衬底温度对用RF-PECVD法制备的非晶硅薄膜光学性能影响 被引量：8

1

作者 李世彬 吴志明 +3 位作者 朱魁鹏 蒋亚东 李伟 廖乃镘 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第8期1252-1256,共5页

采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)工艺制备非晶硅(a-Si:H)薄膜,KBr衬底在175-275℃范围内变化,用傅立叶红外光谱仪(FTIR)测试KBr衬底上的薄膜红外光谱峰随衬底温度的变化情况,结合红外光谱峰的理论分析确定薄膜中氢含量随衬底... 采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)工艺制备非晶硅(a-Si:H)薄膜,KBr衬底在175-275℃范围内变化,用傅立叶红外光谱仪(FTIR)测试KBr衬底上的薄膜红外光谱峰随衬底温度的变化情况,结合红外光谱峰的理论分析确定薄膜中氢含量随衬底温度的变化规律.光谱式椭圆偏振仪中用ForouhiBloomer(FB)模型拟合得到薄膜的折射率(n),消光系数(k),膜厚及光学禁带宽度(Eg),并用扫描电镜(SEM)断面分析对椭偏仪测试结果的准确性进行验证.根据Tauc公式推出薄膜的Eg和截止波长,并和FB模型得到的结果进行了比较,Eg(FB)和Eg(Tauc)的差值在0.015eV内. 展开更多

关键词 非晶硅 光学常数 光学禁带 傅立叶红外光谱 薄膜

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掺Cd对ZnO薄膜光学性能的影响 被引量：3

2

作者 陈航 邓宏 +2 位作者 戴丽萍 陈金菊 韦敏 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期213-217,共5页

采用溶胶-凝胶法在石英玻璃上制备了不同掺Cd浓度的ZnO薄膜。X射线衍射(XRD)结果表明,所制备的薄膜具有c抽择优取向,随着Cd掺杂浓度的升高,(002)峰向低角度方向移动。UV透射曲线表明,薄膜具有明显的紫外吸收边,通过改变Cd的掺入浓度,可... 采用溶胶-凝胶法在石英玻璃上制备了不同掺Cd浓度的ZnO薄膜。X射线衍射(XRD)结果表明,所制备的薄膜具有c抽择优取向,随着Cd掺杂浓度的升高,(002)峰向低角度方向移动。UV透射曲线表明,薄膜具有明显的紫外吸收边,通过改变Cd的掺入浓度,可以使吸收边向长波方向移动并被控制在一定范围内,从而使薄膜的禁带宽度连续可调;薄膜的光致发光(PL)谱显示,ZnO薄膜的PL谱是由紫外激子发光峰和蓝光发光带组成,通过掺入Cd可使紫外带边发射的峰位向低能端方向红移,这与透射谱中吸收带边的红移相吻合,由紫外发光峰得到的光禁带宽度和由透射谱拟合得到的光禁带基本一致。对不同掺杂浓度的薄膜进行了比较,发现Cd掺入量为8%摩尔分数时ZnO薄膜具有最佳的结构性能和发光性能。 展开更多

关键词 溶胶-凝胶法 Cd掺杂 光学禁带 红移

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Sol-Gel法制备ZnO:Cd薄膜及结构特性研究 被引量：1

3

作者 陈瀚 邓宏 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2007年第6期700-703,共4页

采用Sol—Gel法，结合旋转涂覆技术在Si（100）衬底上制备了ZnO：Cd薄膜，并对其在600～800℃热处理。X-射线衍射仪（XRD）结果表明，ZnO：Cd薄膜具有与ZnO同样的六角纤锌矿结构，且随着热处理温度的升高，（002）衍射峰的强度逐渐增强... 采用Sol—Gel法，结合旋转涂覆技术在Si（100）衬底上制备了ZnO：Cd薄膜，并对其在600～800℃热处理。X-射线衍射仪（XRD）结果表明，ZnO：Cd薄膜具有与ZnO同样的六角纤锌矿结构，且随着热处理温度的升高，（002）衍射峰的强度逐渐增强。峰半高宽（FWHM，ZnO（002））不断减小，并沿c轴择优取向生长；Cd掺杂后，未出现CdO或其他镉化物等杂质相，但在（002）峰-峰顶出现了分叉（多峰）现象。随着退火温度的升高，多峰消失，但这方面的报道甚少。扫描式电子显微镜（SEM）显示ZnO：Cd晶粒粒径分布情况及表面形貌特征。以石英为基片的透射光谱实验计算表明，ZnO：Cd薄膜的禁带宽度平均为3．10eV；800℃，x（Cd）=8％样品的禁带宽度为2．80eV，比纯ZnO晶体禁带宽度（3．30eV）明显减小，这说明适度掺镉可降低薄膜的光学禁带宽度。 展开更多

关键词 Sol—Gel法 光学禁带 透射光谱 ZnO:Cd薄膜

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新型纯二维嵌套复式周期结构光子晶体的光学禁带特性及制备研究 被引量：3

4

作者 韩喻 谢凯 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期1351-1354,共4页

本文提出了一种两套晶格嵌套的全新纯二维嵌套复式周期光子晶体结构,并通过理论计算获得了外周期结构调制禁带位置,内周期的细微结构通过填充率的改变和结构的周期效应调制禁带宽度的新型禁带特性,从理论上验证了嵌套结构利用小尺寸周... 本文提出了一种两套晶格嵌套的全新纯二维嵌套复式周期光子晶体结构,并通过理论计算获得了外周期结构调制禁带位置,内周期的细微结构通过填充率的改变和结构的周期效应调制禁带宽度的新型禁带特性,从理论上验证了嵌套结构利用小尺寸周期调制大波长禁带的可行性。同时首次利用软刻蚀图案掩膜保护电化学阳极氧化方法制备出了这种全新嵌套复式周期结构。 展开更多

关键词 光子晶体 嵌套复式周期 光学禁带

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时域有限差分法在一维光子晶体数值模拟方面的研究 被引量：1

5

作者 宋琦 高劲松 +5 位作者 王笑夷 王彤彤 陈红 郑宣鸣 申振峰 凌伟 《光学仪器》 2006年第4期37-42,共6页

介绍了时域有限差分法的基本原理,并对一维光子晶体薄膜中传播的电磁场作了模拟和分析。通过对光子晶体透射谱的研究,讨论了不同周期数和不同介电常数比对光子晶体带隙的影响,最后通过在周期介质层状结构中引入缺陷层构造了光子缺陷态。

关键词 时域有限差分法 光子晶体 光学禁带 缺陷态

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反应磁控溅射制备SnO2薄膜及其微观形貌与光致发光性能研究 被引量：1

6

作者 姚宏燚 袁志钟 +2 位作者 熊志高 翟艺璇 李东升 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第18期1-5,共5页

利用反应磁控溅射法(RMS)制备了SnO_2薄膜,并研究了溅射参数对薄膜微观结构和光学性能的影响。结果表明,随着溅射气压、氧分压的增大和衬底温度的升高,薄膜沉积速率相应减小;在不同衬底温度下(室温至600℃)溅射薄膜时,较高的衬底温度可... 利用反应磁控溅射法(RMS)制备了SnO_2薄膜,并研究了溅射参数对薄膜微观结构和光学性能的影响。结果表明,随着溅射气压、氧分压的增大和衬底温度的升高,薄膜沉积速率相应减小;在不同衬底温度下(室温至600℃)溅射薄膜时,较高的衬底温度可得到较大的SnO_2晶粒,表面更为粗糙;此外,将原生SnO_2薄膜在O_2气氛下退火可以改善其结晶度,原本的柱状结构转变成致密的薄膜结构,其光学禁带宽度变宽至3.85eV;经过退火的SnO_2薄膜的光致发光(PL)强度显著增强,位于约610nm的PL发光峰主要是源于SnO_2纳米晶体表面悬挂键的未饱和电子态。 展开更多

关键词 SNO2 薄膜 反应磁控溅射 光致发光 光学禁带

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溶胶-凝胶法制备掺镉ZnO薄膜及光学禁带研究

7

作者 陈瀚 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2011年第4期605-607,673,共4页

主要研究掺镉ZnO薄膜的光学禁带。采用溶胶－凝胶（Sol—Gel）旋转涂覆法，在Si（100）上生长掺镉ZnO薄膜，对薄膜的XRD分析表明，掺镉ZnO薄膜仍为六角纤锌矿结构，并沿C轴择优取向生长。通过实验优化出本工艺条件下的较佳参数：退火温... 主要研究掺镉ZnO薄膜的光学禁带。采用溶胶－凝胶（Sol—Gel）旋转涂覆法，在Si（100）上生长掺镉ZnO薄膜，对薄膜的XRD分析表明，掺镉ZnO薄膜仍为六角纤锌矿结构，并沿C轴择优取向生长。通过实验优化出本工艺条件下的较佳参数：退火温度为800℃，x（Cd）－6％～8％；以普通玻璃为基片的透射光谱表明掺镉ZnO薄膜的禁带宽度约为3．22eV，比纯ZnO晶体禁带宽度3．30eV明显减小，适度掺镉可降低薄膜的光学禁带宽度。 展开更多

关键词 掺镉ZnO薄膜 溶胶-凝胶法 透射光谱 光学禁带

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F掺杂对溶胶-凝胶法制备的ZnO∶Fe薄膜结构及光学性质的影响

8

作者 周攀钒 袁欢 +5 位作者 张琴 张秋平 徐小楠 鹿轶红 章春来 徐明 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第12期3247-3252,共6页

采用溶胶-凝胶法在玻璃衬底上制备了Zn0.98-xFe0.02FxO(x=0,0.01,0.02,0.03,0.04)薄膜,进而利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见透过谱(UV-VIS)、光致发光(PL)多种测试手段研究了不同掺F浓度对Zn O∶Fe薄膜的表面形... 采用溶胶-凝胶法在玻璃衬底上制备了Zn0.98-xFe0.02FxO(x=0,0.01,0.02,0.03,0.04)薄膜,进而利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见透过谱(UV-VIS)、光致发光(PL)多种测试手段研究了不同掺F浓度对Zn O∶Fe薄膜的表面形貌、微结构、禁带宽度及光致发光的影响。结果表明:样品均为六角纤锌矿结构,当F掺杂浓度为2at%时,薄膜的结晶度最好且表现出明显的c轴择优取向。随着F掺杂浓度的进一步增大,薄膜的结晶性逐渐变差,c轴择优取向消失。F掺杂Zn O∶Fe薄膜在可见光区均有很高的透过率,平均可达93%。样品的禁带宽度随着掺F浓度的增加而减小。PL谱观察到Zn0.98-xFe0.02FxO薄膜的发射峰主要由紫外发射峰和蓝光发射峰组成,其中2at%F掺杂样品的紫外发射强度最大,同时蓝光发射强度随着F含量的增大逐渐减小。 展开更多

关键词 F掺杂 ZnO∶Fe∶F薄膜 溶胶-凝胶法 光学禁带 光致发光

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气体压强对非晶硅薄膜光学特性的影响 被引量：9

9

作者 李世彬 吴志明 +3 位作者 朱魁鹏 蒋亚东 李伟 廖乃镘 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期352-356,共5页

采用RF-PECVD工艺在20～100Pa范围内改变a-Si：H薄膜沉积工作气体压强。傅立叶红外光谱仪（FTIR）测试KBr衬底上的薄膜红外光谱峰随工作气体压强的变化情况，结合红外光谱峰的理论分析确定薄膜中氢含量随工作气体压强变化规律。光谱式... 采用RF-PECVD工艺在20～100Pa范围内改变a-Si：H薄膜沉积工作气体压强。傅立叶红外光谱仪（FTIR）测试KBr衬底上的薄膜红外光谱峰随工作气体压强的变化情况，结合红外光谱峰的理论分析确定薄膜中氢含量随工作气体压强变化规律。光谱式椭偏仪中用Forouhi Bloomer（FB）模型拟合得到薄膜的折射率（n），消光系数（k），厚度及光学禁带Eg，并用扫描电镜（SEM）断面分析对椭偏仪测试结果的准确性进行验证。根据Tauc公式推出薄膜的光学禁带宽Eg和截止波长，并和FB模型得到结果进行了比较，Eg（FB）和Eg（Tauc）的差值在11meV内。原子力显微镜（AFM）和X射线衍射（XRD）表征了工作气体压强对a-Si：H薄膜微结构的影响。 展开更多

关键词 非晶硅 工作压强 沉积速率 光学禁带宽度

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纳米TiO_2薄膜紫外-可见透射光谱研究 被引量：7

10

作者 肖循 《湖北民族学院学报（自然科学版）》 CAS 2005年第3期246-248,共3页

对于采用溶胶-凝胶法和电子束蒸发在普通载玻片上制备的均匀透明纳米TiO2薄膜,通过观测薄膜的紫外-可见光透射率光谱,对其光谱特性和吸收边缘进行了研究,同时测算了TiO2薄膜的光学禁带宽度.

关键词 纳米TIO2薄膜 量子尺寸效应 紫外-可见光谱 光学禁带宽度

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基于激光诱导击穿光谱技术的铜铟镓硒纳米薄膜的分析探测研究 被引量：9

11

作者 修俊山 刘世明 +3 位作者 王琨琨 付圣贵 汪涛 刘云燕 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第12期286-292,共7页

铜铟镓硒薄膜中4种元素的含量比对薄膜的性能有非常大的影响。采用磁控溅射方法在不同工作气压下制备了铜铟镓硒薄膜,利用激光诱导击穿光谱(LIBS)技术实现了铜铟镓硒薄膜中Ga含量与(In+Ga)含量之比以及Cu含量与(In+Ga)含量之比的定量分... 铜铟镓硒薄膜中4种元素的含量比对薄膜的性能有非常大的影响。采用磁控溅射方法在不同工作气压下制备了铜铟镓硒薄膜,利用激光诱导击穿光谱(LIBS)技术实现了铜铟镓硒薄膜中Ga含量与(In+Ga)含量之比以及Cu含量与(In+Ga)含量之比的定量分析。分析了不同工作气压下制备的铜铟镓硒薄膜中元素谱线的强度,结果表明:IGa/I(In+Ga)与薄膜的禁带宽度是对应的,均随工作气压的增加而先增大后减小,当工作气压为2.0Pa时,获得了最大的薄膜禁带宽度;ICu/I(In+Ga)与能谱仪测得的浓度变化一致。LIBS技术能够实现薄膜中元素含量比例的快速检测,不同元素谱线强度的相对比值能够间接反映薄膜中元素含量的比值,验证了LIBS技术在薄膜分析方面的潜力,为优化磁控溅射制备铜铟镓硒薄膜的工作参数提供了方法和技术支持。 展开更多

关键词 光谱学 激光诱导击穿光谱 薄膜分析 铜铟镓硒 磁控溅射 光学禁带宽度

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非晶硅薄膜PECVD法制备与光学性质表征 被引量：6

12

作者 郝江波 夏冬林 +1 位作者 姜宏 赵修建 《武汉理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期55-58,共4页

在普通玻璃上采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备氢化非晶硅薄膜,研究了在不同温度、压力、功率、H2/SiH4气体流量比等条件下氢化非晶硅的沉积速率,折射率、消光系数、吸收系数、光学禁带宽度等光学性质。实验结果表明非晶硅... 在普通玻璃上采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备氢化非晶硅薄膜,研究了在不同温度、压力、功率、H2/SiH4气体流量比等条件下氢化非晶硅的沉积速率,折射率、消光系数、吸收系数、光学禁带宽度等光学性质。实验结果表明非晶硅薄膜的折射率随着入射光波长的增加而减小;在500 nm处吸收系数高达8.5×104cm-1,光学禁带宽度在1.60—1.78 eV之间变化。 展开更多

关键词 非晶硅薄膜 折射率 吸收系数 光学禁带宽度

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可溶性聚对苯乙炔衍生物非线性光学效应研究 被引量：5

13

作者 李宝铭 吴洪才 +1 位作者 高潮 孙建平 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期115-118,共4页

以对甲氧基苯酚和溴代烷为原料,经过脱氯化氢反应合成了三种可溶性非对称烷氧基取代聚对苯乙炔 (PPV)衍生物,分别为聚(2 甲氧基 5 丁氧基)对苯乙炔(PMOBOPV)、聚[2 甲氧基 5 (3′ 甲基)丁氧基]对苯乙炔 (PMOMBOPV)和聚(2 甲氧基 5 ... 以对甲氧基苯酚和溴代烷为原料,经过脱氯化氢反应合成了三种可溶性非对称烷氧基取代聚对苯乙炔 (PPV)衍生物,分别为聚(2 甲氧基 5 丁氧基)对苯乙炔(PMOBOPV)、聚[2 甲氧基 5 (3′ 甲基)丁氧基]对苯乙炔 (PMOMBOPV)和聚(2 甲氧基 5 辛氧基)对苯乙炔(PMOCOPV)。利用后向式简并四波混频(DFWM)研究了它们 的三阶非线性光学性质。结果表明PMOBOPV,PMOMBOPV和PMOCOPV的三阶非线性极化率(χ(3))分别为 3.14×10-10,5.96×10-10和3.71×10-10esu,相应的二阶分子超极化率(γ)分别为4.22×10-28,7.78×10-28和 5.00×10-28esu。分析了分子结构对聚对苯乙炔衍生物非线性光学性质的影响。采用分光光度计对三种材料的 光学禁带宽度(Eg)进行了测量,线性拟合的结果表明PMOBOPV,PMOMBOPV和PMOCOPV的Eg值分别为 2.08,2.03及2.05eV。 展开更多

关键词 非线性光学 聚对苯乙炔衍生物 三阶非线性极化率 简并四波混频 光学禁带宽度

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基于激光诱导击穿光谱技术的铜铟镓硒薄膜中元素含量比的快速定量分析方法 被引量：7

14

作者 刘世明 修俊山 刘云燕 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第9期283-288,共6页

采用单靶磁控溅射方法在不同溅射时间下制备了铜铟镓硒薄膜,并且利用激光诱导击穿光谱技术实现对铜铟镓硒薄膜中元素含量比的快速定量分析。结果表明:随着溅射时间延长,Ga与(In+Ga)的谱线强度比值以及薄膜的禁带宽度同步变化,均呈先减... 采用单靶磁控溅射方法在不同溅射时间下制备了铜铟镓硒薄膜,并且利用激光诱导击穿光谱技术实现对铜铟镓硒薄膜中元素含量比的快速定量分析。结果表明:随着溅射时间延长,Ga与(In+Ga)的谱线强度比值以及薄膜的禁带宽度同步变化,均呈先减小后增大的规律;铜铟镓硒薄膜的激光诱导击穿光谱图以及谱线分析、几种元素辐射强度比值的快速定量分析都表明,激光诱导击穿光谱技术能够间接地实现对铜铟镓硒薄膜中元素含量比的快速检测,能够在铜铟镓硒薄膜的性能分析以及制备参数优化方面发挥辅助作用。 展开更多

关键词 光谱学 激光诱导击穿光谱 薄膜分析 光学禁带宽度 铜铟镓硒 磁控溅射

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一种新型透明导电氧化物薄膜—ITO∶Ta 被引量：4

15

作者 张波 于波 +1 位作者 徐晓峰 赵培 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期59-62,共4页

利用磁控溅射,在玻璃基底上沉积了ITO∶Ta薄膜。研究了在不同衬底温度下ITO和ITO∶Ta薄膜的光电性能。高价金属元素Ta掺杂促进薄膜晶化的同时,导致了(400)晶面择优取向的形成。低温沉积的ITO∶Ta薄膜比ITO薄膜展示了较好的光电性能,Ta... 利用磁控溅射,在玻璃基底上沉积了ITO∶Ta薄膜。研究了在不同衬底温度下ITO和ITO∶Ta薄膜的光电性能。高价金属元素Ta掺杂促进薄膜晶化的同时,导致了(400)晶面择优取向的形成。低温沉积的ITO∶Ta薄膜比ITO薄膜展示了较好的光电性能,Ta掺杂使得室温沉积ITO薄膜的效益指数分别由0.003×10-3Ω-1上升到了0.880×10-3Ω-1。透射谱表明,参数的变化引起明显的Burstin-Moss效应,通过直接跃迁的模型研究了光学禁带的变化。 展开更多

关键词 薄膜 磁控溅射 衬底温度 光学禁带宽度

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p型透明导电的锡镓氧化物薄膜的制备及其表征 被引量：1

16

作者 季振国 陈琛 +2 位作者 王超 周强 赵丽娜 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期93-95,99,共4页

本文通过磁控溅射锡镓合金靶(Ga/Sn=0.2)及热氧化的方法,成功地制备了p型透明导电的锡镓氧化物(TGO)薄膜。X射线衍射(XRD)测试结果表明,TGO薄膜保持SnO2的金红石结构。吸收谱测试表明TGO薄膜在可见光范围内透过率可达到85%以上,其光学... 本文通过磁控溅射锡镓合金靶(Ga/Sn=0.2)及热氧化的方法,成功地制备了p型透明导电的锡镓氧化物(TGO)薄膜。X射线衍射(XRD)测试结果表明,TGO薄膜保持SnO2的金红石结构。吸收谱测试表明TGO薄膜在可见光范围内透过率可达到85%以上,其光学禁带宽度Eg约3.8eV。霍尔效应测试结果表明,TGO薄膜的载流子类型及其浓度与热处理温度密切相关。热氧化温度过高或过低均不利于空穴浓度。当热氧化温度处于(600～700)℃之间时,可以获得p型透明导电的TGO薄膜,最高空穴浓度高达8.84×1018cm-3。 展开更多

关键词 透明导电 氧化物薄膜 P型 制备 表征 镓 锡 光学禁带宽度 空穴浓度 X射线衍射 金红石结构 热处理温度 磁控溅射 SnO2 霍尔效应 温度过高 氧化温度 热氧化 合金靶 测试 透过率 可见光 吸收谱 子类型

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聚[2-甲氧基-5-(3′-甲基)丁氧基]对苯乙炔的合成及性能研究 被引量：2

17

作者 李宝铭 吴洪才 孙建平 《精细化工》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第12期711-714,共4页

以对甲氧基苯酚和溴代异戊烷为原料,经过三步反应制备了大π共轭高分子聚[2 甲氧基 5 (3′ 甲基)丁氧基]对苯乙炔(MMB PPV),摩尔产率为48%。聚合反应投料比为n(双氯苄)∶n(叔丁醇钾)=1∶5。利用1H NMR、FT IR和元素分析等对产物及中间... 以对甲氧基苯酚和溴代异戊烷为原料,经过三步反应制备了大π共轭高分子聚[2 甲氧基 5 (3′ 甲基)丁氧基]对苯乙炔(MMB PPV),摩尔产率为48%。聚合反应投料比为n(双氯苄)∶n(叔丁醇钾)=1∶5。利用1H NMR、FT IR和元素分析等对产物及中间体的结构进行了表征。UV Vis光谱表明,MMB PPV在波长450～550nm具有显著的吸收。TG曲线显示,MMB PPV的失重主要由两个部分组成,245℃对应于聚合物的分解温度。分别用H2SO4、FeCl3和I2对MMB PPV粉末进行掺杂,掺杂后MMB PPV的电导率依次为0 34、8 5×10-2和4 7×10-3S/cm。此外,采用分光光度计对MMB PPV的光学禁带宽度(Eg)进行测量,线性拟合的结果分别为2 02eV及2 07eV。 展开更多

关键词 聚[2-甲氧基-5-(3′-甲基)丁氧基]对苯乙炔 电导率 光学禁带宽度

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离子注入改性聚对苯乙炔的光学及电学性能 被引量：3

18

作者 李宝铭 吴洪才 +2 位作者 刘效增 高潮 孙建平 《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期114-117,共4页

利用脱氯化氢反应制备π共轭高分子聚[2-甲氧基-5-(3′-甲基)丁氧基]对苯乙炔(MM B-PPV)。采用能量为15 keV^35 keV,剂量为3.8×1015ions/cm2~9.6×1016ions/cm2的低能氮离子(N+)对MM B-PPV薄膜进行离子注入改性研究。红外光谱... 利用脱氯化氢反应制备π共轭高分子聚[2-甲氧基-5-(3′-甲基)丁氧基]对苯乙炔(MM B-PPV)。采用能量为15 keV^35 keV,剂量为3.8×1015ions/cm2~9.6×1016ions/cm2的低能氮离子(N+)对MM B-PPV薄膜进行离子注入改性研究。红外光谱显示,离子注入后分子的特征峰未发生显著变化,而在3442cm-1、1622 cm-1等处出现N-H键的振动峰;随着注入能量、剂量的增加,薄膜的紫外-可见吸收边向长波方向移动,π共轭高分子中激发态和基态间的光学禁带宽度变窄;薄膜的表面电导率随着注入能量、剂量的增加迅速提高,当注入能量为35 keV,剂量为9.6×1016ions/cm2时,表面电导率高达3.2×1-0 2S/cm,比本征态提高7个数量级以上。 展开更多

关键词 离子注入 聚[2-甲氧基-5-(3’-甲基)丁氧基]对苯乙炔 表面电导率 光学禁带宽度

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低能离子注入对聚吡咯甲烯的改性 被引量：3

19

作者 张志刚 吴洪才 +1 位作者 刘效增 易文辉 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期419-423,共5页

利用低能氮离子对聚[(3-乙酰基吡咯-2,5-二)对二甲氨基苯甲烯](Papdmabeq)薄膜进行了离子注入改性(注入能量为10-35 keV、剂量为1.2×10 16-2.2×10 17 ions/cm2),研究了与材料三阶非线性极化率相关的物理量的变化规律.结果表明... 利用低能氮离子对聚[(3-乙酰基吡咯-2,5-二)对二甲氨基苯甲烯](Papdmabeq)薄膜进行了离子注入改性(注入能量为10-35 keV、剂量为1.2×10 16-2.2×10 17 ions/cm2),研究了与材料三阶非线性极化率相关的物理量的变化规律.结果表明,氮离子注入使Papdmabeq薄膜的光电特性都发生了显著变化.适当能量和剂量的氮离子注入Papdmabeq薄膜后,薄膜中导电岛的数量增加,在聚合物分子链间形成了大的导电区域,导致其电导率显著提高.当注入离子的能量为25 keV、剂量为2.2×10 17ions/cm2 时,Papdmabeq薄膜的电导率为9.2x 10-4 s/cm,比本征态Papdmabeq的电导率提高了5个数量级,且离子注入后薄膜电导率的环境稳定性优于经碘掺杂的Papdmabeq.氮离子注入可以使这种聚合物薄膜在可见光范围内的光吸收大幅度提高,使共轭程度得到显著增强.当注入离子的能量为35 keV、剂量为2.2×10 17 ions/cm2 时,Papdmabeq的光学禁带宽度(Eg)由1.626 eV降低到1.340 eV. 展开更多

关键词 有机高分子材料 聚[(3-乙酰基吡咯-2 5-二)对二甲氨基苯甲烯] 低能离子注入 光吸收 表面电导率 光学禁带宽度

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二氧化锆栅介质薄膜光学及电学特性研究 被引量：2

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作者 马春雨 李智 张庆瑜 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期491-494,共4页

　采用反应RF磁控溅射法在氧气和氩气的混合气氛中制备了具有较高介电常数、较宽光学禁带间隙的ZrO2薄膜。利用变角度光谱椭圆偏振仪研究了不同O2/Ar流量比下制备所得薄膜的厚度、复折射率、复介电常数和吸收系数,估算了薄膜的光学禁带... 　采用反应RF磁控溅射法在氧气和氩气的混合气氛中制备了具有较高介电常数、较宽光学禁带间隙的ZrO2薄膜。利用变角度光谱椭圆偏振仪研究了不同O2/Ar流量比下制备所得薄膜的厚度、复折射率、复介电常数和吸收系数,估算了薄膜的光学禁带间隙,并测试分析了在不同O2/Ar流量比下溅射沉积的Al/ZrO2/SiO2/n型Si叠层结构的C V、I V特性曲线。通过对O2/Ar流量比分别为1/9、1/4、4/1、1/0工艺条件下溅射沉积ZrO2薄膜的α2与光子能量关系图的拟合,确定了其光学禁带间隙Eg分别为6.27、5.84、6.03、5.92eV,在O2/Ar流量比为1/9、1/4、1/0工艺条件下溅射沉积ZrO2薄膜,其ZrO2/SiO2叠层的有效介电常数keff计算结果分别为14.6、19.6和9.3,漏电流较低(<5.0×10-5A/cm2),其击穿电场强度分别为5.6、6.3、9MV/cm。 展开更多

关键词 光谱椭圆偏振仪 介电常数 ZRO2薄膜 光学禁带间隙

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