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一种新型真空微电子压力传感器的研制 被引量:6
1
作者 张正元 徐世六 +2 位作者 温志渝 张正璠 黄尚廉 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期97-99,120,共4页
采用各向异性腐蚀与各向同性腐蚀相结合的技术和特殊的硅 -硅键合技术 ,成功地研制出了一种新型真空微电子压力传感器。测试分析结果表明 ,该传感器反向击穿电压达到 1 0 0 V;在加 3V正向电压时 ,其单个锥尖发射电流为 0 .2 n A;在 2 5... 采用各向异性腐蚀与各向同性腐蚀相结合的技术和特殊的硅 -硅键合技术 ,成功地研制出了一种新型真空微电子压力传感器。测试分析结果表明 ,该传感器反向击穿电压达到 1 0 0 V;在加 3V正向电压时 ,其单个锥尖发射电流为 0 .2 n A;在 2 5~ 1 0 0 g的压力范围内与输出电压呈线性关系 ,灵敏度为 0 . 展开更多
关键词 微电子传感器 真空压力传感器 各向异性腐蚀
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场致发射硅尖阵列的研制 被引量:5
2
作者 吴海霞 仲顺安 +2 位作者 李文雄 邵雷 鲁雪峰 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期638-640,共3页
研究真空微电子器件场致发射硅尖阵列的制作工艺.利用HNA湿法腐蚀工艺制作场致发射硅尖阵列,比较带胶腐蚀与不带胶腐蚀的不同.采用氧化削尖技术对硅尖进行锐化处理.制作了50×60硅尖阵列,同时给出了硅尖阵列的I-V特性.利用HNA湿法... 研究真空微电子器件场致发射硅尖阵列的制作工艺.利用HNA湿法腐蚀工艺制作场致发射硅尖阵列,比较带胶腐蚀与不带胶腐蚀的不同.采用氧化削尖技术对硅尖进行锐化处理.制作了50×60硅尖阵列,同时给出了硅尖阵列的I-V特性.利用HNA湿法腐蚀制备的硅尖结构与理论分析一致,锐化处理改善了硅尖阴极阵列的场致发射特性. 展开更多
关键词 真空微电子器件 湿法腐蚀 场致发射阴极阵列 硅尖
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掩模偏转方向对硅尖形状的影响 被引量:3
3
作者 崔岩 石二磊 +1 位作者 夏劲松 王立鼎 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第8期1865-1869,共5页
为制备高纵横比的纳米硅尖,研究了掩模的偏转方向对硅尖形状的影响。设计了硅尖制备的工艺流程,采用KOH溶液湿法各向异性腐蚀(100)单晶硅的方法制备硅尖,根据实验结果和{411}晶面模型,分析了硅尖侧壁的组成晶面,讨论了掩模偏转方向对硅... 为制备高纵横比的纳米硅尖,研究了掩模的偏转方向对硅尖形状的影响。设计了硅尖制备的工艺流程,采用KOH溶液湿法各向异性腐蚀(100)单晶硅的方法制备硅尖,根据实验结果和{411}晶面模型,分析了硅尖侧壁的组成晶面,讨论了掩模偏转方向对硅尖形状的影响,得到了制备高纵横比纳米硅尖的工艺参数。实验结果表明:当腐蚀溶液浓度和温度一定时,正方形掩模的方向并不影响快腐蚀晶面的类型,利用正方形掩模的偏转,可以制备出八面体和四面体的硅尖。当正方形掩模边缘沿〈110〉晶向时,在78℃、浓度为40%的KOH溶液中腐蚀硅尖,经980℃干氧氧化3h进行削尖,可制备出纵横比>2的八面体纳米硅尖阵列,硅尖侧壁由与(100)面夹角为76.37°的{411}晶面组成。 展开更多
关键词 硅尖 各向异性 氧化削尖 掩模
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Enhanced Field Emission from Well-Patterned Silicon Nanoporous Pillar Arrays 被引量:1
4
作者 富笑男 李新建 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2006年第8期2172-2174,共3页
The silicon nanoporous pillar array (Si-NPA) is synthesized by using hydrothermal etching method, and the electron field emission properties are studied. The results show that Si-NPA has a low turn-on field of 1.48... The silicon nanoporous pillar array (Si-NPA) is synthesized by using hydrothermal etching method, and the electron field emission properties are studied. The results show that Si-NPA has a low turn-on field of 1.48 V/μm at the emission current of 0.1 μA and its field emission is relatively stable. The field emission enhancement of Si-NPA is believed to originate from its unique morphology and structure. Our finding demonstrates that the Si-NPA is a promising candidate material for field emission applications. 展开更多
关键词 POROUS silicon CARBON NANOTUBES tip ARRAYS
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含添加剂的各向异性腐蚀液中实现小掩膜下高硅尖的腐蚀 被引量:1
5
作者 卢少勇 韩建强 +2 位作者 李青 王疆英 陈志强 《电子器件》 CAS 2008年第5期1550-1552,1558,共4页
各向异性KOH溶液腐蚀硅尖具有简单、易于实现、成本低廉、(100)晶面腐蚀速率均匀等优点。然而在40%KOH溶液中削角速率和(100)晶面的腐蚀速率之比约为1.6~1.9,并且该比值随着KOH浓度的减小而增大。如此高的削角速率会给AFM探针的制作带... 各向异性KOH溶液腐蚀硅尖具有简单、易于实现、成本低廉、(100)晶面腐蚀速率均匀等优点。然而在40%KOH溶液中削角速率和(100)晶面的腐蚀速率之比约为1.6~1.9,并且该比值随着KOH浓度的减小而增大。如此高的削角速率会给AFM探针的制作带来技术上的困难。而对腐蚀场发射器件和隧道式传感器的硅尖阵列来说,高的削角速率会减少单位面积内的硅尖数量。本文通过在氢氧化钾(KOH)或者四甲基氢氧化胺(TMAH)溶液中添加适当的添加剂(如异丙醇(IPA)、1,5戊二醇或碘)降低了削角速率,在较小直径的掩膜下腐蚀出高硅尖。实验结果还表明:在TMAH基腐蚀液中每个硅尖的八个快腐蚀面的削角速率几乎相等,硅尖直径偏差较KOH溶液中腐蚀的硅尖直径偏差更小,因此成品率得到了提高。 展开更多
关键词 AFM探针 削角 硅尖 无掩膜腐蚀
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硅尖的制备及在传感器技术中的应用 被引量:1
6
作者 王艳华 王明亮 +1 位作者 孙道恒 马海阳 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2003年第6期58-61,共4页
介绍了硅尖的制备及其在传感器技术中的应用。硅尖的制备方法可与现代IC工艺兼容且易削尖,故比其它材料微尖更实用。硅尖的应用随着制备工艺的改进与其它相关技术的进步必将得到新的开发。
关键词 硅尖 刻蚀 微加工技术 传感器
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碘过饱和KOH溶液腐蚀硅尖技术研究
7
作者 韩建强 卢少勇 +1 位作者 李青 王疆英 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期92-94,97,共4页
氢氧化钾溶液腐蚀硅尖具有易于实现、设备简单、优异的纵向腐蚀均匀性等优点,但腐蚀均匀性差、纵向和横向腐蚀速率之比低、针形为不对称的八棱锥。通过在KOH溶液中添加过饱和的碘单质(I2),显著减小了快腐蚀面的削角速率,在较小的掩膜下... 氢氧化钾溶液腐蚀硅尖具有易于实现、设备简单、优异的纵向腐蚀均匀性等优点,但腐蚀均匀性差、纵向和横向腐蚀速率之比低、针形为不对称的八棱锥。通过在KOH溶液中添加过饱和的碘单质(I2),显著减小了快腐蚀面的削角速率,在较小的掩膜下腐蚀出高的硅尖。更为重要的是该腐蚀液腐蚀的硅尖异于常规的不对称八棱锥,而是一种半锥角很小的"火箭尖"形状,因此可望获得更好的扫描特性和隧道效应。 展开更多
关键词 AFM探针 削角 硅尖 各向异性腐蚀 微电子机械系统
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硅尖的制备及应用
8
作者 王艳华 马海阳 孙道恒 《微电子技术》 2003年第5期60-64,共5页
本文介绍了硅尖的制备及其在不同领域的应用。硅尖的制备方法可与现代IC工艺兼容且易削尖 ,故比其它材料微尖更实用。
关键词 硅尖 刻蚀 微加工技术
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各向异性湿法刻蚀中刻蚀温度对硅尖形貌的影响
9
作者 张小辉 胡亚明 +2 位作者 梁军生 宿世界 王大志 《机电工程技术》 2019年第9期35-37,共3页
纳米硅尖在原子力学显微镜、微机械电子、光学研究、纳米级图形加工上具有广泛的用途。然而,如何制备小曲率半径高纵横比的硅尖仍为有待解决的问题和挑战。根据各项异性湿法刻蚀硅尖原理,设计了硅尖的加工工艺流程,并制备出不同纵横比... 纳米硅尖在原子力学显微镜、微机械电子、光学研究、纳米级图形加工上具有广泛的用途。然而,如何制备小曲率半径高纵横比的硅尖仍为有待解决的问题和挑战。根据各项异性湿法刻蚀硅尖原理,设计了硅尖的加工工艺流程,并制备出不同纵横比的纳米硅尖。通过观察掩模对角线刻蚀进程,得到了掩模对角线刻蚀速率与刻蚀温度的关系;对比了不同刻蚀温度对刻蚀硅尖的影响,发现采用40wt%KOH刻蚀液,水浴78℃的刻蚀条件满足自锐化且刻蚀出纳米硅尖曲率半径小而纵横比大,其曲率半径为26 nm,纵横比为1.9。 展开更多
关键词 单晶硅 针尖 各向异性刻蚀
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硅尖的制备
10
作者 王艳华 孙道恒 《微纳电子技术》 CAS 2003年第7期164-166,共3页
隧道硅尖的制备是微机械隧道传感器制作的一个重要组成部分 ,通过对ICP刻蚀和湿法各向异性刻蚀工艺制备硅尖实验的研究 。
关键词 隧道硅尖 各向异性刻蚀 微机械隧道传感器 ICP刻蚀
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耳软骨在鼻尖美容整形中的应用 被引量:19
11
作者 梁晓健 熊明根 +3 位作者 徐宇红 班安华 金宝玉 姚顺利 《中国美容整形外科杂志》 CAS 2011年第4期233-234,共2页
目的 自体耳软骨鼻尖整形联合膨体聚四氟乙烯或硅胶假体置入鼻背整形,塑造较理想的鼻形.方法 采用鼻小柱"飞鸟"形切口加鼻翼软骨缘切口,切开分离鼻背皮肤,显露两侧鼻翼软骨及侧鼻软骨,中线分离鼻中隔膜部达鼻基底,将取出的耳软骨雕刻... 目的 自体耳软骨鼻尖整形联合膨体聚四氟乙烯或硅胶假体置入鼻背整形,塑造较理想的鼻形.方法 采用鼻小柱"飞鸟"形切口加鼻翼软骨缘切口,切开分离鼻背皮肤,显露两侧鼻翼软骨及侧鼻软骨,中线分离鼻中隔膜部达鼻基底,将取出的耳软骨雕刻成形后植入两鼻翼软骨之间,并贯穿缝合于鼻小柱前端,将雕刻好的膨体聚四氟乙烯或硅胶假体插入鼻背固定,缝合切口.结果 195例求美者术后Ⅰ期愈合.30例获随访6个月,外观自然,手感良好.9例耳郭变形.结论 应用自体耳软骨及膨体聚四氟乙烯或硅胶假体行鼻部美容整形,能解决鼻尖不良形态,纠正鼻孔外露,垫高了鼻背,获得了鼻部整体形态自然协调的效果,是较理想的手术方法. 展开更多
关键词 耳软骨 膨体聚四氟乙烯 硅胶 鼻尖美容
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满足自锐效应的AFM探针针尖加工 被引量:6
12
作者 刘芳 赵钢 +1 位作者 吴亚雷 褚家如 《微细加工技术》 EI 2006年第6期52-57,62,共7页
根据各向异性湿法刻蚀针尖的自锐效应模型和晶面交点模型,设计了AFM探针针尖加工工艺流程,并进行了针尖加工实验。通过分析实验结果并结合晶面交点模型,分别得到了针尖形状与蚀液浓度、刻蚀液温度、添加剂、掩模方向的关系。结合自锐效... 根据各向异性湿法刻蚀针尖的自锐效应模型和晶面交点模型,设计了AFM探针针尖加工工艺流程,并进行了针尖加工实验。通过分析实验结果并结合晶面交点模型,分别得到了针尖形状与蚀液浓度、刻蚀液温度、添加剂、掩模方向的关系。结合自锐效应模型,得到了(100)硅片刻蚀针尖自锐条件。最后对工艺参数进行了优化,采用15 mol/L的KOH溶液,在70℃,并且方形掩模边缘平行于<110>方向,可以得到满足自锐效应的、重复率高、表面粗糙度小、高宽比为1.56的单晶硅针尖。 展开更多
关键词 AFM 单晶硅 针尖 各向异性
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硅基场发射阴极材料研究进展 被引量:6
13
作者 富笑男 李新建 《科学技术与工程》 2005年第3期165-173,共9页
场发射显示技术在原理上具有多种优越性能,可能在未来平板显示技术中居主导地位。硅基场发射阴极易于与其周边驱动电路实现集成,因而更具有明显的开发前景。在综述硅基场发射阴极材料最新研究进展的基础上,就其所面临的问题、可能的解... 场发射显示技术在原理上具有多种优越性能,可能在未来平板显示技术中居主导地位。硅基场发射阴极易于与其周边驱动电路实现集成,因而更具有明显的开发前景。在综述硅基场发射阴极材料最新研究进展的基础上,就其所面临的问题、可能的解决方案和未来的发展趋势做出了评述。 展开更多
关键词 硅基场致发射阴极材料 硅尖锥形阴极阵列 场发射
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MICRO/NANO-MACHINING ON SILICON SURFACE WITH A MODIFIED ATOMIC FORCE MICROSCOPE 被引量:4
14
作者 Zhao Qingliang,Sun Tao,Dong Shen,Liang Yingchun (School of Mechanical Engineering,Harbin Institute of Technology) 《Chinese Journal of Mechanical Engineering》 SCIE EI CAS CSCD 2001年第3期207-211,共5页
To understand the deformation and removal mechanism of material on nano-scale at ultralow loads,a systemic study on AFM micro/nano-machining on single crystal ailicon is conducted. The results indicate that AFM nano- ... To understand the deformation and removal mechanism of material on nano-scale at ultralow loads,a systemic study on AFM micro/nano-machining on single crystal ailicon is conducted. The results indicate that AFM nano- machining has a precisely dimensional controllability and a good surface quality on nanometer scale.A SEM is adopted to observe nano-machined region and chips,the results indicate that the material removal mechanisms change with the applied normal load. An XPS is used to analyze the changes of chemical composition inside and outside the nano-machined region respectively.The nano-indentation which is conducted with the same AFM diamond tip on the machined region shows a big discrepancy compared with that on the macro-scale. The calculated results show higher nano-hardness and elastic modulus than normal values .This phenomenon on be regarded as the indentation size effect(ISE). 展开更多
关键词 Atomic force microscope Diamond tip Nano-machining Single crystal silicon Mechanical property
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单磨粒金刚石微切削碳化硅晶体仿真与实验研究
15
作者 杨宇飞 李翔 +3 位作者 何艳 刘铭 徐子成 高兴军 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2024年第4期495-507,共13页
采用有限元软件Abaqus建立金刚石锥形磨粒微切削碳化硅晶体的模型,通过预仿真模型确定切削深度和切削速度的选择范围,分析影响切削力的主、次要因素,研究单一切削参数对碳化硅晶体切削效果的影响;并借助赫兹接触理论,验证加载力对摩擦... 采用有限元软件Abaqus建立金刚石锥形磨粒微切削碳化硅晶体的模型,通过预仿真模型确定切削深度和切削速度的选择范围,分析影响切削力的主、次要因素,研究单一切削参数对碳化硅晶体切削效果的影响;并借助赫兹接触理论,验证加载力对摩擦力、切削边缘形貌、切削深度的影响。结果表明:切削深度是影响切削力的显著因素,预仿真模型确定的切削深度不超过1.50μm;碳化硅晶体切削的最优方案为切削深度取0.50μm、切削速度取76 m/s、磨料切削刃角度取60°。通过控制切削深度可以提高切削稳定性,且在保证切削质量的前提下适当提高切削速度可以提高切削效率。金刚石探针压入晶体的深度与摩擦系数、摩擦力和切削力呈正相关,获得的碳化硅晶体切削边缘的三维轮廓相对平整、光滑。 展开更多
关键词 碳化硅晶体 金刚石磨粒 金刚石探针 切削力 切削边缘质量
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电化学湿法腐蚀法制备硅微柱阵列 被引量:2
16
作者 李鑫 罗洁 任丁 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2018年第11期26-30,共5页
采用TMAH (Tetramethyl Ammonium Hydroxide)腐蚀液在P(100)硅片上制备倒棱台,进而采用电化学湿法刻蚀法制备具有微柱结构的阵列器件。借鉴N型多孔硅的形成理论,提出了微柱的形成模型,分析了微柱的形成条件,并对其主要的几何结构参数之... 采用TMAH (Tetramethyl Ammonium Hydroxide)腐蚀液在P(100)硅片上制备倒棱台,进而采用电化学湿法刻蚀法制备具有微柱结构的阵列器件。借鉴N型多孔硅的形成理论,提出了微柱的形成模型,分析了微柱的形成条件,并对其主要的几何结构参数之间的关系进行了探讨。结果表明微柱的形成与倒棱台的结构参数、孔的结构参数以及空间电荷区等因素相关。倒棱台的底面尺寸决定了微柱的结构,且倒棱台开口的大小需要大于平均孔径。微柱直径始终小于2倍的空间电荷区宽度。微柱内载流子的耗尽是微柱未被刻蚀的主要原因。 展开更多
关键词 无机非金属材料 硅微尖阵列 倒棱台 微柱形成模型 HF阳极电化学腐蚀 TMAH各向异性湿法腐蚀
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Surface bonding on silicon surfaces as probed by tip-enhanced Raman spectroscopy 被引量:1
17
作者 ZHUANG MuDe LIU Zheng +1 位作者 REN Bin TIAN ZhongQun 《Science China Chemistry》 SCIE EI CAS 2010年第2期426-431,共6页
Tip-enhanced Raman spectroscopy (TERS) has been used to obtain the Raman signal of surface species on silicon single crystal surfaces without the necessity for surface enhancement by addition of Ag nanoparticles. By i... Tip-enhanced Raman spectroscopy (TERS) has been used to obtain the Raman signal of surface species on silicon single crystal surfaces without the necessity for surface enhancement by addition of Ag nanoparticles. By illuminating the hydrogen terminated silicon surface covered with a droplet of 4-vinylpyridine with UV light, a 4-ethylpyridine modified silicon surface can be easily obtained. By bringing a scanning tunneling microscope (STM) Au tip with a nanoscale tip apex to a distance of ca. 1 nm from the modified silicon surface, enhanced Raman signals of the silicon phonon vibrations and the surface-bonded 4-ethylpyridine were obtained. The Raman enhancement factor was estimated to be close to 107. By comparing the surface enhanced Raman scattering (SERS) signal obtained after surface enhancement with Ag nanoparticles and the TERS signal of the surface, the advantage of TERS over SERS for characterizing the surface species on substrates becomes apparent: TERS readily affords vibrational information about the system without disturbing it by surface enhancement. In this sense, TERS can be considered a truly non-invasive tool which is ideal for characterizing the actual surface species on substrates. 展开更多
关键词 tip-enhanced Raman spectroscopy silicon single crystal 4-ethylpyridine surface modification
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Silicon Field Emission Arrays Coated with CN_x Thin Films
18
作者 Chen Ming\|an, Li Jin\|chai , Liu Chuan\|sheng, Ma You\|peng, Lu Xian\|feng, Ye Ming\|sheng School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430072, Hubei, China 《Wuhan University Journal of Natural Sciences》 CAS 2003年第03A期825-828,共4页
Arrays of silicon micro\|tips were made by etching the p\|type (1 0 0) silicon wafers which had SiO 2 masks with alkaline solution. The density of the micro\|tips is 2×10 4 cm -2 . The Scanning Elect... Arrays of silicon micro\|tips were made by etching the p\|type (1 0 0) silicon wafers which had SiO 2 masks with alkaline solution. The density of the micro\|tips is 2×10 4 cm -2 . The Scanning Electron Microscope (SEM) photos showed that the tips in these arrays are uniform and orderly. The CN x thin film, with the thickness of 1.27μm was deposited on the silicon micro\|tip arrays by using the middle frequency magnetron sputtering technology. The SEM photos showed that the films on the tips are smoothly without particles. Keeping the sharpness of the tips will benefit the properties of field emission. The X\|ray photoelectron spectrum (XPS) showed that carbon, nitrogen and oxygen are the three major elements in the surfaces of the films. The percents of them are C: 69.5 %, N: 12.6 % and O: 17.9 %. The silicon arrays coated with CN x thin films had shown a good field emission characterization. The emission current intensity reached 3.2 mA/cm 2 at 32.8 V/μm, so it can be put into use. The result showed that the silicon arrays coated with CN x thin films are likely to be good field emission cathode. The preparation and the characterization of the samples were discussed in detail. 展开更多
关键词 field emission CN X thin films silicon micro\|tip arrays
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MEMS负电晕放电气体传感器 被引量:2
19
作者 张金英 杨天辰 +3 位作者 何秀丽 高晓光 贾建 李建平 《微纳电子技术》 北大核心 2016年第8期508-514,共7页
设计并制备了一种基于负电晕放电原理及微机电系统(MEMS)技术的多针-板型气体传感器。研究了电极间距对传感器放电特性的影响,综合考虑起晕电压、信号输出范围及稳定放电范围,优化电极间距为120μm。测试了传感器在体积分数均为6×1... 设计并制备了一种基于负电晕放电原理及微机电系统(MEMS)技术的多针-板型气体传感器。研究了电极间距对传感器放电特性的影响,综合考虑起晕电压、信号输出范围及稳定放电范围,优化电极间距为120μm。测试了传感器在体积分数均为6×10^(-4)的乙酸、异丙醇、乙醇和丙酮四种有机气体中的放电特性,传感器对乙酸气体响应最灵敏。测试了传感器在-0.91 kV放电电压下对乙酸气体的敏感特性。结果表明,该传感器对不同体积分数的乙酸气体的响应具有较好的线性关系,对体积分数为10^(-6)的乙酸气体的响应约为0.61 mV,理论检测限(三倍噪声)约为1.2×10^(-5)。传感器对乙酸气体响应灵敏度高、重复性好。 展开更多
关键词 微电子机械系统(MEMS) 气体传感器 硅尖阵列 负电晕放电 多针-板结构
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真空微电子触觉传感器场致发射阵列的研究
20
作者 温志渝 何清义 +2 位作者 江永清 林鹏 蒋子平 《重庆大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 1998年第4期12-16,共5页
阐述了真空微电子触觉传感器的工作原理。采用半导体集成电路加工技术和硅微各向异性腐蚀及氧化锐化工艺,在电阻率为3~5Ω·cm的n型(100)硅片上制备了真空微电子触觉传感器的场致发射阴极锥尖阵列,锥尖密度达3900... 阐述了真空微电子触觉传感器的工作原理。采用半导体集成电路加工技术和硅微各向异性腐蚀及氧化锐化工艺,在电阻率为3~5Ω·cm的n型(100)硅片上制备了真空微电子触觉传感器的场致发射阴极锥尖阵列,锥尖密度达3900个/mm2,起始发射电压为2~3V,反向击穿电压大于30V,收集极在20V在电压时,单尖发射电流达0.2μA,实验结果表明这种真空微电子触觉传感器具有良好的触觉效应。 展开更多
关键词 场致发射 锥尖陈列 真空微电子 触觉传感器
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