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Effect of Depletion Layer on the Total Mobility of AIGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
1
作者 Rajab Yahyazadeh Zahra Hashempour 《材料科学与工程（中英文B版）》 2011年第6期790-795,共6页
关键词 高电子迁移率晶体管 耗尽层 流动 GaN 二维电子气密度 数值模型 泊松方程 实验数据
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不同钝化介质层对AlGaN/GaN异质结二维电子气密度的影响
2
作者 陈国强 徐峰 《南京工程学院学报（自然科学版）》 2007年第2期40-44,共5页
试验用高分辨率X射线衍射仪(HRXRD)测定了不同介质层钝化后异质结势垒层AlGaN的附加应变,用范德堡霍尔效应测量法测定了不同介质层钝化后异质结二维电子气密度,发现AlN钝化层尽管给势垒层带来附加的压应变,但依然使二维电子气密度增大,... 试验用高分辨率X射线衍射仪(HRXRD)测定了不同介质层钝化后异质结势垒层AlGaN的附加应变,用范德堡霍尔效应测量法测定了不同介质层钝化后异质结二维电子气密度,发现AlN钝化层尽管给势垒层带来附加的压应变,但依然使二维电子气密度增大,借此讨论了钝化对势垒层表面态产生的影响,分析了钝化机制. 展开更多
关键词 钝化 应变 表面态 二维电子气密度
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Si/Si_(1-x)Ge_x HEMT结构设计的研究
3
作者 胡英 周晓华 +1 位作者 徐毓龙 赵祖军 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2001年第2期162-166,共5页
从晶格匹配及能带阶跃角度讨论了 n沟 Si /Si1－ xGex HEMT结构的设计原理及方法， 对Ismail器件进行了分析和计算，所得二维电子气 (2DEG)的 ns与实验结果基本相符，并利用该设计 理论对 Ismail器件的异质结结构进行了优化改进，提高... 从晶格匹配及能带阶跃角度讨论了 n沟 Si /Si1－ xGex HEMT结构的设计原理及方法， 对Ismail器件进行了分析和计算，所得二维电子气 (2DEG)的 ns与实验结果基本相符，并利用该设计 理论对 Ismail器件的异质结结构进行了优化改进，提高了器件 2DEG的 ns。 展开更多
关键词 HEMT 半导体异质结 晶格匹配 能带阶跃 结构设计 二维电子气密度
原文传递
Si/Si_(1-x)Ge_x HEMT异质结层的结构与二维电子气密度的关系
4
作者 胡英 周晓华 +1 位作者 徐毓龙 赵祖军 《半导体情报》 2001年第2期46-49,共4页
从晶格匹配及能带阶跃角度讨论了设计一个 n沟 Si/Si1-x Gex HEMT异质结层的原理及方法 ,对 K.Ismail器件进行了分析和计算 ,所得 2 DEG的 ns与实验结果基本相符 ,并利用该设计理论对 K. Ismail器件的异质结结构进行了优化改进 ,提高了... 从晶格匹配及能带阶跃角度讨论了设计一个 n沟 Si/Si1-x Gex HEMT异质结层的原理及方法 ,对 K.Ismail器件进行了分析和计算 ,所得 2 DEG的 ns与实验结果基本相符 ,并利用该设计理论对 K. Ismail器件的异质结结构进行了优化改进 ,提高了器件 2 DEG的 ns。 展开更多
关键词 硅 半导体异质结 晶格匹配 能带阶跃 结构设计 二维电子气密度 晶体管 HEMT Zhe化硅
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