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电感耦合等离子体质谱、热电离质谱和二次离子质谱技术在核工业中的新进展 被引量:14
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作者 李金英 郭冬发 +4 位作者 吉燕琴 赵永刚 李力力 崔建勇 石磊 《质谱学报》 EI CAS CSCD 2010年第5期257-263,共7页
结合实例,回顾并展望了电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)、热电离质谱(TIMS)和二次离子质谱(SIMS)技术的应用进展,特别是在核工业领域中的进展。讨论了未来相关质谱技术的发展方向,并指出目前存在的主要问题,探讨了可能的解决方案。
关键词 电感耦合等离子体质谱(ICP-MS) 热电离质谱(TIMS) 二次离子质谱(sims) 核燃料循环 铀资源勘查 核保障监督
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基于质谱的单细胞分析技术研究新进展
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作者 尤穆英楠 刘心昱 +1 位作者 石先哲 许国旺 《质谱学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期316-331,I0001,共17页
细胞是生物体最基本的结构和功能单位。近年来,人们对细胞异质性的关注越来越多。为了分析细胞的这种异质性,避免单细胞信息被群体细胞的平均值所淹没,单细胞分析技术不断发展起来。由于单细胞的体积小,内含物质含量低且种类繁多,某些... 细胞是生物体最基本的结构和功能单位。近年来,人们对细胞异质性的关注越来越多。为了分析细胞的这种异质性,避免单细胞信息被群体细胞的平均值所淹没,单细胞分析技术不断发展起来。由于单细胞的体积小,内含物质含量低且种类繁多,某些物质在细胞内的变化迅速,分析过程中不同物质之间相互干扰,造成了单细胞分析极具挑战性。基于质谱的单细胞分析技术具有通用性强、无需标记、高灵敏度、高分辨率、高选择性的优点,已逐渐在单细胞分析技术中脱颖而出,成为单细胞分析的理想工具。本文系统地总结了近5年来基于质谱的单细胞分析技术的最新进展,包括电喷雾电离质谱、激光解吸电离质谱、二次离子质谱、电感耦合等离子体质谱,并对未来的研究和技术方向进行展望,希望为单细胞质谱分析技术的研究提供参考。 展开更多
关键词 单细胞 电喷雾电离质谱(ESI-MS) 激光解吸电离质谱(LDI-MS) 二次离子质谱(sims) 电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)
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硫同位素测试技术研究进展 被引量:1
3
作者 林珊珊 《同位素》 CAS 2023年第2期186-197,I0004,共13页
硫元素在自然界中分布广泛,有-2、-1、0、+4、+6等多种价态,常见的赋存形态包括硫酸盐、亚硫酸盐、硫代硫酸盐、单质硫和硫化物等,在不同介质和形态中硫同位素组成存在明显差异。通过硫同位素组成差异能够示踪硫元素来源和转化过程。因... 硫元素在自然界中分布广泛,有-2、-1、0、+4、+6等多种价态,常见的赋存形态包括硫酸盐、亚硫酸盐、硫代硫酸盐、单质硫和硫化物等,在不同介质和形态中硫同位素组成存在明显差异。通过硫同位素组成差异能够示踪硫元素来源和转化过程。因此,硫同位素组成广泛应用于环境科学、地球化学、矿床学、地质学等多个科学领域硫循环过程示踪的研究。硫同位素分析测试技术的发展和创新是硫同位素组成应用研究的基础和前提。本研究综述近十几年来已经被广泛使用和当前正在发展完善,以及新出现的硫同位素分析技术,并对硫同位素不同分析方法,包括不同类型仪器、不同前处理方法等的基本原理、优缺点、适用的样品类型、研究现状及未来发展方向进行了归纳和总结,为硫同位素分析测试技术发展、应用和研究提供参考。 展开更多
关键词 硫同位素 稳定同位素比质谱法 多接受器电感耦合等离子体质谱法 二次离子质谱法 热电离质谱法
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宋代黑釉茶盏油滴的飞行时间二次离子质谱表征 被引量:1
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作者 徐子琪 赵煊赫 +2 位作者 梁汉东 李展平 铁偲 《质谱学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第1期25-33,共9页
本研究利用飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)表征典型黑釉茶盏釉面上银色反光斑纹,即华北油滴。高分辨质谱测定油滴的主要成分是氧化铁,由显微拉曼光谱确定其矿物形式是赤铁矿(α-Fe_(2)O_(3))。二次离子质谱(SIMS)离子成像进一步揭示:... 本研究利用飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)表征典型黑釉茶盏釉面上银色反光斑纹,即华北油滴。高分辨质谱测定油滴的主要成分是氧化铁,由显微拉曼光谱确定其矿物形式是赤铁矿(α-Fe_(2)O_(3))。二次离子质谱(SIMS)离子成像进一步揭示:该赤铁矿呈六方柱晶体(约2~10μm);近百余枚这样的晶体自组织分散排列构成类似雨滴状的斑纹(约120μm);与其形貌互补的是含硅、铝、钙、钠等元素的碱性石灰质釉质。SIMS深度剖析发现,α-Fe_(2)O_(3)晶体的连续深度不小于5μm。基于SIMS表征结果,还探讨了赤铁矿沉积薄膜状镜铁矿(α-Fe_(2)O_(3))引起华北油滴呈银色与镜面反射现象的原理,以及TOF-SIMS在表征和研究古瓷方面的潜力和局限。 展开更多
关键词 华北油滴 赤铁矿 镜铁矿 离子成像 二次离子质谱(sims)
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重掺砷硅单晶中痕量硼的二次离子质谱定量分析 被引量:5
5
作者 王铮 曹永明 +1 位作者 方培源 王家楫 《复旦学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期1049-1052,共4页
重掺砷硅单晶中杂质硼含量的控制是十分关键的,因无法用常规的红外光谱法测试,于是转而使用二次离子质谱法来测试.虽然二次离子发射机理复杂,基体效应明显,但通过相对灵敏度因子法,还是能够比较精确地给出定量测试结果,解决重掺砷硅单... 重掺砷硅单晶中杂质硼含量的控制是十分关键的,因无法用常规的红外光谱法测试,于是转而使用二次离子质谱法来测试.虽然二次离子发射机理复杂,基体效应明显,但通过相对灵敏度因子法,还是能够比较精确地给出定量测试结果,解决重掺砷硅单晶中硼杂质的定量检测问题,进而为控制硼含量提供了依据和帮助. 展开更多
关键词 红外吸收光谱法 相对灵敏度因子法 重掺砷硅单晶 二次离子质谱 硅材料
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砷离子注入体材料碲镉汞的二次离子质谱分析 被引量:3
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作者 赵军 陆慧庆 +1 位作者 李向阳 方家熊 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期281-284,共4页
用二次离子质谱 (SIMS)分析了低能注入 (1 5 0 ke V)砷在体材料碲镉汞中的深度分布和注入砷原子在碲镉汞中的热扩散情况 .砷在碲镉汞中的分布表现出复杂的多元扩散机制 .在缺陷密度 (EPD)比较低的碲镉汞材料中 ,砷扩散的主体符合恒定扩... 用二次离子质谱 (SIMS)分析了低能注入 (1 5 0 ke V)砷在体材料碲镉汞中的深度分布和注入砷原子在碲镉汞中的热扩散情况 .砷在碲镉汞中的分布表现出复杂的多元扩散机制 .在缺陷密度 (EPD)比较低的碲镉汞材料中 ,砷扩散的主体符合恒定扩散系数的有限源扩散模型 ,呈现出浓度随深度的高斯分布 .而在缺陷密度比较大的碲镉汞材料中 ,砷的分布呈多段指数型分布 。 展开更多
关键词 碲镉汞 二次离了质谱 砷扩散 红外焦平面
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SIMS在碲镉汞红外焦平面探测器工艺中的应用 被引量:3
7
作者 朱西安 左雷 李震 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2006年第11期1013-1015,共3页
文章介绍了二次离子质谱仪的结构及其基本工作原理,并通过对典型应用的分析,介绍了二次离子质谱分析技术在高灵敏度碲镉汞红外焦平面探测器材料和器件制备工艺中的作用,特别是在结探监测和微量杂质监控方面所发挥的重要作用。
关键词 二次离子质谱 碲镉汞 红外焦平面阵列 结深 杂质
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4H-SiC中Al离子注入及其二次高温退火技术 被引量:1
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作者 郑柳 潘艳 +2 位作者 夏经华 刘瑞 杨霏 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第4期268-272,共5页
在4H-SiC中进行Al离子注入,并进行了二次高温退火技术研究。样品中Al离子的注入浓度为3×10^(19)cm^(-3),对样品进行首次高温退火工艺后,在不同条件下对样品进行二次退火。退火后对样品进行霍尔测试和二次离子质谱(SIMS)测试。测试... 在4H-SiC中进行Al离子注入,并进行了二次高温退火技术研究。样品中Al离子的注入浓度为3×10^(19)cm^(-3),对样品进行首次高温退火工艺后,在不同条件下对样品进行二次退火。退火后对样品进行霍尔测试和二次离子质谱(SIMS)测试。测试结果显示,二次退火工艺有助于进一步提升Al离子在碳化硅中的有效电激活率。在1 850℃下进行3 min首次退火后,1#样品的有效空穴浓度只有3.23×10^(17)cm^(-3)。在1 850℃下进行3 min的二次退火后,2#样品的有效空穴浓度增大到了6.4×10^(18)cm^(-3)。同时二次退火导致了Al离子总剂量的降低,二次退火时间越长,温度越高,Al离子总剂量降低越显著。 展开更多
关键词 4H-SIC Al离子注入 二次高温退火 霍尔测试 二次离子质谱(sims) 空穴浓度 激活率
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二次离子质谱测定珊瑚氧同位素的制靶技术评价 被引量:1
9
作者 邹洁琼 韦刚健 +4 位作者 邓文峰 陈雪霏 杨晴 张彦强 夏小平 《质谱学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期697-704,共8页
二次离子质谱是目前测定高精度珊瑚微区原位氧同位素组成的唯一技术手段。本实验从取样的厚度和深度两方面探讨了制靶技术对珊瑚氧同位素测定的影响。研究发现,切取珊瑚片的厚度从3mm变化到5mm时,珊瑚基体效应(IMF_(coral))变化幅度为1... 二次离子质谱是目前测定高精度珊瑚微区原位氧同位素组成的唯一技术手段。本实验从取样的厚度和深度两方面探讨了制靶技术对珊瑚氧同位素测定的影响。研究发现,切取珊瑚片的厚度从3mm变化到5mm时,珊瑚基体效应(IMF_(coral))变化幅度为1.02‰;分析面距离传统方法(IRMS)取样面的深度从0mm变化到3mm时,IMF_(coral)变化幅度为0.7‰。实验表明,过厚的取样厚度会造成靶面较多气泡,影响珊瑚氧同位素测试;而取样深度的差异会导致时间效应和生命效应相互叠加,使珊瑚基体效应偏离正常值,对研究珊瑚基体效应的一般性规律造成明显的干扰。当取样厚度小于3mm,取样深度与IRMS取样面保持一致时,IMF_(coral)为-2.75‰,该数值与前人的估算值(IMF_(coral)=-2.8‰)在误差范围内一致。因此,在制靶过程中,取样厚度不宜超过3mm,取样深度应与IRMS取样面保持一致,可将制靶的影响降至最小,从而获得准确的珊瑚氧同位素分析的基体效应值,该结论可为推广二次离子质谱在珊瑚研究中的应用提供技术保障。 展开更多
关键词 珊瑚 二次离子质谱(sims) 基体效应 氧同位素 取样厚度 取样深度
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基于硼酸溶液处理的GaAs/InP低温晶片键合技术 被引量:1
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作者 宋海兰 黄辉 +2 位作者 王文娟 黄永清 任晓敏 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第10期1511-1514,共4页
提出了一种基于硼酸溶液的GaAs/InP低温晶片键合技术,实现了GaAs/InP基材料间简单、无毒性的高质量、低温(290℃)晶片键合。GaAs/InP键合晶片解理截面的扫描电子显微镜(SEM)图显示,键合界面整齐,没有裂缝和气泡。通过键合过程,InP上的In... 提出了一种基于硼酸溶液的GaAs/InP低温晶片键合技术,实现了GaAs/InP基材料间简单、无毒性的高质量、低温(290℃)晶片键合。GaAs/InP键合晶片解理截面的扫描电子显微镜(SEM)图显示,键合界面整齐,没有裂缝和气泡。通过键合过程,InP上的In0.53Ga0.47As/InP多量子阱结构转移到了GaAs基底上。X射线衍射及荧光谱显示,键合后的多量子阱晶体质量未变。二次离子质谱(SIMS)和Raman光谱图显示,GaAs/InP键合晶片的中间层厚度约为17 nm,界面处B元素有较高的浓度,键合晶片的中间层很薄,因此可以得到较好的电学、光学特性。 展开更多
关键词 低温键合 GAAS/INP 二次离子质谱(sims)
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复杂多层结构的二次离子质谱定量深度分析 被引量:1
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作者 查良镇 邹庆生 +2 位作者 王有政 宋风华 刘容 《清华大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期14-18,共5页
讨论了用CAMECAIMS-4f型二次离子质谱仪对AlxGa1-xAs复杂多层结构定量深度分析的方法。采用CsM+技术,完成了无外部参考物质AlxGa1-xAs基体成分定量分析,提出并实验验证了一种新的变溅射速率深度... 讨论了用CAMECAIMS-4f型二次离子质谱仪对AlxGa1-xAs复杂多层结构定量深度分析的方法。采用CsM+技术,完成了无外部参考物质AlxGa1-xAs基体成分定量分析,提出并实验验证了一种新的变溅射速率深度校准方法,详细讨论了复杂基体中对杂质进行定量分析时二次离子类型的选择,还尝试了在缺乏足够参考物质时杂质含量的实验估算。实现了二次离子质谱(SIMS)对复杂多层结构的定量分析,同时得到了主成分和杂质的定量深度分布,并保持了SIMS的优良深度分辨本领。 展开更多
关键词 二次离子质谱 多层结构 定量分析 半导体 杂质
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GaN单晶中Mg含量的SIMS定量分析方法
12
作者 何友琴 马农农 +2 位作者 陈潇 张鑫 刘立娜 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第7期571-575,共5页
GaN材料是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,在其单晶材料的研制过程中,掺杂剂Mg的含量对生长p型GaN有重要影响,所以对Mg浓度的精确测定至关重要。采用相对灵敏度因子法,以离子注入样品为参考样品,对GaN单晶中Mg元素含量的... GaN材料是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,在其单晶材料的研制过程中,掺杂剂Mg的含量对生长p型GaN有重要影响,所以对Mg浓度的精确测定至关重要。采用相对灵敏度因子法,以离子注入样品为参考样品,对GaN单晶中Mg元素含量的二次离子质谱(SIMS)定量分析方法进行了研究,并通过改变扫描面积,使GaN单晶中Mg元素浓度的检测限达到5.0×1015 cm-3。该方法具有高稳定性(精密度小于10%)和可靠性,在没有可溯源参考样品的情况下,可自制参考样品实现对GaN晶体中Mg含量的SIMS定量分析。该方法成为GaN单晶中Mg杂质含量的可行的检测方法之一。 展开更多
关键词 氮化镓 相对灵敏度因子 二次离子质谱(sims) 定量分析
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6英寸高纯半绝缘SiC生长技术
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作者 吴会旺 赵丽霞 +1 位作者 刘英斌 李胜华 《微纳电子技术》 北大核心 2020年第7期581-585,593,共6页
利用自蔓延法进行SiC粉料合成、物理气相传输法进行6英寸(1英寸=2.54 cm)高纯半绝缘(HPSI)SiC晶体生长。采用高温下通入HCl和H2的方法,对SiC粉料合成及晶体生长所使用的石墨件和石墨粉进行前处理,该方法可有效降低系统中N、B和Al等杂质... 利用自蔓延法进行SiC粉料合成、物理气相传输法进行6英寸(1英寸=2.54 cm)高纯半绝缘(HPSI)SiC晶体生长。采用高温下通入HCl和H2的方法,对SiC粉料合成及晶体生长所使用的石墨件和石墨粉进行前处理,该方法可有效降低系统中N、B和Al等杂质的背景浓度,提高SiC晶体的电阻率。使用二次离子质谱(SIMS)法对获得的晶体进行杂质浓度检测。检测结果表明,N和Al的浓度均小于检测极限(分别为1×10^16和1×10^14 cm^-3),B的浓度为4.24×10^14 cm^-3。对晶体进行切片和抛光后得到的晶片进行测试。测试结果表明,整个晶片所有测试点的电阻率均在1×10^8Ω·cm以上,微管密度小于0.2 cm^-2,X射线摇摆曲线半高宽为28 arcsec。使用该方法成功制备了6英寸高纯半绝缘4H-SiC晶体。 展开更多
关键词 杂质控制 高纯半绝缘(HPSI) 碳化硅(SiC) 物理气相传输(PVT)法 二次离子质谱(sims)
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高纯半绝缘SiC电阻率影响因素
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作者 吴会旺 赵丽霞 +1 位作者 刘英斌 李胜华 《微纳电子技术》 北大核心 2020年第4期320-323,338,共5页
采用物理气相传输(PVT)法进行高纯半绝缘SiC晶体生长,利用高温真空解吸附以及在系统中通入HCl和H2的方法,有效降低了系统中N、B和Al等杂质的背景浓度。使用二次离子质谱(SIMS)对晶体中杂质浓度测试,N、B和Al浓度分别小于1×1016、1&... 采用物理气相传输(PVT)法进行高纯半绝缘SiC晶体生长,利用高温真空解吸附以及在系统中通入HCl和H2的方法,有效降低了系统中N、B和Al等杂质的背景浓度。使用二次离子质谱(SIMS)对晶体中杂质浓度测试,N、B和Al浓度分别小于1×1016、1×1015和2×1014 cm-3。对加工得到的晶片进行测试,全片的电阻率均在1×1010Ω·cm以上,微管密度小于0.02 cm-2,(004)衍射面的X射线摇摆曲线半高宽为34″。结果表明,该方法可以有效降低SiC晶体中N、B和Al等杂质浓度,提升SiC晶片的电阻率。使用该方法成功制备了4英寸(1英寸=2.54 cm)高纯半绝缘4H-SiC晶体。 展开更多
关键词 高纯半绝缘 碳化硅(SiC) 电阻率 物理气相传输(PVT)法 二次离子质谱(sims)
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二次离子质谱(SIMS)分析技术及应用进展 被引量:27
15
作者 周强 李金英 +1 位作者 梁汉东 伍昌平 《质谱学报》 EI CAS CSCD 2004年第2期113-120,共8页
二次离子质谱 ( SIMS)比其他表面微区分析方法更灵敏。由于应用了中性原子、液态金属离子、多原子离子和激光一次束 ,后电离技术 ,离子反射型飞行时间质量分析器 ,离子延迟探测技术和计算机图像处理技术等 ,使得新型的 SIMS的一次束能... 二次离子质谱 ( SIMS)比其他表面微区分析方法更灵敏。由于应用了中性原子、液态金属离子、多原子离子和激光一次束 ,后电离技术 ,离子反射型飞行时间质量分析器 ,离子延迟探测技术和计算机图像处理技术等 ,使得新型的 SIMS的一次束能量提高到 Me V,束斑至亚μm,质量分辨率达到 1 5 0 0 0 ,横向和纵向分辨率小于 0 .5μm和 5 nm,探测限为 ng/g,能给出二维和三维图像信息。 SIMS能用于矿物、核物质、陨石和宇宙物质的半定量元素含量和同位素丰度测定 ,能鉴定出高挥发性、热不稳定性的生物大分子 ,能进行横向和纵向剖析 ,能进行单颗粒物、团蔟、聚合物、微电子晶体、生物芯片、生物细胞同位素标记和单核苷酸多肽性分型 ( SNP)测定 ,能观测出含有 2 0 0 0碱基对的脱氧核糖核酸 ( DNA)的准分子离子峰。以SIMS在同位素、颗粒物、大分子、生物等研究领域的应用为重点 ,结合实例 ,对 展开更多
关键词 二次离子质谱 技术原理 分析仪器 表面分析技术 sims
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大角度离子注入机的束纯度控制
16
作者 王迪平 孙勇 《电子工业专用设备》 2011年第1期21-23,共3页
从大角度离子注入机束线系统设计上的改进出发,对加/减速模式和多电荷注入等情况下的束能量纯度控制进行了阐叙,同时依靠大量的实验,从SIMS的实验数据来验证控制设计的合理性和有效性。
关键词 大角度离子注入机 加/减速 多电荷 束线系统 束能量纯度 二次离子质谱分析仪(sims)
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飞行时间二次离子质谱在生物材料和生命科学中的应用(上) 被引量:11
17
作者 孙立民 《质谱学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期55-64,共10页
飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)成为材料表面化学分析越来越重要的手段,随着分析仪器性能的不断提高,尤其是团簇离子源的发明和使用,使得TOF-SIMS在生物材料和生命科学研究中能够更接近常规性地被使用。它可以用来鉴定表面的生物分子,... 飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)成为材料表面化学分析越来越重要的手段,随着分析仪器性能的不断提高,尤其是团簇离子源的发明和使用,使得TOF-SIMS在生物材料和生命科学研究中能够更接近常规性地被使用。它可以用来鉴定表面的生物分子,并且描述生物分子在单细胞表面和内部及组织切片上的二维分布。TOF-SIMS的主要测试功能包括表面质谱,化学成像及深度剖析3种。本综述(分上、下两篇)围绕这3项仪器功能,简单综述近20年内TOF-SIMS在生物材料和生命科学中的应用。本篇主要讨论应用质谱功能表征生物医学有机高分子材料表面化学特性及在表面的生物分子,包括氨基酸、多酞、蛋白质、核苷酸、DNA、磷脂膜及多糖。重点举例介绍的科学问题包括蛋白质吸附、生物材料表面化学改性以及生物降解高分子药物释放机理。 展开更多
关键词 飞行时间二次离子质谱(TOF-sims) 结构鉴定 蛋白质吸附 表面化学改性 生物降解高分子
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用当代飞行时间二次离子质谱分析航天器污染 被引量:7
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作者 黄雁华 王光普 +2 位作者 陈旭 周传良 查良镇 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期348-352,共5页
随着对航天器长寿命和高可靠性的要求日益提高,其污染问题已引起国内外高度重视。在监测污染物总量的基础上,需要有效的分析手段确定污染物的化学成分才能判断污染源。用当代飞行时间二次离子质谱仪器(TOF-SIMS)对我国地面空间环境模拟... 随着对航天器长寿命和高可靠性的要求日益提高,其污染问题已引起国内外高度重视。在监测污染物总量的基础上,需要有效的分析手段确定污染物的化学成分才能判断污染源。用当代飞行时间二次离子质谱仪器(TOF-SIMS)对我国地面空间环境模拟污染的典型样品进行了探索性实验,结果表明:与国内外现有的检测手段相比,当代TOF-SIMS最适于样品量有限的航天污染物的成份分析;具有高质量分辨的TOF-SIMS,对航天污染物包含的所有元素、同位素和化合物具有指纹鉴别能力;成像分析可解析出污染物形成历史的一些相关信息。TOF-SIMS有望在航天污染系统工程中发展成为一种独具特色的航天污染检测新技术。 展开更多
关键词 飞行时间二次离子质谱 航天器污染 地面空间环境模拟 成像分析
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新疆汉代羊毛织物染料的飞行时间二次离子质谱表征
19
作者 刘婕 陈相龙 +2 位作者 梁汉东 铁偲 李展平 《质谱学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期386-395,I0003,共11页
汉代女性干尸着鲜艳的红-蓝-浅黄三色羊毛纤维编制的华丽服饰,本研究以织物片段作为研究样本,主要采用飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)法对其染料进行表征。离子成像与高质量分辨数据显示:红色纤维表面产生汞同位素离子(^(202)Hg+和^(19... 汉代女性干尸着鲜艳的红-蓝-浅黄三色羊毛纤维编制的华丽服饰,本研究以织物片段作为研究样本,主要采用飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)法对其染料进行表征。离子成像与高质量分辨数据显示:红色纤维表面产生汞同位素离子(^(202)Hg+和^(199)Hg+)、汞-硫离子(HgS^(+),m/z 234)、硫同位素离子(^(32)S−和^(34)S−)等,指示其染料属于天然无机矿物朱砂(HgS);蓝色纤维则出现目标化合物的准分子离子m/z 263([M+H]^(+)),以及合理的碎片离子系列,如m/z 235(C_(15)H_(11)N_(2)O^(+))和m/z 247(C_(16)H_(11)N_(2)O^(+))等,指示其呈色来自经典天然植物有机染料靛蓝(C_(16)H_(10)N_(2)O_(2),分子质量262.0742);浅黄纤维未检出有机染料(如姜黄)或无机染料(如铁黄),其呈色可能是白色羊毛自然老化陈旧所致。本工作表明,擅长微区原位与超高灵敏度检测的TOF-SIMS法既适用于有机染料分析,也适用于无机染料分析,该方法有望在考古和博物馆馆藏相关研究中获得广泛应用。 展开更多
关键词 染料 汉代 织物 有机 无机 飞行时间二次离子质谱(TOF-sims)
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锂电池内部结构原位表征方法开发与验证
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作者 韩瑶 朱燕华 +2 位作者 鲍中秋 张莹 何琳 《实验室研究与探索》 CAS 北大核心 2024年第5期24-27,67,共5页
锂电池材料与空气接触会迅速发生反应,导致原始形貌和性能发生改变,限制了其构效关系的进一步深入解析,是锂电池研究领域亟待解决的瓶颈问题。因此,需要设计一种隔绝空气条件下未氧化锂电池内部结构微观尺度上的原位表征方法。目前,传... 锂电池材料与空气接触会迅速发生反应,导致原始形貌和性能发生改变,限制了其构效关系的进一步深入解析,是锂电池研究领域亟待解决的瓶颈问题。因此,需要设计一种隔绝空气条件下未氧化锂电池内部结构微观尺度上的原位表征方法。目前,传统的聚焦离子束(FIB)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线能量色散谱(EDS)、电子背散射衍射(EBSD)和飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)等技术的表征方法相对独立,一次性装样就完成上述全部测试的应用尚未见相关文献。利用70°预倾台,在常规扫描电子显微镜、X射线能量色散谱和电子背散射衍射技术的基础上,采用聚焦离子束与飞行时间二次离子质谱联用技术,建立了一个真空环境下一次性装样就可完成锂电池正极材料内部结构表征的方法,并验证了该方法的可行性。这种方法还可以推广至其他类似结构的材料研究中,具有广泛的应用范围和广阔的应用前景。 展开更多
关键词 锂电池 原位表征方法 聚焦离子束 飞行时间二次离子质谱
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