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具有高特征温度的808nm大功率半导体激光器 被引量：5
1
作者 高欣 曲轶 +2 位作者 薄报学 张宝顺 张兴德 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1999年第6期388-389,392,共3页
研制出利用液相外延方法生长８０８ ｎｍ ＩｎＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ 分别限制单量子阱激光器，其室温连续输出功率达到４ Ｗ，室温工作的特征温度达到２１８ Ｋ。
关键词 半导体激光器 液相外延 分别限制单量子阱 特征温度
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941nm 2%占空比大功率半导体激光器线阵列 被引量：4
2
作者 辛国锋 花吉珍 +4 位作者 陈国鹰 康志龙 杨鹏 徐会武 安振峰 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期521-524,共4页
计算了半导体激光器的激射波长与量子阱宽度以及有源层中In组分的关系 ,确定了94 1nm波长的量子阱宽度和In组分 并利用金属有机化合物气相淀积 (MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料 利用该材料制成半... 计算了半导体激光器的激射波长与量子阱宽度以及有源层中In组分的关系 ,确定了94 1nm波长的量子阱宽度和In组分 并利用金属有机化合物气相淀积 (MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料 利用该材料制成半导体激光器线阵列的峰值波长为 94 0 .5nm ,光谱的FWHM为 2 .6nm ,在 4 0 0 μs ,5 0Hz的输入电流下 ,输出峰值功率达到1 1 4 .7W(1 6 5A) ,斜率效率高达 0 .81W/A ,阈值电流密度为 1 0 3.7A/cm2 ,串联电阻 5mΩ ,最高转换效率可达 36 .9% 展开更多
关键词 金属有机化合物气相淀积 半导体激光器阵列 分别限制结构 单量子阱
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InGaAsP/InGaP/GaAs SQW激光器的腔长对J_(th)和η_d的影响 被引量：3
3
作者 李忠辉 李梅 +3 位作者 王玲 高欣 王玉霞 张兴德 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期90-91,95,共3页
利用LP MOCVD生长InGaAsP/InGaP/GaAsSCH SQW结构 ,制作了宽接触条形激光器 ,研究发现微分量子效率在中等腔长范围内有极大值 ;腔长较短时 。
关键词 分别限制结构 阈值电流密度 外微分量子效率
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InGaAs/AlGaAs半导体激光器二维阵列 被引量：5
4
作者 辛国锋 陈国鹰 +2 位作者 冯荣珠 花吉珍 安振峰 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第8期684-686,共3页
用金属有机化合物气相淀积 (MOCVD)技术外延生长了InGaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料。利用该材料制成半导体激光器一维线阵列 ,然后再串联组装成二维阵列 ,在 1 0 0 0 μs的输入脉宽下 ,输出峰值功率达到 730W (77A) ,输出... 用金属有机化合物气相淀积 (MOCVD)技术外延生长了InGaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料。利用该材料制成半导体激光器一维线阵列 ,然后再串联组装成二维阵列 ,在 1 0 0 0 μs的输入脉宽下 ,输出峰值功率达到 730W (77A) ,输出光功率密度为 4 87W/cm2 ,中心激射波长为 90 3nm ,光谱半宽 (FWHM )为 4 4nm。在此条件下可以稳定工作 86 0 展开更多
关键词 激光技术 半导体激光器 金属有机化合物气相淀积 二维阵列 分别限制单量子阱
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大功率宽面808nm GaAsP/AlGaAs量子阱激光器分别限制结构设计 被引量：4
5
作者 王俊 马骁宇 +2 位作者 林涛 郑凯 冯小明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期2449-2454,共6页
本文对有源区条宽100μm的GaAsP/AlGaAs808nm量子阱激光器分别限制结构进行了理论分析和设计.选取了三种情况的波导层和限制层的铝组分,分别计算和分析了波导层厚度与激光器光限制因子、最大出光功率、垂直发散角和阈值电流密度的函数关... 本文对有源区条宽100μm的GaAsP/AlGaAs808nm量子阱激光器分别限制结构进行了理论分析和设计.选取了三种情况的波导层和限制层的铝组分,分别计算和分析了波导层厚度与激光器光限制因子、最大出光功率、垂直发散角和阈值电流密度的函数关系.根据计算结果可知:当波导层和限制层铝组分为0.4和0.5时,采用窄波导结构可以获得器件的最大输出功率为11.2W,发散角为19°,阈值电流密度为266A/cm2;采用宽波导结构可以得到器件的最大输出功率为9.4W,发散角为32°,阈值电流密度为239A/cm2. 展开更多
关键词 大功率808nm半导体激光器 GaAsP/AlGaAs量子阱激光器 分别限制异质结构
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9OOnm高功率半导体激光器线阵列 被引量：3
6
作者 辛国锋 冯荣珠 +1 位作者 陈国鹰 花吉珍 《激光与光电子学进展》 CSCD 2003年第3期43-44,共2页
利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs分别限制应变单量子阱激光器工作物质。利用它制成半导体激光器线阵列,其峰值波长为900nm,光谱半高全宽小于4nm,在脉宽1000μs、13Hz的输入电流抽运下,输出峰值功率接近60W(室温... 利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs分别限制应变单量子阱激光器工作物质。利用它制成半导体激光器线阵列,其峰值波长为900nm,光谱半高全宽小于4nm,在脉宽1000μs、13Hz的输入电流抽运下,输出峰值功率接近60W(室温,电流87A),斜率效率为0.64W/A。 展开更多
关键词 半导体激光器线阵列 金属有机化台物气相淀积 单量子阱 材料结构 制作工艺
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InGaAs（P）分别限制应变单量子阱激光器的优化设计 被引量：1
7
作者 彭宇恒 陈松岩 +2 位作者 陈维友 赵铁民 刘式墉 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期29-34,共6页
针对较常用的ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）分别限制应变单量子阱激光器，给出了为得到最大净增益的优化设计参数。对于激射波长为１．５５μｍ的无应变激光器，最佳的光限制层波长为１．２４μｍ，厚度为１００ｎｍ。当阱材料引入压缩应变后．由... 针对较常用的ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）分别限制应变单量子阱激光器，给出了为得到最大净增益的优化设计参数。对于激射波长为１．５５μｍ的无应变激光器，最佳的光限制层波长为１．２４μｍ，厚度为１００ｎｍ。当阱材料引入压缩应变后．由于价带的有效状态密度减小，量子阱激光器的微分增益变大，阱深的增大对增大线性增益的效果更加明显．所以最佳光限制层的波长将变短，为１． 展开更多
关键词 InGaAs(P) 量子阱激光器 激光器 最佳化 设计
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