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化学法制备的(Sr,Pb)TiO_3基PTCR陶瓷 被引量:5
1
作者 王德君 桂治轮 李龙土 《功能材料》 EI CAS CSCD 1996年第6期543-546,共4页
通过化学工艺制备(Sr,Pb)TiO3半导体陶瓷,首次获得了与BaTiO3陶瓷相类似的典型PTC特性,样品耐压强度大,室温电阻率低于102Ω.cm,升阻比高达106.33,烧结温度可以降低至1100℃以下。
关键词 钛酸锶铅 正温度系数 陶瓷 半导体陶瓷
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用Mssbauer谱研究Zn_2SnO_4的湿敏机理 被引量:2
2
作者 高乃飞 余洪瑞 +3 位作者 张秀芳 刘源源 张中太 周志刚 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1989年第2期125-130,共6页
本文用 Mssbauer 谱学方法,对半导体陶瓷 Zn_2SnO_4的湿敏机理做了分析,得出结论:Sn 原子对Zn_2SnO_4的湿敏机理是有贡献的,Zn_2SnO_4湿敏机理是电子离子混合型传导,作为湿敏机理分析方法,M(?)ssbauer 谱是比较合适的。
关键词 锰酸锌 半导体陶瓷 湿敏机理
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掺杂MgCr_2O_4-TiO_2系湿敏陶瓷的研究 被引量:3
3
作者 王恕 程继健 《华东化工学院学报》 CSCD 1990年第5期551-559,共9页
在MgCr_2O_4-TiO_2系湿敏陶瓷的基体中掺入V_2O_3杂质,改进了系统的电性能。通过大量实验,确定最佳工艺条件:1200℃还原气氛中烧结1h,采用RuO_2电极浆料,在70Hz、1V的交流电下测试湿度电阻特性;确定最佳组成为MgO:Cr_2O_3:TiO_2:V_2O_3=... 在MgCr_2O_4-TiO_2系湿敏陶瓷的基体中掺入V_2O_3杂质,改进了系统的电性能。通过大量实验,确定最佳工艺条件:1200℃还原气氛中烧结1h,采用RuO_2电极浆料,在70Hz、1V的交流电下测试湿度电阻特性;确定最佳组成为MgO:Cr_2O_3:TiO_2:V_2O_3=80:80:20:2(摩尔比)。研制的MgCr_2O_4-TiO_2系湿敏陶瓷具有阻值范围适中(10~3~10~7Ω)、响应快(小于10s)、滞后效应小(<±1%)和灵敏度高等优点。用SEM、XRD、EPMA等手段分析了典型的MgCr_2O_4-TiO_2湿敏陶瓷的显微结构、晶相和成分分布。用XPS、EPR和IR论证了该材料的导电机理。用NMR和IR初步探讨了半导体湿敏陶瓷的湿敏机理。 展开更多
关键词 掺杂 湿敏电阻器 半导体陶瓷
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程控电话交换机用 PTC 过流保护器的研究
4
作者 陈亿裕 夏继红 《华南理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期61-65,共5页
采用居里点353~383K,温度系数+16%以上,电阻率30Ω·cm的PTC半导体陶瓷材料制成的电流敏感器件———程控电话交换机用PTC过流保护器,已研制成功并投入使用。现从材料制造角度出发,阐述该器件的设计原理... 采用居里点353~383K,温度系数+16%以上,电阻率30Ω·cm的PTC半导体陶瓷材料制成的电流敏感器件———程控电话交换机用PTC过流保护器,已研制成功并投入使用。现从材料制造角度出发,阐述该器件的设计原理、测试方法,对器件的耐流特性进行较深入的研究。 展开更多
关键词 程控电话交换机 电流敏感器件 过流保护器 耐流特性 半导体陶瓷 居里点
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用于航空半导体电咀SnO_2半导体陶瓷的研究 被引量:1
5
作者 肖尊文 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 1997年第3期38-41,共4页
本文研究了以SnO2为基础的半导体陶瓷,论及了其配方范围、工艺方法、各组分的影响关系以及性能特点等,指出该材料能满足航空点火系统点火的性能要求。
关键词 半导体 半导体陶瓷 电嘴 氧化锡 航空
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氧化锌压敏电阻器的导电机理及实验 被引量:2
6
作者 范坤泰 郝丕柱 +1 位作者 韩述斌 苗永尧 《山东工业大学学报》 1989年第1期30-36,共7页
叙述了ZnO压敏电阻器的结构和性能,分析了它的导电机理。并依据此理论进行了工艺实验,研制出了彩电用压敏电阻器。其压敏电压、漏电流和非线性系数等重要参数都达到了彩电元件国产化标准的要求,经用户上机实验,证明设计合理,性能良好。
关键词 压敏电阻器 氧化锌 导电机理
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添加剂对ZrO_2-MgO系湿敏陶瓷湿阻性能的影响
7
作者 周宛玲 凌志达 王飞 《南京工业大学学报(自然科学版)》 CAS 1989年第2期76-82,共7页
本文研究了ZrO_2-MgO系湿敏陶瓷Zr/Mg比及添加剂对其湿阻性能的影响,摸索了有关配方和工艺。实验结果表明,提高Zr/Mg比,并引入某些M_2O_3(M为三价金属元素)外加剂对湿阻性能有利,但低温下元件的阻值仍较高。进一步添加外加剂如Li_2CO_3... 本文研究了ZrO_2-MgO系湿敏陶瓷Zr/Mg比及添加剂对其湿阻性能的影响,摸索了有关配方和工艺。实验结果表明,提高Zr/Mg比,并引入某些M_2O_3(M为三价金属元素)外加剂对湿阻性能有利,但低温下元件的阻值仍较高。进一步添加外加剂如Li_2CO_3,可使湿阻性能得到改善。 展开更多
关键词 湿敏陶瓷 湿阻特性 多孔陶瓷 半导体陶瓷 相对湿度
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新型锑酸镉电子陶瓷的合成与相变的研究
8
作者 张靖漓 李标荣 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1990年第4期318-323,共6页
本文报道了对新型锑酸镉 Cd_6Sb_2O_(10)半导瓷进行热分析、化学分析和高温 X 射线衍射分析的实验结果,并对它的合成过程和相变进行了系统的分析讨论。结果表明,在以 CdO 和 Sb_2O_5为原料合成 Cd_6Sb_2O_(10)的过程中,温度效应比较显著... 本文报道了对新型锑酸镉 Cd_6Sb_2O_(10)半导瓷进行热分析、化学分析和高温 X 射线衍射分析的实验结果,并对它的合成过程和相变进行了系统的分析讨论。结果表明,在以 CdO 和 Sb_2O_5为原料合成 Cd_6Sb_2O_(10)的过程中,温度效应比较显著,反应从1000℃开始,到1200℃结束;Cd_6Sb_2O_(10)在240℃左右发生—结构相变,高温相具有较高的对称性,此相变是可逆的,而且与 Cd_6Sb_2O_(10)半导瓷在中温区的电导特性密切相关。 展开更多
关键词 锑酸镉 电子陶瓷 半导体陶瓷 相变
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SnO_2-ZnO陶瓷热敏特性的实验研究
9
作者 鲍凤岐 牛蒙年 +1 位作者 刘永信 傅志强 《内蒙古大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1989年第4期472-476,共5页
本文研究了不同原料配比对SnO_2-ZnO陶瓷的结构及其热敏特性的影响,通过改变SnO_2和ZnO的比例可以获得室温电阻率为10^(-3)Ω-cm到10~6Ω-cm,B值为200到22000,工作温度范围在70到1200K的热敏电阻材料。
关键词 二氧化锡 氧化锌 陶瓷 热敏
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容变式感温元件
10
作者 韦春才 管延根 《沈阳工业大学学报》 EI CAS 1990年第4期35-42,共8页
本文叙述了一种新型半导体陶瓷材料的温度敏感元件,该元件主要利用TiO_2、MgO、CaO等氧化物材料按一定配比均匀混合后高温烧制而成。本文还较详细地阐述了敏感元件的机理以及元件的制作工艺,并给出了三种配方的测试结果及其元件基体结... 本文叙述了一种新型半导体陶瓷材料的温度敏感元件,该元件主要利用TiO_2、MgO、CaO等氧化物材料按一定配比均匀混合后高温烧制而成。本文还较详细地阐述了敏感元件的机理以及元件的制作工艺,并给出了三种配方的测试结果及其元件基体结构的电镜分析。 展开更多
关键词 热敏电阻 半导体陶瓷 电容测量
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甩统计理论对半导体陶瓷气敏机理的研究 被引量:2
11
作者 牛蒙年 鲍凤岐 《传感技术学报》 CAS CSCD 1991年第2期23-29,共7页
本文试图对半导体陶瓷气敏元件的敏感机理提出理论模型。假定吸附表面态由吸附的氧离子构成,则在吸附还原气体时,将伴随着向体内发射自由电子。运用统计热力学的一般方法给出电导率随气体浓度、加热温度以及材料参数变化的解析表达式,... 本文试图对半导体陶瓷气敏元件的敏感机理提出理论模型。假定吸附表面态由吸附的氧离子构成,则在吸附还原气体时,将伴随着向体内发射自由电子。运用统计热力学的一般方法给出电导率随气体浓度、加热温度以及材料参数变化的解析表达式,从而得到灵敏度与加热温度、气体浓度和材料参数的定量关系,所得结果与实验结果基本符合。 展开更多
关键词 统计理论 半导体陶瓷 气敏机理 电导率 表面空间电荷层
全文增补中
喷雾造粒粉体对BaTiO_3系PTCR半导体陶瓷性能的研究 被引量:2
12
作者 张道礼 章登宏 +1 位作者 龚树萍 周东祥 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期286-289,301,共5页
研究了通过喷雾造粒制得的 Ba Ti O3系 PTCR热敏陶瓷粉体性能对生坯成型及瓷体物理、PTC效应、电学等性能的影响 ,与手工造粒粉体比较 ,由于喷雾造粒的粉体流动性好 ,表面活性大 ,粒度均匀 ,其成型性及烧结后瓷体 PTCR效应、电学性能均... 研究了通过喷雾造粒制得的 Ba Ti O3系 PTCR热敏陶瓷粉体性能对生坯成型及瓷体物理、PTC效应、电学等性能的影响 ,与手工造粒粉体比较 ,由于喷雾造粒的粉体流动性好 ,表面活性大 ,粒度均匀 ,其成型性及烧结后瓷体 PTCR效应、电学性能均有明显提高。 展开更多
关键词 半导体陶瓷 喷雾造粒粉体 PTCR 钛酸钡
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半导体陶瓷低湿度湿敏机制的研究 被引量:2
13
作者 程红 《内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版)》 CAS 2000年第1期24-27,共4页
定量分析了多孔半导体陶瓷低湿度的湿敏机理 ,通过理论推导 ,得出电阻与相对湿度关系的解析表达式 .湿度较低时 ,半导体陶瓷中电子电导是主要的 .假定吸附表面态由吸附氧离子构成 ,表面态吸附水分子后 ,向体内发射电子 ,用统计理论对这... 定量分析了多孔半导体陶瓷低湿度的湿敏机理 ,通过理论推导 ,得出电阻与相对湿度关系的解析表达式 .湿度较低时 ,半导体陶瓷中电子电导是主要的 .假定吸附表面态由吸附氧离子构成 ,表面态吸附水分子后 ,向体内发射电子 ,用统计理论对这一过程进行推演 ,得出了阻 展开更多
关键词 多孔半导体陶瓷 相对湿度 低湿度 湿敏机制
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半导体陶瓷湿敏机理的探讨
14
作者 赵显武 鲍凤歧 《内蒙古大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1994年第6期632-637,共6页
对多孔半导体陶瓷的湿敏机理做了定量分析.我们把整个湿度范围分成高湿区和低湿区,针对不同的湿度区,建立了两种不同的电导模型.通过理论推导,得出了电阻与相对湿度关系的解析表达式.
关键词 半导体陶瓷 相对湿度 湿敏电阻
全文增补中
BaTiO_3半导体陶瓷PTC效应的机理分析
15
作者 赵青 鲍凤岐 《内蒙古大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1997年第3期335-339,共5页
把Heywang模型和铁电软模理论结合起来,导出了BaTiO3半导体陶瓷的电阻-温度定量公式.从理论上推导了居里点移动的经验公式.理论计算与实验数据有较好的符合.
关键词 PTC效应 居里点 钛酸钡 半导体陶瓷
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气敏传感器的近期进展 被引量:25
16
作者 李平 余萍 肖定全 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期126-128,132,共4页
综合介绍了气敏传感器材料及元件的最新进展,侧重于气敏材料研究工作的概述。
关键词 气敏传感器 半导体陶瓷 敏感材料 传感器
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ⅡA族钙钛矿型氧化物半导瓷的结构与特性 被引量:7
17
作者 李标荣 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期591-595,共5页
研究了用于表面层和晶粒边界层型的BaTiO3 ,SrTiO3 陶瓷的还原、再氧化、掺杂与替位固溶的情况 .并对这类陶瓷的半导化特性与工艺过程的关系作了讨论 .文中指出 :只有良好的再氧化层才能具有良好的介电特性 ,而不是颗粒间的二相物质 .
关键词 钛酸钡基陶瓷 钛酸锶基陶瓷 半导化陶瓷 还原 再氧化 半导体陶瓷
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BaTiO_3半导瓷材料中施受主杂质互补作用的研究 被引量:10
18
作者 龚树萍 曾少敏 +1 位作者 付明 周东祥 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1995年第3期25-28,共4页
对施主掺杂而言,在缺位补偿区,引入高受主掺杂可使材料的常温电阻率随受主杂质的引入量增加呈U型曲线变化,同时晶粒尺寸随之单调上升。这是由于受主杂质的引入利于产生氧空位,导致钡空位浓度下降的结果。
关键词 半导瓷材料 氧化钛钡 掺杂 PTC 热敏电阻
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SrTiO_3复合功能陶瓷的AC阻抗谱研究 被引量:5
19
作者 陈文 徐庆 袁润章 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 1999年第4期18-21,共4页
本文采用一次烧成法制备出SrTiO3电容—压敏复合功能陶瓷,测试了样品的交流阻抗谱,确定了样品的等效电路,分析了不同氧化热处理条件下的晶粒和晶界电学特性。结果表明,SrTiO3复合功能陶瓷晶界存在多种受主态形态,氧化... 本文采用一次烧成法制备出SrTiO3电容—压敏复合功能陶瓷,测试了样品的交流阻抗谱,确定了样品的等效电路,分析了不同氧化热处理条件下的晶粒和晶界电学特性。结果表明,SrTiO3复合功能陶瓷晶界存在多种受主态形态,氧化热处理过程中晶粒保持其半导体特性。 展开更多
关键词 半导体陶瓷 复合功能 AC阻抗谱 钛酸锶
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高温PTC陶瓷研究进展 被引量:6
20
作者 潘宇 陈旭 +1 位作者 任萍 肖定全 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 1998年第5期326-331,共6页
概述了高温PTC陶瓷近几年来的研究进展,着重介绍了(Ba、Pb)TiO3高温PTC陶瓷体系中Pb对居里点移动的影响,以及掺杂种类和陶瓷制备工艺等方面的研究进展,简要论述了PTCR的唯象分析理论,展望了高温PTC陶瓷的... 概述了高温PTC陶瓷近几年来的研究进展,着重介绍了(Ba、Pb)TiO3高温PTC陶瓷体系中Pb对居里点移动的影响,以及掺杂种类和陶瓷制备工艺等方面的研究进展,简要论述了PTCR的唯象分析理论,展望了高温PTC陶瓷的研究前景。 展开更多
关键词 PTCR 半导体陶瓷 高温PTC陶瓷
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