一步溶液法制备ZnO亚微米晶体棒及其发光性能 被引量：13

1

作者 陈建刚 郭常新 +1 位作者 张琳丽 胡俊涛 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期59-65,共7页

用硝酸锌（Zn（NO3）2·4H2O）或醋酸锌（Zn（CH3COO）2·2H2O）分别与六亚甲基四胺（（CH2）6N4）以等浓度0．005mol／L配制成两种反应溶液，通过化学溶液法在玻璃衬底上生长出ZnO六角型亚微米棒（长5—8μm，直径300-700nm）... 用硝酸锌（Zn（NO3）2·4H2O）或醋酸锌（Zn（CH3COO）2·2H2O）分别与六亚甲基四胺（（CH2）6N4）以等浓度0．005mol／L配制成两种反应溶液，通过化学溶液法在玻璃衬底上生长出ZnO六角型亚微米棒（长5—8μm，直径300-700nm）。测量了样品的XRD和扫描电镜像。经XRD分析，所得样品均为纤锌矿的ZnO六角型晶体。扫描电镜（SEM）像表明，生长时间为3h或5h时，样品为细长条的棒状结构，长径比超过10：1；生长48h后的ZnO亚微米棒的一端被腐蚀成一定深度的ZnO亚微米管。用负离子配位四面体生长模型分析了ZnO亚微米棒的生长机理。ZnO亚微米棒退火前后的光致发光谱表明，退火处理后的发射谱中的紫外峰消失，而红色发光峰红移并且增强（峰值由630nm左右移到710nm），同时它的激发光谱中的室温激子激发峰也增强。 展开更多

关键词 氧化锌 光致发光 晶体生长 化学溶液法 纳米晶

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蓝宝石晶体的制备方法及特点概述 被引量：8

2

作者 刘杰 《矿冶工程》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期102-106,共5页

简述了人造蓝宝石晶体的应用领域,介绍了8种熔体生长方式制备人造蓝宝石晶体的过程和特点,并比较了不同制备方法的优缺点。

关键词 氧化铝单晶 蓝宝石晶体 制备方法 溶液生长法 熔体生长法 气相生长法

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ACRT-Te溶液Bridgman法生长的In掺杂CdMnTe界面研究(英文) 被引量：2

3

作者 杜园园 介万奇 +3 位作者 郑昕 王涛 白旭旭 于晖 《中国有色金属学会会刊：英文版》 CSCD 2012年第S1期143-147,共5页

采用ACRT-Te溶液垂直布里奇曼法成功制备出直径为30mm、长度为60mm的CdMnTe晶锭。相对于普通布里奇曼法生长的CdMnTe晶锭,Te溶液法生长的 CdMnTe晶锭中的孪晶大大减少。但是由于较高的Te夹杂相密度,红外透过成像显示晶锭生长界面的微观... 采用ACRT-Te溶液垂直布里奇曼法成功制备出直径为30mm、长度为60mm的CdMnTe晶锭。相对于普通布里奇曼法生长的CdMnTe晶锭,Te溶液法生长的 CdMnTe晶锭中的孪晶大大减少。但是由于较高的Te夹杂相密度,红外透过成像显示晶锭生长界面的微观形貌既不均匀也不规则。同时,采用激光共聚焦显微镜也观察到CdMnTe富Te区存在无规律沉积的含有孔洞的不规则形状Te相。如果采用合适的生长工艺得到较为平直的生长界面,Te溶液垂直布里奇曼法可以有效减少CdMnTe晶体中的孪晶。 展开更多

关键词 溶液法生长 垂直Bridgman法 CDMNTE 孪晶 生长界面 Te夹杂相

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石墨/金属盐复合电极材料制备方法研究进展

4

作者 于思洋 周健康 +2 位作者 门丽娟 刘安 陈春钰 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2022年第S01期180-182,190,共4页

石墨/金属盐复合电极是目前电极制备的主要方向,无论是锂离子电池负极材料还是各种吸附电极,石墨/金属盐复合电极往往是第一选择。针对石墨/金属盐复合电极材料的制备,从材料制备角度出发,介绍了溶液生长法、涂覆法、电化学法制备方法... 石墨/金属盐复合电极是目前电极制备的主要方向,无论是锂离子电池负极材料还是各种吸附电极,石墨/金属盐复合电极往往是第一选择。针对石墨/金属盐复合电极材料的制备,从材料制备角度出发,介绍了溶液生长法、涂覆法、电化学法制备方法。从实际生产和实验设计的角度出发,对制备方法的优缺点进行了评析。 展开更多

关键词 石墨电极 溶液生长法 电化学法 涂覆法

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Si、Si-Fe合金助熔法制备SiC研究

5

作者 李亚琼 张彦辉 张立峰 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2021年第7期7158-7161,7196,共5页

助熔剂法是一种高效生长SiC晶体的方法。本文采用助溶剂法对比考察了Si、Si-Fe合金熔体中SiC晶体生长行为特征,并结合光学显微镜以及电子显微探针对SiC晶体进行分析。研究发现,Si、Si-Fe合金熔体中SiC晶体均以SLS机制生长,受C在两种介... 助熔剂法是一种高效生长SiC晶体的方法。本文采用助溶剂法对比考察了Si、Si-Fe合金熔体中SiC晶体生长行为特征,并结合光学显微镜以及电子显微探针对SiC晶体进行分析。研究发现,Si、Si-Fe合金熔体中SiC晶体均以SLS机制生长,受C在两种介质中溶解度的影响,Si熔体中SiC析出尺寸较小,10~50μm,排列成线状分布在样品外侧;Si-Fe熔体中SiC晶体析出尺寸较大,50~200μm,分散在样品中。 展开更多

关键词 助溶剂法 SIC Si-Fe合金 SI

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高温溶液法生长4H–SiC单晶的助溶剂研究进展

6

作者 丁祥 钱昊 +2 位作者 梁刚强 陈雅薇 刘源 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期2425-2441,共17页

碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料,不仅在化学性能上相对稳定,而且具有一系列突出的物理性能优势,如器件极限工作温度高、临界击穿电场强度大及热导率高等,是目前相对成熟且应用最广的宽禁带材料。为满足SiC在新能源汽车、太阳能光伏及... 碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料,不仅在化学性能上相对稳定,而且具有一系列突出的物理性能优势,如器件极限工作温度高、临界击穿电场强度大及热导率高等,是目前相对成熟且应用最广的宽禁带材料。为满足SiC在新能源汽车、太阳能光伏及风力发电等领域的大规模应用需求,高质量、大尺寸、低成本的SiC单晶生长工艺仍是未来研究重点。其中,高温溶液生长法(HTSG)获得的SiC单晶具有晶体位错少、易扩径且易实现P型掺杂、成本低等优势,弥补了物理气相传输法(PVT)生长出的晶体缺陷多且高能耗、高成本等不足。在HTSG法生长SiC单晶中,助溶剂的合理选择是提高SiC晶体生长效率与生长质量的关键因素;目前,常用的助溶液体系为Si–Cr二元或Si–Cr–Al三元体系。4H碳化硅(4H–SiC)作为一种典型的SiC晶体结构,存在一个六方格点和一个立方格点,且双原子层以ABCB–ABCB形式连接,这种排列方式使得4H–SiC晶体具有较高硬度及热稳定性。本文首先总结了HTSG法生长4H–SiC单晶中助溶剂的研究历程,然后从热力学角度分析了助溶液体系对晶体生长的影响,并归纳总结了针对助溶剂的研究所采用的不同方法,最后提出了HTSG法生长4H–SiC单晶中助溶剂研究的重点和难点。 展开更多

关键词 碳化硅 高温溶液法 助溶剂 热力学计算

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顶部籽晶溶液法生长碳化硅单晶及其关键问题研究进展

7

作者 顾鹏 雷沛 +2 位作者 叶帅 胡晋 吴戈 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第5期741-759,共19页

因其优异的物理特性,第三代半导体碳化硅(SiC)材料在高温、高频、高压及大功率电力电子器件和射频微波器件领域具有非常明确的应用前景。受限于自身技术特点,利用传统的物理气相输运(PVT)法制备SiC晶体仍面临许多技术挑战,难以满足当前... 因其优异的物理特性,第三代半导体碳化硅(SiC)材料在高温、高频、高压及大功率电力电子器件和射频微波器件领域具有非常明确的应用前景。受限于自身技术特点,利用传统的物理气相输运(PVT)法制备SiC晶体仍面临许多技术挑战,难以满足当前电子器件对大尺寸、高质量和低成本SiC单晶衬底的迫切需求。顶部籽晶溶液(TSSG)法可以在更低的温度和近热力学平衡条件下实现SiC晶体制备,能够显著弥补PVT法的不足,正逐渐成为极具竞争力的低成本、高质量SiC单晶衬底创新技术之一。本文首先阐述了TSSG法生长SiC晶体的理论依据,并给出了各工艺环节要点,然后归纳了TSSG法生长SiC晶体的主要技术优势,梳理了国内外在该技术领域的研究现状并重点讨论了TSSG法生长SiC晶体关键技术问题、产生机制,以及可能的解决途径等。最后,对TSSG法生长SiC晶体的未来发展做出展望。 展开更多

关键词 第三代半导体 碳化硅单晶 顶部籽晶溶液法 晶体形貌 台阶聚集 溶剂包裹 人工智能

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非线性光学晶体K_(3)B_(6)O_(10)Br的生长与光电性能研究

8

作者 刘青雄 王天予 +5 位作者 刘孚安 吴倩 尹延如 赫崇君 高泽亮 夏明军 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第7期1296-1301,共6页

采用顶部籽晶溶液生长法成功生长出尺寸为42 mm×20 mm×18 mm的高光学质量的紫外非线性光学晶体K_(3)B_(6)O_(10)Br(KBB)。根据其结构对称性要求,将KBB晶体定向加工成不同的器件切型,系统表征其光电性能。对KBB晶体电弹常数进... 采用顶部籽晶溶液生长法成功生长出尺寸为42 mm×20 mm×18 mm的高光学质量的紫外非线性光学晶体K_(3)B_(6)O_(10)Br(KBB)。根据其结构对称性要求,将KBB晶体定向加工成不同的器件切型,系统表征其光电性能。对KBB晶体电弹常数进行了系统的表征,受微观结构影响,压电常数各向异性较大,最大的压电常数d 33=6.69 pC/N。KBB晶体具有良好的激光频率变换、电光及压电性能,在光电子领域显示出潜在的应用前景。 展开更多

关键词 紫外非线性光学晶体 K_(3)B_(6)O_(10)Br 顶部籽晶溶液生长法 晶体生长 电光系数 压电性能

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弛豫铁电单晶的顶部籽晶法生长 被引量：4

9

作者 何超 杨晓明 +1 位作者 王祖建 龙西法 《中国科学：技术科学》 EI CSCD 北大核心 2017年第11期1126-1138,共13页

相比较于传统的Pb(Zr_(1-x)Ti_x)O_3(PZT)多晶压电陶瓷,弛豫铁电单晶具有超高的机电耦合系数和压电系数.例如,典型的Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3(PZN-PT)和Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3(PMN-PT)弛豫铁电单晶,其机电耦合系数k_(... 相比较于传统的Pb(Zr_(1-x)Ti_x)O_3(PZT)多晶压电陶瓷,弛豫铁电单晶具有超高的机电耦合系数和压电系数.例如,典型的Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3(PZN-PT)和Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3(PMN-PT)弛豫铁电单晶,其机电耦合系数k_(33)>0.9,压电系数d_(33)>2000 pC/N,使其有潜力应用于下一代压电器件,如传感器、声呐、执行器等.但是弛豫铁电单晶应用的关键在于单晶的制备问题.弛豫铁电单晶的制备技术包括高温溶液法(助溶剂法)、垂直坩埚下降法和顶部籽晶法.顶部籽晶法在制备弛豫铁电单晶时具有很多优势.因此,本文将阐述顶部籽晶法制备弛豫铁电单晶的最新进展. 展开更多

关键词 压电性 弛豫铁电 单晶 单晶生长 顶部籽晶法

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掺镁近化学计量比LiTaO_3晶体的生长及光学性能(英文) 被引量：4

10

作者 赵业权 贾宝申 +2 位作者 张学锋 申岩 刘立人 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第8期995-997,共3页

在同成分LiTaO3熔体中掺入一定剂量的K2O,采用顶部籽晶提拉法生长掺镁近化学计量比LiTaO3晶体。对晶体分别进行光谱分析,畴结构和抗光损伤阈值的测定。结果表明:与同成分掺镁LiTaO3晶体相比较,其紫外吸收边出现明显蓝移,红外吸收峰变弱... 在同成分LiTaO3熔体中掺入一定剂量的K2O,采用顶部籽晶提拉法生长掺镁近化学计量比LiTaO3晶体。对晶体分别进行光谱分析,畴结构和抗光损伤阈值的测定。结果表明:与同成分掺镁LiTaO3晶体相比较,其紫外吸收边出现明显蓝移,红外吸收峰变弱。腐蚀晶片的晶相显微镜观察结果表明:掺镁近化学剂量比晶体的畴结构是较为规则的六边形;晶体的抗光致散射能力明显提高。 展开更多

关键词 钽酸锂晶体 化学计量比 顶部籽晶溶液生长 提拉法 吸收光谱

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CLBO单晶生长及性能研究

11

作者 石爽爽 王国影 +2 位作者 肖亚波 王海丽 陈建荣 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第12期2146-2150,共5页

CsLiB_(6)O_(10)(简称CLBO)是一种性能优良的紫外非线性光学晶体,特别适用于四倍频(266 nm)和五倍频(210 nm)的紫外大功率激光。本文采用顶部籽晶法成功生长出尺寸为120 mm×112 mm×62 mm的CLBO晶体,晶体外观完整,无开裂、散... CsLiB_(6)O_(10)(简称CLBO)是一种性能优良的紫外非线性光学晶体,特别适用于四倍频(266 nm)和五倍频(210 nm)的紫外大功率激光。本文采用顶部籽晶法成功生长出尺寸为120 mm×112 mm×62 mm的CLBO晶体,晶体外观完整,无开裂、散射等宏观缺陷。由该晶体切出五倍频CLBO晶体元件,对其进行了紫外-可见-近红外透过率、光学均匀性、弱吸收性能表征,结果显示,210~1800 nm的平均透过率超过90%,光学均匀性为3.8×10^(-5),1064 nm弱吸收为90×10^(-6)cm^(-1),表明该晶体紫外区透过率良好,光学均匀性高,弱吸收低,为后续相关激光应用研究奠定了基础。 展开更多

关键词 CsLiB_(6)O_(10) 非线性光学晶体 顶部籽晶法 透过率 光学均匀性 弱吸收

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RTP电光晶体的生长及其器件性能研究

12

作者 石爽爽 师瑞泽 +3 位作者 王国影 肖亚波 王海丽 陈建荣 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第12期2151-2155,共5页

磷酸氧钛铷(RbTiOPO4,简称RTP)是综合性能优异的电光晶体,具有电光系数高、半波电压低、激光损伤阈值高、器件小巧、环境适应性强等优点,已成为新一代电光器件应用材料,非常适合用作电光开关、电光调制器等。激光系统的发展迫切需求更... 磷酸氧钛铷(RbTiOPO4,简称RTP)是综合性能优异的电光晶体,具有电光系数高、半波电压低、激光损伤阈值高、器件小巧、环境适应性强等优点,已成为新一代电光器件应用材料,非常适合用作电光开关、电光调制器等。激光系统的发展迫切需求更高功率、更高重复频率和更窄脉宽激光用高性能电光晶体,基于此,本文选用富Rb的高[Rb]/[P]摩尔比值生长体系,通过顶部籽晶熔盐法生长出高质量RTP晶体,测试了晶体或器件的光学均匀性、重复频率、插入损耗、消光比和抗激光损伤阈值,结果表明,该晶体的光学均匀性为7.3×10^(-6)cm^(-1),重复频率为501 kHz,插入损耗为0.49%,消光比为31.57 dB,激光损伤阈值为856 MW/cm^(2)。 展开更多

关键词 RTP 电光晶体 顶部籽晶熔盐法 光学均匀性 激光损伤阈值

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TSSG法生长Zr:Fe:LiNbO_3晶体及其分凝系数 被引量：4

13

作者 阎哲华 代丽 +4 位作者 孙晋 姜发同 刘威 代平 李云鹏 《哈尔滨理工大学学报》 CAS 北大核心 2016年第4期80-82,89,共4页

采用顶部耔晶法生长了不同Li/Nb(Li/Nb=0.94,1.05,1.20and1.38)的Zr:Fe:LiNbO_3单晶.测试了Zr:Fe:LiNbO_3晶体的分凝系数.实验结果表明,Li/Nb=1.38的Zr:Fe:LiNbO_3晶体有的Zr离子分凝系数减少并趋于1,随着熔体中Li/Nb比增加,晶体Li/Nb... 采用顶部耔晶法生长了不同Li/Nb(Li/Nb=0.94,1.05,1.20and1.38)的Zr:Fe:LiNbO_3单晶.测试了Zr:Fe:LiNbO_3晶体的分凝系数.实验结果表明,Li/Nb=1.38的Zr:Fe:LiNbO_3晶体有的Zr离子分凝系数减少并趋于1,随着熔体中Li/Nb比增加,晶体Li/Nb比增加,结合LiNbO_3晶体的占位机制和锂空位缺陷解释了这一实验结果. 展开更多

关键词 锆铁铌酸锂晶体 顶部耔晶法 分凝系数

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Er,Yb:KGd(WO_4)_2激光晶体的生长 被引量：1

14

作者 王海丽 齐家宝 +6 位作者 周南浩 承刚 陈建荣 陈龙华 杨春和 包照日格图 沈德忠 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期5-7,51,共4页

采用顶部籽晶熔盐法,以K2WO4为助熔剂生长出铒、镱共掺钨酸钆钾[Er,Yb:KGd(WO4)2简称Er,Yb:KGW]激光晶体。XRD分析结果表明晶体为低温相Er,Yb:KGW晶体,即β-Er,Yb:KGW晶体。通过差热分析测量,确定其相变温度和熔点分别为1020℃和1080℃... 采用顶部籽晶熔盐法,以K2WO4为助熔剂生长出铒、镱共掺钨酸钆钾[Er,Yb:KGd(WO4)2简称Er,Yb:KGW]激光晶体。XRD分析结果表明晶体为低温相Er,Yb:KGW晶体,即β-Er,Yb:KGW晶体。通过差热分析测量,确定其相变温度和熔点分别为1020℃和1080℃。测量了晶体190-2000nm的室温透过光谱,结果表明除980nm的吸收谱带是Er3+离子和Yb3+离子的共同谱带之外,其余均属于Er3+离子。 展开更多

关键词 顶部籽晶熔盐法 Er Yb:KGd(WO4)2激光晶体 晶体生长

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Tm^3＋掺杂KYb(WO4)2自激活激光晶体生长与光谱特性分析 被引量：3

15

作者 朱忠丽 曹立华 +2 位作者 张亮 林海 刘景和 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期813-818,共6页

以K2W2O7为助熔剂,Tm3+掺杂摩尔分数为8%,采用顶部籽晶提拉法生长出了单斜晶系的铥掺杂钨酸鐿钾[Tm3+:KYb(WO4)2,Tm:KYbW]晶体。测试了晶体的红外光谱和Raman光谱,并对出现的峰值进行了振动归属。测量了晶体的吸收光谱和荧光光谱,计算... 以K2W2O7为助熔剂,Tm3+掺杂摩尔分数为8%,采用顶部籽晶提拉法生长出了单斜晶系的铥掺杂钨酸鐿钾[Tm3+:KYb(WO4)2,Tm:KYbW]晶体。测试了晶体的红外光谱和Raman光谱,并对出现的峰值进行了振动归属。测量了晶体的吸收光谱和荧光光谱,计算了相应的光谱参数。吸收光谱显示:Yb3+在945,958nm处吸收峰最强,半峰宽为91nm。荧光光谱表明:Tm:KYbW晶体在1735nm和1759nm附近有较强的发射峰,主峰1759nm处的发射线宽达146nm,因此,Tm:KYbW晶体可作为可调谐激光增益介质。晶体的上转换荧光谱表明:在481nm和646nm处分别得到了上转换蓝光和红光,并分析了相应的上转换机制。 展开更多

关键词 铥掺杂钨酸鐿钾晶体 顶部籽晶提拉法 吸收光谱 荧光光谱 激光晶体

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ZnO材料的化学溶液法制备及其微结构和光学性质研究 被引量：1

16

作者 石明吉 胡冬梅 +1 位作者 李壮辉 李双 《南阳理工学院学报》 2012年第2期5-7,共3页

以等摩尔浓度的乙酸锌和六次甲基四胺溶液为生长液,采用化学溶液法,在70℃生长4 h,在硅片上制备了不同形貌的氧化锌纳米结构。运用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和室温光致发光谱(PL)研究了样品的结构、形貌和光学性质。结果表明... 以等摩尔浓度的乙酸锌和六次甲基四胺溶液为生长液,采用化学溶液法,在70℃生长4 h,在硅片上制备了不同形貌的氧化锌纳米结构。运用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和室温光致发光谱(PL)研究了样品的结构、形貌和光学性质。结果表明,氧化锌的生长分为种子层的制备和溶液法生长两步。所有的样品都具有相似的光谱,在380 nm附近有一个明显的紫外自由激子发射峰。 展开更多

关键词 氧化锌 化学溶液沉积 光致发光 生长机制

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近化学计量比Cu：Fe：LiNbO3晶体的生长及蓝光优化光折变性能 被引量：1

17

作者 王义杰 莫阳 +5 位作者 文爱花 徐超 冷雪松 张春雷 许磊 徐玉恒 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期355-358,364,共5页

以K2O为助溶剂在LiNbO3中掺入0.15%(质量分数,下同)CuO,0.03%和0.05%Fe2O3,用顶部籽晶溶液生长法生长近化学计量比Cu:Fe:LiNbO3晶体。以Ar+激光器的488 nm激光为光源测试Cu:Fe:LiNbO3晶体的光激载流子类型,采用二波耦合光路测试了晶体... 以K2O为助溶剂在LiNbO3中掺入0.15%(质量分数,下同)CuO,0.03%和0.05%Fe2O3,用顶部籽晶溶液生长法生长近化学计量比Cu:Fe:LiNbO3晶体。以Ar+激光器的488 nm激光为光源测试Cu:Fe:LiNbO3晶体的光激载流子类型,采用二波耦合光路测试了晶体的光折变存储性能,并与633 nm红光测试的Fe:LiNbO3的存储性能进行了比较。结果表明:Cu:Fe:LiNbO3晶体光激载流子是以空穴为主。Cu:Fe:LiNbO3晶体写入速度和灵敏度比Fe:LiNbO3晶体分别高60倍和67倍,动态范围比Fe:LiNbO3高15倍。讨论了近化学计量比Cu:Fe:LiNbO3晶体蓝光光折变效应增强机理。近化学计量比Cu:Fe:LiNbO3晶体表现出优良的蓝光光折变性能。 展开更多

关键词 近化学计量比铌酸锂晶体 光折变性能 铜铁掺杂 顶部籽晶溶液生长法

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近化学计量比Fe:Mg:LiNbO_3晶体生长与其存储性能 被引量：1

18

作者 王义杰 刘威 +4 位作者 范叶霞 于峰 孙亮 关承祥 徐玉恒 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1833-1836,1842,共5页

在LiNbO3(LN)中分别掺入0.5%(摩尔分数,下同),1%和2% MgO,0.03%(质量分数)Fe2O3,配料中n(Li)/n(Nb)=1.38,采用顶部籽晶溶液生长法生长近化学计量比Fe:Mg:LiNbO3(near-stoichiometric Fe:Mg:LiNbO3,Fe:Mg:SLN)晶体。测试了晶体的红外光... 在LiNbO3(LN)中分别掺入0.5%(摩尔分数,下同),1%和2% MgO,0.03%(质量分数)Fe2O3,配料中n(Li)/n(Nb)=1.38,采用顶部籽晶溶液生长法生长近化学计量比Fe:Mg:LiNbO3(near-stoichiometric Fe:Mg:LiNbO3,Fe:Mg:SLN)晶体。测试了晶体的红外光谱、抗光损伤能力和存储性能。结果表明:Fe:2%Mg:LN晶体的OH-吸收峰移到3535cm-1,抗光损伤能力比Fe:LN提高3个数量级。Fe:0.5%Mg:LN晶体的灵敏度、动态范围和抗光损伤能力比Fe:LN晶体分别高2.5倍,2倍和1个数量级。以Fe:2%Mg:LN晶体和Fe:LN晶体分别作为存储介质,进行大容量存储实验。在一个公共体积内实现1200幅体全息图的存储。Fe:2%Mg:LN晶体的存储质量优于Fe:LN晶体。 展开更多

关键词 铁镁双掺铌酸锂晶体 存储性能 红外光谱 顶部籽晶溶液生长法

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La_2Ca_(1-x)Sr_xB_(10)O_(19)(Sr^(2+)∶LCB)晶体的生长及光学性质 被引量：1

19

作者 付盈 单法宪 +2 位作者 李凯 张国春 吴以成 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第8期2011-2015,共5页

通过顶部籽晶法生长出掺5%和8%Sr^(2+)的La_2CaB_(10)O_(19)(LCB)晶体,ICP测得LCB晶体中Sr^(2+)掺入量分别为1.75%和2.02%。XRD证实Sr^(2+)的掺入对LCB晶体晶胞参数的影响较小。摇摆曲线测得Sr^(2+)∶LCB晶体半高宽为36",表明晶体... 通过顶部籽晶法生长出掺5%和8%Sr^(2+)的La_2CaB_(10)O_(19)(LCB)晶体,ICP测得LCB晶体中Sr^(2+)掺入量分别为1.75%和2.02%。XRD证实Sr^(2+)的掺入对LCB晶体晶胞参数的影响较小。摇摆曲线测得Sr^(2+)∶LCB晶体半高宽为36",表明晶体具有较高质量。Sr^(2+)∶LCB晶体在300~2000 nm波段具有较高的透过率,紫外截止边为172 nm。拟合的色散方程符合Sr^(2+)∶LCB晶体折射率的实验值,理论计算表明Sr^(2+)∶LCB晶体可实现相位匹配,其最短二倍频波长小于LCB晶体。 展开更多

关键词 LCB晶体 顶部籽晶法 光学性质

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液相法制备GaN单晶体研究进展

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作者 齐成军 王再恩 贾振宇 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期161-167,共7页

回顾了GaN单晶体的液相生长法研究进展,主要介绍了高压氮气溶液法(HPNSG)、Na助溶剂法以及氨热法的原理、生长条件及其研究进展。液相法可以制备相比于气相法更高质量的GaN晶体。其中HPNSG可以制备位错密度低于102cm-2的GaN晶体,氨热法... 回顾了GaN单晶体的液相生长法研究进展,主要介绍了高压氮气溶液法(HPNSG)、Na助溶剂法以及氨热法的原理、生长条件及其研究进展。液相法可以制备相比于气相法更高质量的GaN晶体。其中HPNSG可以制备位错密度低于102cm-2的GaN晶体,氨热法可以生产出高质量的2英寸(1英寸=2.54 cm)GaN晶体,重点介绍了Na助溶剂法的生长设备及最新研究成果,目前该方法已经可以生长直径超过2 cm、高度约为1.2 cm的无位错块体GaN晶体。对液相法生长GaN晶体的应用前景进行了预测,认为液相法制备的高质量GaN晶体作为大功率、高可靠性GaN电子器件理想衬底,会发挥越来越重要的作用。 展开更多

关键词 GaN单晶 液相法 高压溶液法 Na助溶剂法 氨热法

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