针对LTE应用的射频功率放大器,提出了一种结构简单的改善功率放大器性能的方法,并应用该方法设计了一个基于In Ga P/Ga As HBT工艺的两级F类功率放大器。该功率放大器采用了三阶交调失真消除技术、级间谐波抑制网络和带温度补偿特性的...针对LTE应用的射频功率放大器,提出了一种结构简单的改善功率放大器性能的方法,并应用该方法设计了一个基于In Ga P/Ga As HBT工艺的两级F类功率放大器。该功率放大器采用了三阶交调失真消除技术、级间谐波抑制网络和带温度补偿特性的有源偏置电路以达到高线性度。此外,输出采用F类功率放大器谐波理论以获得高效率。该功放在工作电压为3.4 V,频率2.35 GHz处,分别使用连续波信号和10 MHz LTE调制信号输入测得:增益为27.5 d B,1 d B压缩点为30 d Bm,最高效率点达到46%;平均输出功率为28 d Bm时,无线接入邻道泄漏率为-38.4d Bc,功率附加效率为38%。展开更多
文摘针对LTE应用的射频功率放大器,提出了一种结构简单的改善功率放大器性能的方法,并应用该方法设计了一个基于In Ga P/Ga As HBT工艺的两级F类功率放大器。该功率放大器采用了三阶交调失真消除技术、级间谐波抑制网络和带温度补偿特性的有源偏置电路以达到高线性度。此外,输出采用F类功率放大器谐波理论以获得高效率。该功放在工作电压为3.4 V,频率2.35 GHz处,分别使用连续波信号和10 MHz LTE调制信号输入测得:增益为27.5 d B,1 d B压缩点为30 d Bm,最高效率点达到46%;平均输出功率为28 d Bm时,无线接入邻道泄漏率为-38.4d Bc,功率附加效率为38%。
