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引线键合中材料参数对硅基板应力状态的影响 被引量:3
1
作者 姜威 常保华 +2 位作者 都东 黄华 周运鸿 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期13-16,113,共4页
利用"热—力—超声"增量耦合有限元模型,对采用不同引线(金,铜)以及采用铜引线在不同银镀层厚度(48,1,6μm)条件下的键合过程进行了模拟.结果表明,在其它条件不变的情况下,金引线键合过程对硅基板内应力状态的影响远小于铜引... 利用"热—力—超声"增量耦合有限元模型,对采用不同引线(金,铜)以及采用铜引线在不同银镀层厚度(48,1,6μm)条件下的键合过程进行了模拟.结果表明,在其它条件不变的情况下,金引线键合过程对硅基板内应力状态的影响远小于铜引线,且应力集中的位置更接近键合中心;随着镀层厚度的增加,基板所受到的压应力逐渐减小,但基板所受到的最大压应力在硅的抗压力范围之内;同时基板所受到的剪应力也逐渐减小,由于剪应力是硅基板损坏的决定性因素,因此采用厚度为16μm的镀层对减小基板损坏更有利. 展开更多
关键词 引线键合 应力状态 有限元法 基板损坏
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铜引线键合中两级加载方式下硅基板应力 被引量:1
2
作者 黄华 常保华 +1 位作者 都东 ZHOU Yunhong 《清华大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期970-973,共4页
铜引线键合在集成电路封装工业中得到了越来越多的应用。在铜引线键合中,采用压力两级加载的方式能够减少硅基板的损坏,但其机理目前还不清楚。该文建立了3D非线性有限元模型来模拟铜引线键合过程,比较了常规加载和两级加载方式中的硅... 铜引线键合在集成电路封装工业中得到了越来越多的应用。在铜引线键合中,采用压力两级加载的方式能够减少硅基板的损坏,但其机理目前还不清楚。该文建立了3D非线性有限元模型来模拟铜引线键合过程,比较了常规加载和两级加载方式中的硅基板受力状态。结果表明:超声功率相同且铜球变形相同时,两级加载方式中基板承受的压应力大于常规加载方式,拉应力两者相近,而剪应力则小于常规加载方式。不同加载方式下的基板受力分析为找出两级加载方式减少基板缺陷的作用机理提供了依据。 展开更多
关键词 引线键合 两级加载 基板 有限元 应力
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PtSi 256×256 IRCCD微型化封装技术研究
3
作者 邓光华 何剑 屈伟 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2000年第A03期59-61,共3页
采用倒装焊接技术 ,实现了PtSi 2 56× 2 56IRCCD微型化封装。对金属凸点、引线衬底的制备以及倒装焊接技术进行了研究。
关键词 倒装焊接 微型化封装 PTSI
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单晶硅切片加工技术研究进展 被引量:11
4
作者 葛培琪 陈自彬 王沛志 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2020年第4期12-18,共7页
单晶硅切片加工是集成电路产业和光伏产业的重要环节,其加工方式和加工质量直接影响到晶片的出片率、晶圆衬底和光伏太阳能电池板的生产成本。随着晶片尺寸的不断增大,线锯切片技术已成为目前单晶硅片的主流切片加工技术。为实现单晶硅... 单晶硅切片加工是集成电路产业和光伏产业的重要环节,其加工方式和加工质量直接影响到晶片的出片率、晶圆衬底和光伏太阳能电池板的生产成本。随着晶片尺寸的不断增大,线锯切片技术已成为目前单晶硅片的主流切片加工技术。为实现单晶硅片高效、精密、低裂纹损伤的切片加工,阐述了线锯切片技术的分类及其加工特点,总结了金刚石线锯切片加工机理的研究现状,探讨了对金刚石线锯切片加工过程的微观分析,概括了单晶硅切片加工引起的裂纹损伤及其抑制措施,指出了单晶硅切片加工技术的发展趋势和面临的挑战。 展开更多
关键词 单晶硅 金刚石线锯 切片技术 晶圆衬底
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双转子平面微电机定子制作工艺研究 被引量:3
5
作者 梁静秋 郭占社 +3 位作者 吴一辉 王淑荣 张平 宣明 《微细加工技术》 2003年第1期73-75,80,共4页
为减小平面微电机轴向尺寸,解决轴向单边拉力问题,制作了双转子平面微电机。定子采用平面结构,双面各呈辐射状均布平面线圈,正、反面相对应的线圈由穿过基底的引线相连。采用以准LIGA技术为基础的制作方法。在双面线圈定子制作工艺中,... 为减小平面微电机轴向尺寸,解决轴向单边拉力问题,制作了双转子平面微电机。定子采用平面结构,双面各呈辐射状均布平面线圈,正、反面相对应的线圈由穿过基底的引线相连。采用以准LIGA技术为基础的制作方法。在双面线圈定子制作工艺中,通过设计适当的工艺步骤,并控制甩胶、前烘与曝光条件,在已腐蚀出引线通孔的衬底上完成双面光刻并电铸孔引线的工艺过程。定子直径为23mm,孔引线边长500μm,深约400μm,线圈线宽100μm,高度35μm。装配后的电机测试结果表明电机运行平稳,力矩波动小。 展开更多
关键词 双转子 平面微电机 定子 孔引线 准LIGA技术
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热丝CVD法在单晶硅衬底上低温外延生长Si和Ge薄膜的研究 被引量:6
6
作者 黄海宾 沈鸿烈 +2 位作者 唐正霞 吴天如 张磊 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期603-607,共5页
采用热丝CVD法在单晶Si衬底上进行了Si和Ge薄膜的低温外延生长,用XRD和Raman谱对其结构性能进行了分析。结果表明:在衬底温度200℃时,Si(111)单晶衬底上外延生长出了Raman峰位置为521.0cm-1;X射线半峰宽(FWHM)为5.04cm-1。结晶质量非常... 采用热丝CVD法在单晶Si衬底上进行了Si和Ge薄膜的低温外延生长,用XRD和Raman谱对其结构性能进行了分析。结果表明:在衬底温度200℃时,Si(111)单晶衬底上外延生长出了Raman峰位置为521.0cm-1;X射线半峰宽(FWHM)为5.04cm-1。结晶质量非常接近于体单晶的(111)取向的本征Si薄膜;在衬底温度为300℃时,在Si(100)单晶衬底上异质外延,得到了Raman峰位置为300.3cm-1的Ge薄膜,Ge薄膜的晶体取向为Ge(220)。研究表明热丝CVD是一种很好的低温外延薄膜的方法。 展开更多
关键词 热丝CVD 低温外延 单晶Si衬底 Si膜 Ge膜
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电弧增材制造典型构件热应力变形仿真分析 被引量:6
7
作者 姚波 马良 +1 位作者 陈静 王振男 《机械科学与技术》 CSCD 北大核心 2022年第6期961-970,共10页
电弧增材制造(Wire and arc additive manufacturing,WAAM)具有材料利用率高、成形效率高、设备成本低的特点,已经成为一种重要的金属增材制造技术。但是,WAAM熔池大、热输入高、制造的金属零件几何精度低已经严重制约了该技术的进一步... 电弧增材制造(Wire and arc additive manufacturing,WAAM)具有材料利用率高、成形效率高、设备成本低的特点,已经成为一种重要的金属增材制造技术。但是,WAAM熔池大、热输入高、制造的金属零件几何精度低已经严重制约了该技术的进一步应用。以有限元分析为手段,建立了WAAM的热应力仿真模型,并对3种典型结构的WAAM热应力演化规律进行了研究,重点分析了基板厚度对热变形的影响规律,发现:与后续沉积层相比,第一层对构件整体热变形的影响最大;增加基板厚度不仅可以提高刚度,增加约束,而且能强化散热,降低热累积,对减小成形件最终变形和残余应力非常有利;对于矩形框构件来说,基板结构和约束方式对成形件热应力变形演化行为有较大影响。 展开更多
关键词 电弧增材制造 典型构件 基板厚度 热应力变形 有限元分析
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热丝CVD法低温制备的多晶硅薄膜质量对衬底依赖性的研究 被引量:6
8
作者 张磊 沈鸿烈 +2 位作者 黄海宾 岳之浩 李斌斌 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期1947-1950,共4页
以SiH4和H2作为反应气体,采用HWCVD的方法分别在石英玻璃、AZO、Si(100)和Si(111)衬底上制备了多晶硅薄膜。利用X射线衍射(XRD),拉曼(Raman)光谱和傅里叶红外(FT-IR)吸收光谱研究了不同衬底对多晶硅薄膜的择优取向、晶化率和应力的影响,... 以SiH4和H2作为反应气体,采用HWCVD的方法分别在石英玻璃、AZO、Si(100)和Si(111)衬底上制备了多晶硅薄膜。利用X射线衍射(XRD),拉曼(Raman)光谱和傅里叶红外(FT-IR)吸收光谱研究了不同衬底对多晶硅薄膜的择优取向、晶化率和应力的影响,用SEM观察了多晶硅薄膜的表面形貌。研究发现在4种衬底上生长的多晶硅薄膜均为(111)择优取向。单晶硅片对多晶硅薄膜有很强的诱导作用,并且Si(111)的诱导作用优于Si(100)的诱导作用。AZO对多晶硅薄膜生长也有一定的诱导作用。通过计算薄膜晶态比,得到除以石英为衬底的样品外,其它3种样品的晶态比均在90%以上,尤其以单晶硅片为衬底的样品更高。石英玻璃、AZO和Si(100)上生长的多晶硅薄膜中均存在压应力。 展开更多
关键词 热丝化学气相沉积 衬底诱导 多晶硅薄膜 结晶性
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不同基板热沉的铝合金电弧增材控形
9
作者 刘景城 叶晗哲 +2 位作者 徐贵峰 娄昊 耿海滨 《福州大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2024年第1期91-97,共7页
从熔池热耗散条件入手,以基板尺寸构建熔池局域差异性传热特征,通过试验探索热沉条件(横向传热-基板宽度、纵向传热-基板厚度)对成形几何和成形形貌的影响规律,籍此从熔池外部这一较为简单的传热过程管理出发,探讨与热输入匹配的热耗散... 从熔池热耗散条件入手,以基板尺寸构建熔池局域差异性传热特征,通过试验探索热沉条件(横向传热-基板宽度、纵向传热-基板厚度)对成形几何和成形形貌的影响规律,籍此从熔池外部这一较为简单的传热过程管理出发,探讨与热输入匹配的热耗散条件,实现电弧增材控形.实验结果表明,基板对沉积层形貌影响主要通过改变熔池周围热耗散实现.当热输入不足时,单层沉积会在起弧处形成垂露状、颈缩等缺陷.基板尺寸越大,热耗散能力越强,沉积层宽度越小,高度越高.基板对沉积层影响随着沉积高度增加逐渐减弱,不同热沉条件下沉积层尺寸最终趋于稳定.通过增大起弧电流和熄弧端悬停的策略来应对基板热沉条件变化,可避免虚焊、熔池流淌等缺陷,改善多层沉积几何成形质量. 展开更多
关键词 电弧增材 基板 热沉 成形几何 铝合金
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微/纳米CVD金刚石涂层沉积工艺参数优化 被引量:3
10
作者 许晨阳 解亚娟 +2 位作者 邓福铭 陈立 雷青 《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第5期890-896,共7页
通过正交实验设计工艺参数,利用热丝化学气相沉积法(HFCVD)制备金刚石涂层,采用扫描电镜、洛氏硬度计、X射线衍射仪等对金刚石涂层进行性能表征,同时进行切削试验,从而确定微米层和纳米层最佳的碳源浓度、沉积气压、热丝与基体间距。结... 通过正交实验设计工艺参数,利用热丝化学气相沉积法(HFCVD)制备金刚石涂层,采用扫描电镜、洛氏硬度计、X射线衍射仪等对金刚石涂层进行性能表征,同时进行切削试验,从而确定微米层和纳米层最佳的碳源浓度、沉积气压、热丝与基体间距。结果表明:最优微米金刚石涂层沉积工艺参数为碳源浓度2%,沉积气压3 k Pa,热丝/基体间距5 mm。最优纳米金刚石涂层沉积工艺参数为碳源浓度5%,沉积气压5 k Pa,热丝/基体间距8 mm。 展开更多
关键词 碳源浓度 沉积气压 热丝与基体间距
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B、Ti联合作用下堆焊层显微组织和生长机制 被引量:2
11
作者 王玉 勾健 刘政军 《沈阳工业大学学报》 EI CAS 北大核心 2017年第6期635-639,共5页
为了探究B、Ti联合作用下堆焊层的显微组织和生长机制,采用自行研制的铁基耐磨药芯焊丝,利用自保护明弧堆焊法制备了Fe-Cr-C-B-Ti堆焊合金.利用光学显微镜、扫描电子显微镜和X射线衍射仪对堆焊层的显微组织和生长机制进行了分析.结果表... 为了探究B、Ti联合作用下堆焊层的显微组织和生长机制,采用自行研制的铁基耐磨药芯焊丝,利用自保护明弧堆焊法制备了Fe-Cr-C-B-Ti堆焊合金.利用光学显微镜、扫描电子显微镜和X射线衍射仪对堆焊层的显微组织和生长机制进行了分析.结果表明,堆焊层中原位合成了Ti C和M_(23)(C,B)_6相.随着Ti元素含量的增加,显微组织中TiC相的数量逐渐增加并主要沿晶界分布.B元素含量的提高导致显微组织中Ti C相的数量变得不稳定.作为形核衬底的Ti C相可为M_(23)(C,B)_6相的附生生长提供条件.通过原位合成Ti C和M_(23)(C,B)_6硬质相可以提高堆焊层的综合性能. 展开更多
关键词 联合作用 药芯焊丝 堆焊 原位合成 显微组织 生长机制 形核衬底 附生生长
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软基板金丝键合可靠性提升方法研究 被引量:1
12
作者 杜雪靖 《电子质量》 2023年第1期68-72,共5页
金丝键合[1]是利用热、压力、超声波能量使金丝与焊盘紧密结合,从而实现芯片与基板间的电气互联和芯片间的信息互通的一种技术。金丝键合是微组装的主流技术,也是一项关键技术。理想状态下,金丝和基板之间会发生原子间的相互扩散,从而... 金丝键合[1]是利用热、压力、超声波能量使金丝与焊盘紧密结合,从而实现芯片与基板间的电气互联和芯片间的信息互通的一种技术。金丝键合是微组装的主流技术,也是一项关键技术。理想状态下,金丝和基板之间会发生原子间的相互扩散,从而使金与金之间实现原子量级上的键合。基板的金表层和金丝的可靠键合是非常关键的质量控制点。微波组件组装过程中,常常因为金丝键合出现缺陷而导致整个产品的失效。对软基板的金丝键合改进方案进行了研究,对比分析了改进前后的实验数据,得出了最优方案,优化了软基板金丝键合工艺的可靠性。试验结果表明,采取了有效的措施之后,消除了失效隐患,对提高软基板键合点的可靠性具有指导意义。 展开更多
关键词 金丝键合 软基板 等离子清洗 可靠性
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电弧熔丝增材制造316L的温度场仿真及对基体的影响 被引量:2
13
作者 邸艳艳 胡仁志 +2 位作者 熊逸博 郑志镇 李建军 《电焊机》 2022年第1期63-67,共5页
电弧熔丝增材(WAAM)是一种利用电弧将焊丝熔积成型的新型制造方法,基本原理是“分层制造,逐层堆积”。在连续的热循环作用下,WAAM成型件内部易产生较大的残余应力和变形,影响零件的性能。为了研究电弧增材制造过程中温度演变规律及对基... 电弧熔丝增材(WAAM)是一种利用电弧将焊丝熔积成型的新型制造方法,基本原理是“分层制造,逐层堆积”。在连续的热循环作用下,WAAM成型件内部易产生较大的残余应力和变形,影响零件的性能。为了研究电弧增材制造过程中温度演变规律及对基体的影响,基于有限元法,采用“生死单元”技术建立了三维瞬态仿真模型,进行了层间停留温度为400℃条件下306L不锈钢电弧增材制造过程温度场的模拟;采用热成像仪测量增材过程的温度,将模拟结果与实测结果进行对比研究。结果表明:模拟结果和测试结果有高度的一致性,验证了模型的准确性;在增材制造过程中,会发生热积累现象,高温区域增大;堆积过程中前四层会对基板产生较大的热影响;基体的热影响敏化区的深度大约为基板下6 mm。 展开更多
关键词 电弧熔丝增材 温度场 热循环 基体 敏化区
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基板受辐照比值对激光同轴熔丝沉积稳定性的影响 被引量:1
14
作者 金磊 石世宏 +2 位作者 魏超 曹浩 石拓 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第4期118-127,共10页
激光熔丝沉积技术是一种输送丝材并以激光为热源的定向能量沉积技术。为了探讨同轴熔丝过程的机理与效应,采用自主研发的激光内同轴送丝熔化沉积技术来分析研究基板受辐照比值对于熔丝过程稳定性的影响;借助高速相机拍摄并分析熔丝沉积... 激光熔丝沉积技术是一种输送丝材并以激光为热源的定向能量沉积技术。为了探讨同轴熔丝过程的机理与效应,采用自主研发的激光内同轴送丝熔化沉积技术来分析研究基板受辐照比值对于熔丝过程稳定性的影响;借助高速相机拍摄并分析熔丝沉积过渡阶段机理;通过数学模型计算与实验验证的方式研究了熔丝沉积动态过程与工艺参数之间的关系。结果表明:较小的基板受辐照比值会引起“液滴”过渡熔丝行为,即处于稳定与不稳定的临界状态;而基板受辐照比值较大时会引起“液桥”过渡熔丝行为,即处于一个相对稳定的状态。本研究对激光熔丝沉积的动力学稳态性分析具有一定的指导意义。 展开更多
关键词 激光光学 激光熔化沉积 光内同轴送丝 基板受辐照比值 过程稳定性 高速摄像
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5A06铝合金TIG悬空焊接参数及接头组织性能研究 被引量:2
15
作者 姜玉恒 张海 +1 位作者 任海玢 杨文博 《热加工工艺》 北大核心 2022年第9期56-59,共4页
采用无衬底填丝TIG悬空焊接方法进行厚度6.5 mm的5A06铝合金环缝焊接试验。通过焊接参数的优化,焊缝成型良好,并对不同焊接参数下焊接接头的金相组织、力学性能和显微硬度进行分析。结果表明,母材为原始轧制态组织,焊接接头为柱状树枝晶... 采用无衬底填丝TIG悬空焊接方法进行厚度6.5 mm的5A06铝合金环缝焊接试验。通过焊接参数的优化,焊缝成型良好,并对不同焊接参数下焊接接头的金相组织、力学性能和显微硬度进行分析。结果表明,母材为原始轧制态组织,焊接接头为柱状树枝晶,枝晶间和晶界处分布着析出的β相块状沉积物,焊缝组织较为均匀。焊接接头平均屈服强度、抗拉强度及伸长率分别为151.11MPa、374.59MPa和18.28%,分别达到母材的82.3%、98.7%和63.6%。对比接头各区域金相组织、力学性能和显微硬度发现,在焊接热输入较低的位置,焊缝组织更加均匀,力学性能更好,显微硬度略高。 展开更多
关键词 铝合金厚板 填丝TIG悬空焊 金相组织 力学性能 显微硬度
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硅基片上的中波红外铝线栅偏振器设计
16
作者 孔园园 罗海瀚 刘定权 《微纳电子技术》 北大核心 2018年第7期461-467,共7页
设计了一种Si基片上的Al线栅偏振器,在Al线栅和Si基片间引入一层低折射率SiO介质层,适用于3.0-5.0μm的中波红外波段。采用有限时域差分(FDTD)方法,对SiO介质层和金属线栅材料(Al,Au,Ag,Cu和Rh)分别进行了优化。SiO介质层的引入削弱... 设计了一种Si基片上的Al线栅偏振器,在Al线栅和Si基片间引入一层低折射率SiO介质层,适用于3.0-5.0μm的中波红外波段。采用有限时域差分(FDTD)方法,对SiO介质层和金属线栅材料(Al,Au,Ag,Cu和Rh)分别进行了优化。SiO介质层的引入削弱了Al线栅和Si基片之间界面上激发的表面等离子体激元,横磁(TM)偏振光的透过率提高,横电(TE)偏振光的反射增强,消光比上升。对Al,Au,Ag,Cu和Rh五种金属线栅材料分析表明,Al是最合适的材料。当SiO介质层厚度为300 nm、线栅周期为400 nm和占空比为0.5时,Al线栅偏振器在4.0μm波长处的TM偏振光的透过率达到94.8%,消光比为28.3 dB,在3.0-5.0μm波段具有良好的偏振性能。 展开更多
关键词 线栅偏振器 硅(Si)基片 介质层 铝(Al)线栅 消光比
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电镀金刚石线锯快速植砂工艺研究 被引量:1
17
作者 代晓南 何伟春 +1 位作者 栗正新 何静远 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 2017年第3期81-87,共7页
为了提高电镀金刚石线锯的制备效率,通过金刚石微粉表面化学镀镍、钢丝基体磁化处理等方式改进上砂工艺,结合SEM、EDS及高斯计等研究不同工艺因素对电镀线锯的制备效率及耐用度的影响。结果表明:基体磁感应强度、金刚石质量浓度及上砂... 为了提高电镀金刚石线锯的制备效率,通过金刚石微粉表面化学镀镍、钢丝基体磁化处理等方式改进上砂工艺,结合SEM、EDS及高斯计等研究不同工艺因素对电镀线锯的制备效率及耐用度的影响。结果表明:基体磁感应强度、金刚石质量浓度及上砂时间对线锯制备效率及耐用度有重要影响;采用磁化基体制备线锯的最佳上砂工艺参数为:电流密度5A/dm2、基体磁感应强度0.6mT、上砂槽金刚石质量浓度15g/L、上砂时间30s、温度45℃。采用最佳工艺参数制备线锯的上砂时间缩减为金刚石及钢丝基体没有处理时制备线锯的上砂时间的1/20,制备效率可提高81%,同时还能保持较高的耐用度。 展开更多
关键词 电镀金刚石线锯 制备效率 化学镀镍 基体磁化
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一种基于基片集成波导技术的引线键合结构 被引量:1
18
作者 张慧 洪伟 陈鹏 《微波学报》 CSCD 北大核心 2015年第2期1-5,共5页
当前微波毫米波芯片的引线键合主要是在芯片焊盘和微带线之间实施,当工作频率达到毫米波频段,引线键合的性能对键合线属性及微带线加工精度的敏感度越来越高,键合操作中键合线长度的差异或微带线加工的误差都可能导致键合性能的快速恶... 当前微波毫米波芯片的引线键合主要是在芯片焊盘和微带线之间实施,当工作频率达到毫米波频段,引线键合的性能对键合线属性及微带线加工精度的敏感度越来越高,键合操作中键合线长度的差异或微带线加工的误差都可能导致键合性能的快速恶化。文章提出了一种基于基片集成波导(SIW)的引线键合结构,该结构直接使用SIW与芯片焊盘或其他电路进行键合,对比现有微带键合方案,使用本文提出的基于SIW的键合方案,可以显著减小加工精度的敏感度,同时减少对介质基片的限制等。文章分别设计了无源和有源SIW键合结构,仿真和测试结果表明:基于SIW的键合结构拥有良好的键合性能,相比微带键合结构,降低了传输损耗、降低了对结构尺寸的灵敏度、改善了键合性能。 展开更多
关键词 键合 基片集成波导 低噪声放大器 毫米波芯片
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基于基片集成波导技术的毫米波引线键合结构
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作者 张慧 陈鹏 《激光杂志》 北大核心 2016年第12期9-12,共4页
当前微波毫米波芯片的引线键合主要是在芯片焊盘和微带线之间实施,当工作频率达到毫米波频段,引线键合的性能对键合线属性及微带线加工精度的敏感度均越来越高,键合操作中键合线长度的差异或微带线加工的误差都可能导致键合性能的快速... 当前微波毫米波芯片的引线键合主要是在芯片焊盘和微带线之间实施,当工作频率达到毫米波频段,引线键合的性能对键合线属性及微带线加工精度的敏感度均越来越高,键合操作中键合线长度的差异或微带线加工的误差都可能导致键合性能的快速恶化。提出了一种基于基片集成波导(Substrate Integrated Waveguide,SIW)技术的毫米波引线键合结构,该结构直接使用SIW与芯片焊盘或其他电路进行键合,对比现有微带键合方案,使用提出的基于SIW的键合方案,可以显著降低对结构加工精度的敏感度,同时减少了对介质基片的限制等。设计了无源SIW键合结构,仿真和测试结果表明,基于SIW的键合结构拥有良好的键合性能,相比微带键合结构,降低了传输损耗,降低了对结构尺寸的灵敏度,改善了键合性能。 展开更多
关键词 键合 基片集成波导 SIW 毫米波芯片
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用MOCVD方法生长的GaAs/GaAsP量子线及其特性
20
作者 傅竹西 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期217-223,共7页
本实验采用普通的光刻和湿法腐蚀技术,将GaAs基片刻蚀成具有W形沟槽样的非平面结构,基片表面为(100)面,沟槽的侧斜面为(111)B面.在此基片上用低压MOCVD设备外延生长了GaAs/GaAsP多层膜,通过扫描电... 本实验采用普通的光刻和湿法腐蚀技术,将GaAs基片刻蚀成具有W形沟槽样的非平面结构,基片表面为(100)面,沟槽的侧斜面为(111)B面.在此基片上用低压MOCVD设备外延生长了GaAs/GaAsP多层膜,通过扫描电镜和微区拉曼光谱,研究它们的生长特性,发现GaAs和GaAsP的生长速率与基片的晶向及基片上的生长位置有关.根据这一生长特性,选择合适的W形沟道形状,用常规的量子阱外延方式,在W形沟道中央顶部突起的线条状平面上形成宝塔形生长,从而在尖端长出量子线.低温荧光光谱中观察到相应的能量峰,从而证实量子线的存在。 展开更多
关键词 量子线 MOCVD 砷化镓
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