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h-BN/Si_3N_4陶瓷复合材料的断裂行为及断裂韧性
被引量:
7
1
作者
魏大庆
孟庆昌
贾德昌
《材料科学与工艺》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第2期229-232,共4页
以亚微米级α-Si3N4和h-BN粉末为原料,Y2O3-Al2O3为助烧剂,采用热压烧结制备了h-BN/Si3N4陶瓷复合材料.研究3h-BN含量对h-BN/Si3N4陶瓷复合材料断裂韧性及其断裂行为的影响.结果表明:随着h-BN含量增加,柱状β-Si3N4晶粒的直径和长径比...
以亚微米级α-Si3N4和h-BN粉末为原料,Y2O3-Al2O3为助烧剂,采用热压烧结制备了h-BN/Si3N4陶瓷复合材料.研究3h-BN含量对h-BN/Si3N4陶瓷复合材料断裂韧性及其断裂行为的影响.结果表明:随着h-BN含量增加,柱状β-Si3N4晶粒的直径和长径比均下降;未加h-BN时,β-Si3N4陶瓷以沿晶断裂为主,添加体积含量为6%和8%的h-BN后,复合材料出现明显的沿晶和穿晶断裂,而添加10%h-BN的陶瓷复合材料则以沿晶断裂为主.随着h-BN含量增加,h-BN/Si3N4陶瓷复合材料的断裂韧性下降,但由于h-BN颗粒对裂纹扩展的影响,因而其下降程度不大.
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关键词
h-B
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陶瓷复合材料
显微结构
β
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4
晶粒
断裂行为
断裂韧性
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职称材料
自增韧氮化硅陶瓷刀具材料的研究现状
2
作者
邢宏宇
刘炳强
+2 位作者
孙静
王超
王芳芳
《工具技术》
北大核心
2015年第10期11-15,共5页
分析了自增韧Si3N4陶瓷中β-Si3N4晶粒的长径比、直径等属性对其力学性能的影响,总结了影响β-Si3N4晶粒生长的几种因素。认为β-Si3N4柱状晶虽能改善材料韧性,但基体中引入柱状晶或基体晶粒粗化都会降低材料的抗弯强度。为了获得综合...
分析了自增韧Si3N4陶瓷中β-Si3N4晶粒的长径比、直径等属性对其力学性能的影响,总结了影响β-Si3N4晶粒生长的几种因素。认为β-Si3N4柱状晶虽能改善材料韧性,但基体中引入柱状晶或基体晶粒粗化都会降低材料的抗弯强度。为了获得综合性能优秀的陶瓷刀具材料,需要对β-Si3N4基体晶粒、柱状晶的生长加以调控。
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关键词
β
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si
3
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4
晶粒
双峰分布
自增韧
原始粉料
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职称材料
长颗粒(柱状晶)Si_3N_4陶瓷的研究及进展
被引量:
4
3
作者
尤显卿
斯庭智
+1 位作者
刘宁
许育东
《粉末冶金技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第6期359-363,共5页
Si3 N4陶瓷材料由于具有很好的高温性能及高的力学性能 ,而被广泛地用于结构陶瓷 ,如切削刀具等。然而 ,因为其对缺陷很敏感 ,故易受灾难性的失效。人们发展了多种Si3 N4增韧陶瓷 ,其中自增韧由于一些优异的性能越来越受到人们的重视。...
Si3 N4陶瓷材料由于具有很好的高温性能及高的力学性能 ,而被广泛地用于结构陶瓷 ,如切削刀具等。然而 ,因为其对缺陷很敏感 ,故易受灾难性的失效。人们发展了多种Si3 N4增韧陶瓷 ,其中自增韧由于一些优异的性能越来越受到人们的重视。在此文中 ,着重介绍了影响Si3 N4陶瓷长颗粒 (柱状晶 )晶粒生成的因素 ,并介绍了国内外对长颗粒Si3
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关键词
si
3
n
4
陶瓷
研究进展
自韧
力学性能
纳米复合
微观设计
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职称材料
氮气流量对非晶SiN_x到含有Si_3N_4晶粒的富硅-SiN_x薄膜转变的影响
被引量:
1
4
作者
李婷婷
周炳卿
闫泽飞
《内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版)》
CAS
2019年第3期230-234,共5页
基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,应用高纯硅烷和氮气为反应气体,通过设置氮气流量分别为100 sccm、200 sccm、300 sccm和400 sccm四个梯度,研究非晶SiN_x到含有Si_3N_4晶粒的富硅SiN_x薄膜材料转变的影响,并利用傅里叶红外变...
基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,应用高纯硅烷和氮气为反应气体,通过设置氮气流量分别为100 sccm、200 sccm、300 sccm和400 sccm四个梯度,研究非晶SiN_x到含有Si_3N_4晶粒的富硅SiN_x薄膜材料转变的影响,并利用傅里叶红外变换谱、紫外-可见光谱和X射线衍射谱对薄膜样品结构进行表征.结果表明,随着N_2流量的增加,SiN_x薄膜中氮原子浓度减小,Si-N键密度减小,Si-H键密度增加,薄膜中出现Si-Si键并且密度逐渐增加,非晶SiN_x逐渐向富硅SiN_x薄膜转变.同时薄膜光学带隙逐渐变大,缺陷态密度增加,微观结构的有序度减小,也说明N_2的增加对富硅SiN_x薄膜产生有促进作用.此外,薄膜内出现了Si_3N_4结晶颗粒,且晶粒尺度随着N_2流量增加而减小,进一步说明薄膜从非晶SiN_x逐渐向含Si_3N_4结晶颗粒的富硅SiN_x转变.该实验证明了采用PECVD技术制备SiN_x薄膜时,通过控制N_2流量,有助于薄膜从非晶SiN_x逐渐向含有结晶的Si_3N_4的富硅SiN_x薄膜转变.
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关键词
PECVD技术
氮气流量
si
3
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4
晶粒
富硅-氮化硅薄膜
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职称材料
题名
h-BN/Si_3N_4陶瓷复合材料的断裂行为及断裂韧性
被引量:
7
1
作者
魏大庆
孟庆昌
贾德昌
机构
哈尔滨工业大学特种陶瓷研究所
出处
《材料科学与工艺》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第2期229-232,共4页
文摘
以亚微米级α-Si3N4和h-BN粉末为原料,Y2O3-Al2O3为助烧剂,采用热压烧结制备了h-BN/Si3N4陶瓷复合材料.研究3h-BN含量对h-BN/Si3N4陶瓷复合材料断裂韧性及其断裂行为的影响.结果表明:随着h-BN含量增加,柱状β-Si3N4晶粒的直径和长径比均下降;未加h-BN时,β-Si3N4陶瓷以沿晶断裂为主,添加体积含量为6%和8%的h-BN后,复合材料出现明显的沿晶和穿晶断裂,而添加10%h-BN的陶瓷复合材料则以沿晶断裂为主.随着h-BN含量增加,h-BN/Si3N4陶瓷复合材料的断裂韧性下降,但由于h-BN颗粒对裂纹扩展的影响,因而其下降程度不大.
关键词
h-B
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si
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4
陶瓷复合材料
显微结构
β
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4
晶粒
断裂行为
断裂韧性
Keywords
h
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B
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4
ceramic
compo
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microstructure
β
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grains
fracture
behavior
fracture
tough
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ess
分类号
TQ175.15 [化学工程—硅酸盐工业]
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职称材料
题名
自增韧氮化硅陶瓷刀具材料的研究现状
2
作者
邢宏宇
刘炳强
孙静
王超
王芳芳
机构
山东科技大学
潍坊学院
河北工业大学
出处
《工具技术》
北大核心
2015年第10期11-15,共5页
基金
山东省优秀中青年科学家科研奖励基金(BS2011ZZ019)
文摘
分析了自增韧Si3N4陶瓷中β-Si3N4晶粒的长径比、直径等属性对其力学性能的影响,总结了影响β-Si3N4晶粒生长的几种因素。认为β-Si3N4柱状晶虽能改善材料韧性,但基体中引入柱状晶或基体晶粒粗化都会降低材料的抗弯强度。为了获得综合性能优秀的陶瓷刀具材料,需要对β-Si3N4基体晶粒、柱状晶的生长加以调控。
关键词
β
-
si
3
n
4
晶粒
双峰分布
自增韧
原始粉料
Keywords
β
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si
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4
grains
bimodal
grain
si
ze
distributio
n
self-toughe
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origi
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al
power
分类号
TG711 [金属学及工艺—刀具与模具]
TB383.1 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
长颗粒(柱状晶)Si_3N_4陶瓷的研究及进展
被引量:
4
3
作者
尤显卿
斯庭智
刘宁
许育东
机构
合肥工业大学材料科学与工程学院
出处
《粉末冶金技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第6期359-363,共5页
文摘
Si3 N4陶瓷材料由于具有很好的高温性能及高的力学性能 ,而被广泛地用于结构陶瓷 ,如切削刀具等。然而 ,因为其对缺陷很敏感 ,故易受灾难性的失效。人们发展了多种Si3 N4增韧陶瓷 ,其中自增韧由于一些优异的性能越来越受到人们的重视。在此文中 ,着重介绍了影响Si3 N4陶瓷长颗粒 (柱状晶 )晶粒生成的因素 ,并介绍了国内外对长颗粒Si3
关键词
si
3
n
4
陶瓷
研究进展
自韧
力学性能
纳米复合
微观设计
Keywords
Elo
n
gated(rod
like)
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n
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grains
I
n
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tu
toughe
n
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Mecha
n
ical
properties
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ocompo
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Microstructure
de
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n
g
分类号
TF125.3 [冶金工程—粉末冶金]
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职称材料
题名
氮气流量对非晶SiN_x到含有Si_3N_4晶粒的富硅-SiN_x薄膜转变的影响
被引量:
1
4
作者
李婷婷
周炳卿
闫泽飞
机构
内蒙古师范大学物理与电子信息学院
内蒙古自治区功能材料物理与化学重点实验室
出处
《内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版)》
CAS
2019年第3期230-234,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(51262022
21663018)
文摘
基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,应用高纯硅烷和氮气为反应气体,通过设置氮气流量分别为100 sccm、200 sccm、300 sccm和400 sccm四个梯度,研究非晶SiN_x到含有Si_3N_4晶粒的富硅SiN_x薄膜材料转变的影响,并利用傅里叶红外变换谱、紫外-可见光谱和X射线衍射谱对薄膜样品结构进行表征.结果表明,随着N_2流量的增加,SiN_x薄膜中氮原子浓度减小,Si-N键密度减小,Si-H键密度增加,薄膜中出现Si-Si键并且密度逐渐增加,非晶SiN_x逐渐向富硅SiN_x薄膜转变.同时薄膜光学带隙逐渐变大,缺陷态密度增加,微观结构的有序度减小,也说明N_2的增加对富硅SiN_x薄膜产生有促进作用.此外,薄膜内出现了Si_3N_4结晶颗粒,且晶粒尺度随着N_2流量增加而减小,进一步说明薄膜从非晶SiN_x逐渐向含Si_3N_4结晶颗粒的富硅SiN_x转变.该实验证明了采用PECVD技术制备SiN_x薄膜时,通过控制N_2流量,有助于薄膜从非晶SiN_x逐渐向含有结晶的Si_3N_4的富硅SiN_x薄膜转变.
关键词
PECVD技术
氮气流量
si
3
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4
晶粒
富硅-氮化硅薄膜
Keywords
PECVD
tech
n
ique
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2
flow
rate
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crystal
grains
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-rich
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x
films
分类号
O482.3 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
h-BN/Si_3N_4陶瓷复合材料的断裂行为及断裂韧性
魏大庆
孟庆昌
贾德昌
《材料科学与工艺》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
7
下载PDF
职称材料
2
自增韧氮化硅陶瓷刀具材料的研究现状
邢宏宇
刘炳强
孙静
王超
王芳芳
《工具技术》
北大核心
2015
0
下载PDF
职称材料
3
长颗粒(柱状晶)Si_3N_4陶瓷的研究及进展
尤显卿
斯庭智
刘宁
许育东
《粉末冶金技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003
4
下载PDF
职称材料
4
氮气流量对非晶SiN_x到含有Si_3N_4晶粒的富硅-SiN_x薄膜转变的影响
李婷婷
周炳卿
闫泽飞
《内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版)》
CAS
2019
1
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职称材料
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