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0.8~2.7GHz GaAs PHEMT高线性驱动放大器
被引量:
6
1
作者
张欢
张昭阳
+1 位作者
张晓朋
高博
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第11期850-855,885,共7页
基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款0.8~2.7 GHz的高线性驱动放大器。电路放大部分采用多胞合成技术,避免了工艺对栅宽的限制,同时可以提升输入和输出阻抗。偏置电路采用带负反馈系统的有源镜像结构实现,与传统的有...
基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款0.8~2.7 GHz的高线性驱动放大器。电路放大部分采用多胞合成技术,避免了工艺对栅宽的限制,同时可以提升输入和输出阻抗。偏置电路采用带负反馈系统的有源镜像结构实现,与传统的有源偏置结构相比,引入一个负反馈系统,提高了驱动能力,使电路更加稳定。电路采用+5 V电源供电,静态工作电流为130 mA。该放大器在860~960 MHz、2.1~2.2 GHz和2.3~2.7 GHz性能良好,在2.6 GHz处的小信号增益为14.3 dB,1 dB压缩点输出功率(Po(1 dB))为28.4 dBm,Po(1 dB)处的功率附加效率为41.6%,输出三阶交调点为37.5 dBm。采用片外匹配,不仅节省芯片面积,还可以通过调整输入和输出匹配网络,满足5G基站等移动通信系统不同频段的应用需求。
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关键词
驱动放大器
GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)
高线性
有源偏置电路
低损耗
功
分
网络
下载PDF
职称材料
题名
0.8~2.7GHz GaAs PHEMT高线性驱动放大器
被引量:
6
1
作者
张欢
张昭阳
张晓朋
高博
机构
河北新华北集成电路有限公司
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第11期850-855,885,共7页
文摘
基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款0.8~2.7 GHz的高线性驱动放大器。电路放大部分采用多胞合成技术,避免了工艺对栅宽的限制,同时可以提升输入和输出阻抗。偏置电路采用带负反馈系统的有源镜像结构实现,与传统的有源偏置结构相比,引入一个负反馈系统,提高了驱动能力,使电路更加稳定。电路采用+5 V电源供电,静态工作电流为130 mA。该放大器在860~960 MHz、2.1~2.2 GHz和2.3~2.7 GHz性能良好,在2.6 GHz处的小信号增益为14.3 dB,1 dB压缩点输出功率(Po(1 dB))为28.4 dBm,Po(1 dB)处的功率附加效率为41.6%,输出三阶交调点为37.5 dBm。采用片外匹配,不仅节省芯片面积,还可以通过调整输入和输出匹配网络,满足5G基站等移动通信系统不同频段的应用需求。
关键词
驱动放大器
GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)
高线性
有源偏置电路
低损耗
功
分
网络
Keywords
driver amplifier
GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor(PHEMT)
high linearity
active bias circuit
low loss power divider network
分类号
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
0.8~2.7GHz GaAs PHEMT高线性驱动放大器
张欢
张昭阳
张晓朋
高博
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020
6
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职称材料
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