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h-BN/Si_3N_4陶瓷复合材料的断裂行为及断裂韧性 被引量:7
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作者 魏大庆 孟庆昌 贾德昌 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期229-232,共4页
以亚微米级α-Si3N4和h-BN粉末为原料,Y2O3-Al2O3为助烧剂,采用热压烧结制备了h-BN/Si3N4陶瓷复合材料.研究3h-BN含量对h-BN/Si3N4陶瓷复合材料断裂韧性及其断裂行为的影响.结果表明:随着h-BN含量增加,柱状β-Si3N4晶粒的直径和长径比... 以亚微米级α-Si3N4和h-BN粉末为原料,Y2O3-Al2O3为助烧剂,采用热压烧结制备了h-BN/Si3N4陶瓷复合材料.研究3h-BN含量对h-BN/Si3N4陶瓷复合材料断裂韧性及其断裂行为的影响.结果表明:随着h-BN含量增加,柱状β-Si3N4晶粒的直径和长径比均下降;未加h-BN时,β-Si3N4陶瓷以沿晶断裂为主,添加体积含量为6%和8%的h-BN后,复合材料出现明显的沿晶和穿晶断裂,而添加10%h-BN的陶瓷复合材料则以沿晶断裂为主.随着h-BN含量增加,h-BN/Si3N4陶瓷复合材料的断裂韧性下降,但由于h-BN颗粒对裂纹扩展的影响,因而其下降程度不大. 展开更多
关键词 h-Bn/si3n4陶瓷复合材料 显微结构 β-si3n4晶粒 断裂行为 断裂韧性
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自增韧氮化硅陶瓷刀具材料的研究现状
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作者 邢宏宇 刘炳强 +2 位作者 孙静 王超 王芳芳 《工具技术》 北大核心 2015年第10期11-15,共5页
分析了自增韧Si3N4陶瓷中β-Si3N4晶粒的长径比、直径等属性对其力学性能的影响,总结了影响β-Si3N4晶粒生长的几种因素。认为β-Si3N4柱状晶虽能改善材料韧性,但基体中引入柱状晶或基体晶粒粗化都会降低材料的抗弯强度。为了获得综合... 分析了自增韧Si3N4陶瓷中β-Si3N4晶粒的长径比、直径等属性对其力学性能的影响,总结了影响β-Si3N4晶粒生长的几种因素。认为β-Si3N4柱状晶虽能改善材料韧性,但基体中引入柱状晶或基体晶粒粗化都会降低材料的抗弯强度。为了获得综合性能优秀的陶瓷刀具材料,需要对β-Si3N4基体晶粒、柱状晶的生长加以调控。 展开更多
关键词 β-si3n4晶粒 双峰分布 自增韧 原始粉料
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长颗粒(柱状晶)Si_3N_4陶瓷的研究及进展 被引量:4
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作者 尤显卿 斯庭智 +1 位作者 刘宁 许育东 《粉末冶金技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期359-363,共5页
Si3 N4陶瓷材料由于具有很好的高温性能及高的力学性能 ,而被广泛地用于结构陶瓷 ,如切削刀具等。然而 ,因为其对缺陷很敏感 ,故易受灾难性的失效。人们发展了多种Si3 N4增韧陶瓷 ,其中自增韧由于一些优异的性能越来越受到人们的重视。... Si3 N4陶瓷材料由于具有很好的高温性能及高的力学性能 ,而被广泛地用于结构陶瓷 ,如切削刀具等。然而 ,因为其对缺陷很敏感 ,故易受灾难性的失效。人们发展了多种Si3 N4增韧陶瓷 ,其中自增韧由于一些优异的性能越来越受到人们的重视。在此文中 ,着重介绍了影响Si3 N4陶瓷长颗粒 (柱状晶 )晶粒生成的因素 ,并介绍了国内外对长颗粒Si3 展开更多
关键词 si3n4陶瓷 研究进展 自韧 力学性能 纳米复合 微观设计
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氮气流量对非晶SiN_x到含有Si_3N_4晶粒的富硅-SiN_x薄膜转变的影响 被引量:1
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作者 李婷婷 周炳卿 闫泽飞 《内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版)》 CAS 2019年第3期230-234,共5页
基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,应用高纯硅烷和氮气为反应气体,通过设置氮气流量分别为100 sccm、200 sccm、300 sccm和400 sccm四个梯度,研究非晶SiN_x到含有Si_3N_4晶粒的富硅SiN_x薄膜材料转变的影响,并利用傅里叶红外变... 基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,应用高纯硅烷和氮气为反应气体,通过设置氮气流量分别为100 sccm、200 sccm、300 sccm和400 sccm四个梯度,研究非晶SiN_x到含有Si_3N_4晶粒的富硅SiN_x薄膜材料转变的影响,并利用傅里叶红外变换谱、紫外-可见光谱和X射线衍射谱对薄膜样品结构进行表征.结果表明,随着N_2流量的增加,SiN_x薄膜中氮原子浓度减小,Si-N键密度减小,Si-H键密度增加,薄膜中出现Si-Si键并且密度逐渐增加,非晶SiN_x逐渐向富硅SiN_x薄膜转变.同时薄膜光学带隙逐渐变大,缺陷态密度增加,微观结构的有序度减小,也说明N_2的增加对富硅SiN_x薄膜产生有促进作用.此外,薄膜内出现了Si_3N_4结晶颗粒,且晶粒尺度随着N_2流量增加而减小,进一步说明薄膜从非晶SiN_x逐渐向含Si_3N_4结晶颗粒的富硅SiN_x转变.该实验证明了采用PECVD技术制备SiN_x薄膜时,通过控制N_2流量,有助于薄膜从非晶SiN_x逐渐向含有结晶的Si_3N_4的富硅SiN_x薄膜转变. 展开更多
关键词 PECVD技术 氮气流量 si3n4晶粒 富硅-氮化硅薄膜
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