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题名真空镀膜中膜厚均匀性的研究
被引量：4
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作者
穆长生
张辉军
温殿忠
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机构
黑龙江大学电子工程学院
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出处
《传感器技术》
CSCD
北大核心
2002年第5期8-10,共3页
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基金
黑龙江省自然科学基金资助项目 (E982 9)
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文摘
在半导体器件生产过程中 ,器件的引线大都是由蒸镀的方法来解决的。蒸镀不仅能制备引线 ,同时也是传感器件敏感膜制作的主要手段。但蒸镀中常常发现膜厚度不均匀 ,影响膜厚的因素很多 ,实际生产中 ,陪片由于与其它正片的几何位置不同 ,因此膜厚不同。其差别可达 1%～ 2 0 %,但在大量的文献分析及应用中被忽略。针对两种常见的蒸发源 ,通过理论计算与实验给出了陪片、基片与蒸发源的最佳位置 ,使误差可控制在 1%,甚至 0 .1%。
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关键词
真空镀膜
蒸发源位形
膜厚均匀性
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Keywords
vacuum evaporation
shape and position of the evaporative source
uniformity of the film thickness
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分类号
TN305.8
[电子电信—物理电子学]
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