射频磁控共溅射制备光催化Ag-TiO_2薄膜 被引量：3

1

作者 沈杰 蔡臻炜 +4 位作者 沃松涛 崔晓莉 任达森 杨锡良 章壮健 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期33-36,共4页

采用射频磁控共溅射法制备Ag TiO2 复合薄膜 ,通过控制Ag靶的溅射时间可调节Ag与TiO2 的比例。所制备的Ag TiO2 薄膜为锐钛矿结构。通过紫外光照降解亚甲基蓝溶液和循环伏安法研究Ag TiO2 薄膜光催化及光电化学特性。实验结果表明 :掺 1... 采用射频磁控共溅射法制备Ag TiO2 复合薄膜 ,通过控制Ag靶的溅射时间可调节Ag与TiO2 的比例。所制备的Ag TiO2 薄膜为锐钛矿结构。通过紫外光照降解亚甲基蓝溶液和循环伏安法研究Ag TiO2 薄膜光催化及光电化学特性。实验结果表明 :掺 1.5 %Ag的Ag TiO2 薄膜在紫外光照射下能增强亚甲基蓝溶液的降解并得到更大的光生电流。这种光催化的增强主要是由于光生电子 空穴对的复合被抑制的结果。 展开更多

关键词 TIO2薄膜 光催化 共溅射法 亚甲基蓝 循环伏安法 光电化学 锐钛矿结构 射频 增强 电子

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射频磁控共溅射制备超亲水TiO_2/SiO_2复合薄膜 被引量：3

2

作者 沈杰 沃松涛 +3 位作者 蔡臻炜 崔晓莉 杨锡良 章壮健 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期415-419,共5页

采用射频磁控共溅射法制备了SiO2 /TiO2 复合薄膜 ,通过控制SiO2 靶与TiO2 靶的溅射时间可调节SiO2 与TiO2 的比例。所制备的SiO2 /TiO2 薄膜为锐钛矿结构。实验结果表明 :SiO2 的掺入降低了SiO2 /TiO2 复合薄膜的光催化能力 ,但却提高... 采用射频磁控共溅射法制备了SiO2 /TiO2 复合薄膜 ,通过控制SiO2 靶与TiO2 靶的溅射时间可调节SiO2 与TiO2 的比例。所制备的SiO2 /TiO2 薄膜为锐钛矿结构。实验结果表明 :SiO2 的掺入降低了SiO2 /TiO2 复合薄膜的光催化能力 ,但却提高了薄膜的亲水性的维持时间。其中 ,掺入 6 %～ 13%SiO2 的SiO2 /TiO2 复合薄膜 ,在紫外光照射 30min ,接触角降到 2° ;停止照射后 ,在 5天内接触角小于 6°。 展开更多

关键词 SIO2 共溅射法 TIO2薄膜 复合薄膜 接触角 内接 锐钛矿结构 射频 实验结果 照射

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共溅射CdTe掺Nd薄膜的结构和电导性能 被引量：2

3

作者 郑毓峰 陈树义 +4 位作者 李锦 简基康 李冬来 马忠权 常爱民 《新疆大学学报（理工版）》 CAS 2002年第1期6-8,共3页

采用共溅射法在 ITo/玻璃基片上沉积 Cd Te掺 Nd薄膜 ,并利用 XRD和阻抗测试研究薄膜的结构和电导性能 .结果表明 ,适当 Nd掺入可以改善 Cd

关键词 共溅射法 CDTE薄膜 晶界电阻 钕 掺杂 镉碲薄膜 薄膜结构 结晶特征 电导性能

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共溅射法制备Cu-In合金膜及电学性能分析 被引量：1

4

作者 马忠权 徐少辉 +2 位作者 郑毓峰 简基康 李冬来 《新疆大学学报（理工版）》 CAS 2002年第1期1-5,共5页

采用共溅射方法制备了 Cu-In合金膜 ,并讨论了 Cu-In合金膜的结构、电学性能以及溅射时间对 Cu-In合金膜的结构及电学性能的影响 .结果显示 ,Cu-In合金膜仅有单峰 ,多晶晶面间距不随着膜厚的增加而改变 .用费 -桑理论对 Cu-In合金薄膜... 采用共溅射方法制备了 Cu-In合金膜 ,并讨论了 Cu-In合金膜的结构、电学性能以及溅射时间对 Cu-In合金膜的结构及电学性能的影响 .结果显示 ,Cu-In合金膜仅有单峰 ,多晶晶面间距不随着膜厚的增加而改变 .用费 -桑理论对 Cu-In合金薄膜的电学性质进行了分析 ,临界厚度的讨论结果表明 ,溅射 3～ 4min是面电阻的转变点 。 展开更多

关键词 共溅射法 Cu-In合金膜 电学性质 费-桑理论 临界厚度 薄膜结构 溅射时间 铜铟合金膜

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化合物半导体/SiO_2纳米复合薄膜的研究现状

5

作者 马志华 柴跃生 +1 位作者 孙钢 张敏刚 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期71-74,共4页

半导体／介质镶嵌纳米复合薄膜具备准零维量子点的特征,这类材料具有三阶光学非线性系数大,响应快,功耗低等特点,在光开关、光存储及全光逻辑运算等领域有着广阔的应用前景。对半导体／介质镶嵌纳米复合薄膜的主要制备方法-射频磁控共... 半导体／介质镶嵌纳米复合薄膜具备准零维量子点的特征,这类材料具有三阶光学非线性系数大,响应快,功耗低等特点,在光开关、光存储及全光逻辑运算等领域有着广阔的应用前景。对半导体／介质镶嵌纳米复合薄膜的主要制备方法-射频磁控共溅射法的基本原理及技术特点作了概要介绍。从镶嵌于介质中半导体纳米颗粒非线性光学性质的研究动态入手,分类评述了化合物半导体/SiO2纳米复合薄膜近年来的研究状况,指出了这类复合薄膜的研究重点和发展方向。 展开更多

关键词 纳米复合薄膜 共溅射法 非线性光学性质 SIO2 三阶光学非线性 介质 量子点 化合物半导体 光开关 功耗

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衬底温度对共溅射法制备BaSi_2薄膜的影响

6

作者 杨子义 刘涛 徐虎 《四川师范大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2017年第5期675-679,共5页

研究衬底温度对采用Ba靶和Si靶共溅射制备BaSi_2薄膜的影响.采用X射线衍射仪和扫描电子显微镜对在不同衬底温度条件下制备的薄膜的微观结构组分和表面形貌进行表征与分析.结果表明,衬底温度在500℃以下时Ba和Si共沉积在Si(111)衬底上生... 研究衬底温度对采用Ba靶和Si靶共溅射制备BaSi_2薄膜的影响.采用X射线衍射仪和扫描电子显微镜对在不同衬底温度条件下制备的薄膜的微观结构组分和表面形貌进行表征与分析.结果表明,衬底温度在500℃以下时Ba和Si共沉积在Si(111)衬底上生成的为非晶,结合后续的真空退火生成BaSi_2多晶薄膜.衬底温度是制备优质BaSi_2薄膜的关键因素,衬底温度高于600℃时,共溅射法能够直接生成BaSi_2薄膜. 展开更多

关键词 共溅射法 BaSi2薄膜 衬底温度 晶体结构 表面形貌

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Cu掺杂氧化锌薄膜的发光特性研究 被引量：52

7

作者 朋兴平 兰伟 +2 位作者 谭永胜 佟立国 王印月 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期2705-2709,共5页

通过射频反应溅射法在Si(1 1 1 )衬底上制备了不同Cu掺杂量的ZnO薄膜 .室温下测量了样品的光致发光 (PL)谱 ,所有样品的PL谱中均观察到 4 35nm左右的蓝光发光带 ,该发光带的强度与Cu掺杂量和溅射功率有关 .当溅射功率为 1 5 0W ,Cu掺杂... 通过射频反应溅射法在Si(1 1 1 )衬底上制备了不同Cu掺杂量的ZnO薄膜 .室温下测量了样品的光致发光 (PL)谱 ,所有样品的PL谱中均观察到 4 35nm左右的蓝光发光带 ,该发光带的强度与Cu掺杂量和溅射功率有关 .当溅射功率为 1 5 0W ,Cu掺杂量为 2 5 %时 ,ZnO薄膜的PL谱中出现了较强的蓝光双峰 ,而溅射功率为 1 0 0W ,Cu掺杂量为1 5 %时 ,出现了位于 4 37nm(2 84eV)处较强的蓝光峰 ,后者的取向性较好 .还研究了掺杂量和溅射功率对发光特性的影响 。 展开更多

关键词 铜掺杂 氧化锌薄膜 光致发光谱 射频反应共溅射法 氧化物半导体材料

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Cu-MgF_2复合纳米金属陶瓷薄膜的电导特性研究 被引量：7

8

作者 孙兆奇 何玉平 +1 位作者 宋学萍 孙大明 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期1455-1460,共6页

用射频磁控共溅射法制备了Cu体积分数分别为 10 % ,15 % ,2 0 %和 3 0 %的Cu MgF2 复合金属陶瓷薄膜 .用x射线衍射、x射线光电子能谱和变温四引线技术对薄膜的微结构、组分及电导特性进行了测试分析 .微结构分析表明 :制备的Cu MgF2 复... 用射频磁控共溅射法制备了Cu体积分数分别为 10 % ,15 % ,2 0 %和 3 0 %的Cu MgF2 复合金属陶瓷薄膜 .用x射线衍射、x射线光电子能谱和变温四引线技术对薄膜的微结构、组分及电导特性进行了测试分析 .微结构分析表明 :制备的Cu MgF2 复合薄膜由fcc Cu晶态纳米微粒镶嵌于主要为非晶态的MgF2 陶瓷基体中构成 ,Cu晶粒的平均晶粒尺寸随组分增加从 11 9nm增至 17 8nm .5 0— 3 0 0K温度范围内的电导测试结果表明 :当Cu体积分数qM 由 15 %增加到 2 0 %时 ,Cu MgF2 复合薄膜的电阻减小了 8个量级 ,得出制备的复合薄膜渗透阈qCM 应处于 15 %和 2 0 %之间 .qM 在 10 %和 15 %之间的薄膜呈介质导电状态 ,而在 2 0 %和 3 0 %之间的薄膜则呈金属导电状态 .从理论上讨论了复合薄膜中杂质电导和本征电导的激活能及其对电导的贡献 ,并讨论了Cu MgF2 复合纳米金属陶瓷薄膜的渗透阈 。 展开更多

关键词 Cu-MgF2复合纳米金属陶瓷薄膜 电导特性 射频磁控共溅射法 微结构 组分 激活能 渗透阈 复合材料

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镶嵌纳米碳粒氧化硅膜的电致发光研究 被引量：1

9

作者 马书懿 马自军 +1 位作者 陈海霞 张开彪 《西北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2005年第3期32-33,38,共3页

采用复合靶磁控共溅射法制备了含纳米碳粒的氧化硅薄膜.测量显示,随着正向偏压的增加,来自Au/含纳米碳粒氧化硅膜/pSi结构的电致发光峰位于650nm处几乎不移动.

关键词 磁控共溅射法 纳米碳粒 电致发光

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α-SiO_x∶C薄膜的结构与发光特性研究 被引量：1

10

作者 李群 诸葛兰剑 +1 位作者 吴雪梅 项苏留 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期92-94,共3页

采用双离子束共溅射法制备了SiOx∶C薄膜。对样品的XRD和TEM测试结果表明薄膜为非晶结构 ;PL谱图显示有两个发光峰分别位于 4 2 0nm(紫光 )、4 70nm(蓝绿光 )处 ;4 70nm处的发光峰位来自于硅基薄膜中富硅引起的中性氧空位缺陷 (O3 Si- S... 采用双离子束共溅射法制备了SiOx∶C薄膜。对样品的XRD和TEM测试结果表明薄膜为非晶结构 ;PL谱图显示有两个发光峰分别位于 4 2 0nm(紫光 )、4 70nm(蓝绿光 )处 ;4 70nm处的发光峰位来自于硅基薄膜中富硅引起的中性氧空位缺陷 (O3 Si- SiO3 ) ,是由与氧原子配位的二价硅的单态以及三态 单态之间的跃迁所致 ,而与掺碳无关。进一步的XPS测试分析表明 ,4 2 0nm处的PL峰位可能来自于Si、C。 展开更多

关键词 发光特性 双离子束共溅射法 α-SiOx:C薄膜 非晶结构 PL谱图

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温度对非晶SiO_x薄膜的光致发光特性的影响 被引量：1

11

作者 罗经国 吴雪梅 +2 位作者 诸葛兰剑 宁兆元 姚伟国 《苏州大学学报（自然科学版）》 CAS 2001年第3期65-70,共6页

采用双离子束共溅射法制备的SiOx 薄膜为非晶结构 ,在室温下观察到了可见光致发光 (PL)现象 ,探测到样品有四个PL峰 ,它们的峰位分别为～ 32 0nm ,～ 4 10nm ,～5 6 0nm和～ 6 30nm ,且峰位和峰强随温度 (基片温度Ts 和退火温度Ta)的变... 采用双离子束共溅射法制备的SiOx 薄膜为非晶结构 ,在室温下观察到了可见光致发光 (PL)现象 ,探测到样品有四个PL峰 ,它们的峰位分别为～ 32 0nm ,～ 4 10nm ,～5 6 0nm和～ 6 30nm ,且峰位和峰强随温度 (基片温度Ts 和退火温度Ta)的变化而发生变化 。 展开更多

关键词 SIOX薄膜 光致发光 非晶硅氧化合物薄膜 双离子束共溅射法 温度 峰位 峰强

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Co-Ta-O颗粒膜的磁电阻效应研究

12

作者 池俊红 刘春明 葛世慧 《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期36-41,共6页

利用射频共溅射方法制备了一系列 Co- Ta- O介质颗粒膜 ,用 X射线能量色散谱和 X射线光电子谱分析了薄膜的成分和元素价态 ,用 X射线衍射测量了薄膜的晶体结构 .结果表明 ,Co- Ta-O颗粒膜系是由 Co颗粒镶嵌在非晶的氧化钽绝缘介质中而形... 利用射频共溅射方法制备了一系列 Co- Ta- O介质颗粒膜 ,用 X射线能量色散谱和 X射线光电子谱分析了薄膜的成分和元素价态 ,用 X射线衍射测量了薄膜的晶体结构 .结果表明 ,Co- Ta-O颗粒膜系是由 Co颗粒镶嵌在非晶的氧化钽绝缘介质中而形成 .通过改变制备条件 ,研究了溅射电压和 Co成分对颗粒膜隧道磁电阻效应的影响 .发现磁电阻比值先随 Co成分的增加而增加 ,在Co原子个数比为 2 6 %时达最大值 ,后随 Co成分的进一步增加而减小 ;在 Co成分一定的情况下 ,低的溅射电压有利于获得大的隧道磁电阻比值 . 展开更多

关键词 Co-Ta-O颗粒膜 磁电阻 隧道效应 射频共溅射法 钴-钽-氧膜 溅射电压

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(Au,Si)/SiO_2复合纳米颗粒薄膜的光谱特性

13

作者 安蕾 《物理实验》 北大核心 2004年第4期44-47,共4页

采用复合靶共溅射法制备了 (Au ,Si) /SiO2 复合纳米颗粒薄膜样品 ,并对其荧光谱作了测量 .在理论上分别计算了在强限域效应下和弱限域效应下Si纳晶吸收光谱的峰值位置与晶粒尺寸之间的关系 ,并采用Drude理论计算了Au/SiO2 复合体系的... 采用复合靶共溅射法制备了 (Au ,Si) /SiO2 复合纳米颗粒薄膜样品 ,并对其荧光谱作了测量 .在理论上分别计算了在强限域效应下和弱限域效应下Si纳晶吸收光谱的峰值位置与晶粒尺寸之间的关系 ,并采用Drude理论计算了Au/SiO2 复合体系的吸收峰的峰值位置与微粒尺寸的关系 .给出了 (Au ,Si) /SiO2 体系复合薄膜共振吸收峰的位置随Au和Si的掺杂浓度比和微粒尺寸的相关特征 . 展开更多

关键词 复合靶共溅射法 复合纳米颗粒薄膜 二氧化硅 Drude理论 限域效应 荧光谱分析

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射频磁控共溅射高温NH_3退火制备CuO/SiO_2复合薄膜的微观结构

14

作者 石锋 李玉国 孙钦军 《微细加工技术》 2008年第6期12-13,18,共3页

采用射频磁控共溅射法在硅衬底上沉积Cu/SiO2复合薄膜,然后在NH3保护下高温退火,再于空气中自然冷却氧化,形成CuO结构,对其微观结构进行分析。随着退火温度的升高,CuO由单斜晶相逐渐转变为立方晶相,CuO薄膜结晶质量提高。样品于900℃和1... 采用射频磁控共溅射法在硅衬底上沉积Cu/SiO2复合薄膜,然后在NH3保护下高温退火,再于空气中自然冷却氧化,形成CuO结构,对其微观结构进行分析。随着退火温度的升高,CuO由单斜晶相逐渐转变为立方晶相,CuO薄膜结晶质量提高。样品于900℃和1 100℃退火后,形成有序散落的微米级颗粒,前者由粒状团簇组成,颗粒表面比较粗糙,后者由片融状小颗粒融合而成,颗粒表面比较光滑。 展开更多

关键词 射频磁控共溅射法 CuO/SiO2复合薄膜 微观结构

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强磁靶共溅射法制备具有室温磁电阻特性的Co-TiO2纳米复合薄膜

15

作者 陈浩禹 张亦文 +3 位作者 吴忠 秦真波 吴姗姗 胡文彬 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第11期1263-1267,共5页

Co-TiO2纳米复合薄膜作为一种新型自旋电子材料,由于具有良好的生物相容性,近年来受到广泛关注。但在制备过程中,磁性金属Co处于氧化气氛,容易部分氧化,从而影响薄膜的隧道磁电阻性能。为了抑制磁性金属的氧化,提高金属态含量,本研究通... Co-TiO2纳米复合薄膜作为一种新型自旋电子材料,由于具有良好的生物相容性,近年来受到广泛关注。但在制备过程中,磁性金属Co处于氧化气氛,容易部分氧化,从而影响薄膜的隧道磁电阻性能。为了抑制磁性金属的氧化,提高金属态含量,本研究通过强磁靶共溅射法制备了Co-TiO2纳米复合薄膜。该方法采用的强磁靶头,磁场强度高、分布均匀,可以提高溅射粒子的能量和溅射速率,降低因高能粒子碰撞而发生氧化的概率。因此强磁靶共溅射法能明显抑制金属Co的氧化,提高纳米复合薄膜的自旋极化率。所制备的Co-TiO2纳米复合薄膜主要由非晶态的TiO2基体和分散其中的Co颗粒组成。通过调节金属Co颗粒尺寸和分布状态,在电学上实现了金属态向绝缘态转变,在磁学上实现了铁磁性向超顺磁性转变。Co含量为51.3at%时,Co-TiO2纳米复合薄膜表现为高金属态和高电阻率,并且实现了高达8.25%的室温隧道磁电阻。强磁靶共溅射法使Co-TiO2纳米复合薄膜的室温磁电阻性能得到了进一步提高,这对于磁性金属—氧化物纳米复合薄膜的研究有着重要的意义。 展开更多

关键词 纳米复合薄膜 强磁靶共溅射法 室温隧道磁电阻 Co-TiO2

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CuO/SiO_2复合薄膜的微观结构和发光特性分析

16

作者 石锋 李玉国 孙钦军 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期234-238,共5页

采用射频磁控共溅射法在硅衬底上沉积Cu/SiO2复合薄膜,然后在N2保护下高温退火,再于空气中自然冷却氧化,制备出低维CuO纳米结构,并对其微观结构和光致发光进行研究.退火温度为1100℃时样品中主晶相为立方晶系的CuO(200)晶面,薄膜样品表... 采用射频磁控共溅射法在硅衬底上沉积Cu/SiO2复合薄膜,然后在N2保护下高温退火,再于空气中自然冷却氧化,制备出低维CuO纳米结构,并对其微观结构和光致发光进行研究.退火温度为1100℃时样品中主晶相为立方晶系的CuO(200)晶面,薄膜样品表面出现纳米线状结构,表面组分主要包括Cu、O元素,冷却氧化形成CuO/SiO2复合薄膜.该温度下退火后,光致发光谱中出现紫外光和紫光,这是由于复合薄膜中CuO的导带底到Cu空穴缺陷能级的跃迁导致的. 展开更多

关键词 射频磁控共溅射法 CuO/SiO2复合薄膜 微观结构 光致发光特性

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不同气氛保护下退火制备的CuO/SiO_2复合薄膜微观结构分析

17

作者 石锋 李玉国 孙钦军 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期2381-2384,共4页

采用射频磁控共溅射法在Si(111)衬底上沉积Cu/SiO2复合薄膜,然后在N2和NH3保护下高温退火,再于空气中自然冷却氧化,制备出CuO结构,并对其微观结构进行分析.N2保护下退火温度为1100℃时样品中主晶相为立方晶系的CuO(200)晶面,薄膜样品表... 采用射频磁控共溅射法在Si(111)衬底上沉积Cu/SiO2复合薄膜,然后在N2和NH3保护下高温退火,再于空气中自然冷却氧化,制备出CuO结构,并对其微观结构进行分析.N2保护下退火温度为1100℃时样品中主晶相为立方晶系的CuO(200)晶面,薄膜样品表面出现纳米线状结构,表面组分主要包括Cu,O元素,冷却氧化形成CuO/SiO2复合薄膜.NH3气氛保护下退火,随着退火温度的升高,CuO由单斜晶相逐渐转变为立方晶相,CuO薄膜结晶质量提高.样品于900℃和1100℃退火后,形成有序散落的微米级颗粒,前者由粒状团簇组成,颗粒表面比较粗糙;后者由片融状小颗粒融合而成,颗粒表面比较光滑. 展开更多

关键词 射频磁控共溅射法 CuO/SiO2复合薄膜 微观结构 退火 半导体材料

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