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垂直外腔面发射激光器抽运脉冲的优化设计 被引量:4
1
作者 张鹏 戴特力 +3 位作者 梁一平 范嗣强 蒋茂华 张玉 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期1-6,共6页
采用脉冲抽运方式可显著改善光抽运垂直外腔面发射半导体激光器的热效应,大幅度提升激光器的输出功率。用有限元方法数值求解瞬态传热方程,得到激光器中温度升高的最大值随抽运脉冲的变化规律。讨论了抽运光脉冲宽度范围的选择,分析了... 采用脉冲抽运方式可显著改善光抽运垂直外腔面发射半导体激光器的热效应,大幅度提升激光器的输出功率。用有限元方法数值求解瞬态传热方程,得到激光器中温度升高的最大值随抽运脉冲的变化规律。讨论了抽运光脉冲宽度范围的选择,分析了抽运脉冲重复频率对激光器中温度升高最大值的影响作用,对抽运脉冲的时间宽度进行了优化设计。结果表明,对于基质去除型的InGaAs量子阱垂直外腔面发射激光器,抽运光脉冲的宽度介于1~10μs时,激光器中最大温升值即明显下降;同时,抽运脉冲的重复频率应限制在50kHz以内,以满足脉冲间隔大于激光器热弛豫时间的要求,否则激光器中会产生热量的积聚,增加最大温升值。 展开更多
关键词 激光器 面发射激光器 垂直外腔 抽运脉冲 热效应
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高功率垂直外腔面发射半导体激光器增益设计及制备 被引量:20
2
作者 张继业 张建伟 +6 位作者 曾玉刚 张俊 宁永强 张星 秦莉 刘云 王立军 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第5期85-93,共9页
垂直外腔面发射半导体激光器(vertical external cavity surface emitting laser, VECSEL)兼具高功率与良好的光束质量,是半导体激光器领域的持续研究热点之一.本文开展了光抽运VECSEL最核心的多量子阱增益区设计,对量子阱增益光谱及其... 垂直外腔面发射半导体激光器(vertical external cavity surface emitting laser, VECSEL)兼具高功率与良好的光束质量,是半导体激光器领域的持续研究热点之一.本文开展了光抽运VECSEL最核心的多量子阱增益区设计,对量子阱增益光谱及其峰值增益与载流子浓度及温度等关系进行系统的理论优化,并对5种不同势垒构型的量子阱增益特性进行对比,证实采用双侧GaAsP应变补偿的发光区具有更理想的增益特性.对MOCVD生长的VECSEL进行器件制备,实现了VECSEL在抽运功率为35 W时输出功率达到9.82 W,并且功率曲线仍然没有饱和;通过变化外腔镜的反射率, VECSEL的激光波长随抽运功率的漂移系数由0.216 nm/W降低至0.16 nm/W,证实外腔镜反射率会影响VECSEL增益芯片内部热效应,从而影响VECSEL激光输出功率.所制备VECSEL在两正交方向上的发散角分别为9.2°和9.0°,激光光斑呈现良好的圆形对称性. 展开更多
关键词 光抽运垂直外腔面发射半导体激光器 量子阱 增益芯片 高功率
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920nm光抽运垂直外腔面发射半导体激光器结构设计(英文) 被引量:11
3
作者 梁雪梅 吕金锴 +3 位作者 程立文 秦莉 宁永强 王立军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期79-85,共7页
设计并优化了一种用808nm的大功率激光二极管为抽运光源,In0.09Ga0.91As量子阱结构为增益介质的920nm光抽运半导体垂直外腔面发射激光器。运用有限元方法,对激光器的电特性方程和光特性方程求自洽解,计算了器件各种特性参量。分析了单... 设计并优化了一种用808nm的大功率激光二极管为抽运光源,In0.09Ga0.91As量子阱结构为增益介质的920nm光抽运半导体垂直外腔面发射激光器。运用有限元方法,对激光器的电特性方程和光特性方程求自洽解,计算了器件各种特性参量。分析了单个周期内不同阱的个数(1,2和3)、不同阱深、不同垒宽、不同非吸收层组分、不同非吸收层尺寸条件下,器件性能的改变,特别是模式、阈值和光-光转换效率的改变,从而选择一个最佳的结构。 展开更多
关键词 半导体激光器 结构设计 有限元 垂直外腔面发射激光器 光抽运
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980nm OPS-VECSEL关键参数的理论分析 被引量:10
4
作者 程立文 梁雪梅 +4 位作者 秦莉 王祥鹏 盛阳 宁永强 王立军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期713-717,共5页
光抽运半导体垂直外腔面发射激光器(Optically Pumped Semiconductor Vertical External Cavity SurfaceEmission Laser)的输出特性受到诸多参数的影响,理论分析和模拟显得尤为重要。设计了一种以808 nm二极管激光耦合模块为光抽运光源,... 光抽运半导体垂直外腔面发射激光器(Optically Pumped Semiconductor Vertical External Cavity SurfaceEmission Laser)的输出特性受到诸多参数的影响,理论分析和模拟显得尤为重要。设计了一种以808 nm二极管激光耦合模块为光抽运光源,In0.159Ga0.841As/GaAs0.94P0.06为增益介质的980 nm光抽运垂直外腔面发射激光器,并借助于PICS3D软件计算了器件各种特性参数。分析了芯片半径、量子阱的周期数以及外腔镜反射率对器件性能的影响,特别是对阈值和光-光转换效率的影响。模拟结果表明,器件的半径影响光-光转换效率。量子阱个数和外腔镜反射率对器件的输出功率和光-光转换效率都有影响,所以要根据实际需要,设计、生长结构和进行实验。 展开更多
关键词 半导体激光器 垂直外腔面发射激光器 光抽运 量子阱 理论模拟
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新型光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器 被引量:8
5
作者 宋晏蓉 郭晓萍 +5 位作者 王勇刚 陈檬 李港 于未茗 胡江海 张志刚 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1448-1450,共3页
用量子阱技术生长的半导体材料作激光增益介质,Al GaAs/GaAs对做布喇格反射镜,并以简单的平凹腔做谐振腔,半导体激光器作泵浦源,制作出了光泵垂直外腔面发射半导体激光器.在抽运功率1.5W时,得到了中心波长1005nm、最大输出功率40mW的激... 用量子阱技术生长的半导体材料作激光增益介质,Al GaAs/GaAs对做布喇格反射镜,并以简单的平凹腔做谐振腔,半导体激光器作泵浦源,制作出了光泵垂直外腔面发射半导体激光器.在抽运功率1.5W时,得到了中心波长1005nm、最大输出功率40mW的激光,光-光转换效率2.7%. 展开更多
关键词 面发射半导体激光器 光泵浦 量子阱 增益芯片
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光泵浦半导体垂直外腔面发射激光器的原理与应用 被引量:6
6
作者 陈柏众 戴特力 《重庆师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2008年第3期62-65,96,共5页
光泵浦半导体垂直外腔面发射激光器(OPS-VECSEL)是二极管泵浦的多量子阱增益介质半导体激光器。近年来,光泵浦垂直外腔面发射激光器作为半导体能带工程的新成果,在理论和实验方面均取得了令人触目的进展。该器件具有较高的输出功率、卓... 光泵浦半导体垂直外腔面发射激光器(OPS-VECSEL)是二极管泵浦的多量子阱增益介质半导体激光器。近年来,光泵浦垂直外腔面发射激光器作为半导体能带工程的新成果,在理论和实验方面均取得了令人触目的进展。该器件具有较高的输出功率、卓越的光束质量和紧凑的结构。薄片式的激活介质避免了棒状介质的热透镜效应,周期性共振增益(PRG)结构提高了多量子阱内的受激辐射截面,分布布拉格反射器(DBR)减少了谐振腔的损耗。相对于晶体棒作激活介质的固体激光器来说,这种新型激光器可以通过半导体能带工程提供更加广泛的波长选择范围。它克服了电泵浦边发射和电泵浦面发射半导体激光器的限制,可以提供近衍射极限的基模或TEM01模的圆形光斑。 展开更多
关键词 光泵浦半导体垂直外腔面发射激光器 周期性共振增益结构 分布布拉格反射器 电泵铺面发射半导体激光器 边发射半导体激光器
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基于490 nm垂直外腔面发射激光器的长距离水下激光通信系统
7
作者 王涛 王章行 +6 位作者 沈小雨 朱仁江 蒋丽丹 陆寰宇 路永乐 宋晏蓉 张鹏 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第17期169-177,共9页
水下无线光通信技术为深海勘探和海洋资源开发利用带来了一种效率高且可靠性强的通信新方案.本文采用490 nm垂直外腔面发射激光器作为光源,基于声光外调制技术,采用脉冲位置调制方式(pulseposition modulation,PPM)搭建了长距离水下无... 水下无线光通信技术为深海勘探和海洋资源开发利用带来了一种效率高且可靠性强的通信新方案.本文采用490 nm垂直外腔面发射激光器作为光源,基于声光外调制技术,采用脉冲位置调制方式(pulseposition modulation,PPM)搭建了长距离水下无线光通信系统.结合光源的优势并经过软判决算法优化PPM解调来提升水下通信性能,采用64 PPM调制,成功实现了96 m的水下传输距离,在50 MHz时隙频率下得到传输的误码率为1.9×10^(-5).同时测量到采用软判决解调相较于硬判决解调在性能增益上有着大约2 dB的提升,验证了软判决算法在提升水下通信性能方面相比硬判决算法的显著优势. 展开更多
关键词 垂直外腔面发射激光器 脉冲位置调制 软判决算法 水下无线光通信
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高功率1150 nm垂直外腔面发射半导体激光器
8
作者 张志军 陈贺 +8 位作者 张卓 刘志君 张建伟 杜子业 周寅利 张星 陈超 宁永强 王立军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第9期1531-1538,共8页
针对目前激光医疗、食品药品检测等领域对橙黄色激光的应用需求,开展了高功率基频光1150 nm垂直外腔面发射半导体激光器(VECSEL)研究。提出激光谐振腔内大尺寸基模光斑外腔结构,使VECSEL腔内模式匹配较大泵浦光斑尺寸,实现了高功率激光... 针对目前激光医疗、食品药品检测等领域对橙黄色激光的应用需求,开展了高功率基频光1150 nm垂直外腔面发射半导体激光器(VECSEL)研究。提出激光谐振腔内大尺寸基模光斑外腔结构,使VECSEL腔内模式匹配较大泵浦光斑尺寸,实现了高功率激光输出;提出增益峰-腔模失谐结构,增益峰与腔模温漂系数不同,高泵浦功率下具有良好的增益峰-腔模匹配,实现高泵浦功率工作下的激光波长稳定控制。制备的VECSEL器件在1150 nm激光波长的输出功率达到9.38 W,并获得良好的圆形对称的输出光斑形貌,光斑在正交方向上的发散角分别为7.3°和7.5°。 展开更多
关键词 半导体激光器 垂直外腔面发射半导体激光器 增益芯片 应变量子阱
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光泵浦垂直外腔面发射激光器特性及研究进展 被引量:3
9
作者 华玲玲 杨阳 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期64-69,共6页
介绍了光泵浦垂直外腔面发射激光器的结构、增益芯片工作原理及性能优势,综合评述该领域的最新研究进展,包括高功率、腔内倍频、可调谐运转、被动锁模等技术的最新进展,并探讨该类型激光器的发展前景和技术发展方向。
关键词 光电子学 光泵浦垂直外腔面发射激光器 高功率 腔内倍频 可调谐运转 被动锁模
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垂直外腔面发射激光器的模拟分析 被引量:3
10
作者 倪演海 戴特力 +2 位作者 梁一平 杜亮 伍喻 《重庆师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2011年第1期55-59,共5页
垂直外腔面发射激光器芯片的生长工艺要求精确到nm量级,制作成本高,有必要用软件对设计好的VECSEL芯片进行仿真,实现优化。通过PICS3D软件对已经设计好的一个底发射的VECSEL芯片结构进行仿真,获得了量子阱有源区的带隙结构、材料增益曲... 垂直外腔面发射激光器芯片的生长工艺要求精确到nm量级,制作成本高,有必要用软件对设计好的VECSEL芯片进行仿真,实现优化。通过PICS3D软件对已经设计好的一个底发射的VECSEL芯片结构进行仿真,获得了量子阱有源区的带隙结构、材料增益曲线及子腔谐振谱线等特性。结果表明,InGaAs/GaAsP/AlGaAs材料体系能够有效地吸收808 nm的泵浦光,产生足够多的光生载流子(电子—空穴对),这些载流子能轻易地渡越应变补偿层,被量子阱俘获,产生复合发光。其发光带隙1.25 eV,相应波长992 nm,接近设计波长980 nm。InGaAs的材料增益峰值波长正好在980 nm处,增益系数高达4 000 cm-1。InGaAs/GaAsP/AlGaAs量子阱的谐振峰值波长为983 nm,与980nm的分布布拉格反射镜(DBR)的反射中心波长非常接近,其峰值功率高达23 dB,理论上能够获得较大的输出功率。 展开更多
关键词 C42+分子 电声耦合 Td对称性 哈密顿量 杨-泰勒畸变 能级分裂
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增益腔模大失配型垂直外腔面发射激光器侧向激射抑制 被引量:1
11
作者 宫玉祥 张卓 +8 位作者 张建伟 张星 周寅利 刘天娇 徐玥辉 吴昊 陈超 宁永强 王立军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第2期314-320,共7页
垂直外腔面发射激光器(Vertical external cavity surface emitting laser,VECSEL)的侧向激射是制约其高性能工作的关键。我们设计了室温下量子阱增益峰与表面腔模大失配(30 nm)的增益芯片结构,并证实该结构可以有效抑制泵浦功率增加时V... 垂直外腔面发射激光器(Vertical external cavity surface emitting laser,VECSEL)的侧向激射是制约其高性能工作的关键。我们设计了室温下量子阱增益峰与表面腔模大失配(30 nm)的增益芯片结构,并证实该结构可以有效抑制泵浦功率增加时VECSEL的侧向激射增强问题。增益芯片基底温度为20℃时,VECSEL正向激射波长位于980 nm,侧向激射波长位于950 nm,当泵浦功率逐步增加时,侧向激射强度随着正向激射的出现而迅速降低。这是因为激光正向激射时量子阱的受激辐射能级与正向激射激光模式匹配,正向激射的激光模式可以获取更高的模式增益,在与侧向模式的竞争中处于优势地位。当基底温度控制在0℃与10℃时,量子阱本征增益峰值与表面腔模失配度增大,此时VECSEL仍然表现出稳定的侧向激射抑制效果。 展开更多
关键词 垂直外腔面发射激光器 侧向激射 增益失谐 模式竞争
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垂直外腔面发射半导体激光器的双波长调控研究
12
作者 李雪 张继业 +9 位作者 张建伟 张星 张卓 曾玉刚 张俊 周寅利 朱洪波 宁永强 秦莉 王立军 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第1期14-20,共7页
报道了一种结构紧凑的垂直外腔面发射激光器(Vertical-External-Cavity Surface-Emitting Laser,VECSEL)及其双波长调控。通过调控泵浦光功率,实现了VECSEL输出的两个激光波长之间的相互转换,双波长的间隔接近50 nm。VECSEL的输出功率... 报道了一种结构紧凑的垂直外腔面发射激光器(Vertical-External-Cavity Surface-Emitting Laser,VECSEL)及其双波长调控。通过调控泵浦光功率,实现了VECSEL输出的两个激光波长之间的相互转换,双波长的间隔接近50 nm。VECSEL的输出功率曲线呈现明显的两次翻转,翻转点对应了激射波长的转换。这是由于泵浦功率变化改变了增益芯片内部的温度,进而通过热调谐使得发光区增益峰值被调谐到腔模的不同位置。在0℃时,每个激射波长的最大输出功率都在1.5 W以上。随着泵浦功率的改变,激射波长可以在950 nm和1000 nm之间切换,同时还可以在1.5 W以上的功率水平下实现双波长同时激射。这种可切换波长及双波长同时激射的VECSEL器件在光调制、差频等领域有较大应用潜力。 展开更多
关键词 垂直外腔面发射半导体激光器 波长调控 双波长
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光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器的热管理
13
作者 李军 何春凤 +4 位作者 秦莉 梁雪梅 路国光 宁永强 王立军 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期170-172,共3页
在实验基础上分析了光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器(OPS-VECSEL)的热管理,建立了一维静态热传导方程,并结合数学工具Matlab解热传导方程,得出热沉的热导率及DBR热导率变化对器件温度的影响。实验中采用的热沉为铜热沉,用光致发光谱... 在实验基础上分析了光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器(OPS-VECSEL)的热管理,建立了一维静态热传导方程,并结合数学工具Matlab解热传导方程,得出热沉的热导率及DBR热导率变化对器件温度的影响。实验中采用的热沉为铜热沉,用光致发光谱测量方法估算器件的温度升高。理论计算与实验结果都表明,采用铜做热沉时器件的温度升高。因此应采用热传导系数大的材料来取代铜作热沉材料,以提高器件的性能。同时表明这种简单的计算模型能为器件的设计提供有用的理论分析与指导。 展开更多
关键词 热管理 光泵浦 垂直外腔面半导体激光器
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长波长垂直腔面发射激光器(英文)
14
作者 Yan Chang-ling Ning Yong-qiang +10 位作者 Qin Li Liu Yun Wang Qing Zhao Lu-min Sun Yan-fang Jin Zhen-hua Tao Ge-tao Wang Chao Liu Jun Wang Lijun Zhong Jingchang 《光机电信息》 2004年第4期1-12,共12页
给出了长波长垂直腔面发射激光器的器件结构的发展现状,同时对GaInNAs/GaAs垂直腔面发射激光器进行了详细的介绍。最后,给出了所设计的新型1.3μmGaInNAs/GaAs长波长垂直外腔面发射半导体激光器的结构设计,有源区量子阱由980nm半导体激... 给出了长波长垂直腔面发射激光器的器件结构的发展现状,同时对GaInNAs/GaAs垂直腔面发射激光器进行了详细的介绍。最后,给出了所设计的新型1.3μmGaInNAs/GaAs长波长垂直外腔面发射半导体激光器的结构设计,有源区量子阱由980nm半导体激光二极管进行泵浦。这种器件设计实现了激光二极管泵浦与长波长垂直腔面发射激光器的有机结合,同时具有两者的优点。此外,本文还对器件的阈值特性和光输出功率进行了理论计算。 展开更多
关键词 长波长 垂直腔面 激光器 结构设计 激光二极管 阈值
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新型钠信标激光器研究进展 被引量:1
15
作者 宗庆霜 卞奇 +4 位作者 马浩达 杨林 左军卫 薄勇 彭钦军 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2020年第4期404-410,共7页
自适应光学技术广泛应用于大型地基光学望远镜,以校正大气扰动造成的波前畸变,使望远镜达到近衍射极限分辨率,实现对观测目标的清晰成像。激光钠导引星作为自适应光学校正的信标源,是自适应光学望远镜的核心技术之一。介绍了589nm光抽... 自适应光学技术广泛应用于大型地基光学望远镜,以校正大气扰动造成的波前畸变,使望远镜达到近衍射极限分辨率,实现对观测目标的清晰成像。激光钠导引星作为自适应光学校正的信标源,是自适应光学望远镜的核心技术之一。介绍了589nm光抽运垂直外腔面发射半导体钠导引星激光器和掺Dy3+晶体作为增益介质直接发射589nm激光的固体激光器的最新研究进展。这些方案因其具有体积小、效率高、可靠性高、成本低、易维护等优势,被认为是新一代钠导引星激光器有潜力的发展方向。 展开更多
关键词 激光技术 自适应光学 钠导引星激光 光抽运垂直外腔面发射半导体激光器 掺Dy^3+晶体
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几种新体制半导体激光器及相关产业的现状、挑战和思考 被引量:1
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作者 韦欣 李明 +2 位作者 李健 汪超 李川川 《中国工程科学》 CSCD 北大核心 2020年第3期21-28,共8页
半导体激光器产业体量大、辐射和带动能力强,作为激光器工业的基础,被广泛应用在光通信、光信息处理、新型加工、激光显示、生物和医学传感等工业、军事和消费生活领域。为了适应逐渐扩大的应用范围,满足不同应用场景所提出的新要求,半... 半导体激光器产业体量大、辐射和带动能力强,作为激光器工业的基础,被广泛应用在光通信、光信息处理、新型加工、激光显示、生物和医学传感等工业、军事和消费生活领域。为了适应逐渐扩大的应用范围,满足不同应用场景所提出的新要求,半导体激光器领域近年来通过学科交叉渗透不断地引入了各种新机制、新概念以及新结构,大大优化了其波长覆盖范围、光束质量、器件体积和功耗、调制速度以及输出功率。本文通过对比几种新型激光器的物理内涵、结构设计及制备手段,介绍了几种应用前景广泛且发展势头强劲的半导体激光器。结合我国相关产业的发展现状指出,半导体激光器产业的发展仍然应与应用紧密结合,通过市场和强大的系统开发能力闭环优化器件性能,提升核心技术,通过交叉学科融通不断引入新概念、新结构和新工艺。同时,结合国内政策导向优势,在垂直外腔面发射激光器、微纳结构激光器以及拓扑绝缘体激光器等几个发展势头强劲的新型激光技术中加大投入,进行批量生产和可控制备研发,力争在国际相关领域的竞争中抢占战术制高点。 展开更多
关键词 半导体激光器 光泵浦垂直外腔面发射激光器 纳米激光器 拓扑绝缘体激光器
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基于增益特性的光抽运垂直外腔面发射激光器优化设计 被引量:1
17
作者 华玲玲 杨阳 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期183-191,共9页
介绍了光抽运垂直外腔面发射激光器的材料增益特性,以InGaAs/AlGaAs应变量子阱系统为例,建立了将带边偏置、能带结构和材料增益系统结合起来的理论模型。用Model-Solid模型确定带边偏置比,然后采用导带抛物线近似及价带6×6Luttinge... 介绍了光抽运垂直外腔面发射激光器的材料增益特性,以InGaAs/AlGaAs应变量子阱系统为例,建立了将带边偏置、能带结构和材料增益系统结合起来的理论模型。用Model-Solid模型确定带边偏置比,然后采用导带抛物线近似及价带6×6Luttinger哈密顿量精确计算了能带结构和材料增益。基于对材料增益特性的分析研究,优化设计了1μm波段的量子阱有源区,分别对量子阱的阱宽、阱深和阱的构成形式进行了优化设计并得到了最优选择,为光抽运垂直外腔面发射激光器的优化设计提供了理论依据。 展开更多
关键词 激光器 光抽运垂直外腔面发射激光器 优化设计 6×6 Luttinger哈密顿量 材料增益 能带结构
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980nm OPS-VECSEL单个谐振周期内量子阱数目的理论分析
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作者 秦莉 田振华 +6 位作者 程立文 梁雪梅 史晶晶 张岩 彭航宇 宁永强 王立军 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期818-822,共5页
设计了一种新型的980 nm底发射光抽运垂直外腔面半导体激光器(OPS-VECSEL),对比分析计算了器件在单个谐振周期内不同量子阱数目下的性能。得到了在单阱条件下,阈值光功率密度为5 kW/cm2时,输出功率超过1.8 W,斜率效率超过40%的优异性能。
关键词 光抽运 应变量子阱 垂直外腔面发射激光器
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量子阱调制双波长光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器
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作者 李志伟 张卓 +5 位作者 张建伟 张星 周寅利 曾玉刚 宁永强 王立军 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第6期951-957,共7页
报道了一种采用单个增益芯片实现双波长输出的光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器(VECSEL)。VECSEL所用的增益芯片发光区由两组不同发光波长的量子阱组成,其中一组发光波长较短的量子阱采用吸收区泵浦的方式,另一组发光波长较长的量子阱... 报道了一种采用单个增益芯片实现双波长输出的光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器(VECSEL)。VECSEL所用的增益芯片发光区由两组不同发光波长的量子阱组成,其中一组发光波长较短的量子阱采用吸收区泵浦的方式,另一组发光波长较长的量子阱采用阱内泵浦方式。在VECSEL工作时,吸收区泵浦的短波长量子阱率先激射,由于发光波长较长的量子阱对短波长量子阱的强度调制效应,此时可以观察到两种波长的光谱峰值强度随时间周期性振荡,采用高灵敏探测器观察到VECSEL此时的输出激光呈现出脉冲输出形式。随着泵浦功率进一步增加,VECSEL的输出激光呈现稳定的双波长输出,激光波长峰位分别位于967.5 nm和969.8 nm。VECSEL双波长稳定输出时的最大激光功率可以达到560 mW,光斑在正交方向呈现对称高斯形貌,正交方向发散角分别为6.68°和6.87°。 展开更多
关键词 半导体激光器 双波长工作 垂直外腔面发射半导体激光器 强度调制
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Vertical-external-cavity surface-emitting lasers and quantum dot lasers
20
作者 Guangcun SHAN Xinghai ZHAO +2 位作者 Mingjun HU Chan-Hung SHEIK WeiHUANG 《Frontiers of Optoelectronics》 2012年第2期157-170,共14页
The use of cavity to manipulate photon emission of quantum dots (QDs) has been opening unprecedented opportunities for realizing quantum functional nanophotonic devices and quantum information devices. In particular... The use of cavity to manipulate photon emission of quantum dots (QDs) has been opening unprecedented opportunities for realizing quantum functional nanophotonic devices and quantum information devices. In particular, in the field of semiconductor lasers, QDs were introduced as a superior alternative to quantum wells (QWs) to suppress the temperature dependence of the threshold current in vertical-external-cavity surfaceemitting lasers (VECSELs). In this work, a review of properties and development of semiconductor VECSEL devices and QD laser devices is given. Based on the features of VECSEL devices, the main emphasis is put on the recent development of technological approach on semiconductor QD VECSELs. Then, from the viewpoint of both single QD nanolaser and cavity quantum electro- dynamics (QED), a single-QD-cavity system resulting from the strong coupling of QD cavity is presented. In this review, we will cover both fundamental aspects and technological approaches of QD VECSEL devices. Lastly, the presented review here has provided deep insight into useful guideline for the development of QD VECSEL technology, future quantum functional nanophotonic devices and monolithic photonic integrated circuits (MPhlCs). 展开更多
关键词 vertical-external-cavity surface-emittinglasers (VECSELs) quantum dot (QD) QD laser quantumelectrodynamics (QED) cavity QED
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