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用非平衡磁控溅射法制备CN_x薄膜 被引量:2
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作者 高鹏 刘传胜 +2 位作者 吴大维 彭友贵 范湘军 《武汉大学学报(自然科学版)》 CSCD 北大核心 2001年第1期99-102,共4页
利用非平衡磁控溅射法 ,用一对石墨溅射靶 ,以N2 ,Ar为工作气体 ,在Si(10 0 )衬底上溅射生长CNx薄膜 .X光电子能谱分析表明薄膜中的C ,N原子以sp3,sp2 杂化电子轨道成键形成化合物 .氮碳原子比比值为 1.0 6 ,1.2 4,傅里叶红外分析也证明... 利用非平衡磁控溅射法 ,用一对石墨溅射靶 ,以N2 ,Ar为工作气体 ,在Si(10 0 )衬底上溅射生长CNx薄膜 .X光电子能谱分析表明薄膜中的C ,N原子以sp3,sp2 杂化电子轨道成键形成化合物 .氮碳原子比比值为 1.0 6 ,1.2 4,傅里叶红外分析也证明了C—N的存在 .X射线衍射谱显示薄膜中含有 β C3N4 晶粒 .实验证明 ,非平衡磁控溅射法是合成C3N4 薄膜的有效方法 . 展开更多
关键词 β-c3n4 非平衡磁控溅射法 薄膜 氮碳原子比 薄膜生长 X光电子能谱分析 微电子工艺 傅里叶红外分析
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理论预言的氮化碳超硬膜研究新进展 被引量:4
2
作者 顾有松 张永平 +4 位作者 常香荣 田中卓 时东霞 张秀芳 袁磊 《物理》 CAS 1999年第8期479-484,共6页
β-C3N4的理论预言发表之后,经过广大科学工作者近10年的努力,已经取得了一些重要进展.理论上对碳氮化合物的研究已经更为广泛和深入.实验合成方面也取得了长足的进展.文章作者在Si、Pt等基底上初步合成了晶态的β-C... β-C3N4的理论预言发表之后,经过广大科学工作者近10年的努力,已经取得了一些重要进展.理论上对碳氮化合物的研究已经更为广泛和深入.实验合成方面也取得了长足的进展.文章作者在Si、Pt等基底上初步合成了晶态的β-C3N4薄膜,实验分析表明,薄膜主要由α-或β-C3N4晶相组成,成分接近理论值,N/C原子比接近4/3。 展开更多
关键词 超硬材料 氮化碳 薄膜 晶态 研究进展
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Solvothermal synthesis of crystalline carbon nitrides 被引量:5
3
作者 L Qiang, CAO Chuanbao & ZHU Hesun Research Center of Materials Science, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 2003年第6期519-522,共4页
A solvothermal reaction of anhydrous C3N3Cl3 and Li3N using benzene as the solvent has been carried out to prepare crystalline carbon nitrides successfully at 350℃ and 5—6 MPa. X-ray diffraction (XRD) indicated that... A solvothermal reaction of anhydrous C3N3Cl3 and Li3N using benzene as the solvent has been carried out to prepare crystalline carbon nitrides successfully at 350℃ and 5—6 MPa. X-ray diffraction (XRD) indicated that the major part of our brown sample was mainly composed of a-C3N4 and b-C3N4 with lattice parameters of a = 0. 65 nm, c = 0.47 nm for a-C3N4 and a = 0.644 nm, c = 0. 246 nm for b-C3N4, which match the latest ab-initio calculations quite well. The N/C ratio in the powder is about 0.66. The Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) and X-ray photoelectron spec-troscopy (XPS) analyses suggested the presence of both sin-gle and double carbon-nitrogen bonds. The kinetics effects of our solvothermal reaction to prepare crystalline carbon ni-trides are also discussed chiefly. 展开更多
关键词 氮化碳晶体 β-c3n4 溶解热法 合成 超硬材料 α-c3n4
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超硬涂层研究进展 被引量:3
4
作者 张同俊 王辉 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期32-33,34,共3页
概述了超硬涂层研究的发展,对当前的研究动向作了介绍和分析。
关键词 超硬涂层 超晶格涂层 伪同晶生长 cVD PVD
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脉冲激光诱导液-固界面反应制备 β和α相碳氮纳米晶体(英文) 被引量:2
5
作者 王金斌 任志昂 杨国伟 《湘潭大学自然科学学报》 CAS CSCD 2000年第4期122-125,共4页
报导了用脉冲激光诱导液 -固界面反应法来制备碳氮纳米晶体 ,通过扫描电子显微镜和高分辨电子显微镜分析高能脉冲激光诱导石墨 -液氨界面反应所制备的样品 ,观察到了 β和α相的C3N4 结构 .同时 ,详细讨论了用此方法合成碳氮纳米晶的反... 报导了用脉冲激光诱导液 -固界面反应法来制备碳氮纳米晶体 ,通过扫描电子显微镜和高分辨电子显微镜分析高能脉冲激光诱导石墨 -液氨界面反应所制备的样品 ,观察到了 β和α相的C3N4 结构 .同时 ,详细讨论了用此方法合成碳氮纳米晶的反应机理 . 展开更多
关键词 脉冲激光 液-固界面反应 β Α相 碳氮纳米晶体
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用微波等离子体CVD制备C_3N_4薄膜 被引量:2
6
作者 张永平 顾有松 +4 位作者 常香荣 田中卓 时东霞 张秀芳 袁磊 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期311-314,共4页
采用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD),使用高纯N2(99.999%)和CH4(99.9%)作反应气体,在多晶Pt(9.99%)基片上沉积C3N4薄膜X射线能潜(EDX)分析结果表明N/C原子比为1.0~1.4;接近C3N4的化学比;X射线衍射谱(XRD... 采用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD),使用高纯N2(99.999%)和CH4(99.9%)作反应气体,在多晶Pt(9.99%)基片上沉积C3N4薄膜X射线能潜(EDX)分析结果表明N/C原子比为1.0~1.4;接近C3N4的化学比;X射线衍射谱(XRD)说明薄膜生要由β-和α-C3N4组成;X射线光电子谱(XPS)、傅立叶变换红外谱(FT-IR)和喇曼(Raman)谱说明在C3N4薄膜中存在C-N键. 展开更多
关键词 微波等离子体 化学气相沉积 β-c3n4 薄膜 制备
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超硬薄膜β-C_3N_4的制备和表征 被引量:4
7
作者 张永平 顾有松 +4 位作者 常香荣 田中卓 时东霞 张秀芳 袁磊 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期172-174,共3页
本文采用微波等离子体化学气相沉积 (MPCVD)法 ,用高纯氮气 (99.999% )和甲烷 (99.9% )作反应气体 ,在单晶硅和多晶铂基片上沉积 β -C3N4薄膜。X射线能谱 (EDX)分析了这种晶态C -N膜的化学成分 ,对不同样品的分析结果表明 ,N/C原子比在... 本文采用微波等离子体化学气相沉积 (MPCVD)法 ,用高纯氮气 (99.999% )和甲烷 (99.9% )作反应气体 ,在单晶硅和多晶铂基片上沉积 β -C3N4薄膜。X射线能谱 (EDX)分析了这种晶态C -N膜的化学成分 ,对不同样品的分析结果表明 ,N/C原子比在 1.1~ 2 .0范围内。X射线衍射结构分析结果与计算的α -和 β -C3N4单相X射线的峰位和强度相比较 ,说明它是α -和 β -C3N4的混合物。FT -IR和Raman谱支持C -N共价键的存在。薄膜的体弹性模量达到 349GPa。 展开更多
关键词 β-c3n4 超硬薄膜 MPcVD 制备 表征
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等离子体技术在碳氮膜制备中的应用 被引量:3
8
作者 李建 刘艳红 +1 位作者 俞世吉 马腾才 《真空》 CAS 北大核心 2004年第2期8-13,共6页
β-C3N4是Cohen等人从理论上预言的一种可能比金刚石更硬的物质,含有β-C3N4的碳氮膜具有优异的电学、光学和机械特性,在很多领域有应用前景。人们已经应用多种方法进行碳氮膜的制备。本文将对等离子体技术在碳氮膜制备中的应用进行综述... β-C3N4是Cohen等人从理论上预言的一种可能比金刚石更硬的物质,含有β-C3N4的碳氮膜具有优异的电学、光学和机械特性,在很多领域有应用前景。人们已经应用多种方法进行碳氮膜的制备。本文将对等离子体技术在碳氮膜制备中的应用进行综述,并在成膜速率、成膜质量等方面,对以往工作成果进行论述;最后将讨论沉积过程中几个参量对碳氮膜沉积速率、膜结构等的影响。 展开更多
关键词 等离子体技术 碳氮膜 制备工艺 β-c3n4 弹性模量 射频磁控溅射
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碳氮纳米晶体的制备与表征 被引量:3
9
作者 籍凤秋 康拥政 曹传宝 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期740-742,共3页
采用机械球磨法,以石墨为反应前驱物,在充有300kPa压力的氨气气氛下连续球磨200h,然后在氨气气氛、650℃以上的温度条件下热处理4h,制备出C3N4纳米单晶。X射线粉末衍射(XRD)确定出样品中主要晶相为β-C3N4,此外还有少量的α-C3N4。电子... 采用机械球磨法,以石墨为反应前驱物,在充有300kPa压力的氨气气氛下连续球磨200h,然后在氨气气氛、650℃以上的温度条件下热处理4h,制备出C3N4纳米单晶。X射线粉末衍射(XRD)确定出样品中主要晶相为β-C3N4,此外还有少量的α-C3N4。电子衍射、红外光谱测试结果进一步表明产物的结构为C3N4单晶。 展开更多
关键词 机械球磨法 β-c3n4 α-c3n 纳米单晶
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微波等离子体化学气相沉积制备碳氮晶体薄膜 被引量:4
10
作者 江锦春 程文娟 +2 位作者 张阳 朱鹤孙 沈德忠 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期930-934,939,共6页
利用微波等离子体化学气相沉积系统 ,以甲烷、氮气和氢气作为气源 ,在Si( 1 0 0 )衬底上成功地制备出了碳氮晶体薄膜 ,并对两种衬底温度下的薄膜性质进行了比较。用高分辨率场发射扫描电子显微镜观察薄膜 ,可以看出晶型完整 ,结构致密 ... 利用微波等离子体化学气相沉积系统 ,以甲烷、氮气和氢气作为气源 ,在Si( 1 0 0 )衬底上成功地制备出了碳氮晶体薄膜 ,并对两种衬底温度下的薄膜性质进行了比较。用高分辨率场发射扫描电子显微镜观察薄膜 ,可以看出晶型完整 ,结构致密 ,结晶质量较好。X射线能谱证明了碳氮是以C─N和CN共价键的形式存在 ,氮碳元素的原子比均为 1 .3。X射线衍射确定出在衬底温度为 90 0± 1 0℃时薄膜样品的主要晶相成份是α C3N4,β C3N4,赝立方C3N4,立方C3N4和一个未知相 (面间距d =0 .4 0 0 2nm) ,而在 95 0± 1 0℃时薄膜样品的主要晶相成份是α C3N4,β C3N4,赝立方C3N4,类石墨C3N4和一个未知相 (面间距d =0 .3 984nm)。喇曼光谱分析也证实了薄膜中主要存在α C3N4,β 展开更多
关键词 立方 晶体薄膜 衬底温度 微波等离子体化学气相沉积 原子 喇曼光谱 晶相 β-c3n4 结晶质量 X射线能谱
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MPCVD 合成 β-C_3N_4 晶态薄膜 被引量:1
11
作者 时东霞 马立平 +6 位作者 张秀芳 袁磊 顾有松 张永平 段振军 常香荣 田中卓 《真空》 CAS 北大核心 1999年第1期18-22,共5页
采用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD),以N2、CH4作为反应气体合成碳氮膜。通过控制反应温度、气体流量、微波功率、反应气压等工艺条件,在Si和Pt基片上,进行β-C3N4晶态薄膜的合成研究。扫描电镜(SEM)... 采用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD),以N2、CH4作为反应气体合成碳氮膜。通过控制反应温度、气体流量、微波功率、反应气压等工艺条件,在Si和Pt基片上,进行β-C3N4晶态薄膜的合成研究。扫描电镜(SEM)下观察到生长在Si基底上的薄膜具有六角晶棒的密排结构。扫描隧道显微镜(STM)下观察到在Pt基底上生长的碳氮薄膜由针状晶粒组成。EDX分析表明,随沉积条件的不同,Si基底上的氮碳薄膜中N/C在1.0到2.0之间;Pt基底上生长的碳氮薄膜N/C在0.8~1.3之间。X射线衍射分析(XRD)发现薄膜中含有β-C3N4和α-C3N4。 展开更多
关键词 MPcVD β-c3n4 碳氢薄膜 晶态 薄膜合成
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新型超硬材料β-C_3N_4的研究进展 被引量:1
12
作者 杨兵初 陈振华 《物理》 CAS 1997年第9期524-527,共4页
βC3N4材料的研究是继非晶、准晶及C60之后,凝聚态物理与材料科学领域中又一新的研究热点.βC3N4是一种新型假想材料,理论上预言它可能具有可与金刚石比拟甚至更大的体弹性模量和较为特殊的电学及光学性能.现在的研... βC3N4材料的研究是继非晶、准晶及C60之后,凝聚态物理与材料科学领域中又一新的研究热点.βC3N4是一种新型假想材料,理论上预言它可能具有可与金刚石比拟甚至更大的体弹性模量和较为特殊的电学及光学性能.现在的研究工作主要集中在高含氮量的CNx薄膜的制备上,已经获得了直径为微米量级的βC3N4的多晶颗粒和原子比N/C>1的薄膜,且由衍射计算出的晶体结构参数与理论计算值基本相符,探索简便易行的合成βC3N4的方法和开发βC3N4的潜在应用将是今后此项研究的主要方向. 展开更多
关键词 β-c3n4 超硬材料 薄膜 磁控溅射 cn薄膜
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C_3N_4纳米棒的制备及光学性能 被引量:1
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作者 籍凤秋 王冰冰 《化工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第S1期225-229,共5页
采用机械球磨法,以石墨为反应前驱物,在充有300kPa压力的氨气气氛下连续球磨200h,然后在氨气气氛、700℃以上的温度条件下热处理5h,制备出C3N4纳米棒。利用X射线粉末衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、电子衍射、能量损失谱(EELS)以及红外光谱(... 采用机械球磨法,以石墨为反应前驱物,在充有300kPa压力的氨气气氛下连续球磨200h,然后在氨气气氛、700℃以上的温度条件下热处理5h,制备出C3N4纳米棒。利用X射线粉末衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、电子衍射、能量损失谱(EELS)以及红外光谱(FTIR)等手段进行了表征。纳米棒的长度在1~2μm,直径为80~150nm。分析结果表明合成的产物以β-C3N4单晶为主。对合成的β-C3N4产物进行光致发光(PL)性能测试和计算,得出其发射蜂在3.5~4.4eV之间,属于宽带隙的半导体材料。并对纳米棒的形成机理进行了初步探讨。 展开更多
关键词 机械球磨法 β-c3n4 纳米棒 光学性能
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磁控溅射碳化硅薄膜生长的热力学讨论(英文) 被引量:1
14
作者 史兴建 姚合宝 +3 位作者 贺庆丽 王文秀 汪颖梅 何大韧 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2001年第3期273-276,共4页
提出一个用磁控溅射制备碳化硅薄膜的简化热力学模型。首先选出构成β- C3N4,P- C3N4 或 - (C2N2)n-的最可能表面反应 ,然后通过求解这个热力学模型计算了生长参量空间中不同类型 薄膜淀积区域的分界线。这些结果与一些实验结果... 提出一个用磁控溅射制备碳化硅薄膜的简化热力学模型。首先选出构成β- C3N4,P- C3N4 或 - (C2N2)n-的最可能表面反应 ,然后通过求解这个热力学模型计算了生长参量空间中不同类型 薄膜淀积区域的分界线。这些结果与一些实验结果很好地符合。 展开更多
关键词 磁控溅射 热力学模型 碳化硅薄膜 薄膜生长
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β—C_3N_4的能带结构和静态性质
15
作者 王思东 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期183-186,共4页
采用LMTO能带法计算β-C_3N_4晶体的能带结构和静态特性参数。对于平衡晶格常数、体模量、结合能和能带结构的计算结果与从头算赝势方法较接近;原子球分波态密度的计算结果表明,价带由N、C原子的s、p杂化态构成,价带顶是N原子的p态。
关键词 β-c3n4 能带结构 晶体
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Synthesis and characterization of C_3N_4 hard films
16
作者 顾有松 张永平 +5 位作者 常香荣 田中卓 陈难先 时东霞 张秀芳 袁磊 《Science China Mathematics》 SCIE 2000年第2期185-198,共14页
C3N4 films have been synthesized on both Si and R substrates by microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD) method. X-ray spectra were calculated for single phase α-C3N4 and p-C3N4 respectively. The experiment... C3N4 films have been synthesized on both Si and R substrates by microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD) method. X-ray spectra were calculated for single phase α-C3N4 and p-C3N4 respectively. The experimental X-ray spectra of films deposited on both Si and R substrates showed all the strong peaks of α-C3N4 and β-C3N4 so the films are mixtures of α-C3N4 and β-C3N4. The N/C atomic ratio is in the range of 1.0-2.0. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis indicated that the binding energy of C 1s and N 1s are 286.2 eV and 399.5 eV respectively, corresponding to polarized C-N bond. Fourier transform infrared absorption (FT-IR) and Raman spectra support the existence of C-N covalent bond in the films. Nano-indentation hardness tests showed that the bulk modulus of a film deposited on R is up to 349 GPa. 展开更多
关键词 β-c3n4 MPcVD FILM deposition.
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Structure and properties of carbon nitrogen films synthesized by ion beam-assisted deposition
17
作者 贺小明 李文治 李恒德 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 1995年第20期1752-1757,共6页
β-C<sub>3</sub>N<sub>4</sub> compound is a new hard material predicted by Liu and Cohen with theoretical calculation and so far it has not been found out in nature. In was assumed that the β-... β-C<sub>3</sub>N<sub>4</sub> compound is a new hard material predicted by Liu and Cohen with theoretical calculation and so far it has not been found out in nature. In was assumed that the β-C<sub>3</sub>N<sub>4</sub> compound would adopt the known crystal structure of β-Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>, which constructed a network of CN<sub>4</sub> tetrahedra linked at the corners by threefold coordinate N atoms. Thus, the atomic coordination of β-C<sub>3</sub>N<sub>4</sub> is sp<sup>3</sup> hybrids on the C atoms and sp<sup>2</sup> hybrids on the N atoms. Based on the theoretical analysis and modeling calculation, it 展开更多
关键词 β-c3n4 cARBOn nITROGEn FILMS LOW-EnERGY IOn BOMBARDMEnT IOn beam-assisted deposition.
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21世纪新材料(二)一种比金刚石还硬的材料——β—C3N4
18
作者 瞿光辉 《磨料磨具通讯》 1996年第5期7-8,共2页
关键词 磨料 β-c3n4 新材料
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β-C_3N_4的制备及若干问题探讨 被引量:1
19
作者 陈光华 严辉 +1 位作者 彭军 张亚菲 《物理》 CAS 1998年第2期112-114,共3页
采用热丝辅助反应溅射和等离子体增强热丝化学气相沉积(CVD)的制备方法,获得了含有β-C3N4结晶相的CNx薄膜.文章将重点介绍制备参数与CNx薄膜结构的关系。
关键词 c3n4 反应溅射 热线cVD 薄膜 超硬材料
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一种比金刚石还硬的新型材料—β—C3N4 被引量:1
20
作者 吴招促 俞跃辉 《薄膜科学与技术》 1995年第4期349-355,共7页
β-C3N4晶体是一种新型假想材料,其结构和β-Si3N4晶体相似。β-C3N4材料从理论上预言可能具有比金刚石还大的体积模量,并有较为特殊的电学和光学性能。高含氮量的CN膜和多晶β-C3N4的研究成为目前的研究重点... β-C3N4晶体是一种新型假想材料,其结构和β-Si3N4晶体相似。β-C3N4材料从理论上预言可能具有比金刚石还大的体积模量,并有较为特殊的电学和光学性能。高含氮量的CN膜和多晶β-C3N4的研究成为目前的研究重点。原子比N:C〉1的CN膜和颗粒直径约为0.5μm的多晶已有报导。多晶体的研究倾向于采用低能N离子辅助沉积。掺杂元素的研究对CN膜的半导体性能的影响将成为该领域的又一新的研究方向。 展开更多
关键词 金刚石 体积模量 材料 β-c3n4材料
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