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氮化镓基蓝、绿光LED中游工艺技术产业化研究 被引量:5
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作者 张书明 杨辉 +7 位作者 段俐宏 王海 李秉成 王胜国 吴启保 章裕中 胡德进 张双益 《液晶与显示》 CAS CSCD 2003年第1期44-47,共4页
氮化镓基蓝、绿光LED在光显示及未来的白光照明领域具有广阔的应用前景,中国科学院半导体研究所和深圳市方大国科光电技术公司利用双方各自的技术优势和资金管理优势,实现了氮化镓基蓝、绿光LED中游工艺技术产业化,目前产品已经批量上... 氮化镓基蓝、绿光LED在光显示及未来的白光照明领域具有广阔的应用前景,中国科学院半导体研究所和深圳市方大国科光电技术公司利用双方各自的技术优势和资金管理优势,实现了氮化镓基蓝、绿光LED中游工艺技术产业化,目前产品已经批量上市销售。 展开更多
关键词 氮化镓 LED 产业化 发光二极管 绿光 蓝光 工艺技术 中国科学院半导体研究所 深圳市方大国科光电技术公司
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以计算之光,照亮材料研发之路——记中国科学院半导体研究所研究员汪林望
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作者 张方方 刘玉杰 《科学中国人》 2023年第10期56-59,共4页
先进材料是高新技术产业的先导和高端制造业的关键基础,是国际高技术竞争的关键领域,是未来工业发展的重要支撑点。所谓“一代材料,一代技术”,随着新材料的研发更迭,一个不得不面对的重要问题也摆在研究者面前,那就是:大多数新材料研... 先进材料是高新技术产业的先导和高端制造业的关键基础,是国际高技术竞争的关键领域,是未来工业发展的重要支撑点。所谓“一代材料,一代技术”,随着新材料的研发更迭,一个不得不面对的重要问题也摆在研究者面前,那就是:大多数新材料研发仍在沿用传统的实验试错方法。“很难想象打造一架飞机、一枚火箭,靠的是感觉和经验。”中国科学院半导体研究所资深研究员汪林望表示,“大多数人没有意识到,地球上身边所见的一切物质及其性质,都受到量子力学的控制,都可以通过计算来理解与预测。没有计算,工业生产寸步难行。” 展开更多
关键词 高新技术产业 重要支撑点 高端制造业 资深研究 汪林 关键领域 新材料研发 中国科学院半导体研究所
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一代宗师 德厚流光——纪念黄昆先生诞辰100周年 被引量:1
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作者 郑厚植 《物理》 CAS 北大核心 2019年第8期507-509,共3页
黄昆先生离开我们已经14年了.2019年是先生诞辰100周年。黄先生作为中国半导体科技界的一代宗师,立德立言,赤心报国,以身作则,行为典范,使我们这一代学生辈的科技人员受益匪浅。从严格意义上讲,我并不是黄先生的学生。清华和北大虽然相... 黄昆先生离开我们已经14年了.2019年是先生诞辰100周年。黄先生作为中国半导体科技界的一代宗师,立德立言,赤心报国,以身作则,行为典范,使我们这一代学生辈的科技人员受益匪浅。从严格意义上讲,我并不是黄先生的学生。清华和北大虽然相隔很近,但就读清华大学的我仍无缘在大学期间直接聆听先生的讲课。 展开更多
关键词 科学大师 半导体超晶格 半导体物理学 王守武 科研人才 一代宗师 中国科学院半导体研究所 低维半导体结构
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追忆伟大的物理学家黄昆先生——访中国科学院院士朱邦芬 被引量:1
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作者 卫夏雯 《科技导报》 CAS CSCD 北大核心 2019年第17期6-12,共7页
黄昆先生是一位具有卓越才能的世界级物理学家,是中国固体物理和半导体物理的一代宗师。1942—1944年,黄昆在西南联合大学攻读硕士研究生,师从吴大猷先生,与杨振宁、张守廉结成半个多世纪的友谊。1945—1948年,黄昆在英国布列斯托大学... 黄昆先生是一位具有卓越才能的世界级物理学家,是中国固体物理和半导体物理的一代宗师。1942—1944年,黄昆在西南联合大学攻读硕士研究生,师从吴大猷先生,与杨振宁、张守廉结成半个多世纪的友谊。1945—1948年,黄昆在英国布列斯托大学师从诺贝尔物理学奖获得者莫特,并获得博士学位,这对于黄昆研究领域的确定和学术风格的形成起了决定性的作用。 展开更多
关键词 杨振宁 中国科学院半导体研究所 物理学家 半导体物理 半导体超晶格 中国科学院院士
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缅怀黄昆先生在中国科学院半导体研究所建树的丰功伟绩——纪念黄昆先生100年诞辰 被引量:1
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作者 王启明 《科技导报》 CAS CSCD 北大核心 2019年第17期29-31,共3页
在国际物理学界,黄昆的名字尽人皆知,他开创了晶格动力学理论,并由此发现了一系列新的物理规律和效应,'黄方程''黄散射''极化激元''多声子跃迁''声子瓶颈''黄-朱方程'等,这些都是非常... 在国际物理学界,黄昆的名字尽人皆知,他开创了晶格动力学理论,并由此发现了一系列新的物理规律和效应,'黄方程''黄散射''极化激元''多声子跃迁''声子瓶颈''黄-朱方程'等,这些都是非常重要的基础理论。或许人们会认为,黄昆先生只是一位卓越的理论物理学家,理论物理是他的兴趣和追求,他可为此而献身。 展开更多
关键词 半导体物理 中国科学院半导体研究所
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第11届半导体缺陷认知、成像与物理会议 被引量:1
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作者 李东升 杨德仁 《国际学术动态》 2006年第5期48-49,共2页
第11届半导体缺陷认知、成像与物理会议(11th International Conference on Defects-Recognition,Imaging and Physics in Semiconductors(DRIP XI))于2005年9月15-19日在北京举行,来自26个国家(地区)的共124位代表与会。会议... 第11届半导体缺陷认知、成像与物理会议(11th International Conference on Defects-Recognition,Imaging and Physics in Semiconductors(DRIP XI))于2005年9月15-19日在北京举行,来自26个国家(地区)的共124位代表与会。会议由中国科学院半导体研究所和浙江大学共同主办,会议主席是中国科学院半导体研究所的王占国院士,会议程序委员会主席则是浙江大学硅材料国家重点实验室的杨德仁教授;会议国际指导委员会和会议国际程序委员会分别由著名学者JeanPierre Landesman、Piotr Edelman等16人和18人组成。 展开更多
关键词 半导体缺陷 中国科学院半导体研究所 会议 物理 成像 硅材料国家重点实验室 浙江大学 委员会
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世界知名的半导体材料和材料物理学家 国家高技术新材料领域功能材料专家组组长 中科院半导体所研究员、中国科学院院士 王占国
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作者 杨亲民 《功能材料信息》 2009年第5期57-59,共3页
王占国男,1938年12月出生,河南镇平人。半导体材料和材料物理学家,中科院半导体所研究员,中科院院士。1962年毕业于南开大学物理系,同年被分配到中国科学院半导体研究所工作,
关键词 半导体材料 中科院院士 功能材料 物理学家 中国科学院院士 研究 新材料领域 中国科学院半导体研究所
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中国科学院院士、半导体材料和材料物理学家王占国——求真求新终不悔
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作者 梁婧 《今日科苑》 2013年第13期21-25,共5页
王占国,1938年12月出生于河南省镇平县,1962年毕业于南开大学物理系。1980年在瑞典隆德大学固体物理系当访问学者。1986年破格晋升为中国科学院半导体研究所研究员。1995年当选为中国科学院院士。
关键词 中国科学院院士 半导体材料 物理学家 中国科学院半导体研究所 南开大学 物理系 镇平县 河南省
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历览人间世 守拙赤子情——记中国科学院院士、中国科学院半导体研究所研究员夏建白
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作者 郑莉颖 王辉 《科学中国人》 2019年第9期24-27,共4页
从成府路往北,穿过清华东路,中国科学院半导体研究所(以下简称'半导体研究所')门前的11个大字清晰可见。在名门学府和科研院所林立的北京五道口,无论是地理位置、占地面积,还是所内建筑物样式,半导体研究所都不起眼。然而这里... 从成府路往北,穿过清华东路,中国科学院半导体研究所(以下简称'半导体研究所')门前的11个大字清晰可见。在名门学府和科研院所林立的北京五道口,无论是地理位置、占地面积,还是所内建筑物样式,半导体研究所都不起眼。然而这里却是孕育中国半导体物理学的摇篮。 展开更多
关键词 夏建白 半导体物理学 中国科学院院士 人间世 中国科学院半导体研究所
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开创多维空间仿生信息学——中国科学院院士王守觉
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作者 赵凡 《科技成果管理与研究》 2012年第3期3-5,共3页
王守觉,中国科学院院士,半导体与信息科学专家,是我国半导体器件与微电子奠基人之一。1949年毕业于同济大学,后历任中国科学院半导体所研究员、室主任、副所长、所长,1980年当选院士(学部委员)。现为中国科学院半导体研究所、中... 王守觉,中国科学院院士,半导体与信息科学专家,是我国半导体器件与微电子奠基人之一。1949年毕业于同济大学,后历任中国科学院半导体所研究员、室主任、副所长、所长,1980年当选院士(学部委员)。现为中国科学院半导体研究所、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员,博士生导师,同时为中国科学院半导体研究所神经网络与形象思维实验室负责人, 展开更多
关键词 中国科学院院士 中国科学院半导体研究所 多维空间 仿生 信息学 半导体器件 纳米技术 博士生导师
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《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期2050-2051,共2页
关键词 中国科学院半导体研究所 投稿 中国电子学会 半导体物理 科研成果 国内外 器件
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cMoS光电子集成回路
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作者 王贞 杜莹 《科技纵览》 2013年第9期62-65,共4页
中国科学院半导体研究所光电子与微系统集成及生物医学应用研究组基于互补金属氧化物半导体(ComplementaryMetalOxideSemiconductor,CMOS)工艺平台研制了光电子集成回路,并初步实现了片上光互连的功能,有望解决深亚微米集成电路芯... 中国科学院半导体研究所光电子与微系统集成及生物医学应用研究组基于互补金属氧化物半导体(ComplementaryMetalOxideSemiconductor,CMOS)工艺平台研制了光电子集成回路,并初步实现了片上光互连的功能,有望解决深亚微米集成电路芯片中电互连的瓶颈。研制的光电子集成回路还可用于生物医学领域中的海量神经信号传输,有望应用于神经控制和神经修复等。 展开更多
关键词 光电子集成 回路 CMOS 中国科学院半导体研究所 互补金属氧化物半导体 集成电路芯片 神经控制 生物医学
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中国科学院半导体研究所最新科技成果推介(1)
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《泰州科技》 2010年第5期34-36,共3页
MOCVD材料生长等重大装备项目 当今世界上生产半导体光电器件和微波器件材料的主要手段,是当今信息产业发展、国防高新技术突破不可缺少的战略性高技术。实现了衬底机座的公转/自传独立调节、具有低成本的新型原料配送结构等功能,并... MOCVD材料生长等重大装备项目 当今世界上生产半导体光电器件和微波器件材料的主要手段,是当今信息产业发展、国防高新技术突破不可缺少的战略性高技术。实现了衬底机座的公转/自传独立调节、具有低成本的新型原料配送结构等功能,并生产出性能优良的氮化镓基材料。目前具有新颖结构设计、具有独立自主知识产权的新型6片型MOCVD系统原型机即将研制成功并投入使用,为国产化MOCVD设备的产业化发展奠定了坚实基础。 展开更多
关键词 中国科学院半导体研究所 科技成果 MOCVD系统 半导体光电器件 MOCVD设备 材料生长 信息产业发展 自主知识产权
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世伟洛克(Swagelok)为中国半导体研发提供解决方案
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《电子工业专用设备》 2006年第8期54-55,共2页
位于北京的中国科学院半导体研究所致力于促进中国半导体材料科学的发展和推广。在过去的6年内,他们制造出世界上第一批立方气相氮化镓发光二极管。在成功将蓝光二极管(LED)技术转入生产应用后,他们的努力都集中在短波长激光二极管... 位于北京的中国科学院半导体研究所致力于促进中国半导体材料科学的发展和推广。在过去的6年内,他们制造出世界上第一批立方气相氮化镓发光二极管。在成功将蓝光二极管(LED)技术转入生产应用后,他们的努力都集中在短波长激光二极管、紫外探测器、高效LED和磁性半导体。最近该研究所成功地制造出几种高灵敏度的紫外探测器,并在蓝光激光二极管研发方面取得显著进步。 展开更多
关键词 中国科学院半导体研究所 研发 蓝光二极管 激光二极管 紫外探测器 发光二极管 磁性半导体 材料科学 生产应用 高灵敏度
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我国数字频率合成芯片获突破进展
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《电力电子》 2005年第4期3-4,共2页
近日,中国科学院半导体研究所科研人员在新型高速直接数字频率合成(DDS)芯片研制中取得突破性进展,采用0.35μm常规互补金属氧化物半导体电路(CMOS)工艺,研制出合成时钟频率达2kMHz的新一代不需要只读存储器的低功耗直接数字频... 近日,中国科学院半导体研究所科研人员在新型高速直接数字频率合成(DDS)芯片研制中取得突破性进展,采用0.35μm常规互补金属氧化物半导体电路(CMOS)工艺,研制出合成时钟频率达2kMHz的新一代不需要只读存储器的低功耗直接数字频率合成(ROM-LESS DDS)高速芯片。目前,这种CMOS DDS结构方式的芯片速度指标处于国际同类芯片领先地位,此前国际上报道的类似芯片的合成时钟频率仅为1.2kMHz。 展开更多
关键词 频率合成芯片 直接数字频率合成(DDS) 中国科学院半导体研究所 时钟频率 高速芯片 突破性进展 半导体电路 金属氧化物 只读存储器
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期待1%的崛起——访无锡凤凰半导体科技有限公司总经理屈志军
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作者 于璇 《电器》 2012年第9期I0050-I0051,共2页
2012年6月,《电器》记者初次与无锡凤凰半导体科技有限公司总经理屈志军会面.地点是在中国科学院半导体研究所。那时,他正指点着满是坐标图和公式的黑板,与半导体研究所的研究员热烈地讨论着IGBT的性能参数。虽然记者并不了解那些... 2012年6月,《电器》记者初次与无锡凤凰半导体科技有限公司总经理屈志军会面.地点是在中国科学院半导体研究所。那时,他正指点着满是坐标图和公式的黑板,与半导体研究所的研究员热烈地讨论着IGBT的性能参数。虽然记者并不了解那些术语背后的奥义.却可以感受到屈志军对于电力电子半导体行业的热爱。 展开更多
关键词 中国科学院半导体研究所 总经理 科技 凤凰 无锡 半导体行业 性能参数 IGBT
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半导体所在砷化镓/锗中拓扑相研究方面获重要发现
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《现代材料动态》 2014年第5期19-20,共2页
中国科学院半导体研究所常凯研究组提出利用表面极化电荷在传统常见半导体材料GaAs/Ge中实现拓扑绝缘体相。通过第一性原理计算和多带k.p理论成功地证明了GaAs/Ge极化电荷诱导的拓扑绝缘体相,这为拓扑绝缘体的器件应用又向前推进了... 中国科学院半导体研究所常凯研究组提出利用表面极化电荷在传统常见半导体材料GaAs/Ge中实现拓扑绝缘体相。通过第一性原理计算和多带k.p理论成功地证明了GaAs/Ge极化电荷诱导的拓扑绝缘体相,这为拓扑绝缘体的器件应用又向前推进了一步。 展开更多
关键词 半导体材料 拓扑 中国科学院半导体研究所 GAAS Ge 砷化镓 第一性原理计算 极化电荷 绝缘体
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《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期2066-2067,共2页
《半导体学报》是中国电子学会和中国科学院半导体研究所共同主办的国家一级刊物(月刊,国内外公开发行),被EI,CA,SA,P冰等收录.主要报道半导体物理、材料、器件、电路、工艺等领域的科研成果.
关键词 中国科学院半导体研究所 投稿 中国电子学会 半导体物理 科研成果 国内外 器件
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广东省中科宏微半导体设备有限公司
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《广东科技》 2012年第18期62-63,共2页
广东省中科宏微半导体设备有限公 司,是由中国科学院半导体研究所、广东省广晟资产经营有限公司、广东省工业技术研究院、东莞勤上光电股份有限公司和洲明科技有限公司共同投资组建的股份制公司。公司注册资本为1.3亿元人民币。公司... 广东省中科宏微半导体设备有限公 司,是由中国科学院半导体研究所、广东省广晟资产经营有限公司、广东省工业技术研究院、东莞勤上光电股份有限公司和洲明科技有限公司共同投资组建的股份制公司。公司注册资本为1.3亿元人民币。公司以中科院半导体研究所为技术依托,聚集国内外一流人才团队,专注于半导体照明核心装备——金属有机化学气相沉积(MOCVD)的研发与制造,力争成为国际一流的MOCVD装备制造企业。 展开更多
关键词 半导体设备 广东省 中国科学院半导体研究所 金属有机化学气相沉积 装备制造企业 股份制公司 工业技术
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河北省技术发明奖一等奖项目简介
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《中国科技奖励》 2013年第6期37-41,共5页
基于光纤传感的工程结构长期监测技术完成单位:石家庄铁道大学,中国科学院半导体研究所完成人:杜彦良,李剑芝,孙宝臣,张文涛,赵维刚,王新敏大型工程结构的建设质量与运行安全关系到国民经济和人民生命财产,由于性能退化、超载服役或... 基于光纤传感的工程结构长期监测技术完成单位:石家庄铁道大学,中国科学院半导体研究所完成人:杜彦良,李剑芝,孙宝臣,张文涛,赵维刚,王新敏大型工程结构的建设质量与运行安全关系到国民经济和人民生命财产,由于性能退化、超载服役或自然灾害等原因,工程结构损伤破坏或垮塌事件屡有发生,造成重大生命与经济财产损失。 展开更多
关键词 技术发明奖 中国科学院半导体研究所 河北省 工程结构 生命财产 国民经济 监测技术 光纤传感
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