介绍了二次离子质谱仪(Secondary Ion Mass Spectrometer,SIMS)的基本原理及其在焦平面红外半导体材料和器件制备工艺中发挥的重要作用。通过对掺砷碲镉汞和CdTe/InSb材料进行SIMS测试,研究了不同离子源和一次束流大小对测试结果的影响...介绍了二次离子质谱仪(Secondary Ion Mass Spectrometer,SIMS)的基本原理及其在焦平面红外半导体材料和器件制备工艺中发挥的重要作用。通过对掺砷碲镉汞和CdTe/InSb材料进行SIMS测试,研究了不同离子源和一次束流大小对测试结果的影响,为后续SIMS分析技术在红外探测器材料的进一步研究奠定了基础。展开更多
介绍了二次离子质谱仪(Secondary Ion Mass Spectrometry,SIMS)测试中一次离子束的各参数对测试的影响。研究发现,离子源的选择由分析元素决定,一次束能量决定深度分辨率,入射角度影响溅射产额,一次离子束的束流密度影响溅射速率。因此,...介绍了二次离子质谱仪(Secondary Ion Mass Spectrometry,SIMS)测试中一次离子束的各参数对测试的影响。研究发现,离子源的选择由分析元素决定,一次束能量决定深度分辨率,入射角度影响溅射产额,一次离子束的束流密度影响溅射速率。因此,在SIMS测试中,需要根据分析目的调节相应参数,以获得较好的分辨率。展开更多
用低压金属有机化学气相沉积 (L P- MOCVD)设备生长了 Al Ga In As压应变量子阱材料、应变补偿量子阱材料并进行了材料特性的测试 ,通过二次离子质谱仪 (SIMS)的测试讨论了材料中氧含量对材料特性的影响 ,通过采用高纯原料和纯化载气 ,...用低压金属有机化学气相沉积 (L P- MOCVD)设备生长了 Al Ga In As压应变量子阱材料、应变补偿量子阱材料并进行了材料特性的测试 ,通过二次离子质谱仪 (SIMS)的测试讨论了材料中氧含量对材料特性的影响 ,通过采用高纯原料和纯化载气 ,生长出了较高质量的 Al Ga In As应变量子阱材料 :氧含量小 ,光荧光强度大 (2 5 m W,PL=0 .3) ,光荧光谱线窄 (FWHM=31me V)展开更多
文摘介绍了二次离子质谱仪(Secondary Ion Mass Spectrometer,SIMS)的基本原理及其在焦平面红外半导体材料和器件制备工艺中发挥的重要作用。通过对掺砷碲镉汞和CdTe/InSb材料进行SIMS测试,研究了不同离子源和一次束流大小对测试结果的影响,为后续SIMS分析技术在红外探测器材料的进一步研究奠定了基础。
文摘介绍了二次离子质谱仪(Secondary Ion Mass Spectrometry,SIMS)测试中一次离子束的各参数对测试的影响。研究发现,离子源的选择由分析元素决定,一次束能量决定深度分辨率,入射角度影响溅射产额,一次离子束的束流密度影响溅射速率。因此,在SIMS测试中,需要根据分析目的调节相应参数,以获得较好的分辨率。
文摘用低压金属有机化学气相沉积 (L P- MOCVD)设备生长了 Al Ga In As压应变量子阱材料、应变补偿量子阱材料并进行了材料特性的测试 ,通过二次离子质谱仪 (SIMS)的测试讨论了材料中氧含量对材料特性的影响 ,通过采用高纯原料和纯化载气 ,生长出了较高质量的 Al Ga In As应变量子阱材料 :氧含量小 ,光荧光强度大 (2 5 m W,PL=0 .3) ,光荧光谱线窄 (FWHM=31me V)
