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激光触发能量对横向结构4H-SiC光导开关导通电阻的影响
1
作者
张永平
陈之战
+3 位作者
石旺舟
章林文
刘毅
谌怡
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第5期233-237,共5页
采用钒掺杂半绝缘4H-SiC衬底,利用磁控溅射在硅衬底上制备了Ni/Au金属电极,并封装加工成同面型横向电极结构SiC光导开关,研究了不同激光触发能量对光导开关光电响应及导通电阻的影响。用波长532nm的激光作为触发源,当激光触发能量从26....
采用钒掺杂半绝缘4H-SiC衬底,利用磁控溅射在硅衬底上制备了Ni/Au金属电极,并封装加工成同面型横向电极结构SiC光导开关,研究了不同激光触发能量对光导开关光电响应及导通电阻的影响。用波长532nm的激光作为触发源,当激光触发能量从26.7mJ增加到43.9mJ时,光导开关的导通电阻从295Ω降低到197Ω。利用复合理论推导出激光触发时导带中载流子浓度随时间的变化规律,并利用MATLAB模拟计算了不同触发能量下开关的导通电阻,得到了与实验较一致的结果。在此基础上,提出了降低开关导通电阻的两种途径。
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关键词
光导开关
钒掺杂
4
h
-
sic
横向电极结构
导通电阻
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职称材料
题名
激光触发能量对横向结构4H-SiC光导开关导通电阻的影响
1
作者
张永平
陈之战
石旺舟
章林文
刘毅
谌怡
机构
上海师范大学物理系
中国工程物理研究院流体物理研究所
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第5期233-237,共5页
基金
国家973计划预研项目
上海市教委创新项目(13ZZ108)
上海市科委重点支撑项目(13520502700)
文摘
采用钒掺杂半绝缘4H-SiC衬底,利用磁控溅射在硅衬底上制备了Ni/Au金属电极,并封装加工成同面型横向电极结构SiC光导开关,研究了不同激光触发能量对光导开关光电响应及导通电阻的影响。用波长532nm的激光作为触发源,当激光触发能量从26.7mJ增加到43.9mJ时,光导开关的导通电阻从295Ω降低到197Ω。利用复合理论推导出激光触发时导带中载流子浓度随时间的变化规律,并利用MATLAB模拟计算了不同触发能量下开关的导通电阻,得到了与实验较一致的结果。在此基础上,提出了降低开关导通电阻的两种途径。
关键词
光导开关
钒掺杂
4
h
-
sic
横向电极结构
导通电阻
Keywords
p
h
otoconductive
semiconductor
switc
h
es
vanadium
compensated
4
h
-
sic
lateral
geometry
on
state
resistance
分类号
TN36 [电子电信—物理电子学]
TM836 [电气工程—高电压与绝缘技术]
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职称材料
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作者
出处
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1
激光触发能量对横向结构4H-SiC光导开关导通电阻的影响
张永平
陈之战
石旺舟
章林文
刘毅
谌怡
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
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职称材料
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