz、2.4 GHz的输入正弦信号时,衬底驱动混频器的... 讨论并设计了基于PMOS衬底驱动技术和 CMOS准浮栅技术的两种超低压 CMOS混频器电路,并对混频器的特性进行了比较分析。在电源电压为0.8 V,本征频率和射频频率分别是20 MHz、100 MHz和1 GHz、2.4 GHz的输入正弦信号时,衬底驱动混频器的转换增益为-17.95 dB和-8.5 dB,三阶输入截止点的值为 33.2 dB和 28.4 dB;在0.6 V的单电源电压下,输入正弦信号分别为频率为20 MHz、100 MHz和1 GHz、2.4 GHz时,准浮栅混频器的转换增益为-14.23 dB和-21.8 dB,三阶输入截止点的值为35.9 dB和34.6 dB。仿真结果比较显示,衬底驱动混频器具有更高的转换增益,而准浮栅混频器具有更好的频域特性和低压特性。而且它们在频率较低时的性能更好。 展开更多

关键词 超低压 准浮栅 衬底驱动 混频器 转换增益 频域特性

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一种基于准浮栅技术的折叠差分结构及其应用

8

作者 张宝君 杨银堂 +1 位作者 朱樟明 张海军 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期97-100,共4页

提出了一种基于准浮栅技术的新型折叠差分结构,其偏置电流源的电压降被折叠到输出电压摆幅中,且不受共模输入电压限制而达到较大范围,非常适于低压应用。基于此结构,实现了一种超低压运算放大器。仿真分析表明,该运算放大器能够实现轨到... 提出了一种基于准浮栅技术的新型折叠差分结构,其偏置电流源的电压降被折叠到输出电压摆幅中,且不受共模输入电压限制而达到较大范围,非常适于低压应用。基于此结构,实现了一种超低压运算放大器。仿真分析表明,该运算放大器能够实现轨到轨(rail-to-rail)的共模输入电压范围和输出电压摆幅,以及较高的共模抑制比。 展开更多

关键词 准浮栅 超低压 折叠差分对 运算放大器

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基于准浮栅技术的超低压运放及滤波器设计

9

作者 朱樟明 杨银堂 任乐宁 《电子器件》 EI CAS 2005年第4期733-735,739,共4页

准浮栅MOS晶体管的工作原理、电气特性及等效电路的系统采用TSMC 0.25μm 2P5M CMOS工艺的CMOS准浮栅技术,提出了0.8 V运算放大器,最大直流开环增益可以达到76.3 dB,相位裕度为75°,单位增益频率为1.0 5 MHz.设计了0.8 V一阶CMOS开... 准浮栅MOS晶体管的工作原理、电气特性及等效电路的系统采用TSMC 0.25μm 2P5M CMOS工艺的CMOS准浮栅技术,提出了0.8 V运算放大器,最大直流开环增益可以达到76.3 dB,相位裕度为75°,单位增益频率为1.0 5 MHz.设计了0.8 V一阶CMOS开关电容高通滤波器,滤波器输入输出电压范围为0～0.8 V,截止频率为100 KHz. 展开更多

关键词 CMOS 准浮栅 超低电压 运放 模拟开关 滤波器

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基于CMOS准浮栅技术的超低压模拟集成电路

10

作者 朱樟明 杨银堂 任乐宁 《科学技术与工程》 2006年第2期143-146,150,共5页

基于多输入浮栅MOS晶体管的分析,系统研究准浮栅MOS晶体管的工作原理、电气特性及等效电路,并总结其用于超低电压模拟电路设计的优势。基于CMOS准浮栅技术,提出了0.8V两级运算放大器和1V2.4GHzGilbert混频器电路,并采用TSMC0.25μm2P5MC... 基于多输入浮栅MOS晶体管的分析,系统研究准浮栅MOS晶体管的工作原理、电气特性及等效电路,并总结其用于超低电压模拟电路设计的优势。基于CMOS准浮栅技术,提出了0.8V两级运算放大器和1V2.4GHzGilbert混频器电路,并采用TSMC0.25μm2P5MCMOS工艺的Bsim3V3模型完成了特性仿真,仿真结果显示了准浮栅技术用于超低电压模拟电路设计的优势。 展开更多

关键词 CMOS 准浮栅 超低电压 模拟电路 运放 混频器

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一种基于准浮栅技术的超低压折叠运算放大器设计

11

作者 张宝君 杨银堂 +1 位作者 朱樟明 张海军 《电子器件》 EI CAS 2006年第1期33-36,共4页

介绍了准浮栅晶体管的工作原理、电气特性及其等效电路。提出了一种基于准浮栅技术的折叠差分结构,基于此结构设计,实现了超低压运算放大器。采用TSMC0.25μmCMOS工艺的BSIM3V3模型,对所设计运放的低压特性进行仿真,结果表明,在0.8V电... 介绍了准浮栅晶体管的工作原理、电气特性及其等效电路。提出了一种基于准浮栅技术的折叠差分结构,基于此结构设计,实现了超低压运算放大器。采用TSMC0.25μmCMOS工艺的BSIM3V3模型,对所设计运放的低压特性进行仿真,结果表明,在0.8V电源电压下,运算放大器的直流开环增益为106dB,相位裕度为62°,单位增益带宽为260kHz,功耗仅为3.9μW。 展开更多

关键词 准浮栅 超低压 运算放大器 CMOS

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