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超陡倒掺杂分布对超深亚微米金属-氧化物-半导体器件总剂量辐照特性的改善 被引量:12
1
作者 王思浩 鲁庆 +2 位作者 王文华 安霞 黄如 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期1970-1976,共7页
分析了沟道中超陡倒掺杂和均匀掺杂两种情况下超深亚微米MOS器件的总剂量辐照特性,主要比较了两种掺杂分布的器件在辐照情况下的泄漏电流与阈值电压的退化特性.结果表明,在辐照剂量<500krad情况下,超陡倒掺杂器件的泄漏电流比均匀掺... 分析了沟道中超陡倒掺杂和均匀掺杂两种情况下超深亚微米MOS器件的总剂量辐照特性,主要比较了两种掺杂分布的器件在辐照情况下的泄漏电流与阈值电压的退化特性.结果表明,在辐照剂量<500krad情况下,超陡倒掺杂器件的泄漏电流比均匀掺杂器件的泄漏电流低2—3个量级;而在辐照剂量>500krad情况下,由于器件俘获的空穴量饱和,超陡倒掺杂的改善没有那么明显.但超陡倒掺杂的阈值电压漂移量比均匀掺杂的情况小约40mV.超陡倒掺杂有利于改善器件的总剂量辐照特性.文中还给出了用于改善器件辐照特性的超陡倒掺杂分布的优化设计,为超深亚微米器件抗辐照加固提供了依据. 展开更多
关键词 总剂量效应 超陡倒掺杂 泄漏电流 抗辐射加固.
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空间相机电子学系统耐辐射复合材料加固方法研究 被引量:2
2
作者 魏君成 张继森 徐熙平 《长春理工大学学报(自然科学版)》 2019年第5期32-36,共5页
针对国内空间相机电子学系统空间辐射加固应用的瓶颈问题,在传统抗辐射加固技术方法的基础上,研究新的空间相机电子学系统抗辐射加固材料和方法。首先,分别对1000 km轨道高度不同倾角进行了质子、电子环境和空间辐射总剂量计算比较和分... 针对国内空间相机电子学系统空间辐射加固应用的瓶颈问题,在传统抗辐射加固技术方法的基础上,研究新的空间相机电子学系统抗辐射加固材料和方法。首先,分别对1000 km轨道高度不同倾角进行了质子、电子环境和空间辐射总剂量计算比较和分析,对金属屏蔽材料对空间辐射粒子俘获和总剂量防护进行仿真计算;并对轨道辐射环境效应分析。然后,在传统抗辐射金属材料基础上,提出采用复合材料加固方案。最后,提出具体新复合加固材料及其加固方法。实验结果表明:采用新复合抗辐射加固材料后剩余辐射剂量为0.065,与传统金属材料比较抗辐射效果明显提高,可以满足1000 km轨道高度空间相机电子学系统抗辐射要求,具有较好的应用前景。 展开更多
关键词 空间辐射 辐射剂量 抗辐射加固
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航天电子抗辐射研究综述 被引量:70
3
作者 冯彦君 华更新 刘淑芬 《宇航学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期1071-1080,共10页
辐射是影响航天电子设备高可靠长寿命运行的重要因素,是当前航天电子技术的研究重点。首先介绍了造成各种辐射效应的空间辐射环境,以及总剂量、单粒子、位移损伤和航天器带电等辐射效应的内在物理原理;然后,综述了当前最新的抗辐射措施... 辐射是影响航天电子设备高可靠长寿命运行的重要因素,是当前航天电子技术的研究重点。首先介绍了造成各种辐射效应的空间辐射环境,以及总剂量、单粒子、位移损伤和航天器带电等辐射效应的内在物理原理;然后,综述了当前最新的抗辐射措施、辐射试验方法、抗辐射加固保障等技术,最后指出抗辐射研究的方向。 展开更多
关键词 航天电子 辐射效应 抗辐射加固 抗辐射加固保障
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耐高温耐辐射的碳化硅半导体探测器 被引量:10
4
作者 靳根 陈法国 +2 位作者 杨亚鹏 徐园 王希涛 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第7期909-912,共4页
在核反应堆堆芯、高能物理实验及外太空等高温高压以及强辐射环境中进行辐射监测时,探测器的耐高温和耐辐照性能备受关注。随着材料技术的发展,关于二元半导体碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)作为辐射探测器的研究已经取得良好进展。尤其是Si... 在核反应堆堆芯、高能物理实验及外太空等高温高压以及强辐射环境中进行辐射监测时,探测器的耐高温和耐辐照性能备受关注。随着材料技术的发展,关于二元半导体碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)作为辐射探测器的研究已经取得良好进展。尤其是SiC晶体,因其禁带宽度大、晶体原子离位能大以及电子空穴迁移率高等特点,最有希望在将来代替Si作为耐高温耐辐照半导体探测器的材料。 展开更多
关键词 碳化硅 半导体探测器 耐高温 耐辐照
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星用微电子器件辐射效应及加固途径分析 被引量:7
5
作者 王长河 《半导体情报》 1996年第4期6-14,共9页
在介绍卫星天然辐射环境和人工核爆辐射环境的基础上,着重分析应用于卫星电子系统中的微电子器件的辐射效应,包括电离辐射效应、瞬态辐射效应和中子辐射效应,并归纳出各种器件抗辐射加固的主要途径和具体方法。涉及的器件包括:CM... 在介绍卫星天然辐射环境和人工核爆辐射环境的基础上,着重分析应用于卫星电子系统中的微电子器件的辐射效应,包括电离辐射效应、瞬态辐射效应和中子辐射效应,并归纳出各种器件抗辐射加固的主要途径和具体方法。涉及的器件包括:CMOS/体硅电路,CMOS/SOS电路,GaAsMESFET及其电路,电荷耦合器件等。 展开更多
关键词 电离辐射 瞬态辐射 抗辐射加固 微电子器件
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坩埚下降法生长钨酸镉晶体的闪烁性能 被引量:7
6
作者 沈琦 陈红兵 +3 位作者 王金浩 蒋成勇 潘建国 徐军 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期844-848,852,共6页
以高温固相反应合成CdWO4多晶为原料,采用垂直坩埚下降法生长出大尺寸完整CdWO4晶体,就所生长CdWO4晶体进行了闪烁发光性能的测试表征,包括紫外可见透射光谱、光致发光光谱、光致发射衰减时间、X射线激发发射光谱、相对光产额以及γ射... 以高温固相反应合成CdWO4多晶为原料,采用垂直坩埚下降法生长出大尺寸完整CdWO4晶体,就所生长CdWO4晶体进行了闪烁发光性能的测试表征,包括紫外可见透射光谱、光致发光光谱、光致发射衰减时间、X射线激发发射光谱、相对光产额以及γ射线辐照硬度。结果表明,该单晶在可见光区具有良好的光学透过性,其光致发光与X射线激发发射光的峰值波长位于475 nm左右,其光致发射衰减时间为842 ns;以CsI∶Tl晶体为基准样品,测得γ射线激发发光的光产额相当于基准样品的51.5%~57.4%,在γ射线辐照条件下其辐照硬度达107rad。 展开更多
关键词 钨酸镉 坩埚下降法 衰减时间 辐照硬度
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一种带自刷新功能的三模冗余触发器设计 被引量:6
7
作者 曹靓 王文 封晴 《电子与封装》 2017年第7期25-27,共3页
随着体硅CMOS电路工艺尺寸的不断缩小,数字电路在宇宙空间中受到的单粒子效应愈发严重。特别是触发器结构电路,单粒子效应中的单粒子翻转效应会造成触发器内部存储的数据发生错乱,影响电路正常工作。提出了一种带自刷新功能的三模冗余... 随着体硅CMOS电路工艺尺寸的不断缩小,数字电路在宇宙空间中受到的单粒子效应愈发严重。特别是触发器结构电路,单粒子效应中的单粒子翻转效应会造成触发器内部存储的数据发生错乱,影响电路正常工作。提出了一种带自刷新功能的三模冗余触发器设计,改进了传统三模冗余触发器设计只表决修正输出不刷新错误数据的不足。 展开更多
关键词 单粒子翻转 抗辐射加固 触发器 三模冗余
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Single event effect hardness for the front-end ASICs in the DAMPE satellite BGO calorimeter 被引量:4
8
作者 高山山 蒋荻 +3 位作者 封常青 习凯 刘树彬 安琪 《Chinese Physics C》 SCIE CAS CSCD 2016年第1期86-91,共6页
The Dark Matter Particle Explorer (DAMPE) is a Chinese scientific satellite designed for cosmic ray studies with a primary scientific goal of indirect detection of dark matter particles. As a crucial sub-detector, t... The Dark Matter Particle Explorer (DAMPE) is a Chinese scientific satellite designed for cosmic ray studies with a primary scientific goal of indirect detection of dark matter particles. As a crucial sub-detector, the BGO calorimeter measures the energy spectrum of cosmic rays in the energy range from 5 GeV to 10 TeV. In order to implement high-density front-end electronics (FEE) with the ability to measure 1848 signals from 616 photomultiplier tubes on the strictly constrained satellite platform, two kinds of 32-channel front-end ASICs, VA160 and VATA160, are customized. However, a space mission period of more than 3 years makes single event effects (SEEs) become threats to reliability. In order to evaluate SEE sensitivities of these chips and verify the effectiveness of mitigation methods, a series of laser-induced and heavy ion-induced SEE tests were performed. Benefiting from the single event latch-up (SEL) protection circuit for power supply, the triple module redundancy (TMR) technology for the configuration registers and the optimized sequential design for the data acquisition process, 52 VA160 chips and 32 VATA160 chips have been applied in the flight model of the BGO calorimeter with radiation hardness assurance. 展开更多
关键词 space electronics single event effects radiation hardness heavy ion pulsed laser
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电源系统抗伽玛总剂量辐射能力评估方法 被引量:5
9
作者 范如玉 韩峰 郭红霞 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期536-540,共5页
为了评估某电源系统抗伽玛总剂量辐射能力,研究了评估电子系统抗伽玛总剂量辐射能力的QMU方法。为获得应用QMU方法所需的输入量,提出了以蒙特卡罗方法和SPICE电路模拟相结合的分析方法,用以确定受伽玛辐照后系统性能参数的裕量及不确定... 为了评估某电源系统抗伽玛总剂量辐射能力,研究了评估电子系统抗伽玛总剂量辐射能力的QMU方法。为获得应用QMU方法所需的输入量,提出了以蒙特卡罗方法和SPICE电路模拟相结合的分析方法,用以确定受伽玛辐照后系统性能参数的裕量及不确定度。应用QMU方法对电源系统抗伽玛总剂量能力进行了评估,将评估结果和实验结果进行了比较,验证了方法的可行性。 展开更多
关键词 电子系统 抗辐射能力 评估方法 QMU方法 蒙特卡罗方法
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SiC中子探测器的研究进展 被引量:5
10
作者 胡青青 杨俊 +1 位作者 刘国福 罗晓亮 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期72-77,共6页
相比于气体、闪烁体及常规半导体中子探测器,基于第三代半导体材料SiC的中子探测器具有体积小、响应快、位置分辨率好、抗高温和耐辐照等众多优点。其中抗高温和耐辐照是应用于核反应堆堆芯、高能物理试验和太空等高温高压以及强辐射环... 相比于气体、闪烁体及常规半导体中子探测器,基于第三代半导体材料SiC的中子探测器具有体积小、响应快、位置分辨率好、抗高温和耐辐照等众多优点。其中抗高温和耐辐照是应用于核反应堆堆芯、高能物理试验和太空等高温高压以及强辐射环境下的中子探测器需要突破的瓶颈。论文总结和分析了SiC的材料特性,SiC中子探测器的结构、工作原理、国内外发展现状以及存在的问题,并对我国中子探测器的发展趋势进行了探讨。 展开更多
关键词 碳化硅 中子探测器 耐高温 抗辐射 进展
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硅光电二极管钝化膜的抗辐射性能研究 被引量:3
11
作者 张建新 陈永平 梁平治 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期83-85,共3页
为了研究硅光电二极管钝化膜的抗辐射性能,采取了0.8M eV电子在4个辐照剂量(1013cm-2~1014cm-2)分别辐照3种不同厚度二氧化硅钝化的光电二极管的方法,比较了光电二极管光电流变化率和暗电流变化率,得到了3种钝化厚度的光电二极管的性能... 为了研究硅光电二极管钝化膜的抗辐射性能,采取了0.8M eV电子在4个辐照剂量(1013cm-2~1014cm-2)分别辐照3种不同厚度二氧化硅钝化的光电二极管的方法,比较了光电二极管光电流变化率和暗电流变化率,得到了3种钝化厚度的光电二极管的性能参数有不同程度衰减的结果。辐照后光电二极管的光电流衰减强烈依赖入射光波长,在短波和长波阶段衰减明显,而在中波阶段(600nm^800nm)基本不衰减。另外,暗电流变化率随着辐照剂量迅速增加,当辐照剂量达到1×1014cm-2时,短波光电流仅为辐照前的80%,暗电流为辐照前的40倍。实验中还发现,薄钝化的二极管的光电流衰减最小,其暗电流增加最显著。结果表明,钝化膜的辐射特性与器件结构和钝化膜工艺密切相关。 展开更多
关键词 光电子学 钝化膜 电子辐照 抗辐射
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IC抗辐射加固的方法 被引量:4
12
作者 陈桂梅 许仲德 苏秀娣 《微处理机》 1998年第4期18-19,32,共3页
本文主要介绍电离辐射引起的CMOS集成电路的失效机理,并结合我所研制的L54HCT型抗辐射加固电路,提出了抗辐射加固技术的方法。
关键词 抗辐射加固 L54HCT 集成电路 CMOS电路
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氮化H_2-O_2合成薄栅氧抗辐照特性 被引量:5
13
作者 刘新宇 刘运龙 +4 位作者 孙海锋 海潮和 吴德馨 和致经 刘忠立 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第12期1596-1599,共4页
对氮化 H2 - O2 合成薄栅氧抗辐照性能进行了研究 ,将 H2 - O2 合成和氮氧化栅两种技术结合起来 ,充分利用两者的优点制成三层结构的 Sandwich栅 ,对比常规氧化、H2 - O2 合成氧化和氮化 H2 - O2 合成氧化三种方式及不同退火条件 ,得出... 对氮化 H2 - O2 合成薄栅氧抗辐照性能进行了研究 ,将 H2 - O2 合成和氮氧化栅两种技术结合起来 ,充分利用两者的优点制成三层结构的 Sandwich栅 ,对比常规氧化、H2 - O2 合成氧化和氮化 H2 - O2 合成氧化三种方式及不同退火条件 ,得出氮化 H2 - O2 合成氧化方法抗辐照性能最佳 ,采用硅化物工艺加快速热退火是未来抗辐照工艺发展的趋势 ;并对氮化 H2 - O2 展开更多
关键词 氮化H2-O2合成 抗辐照 快速热退火 薄膜
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硅微电子工业的发展限制及对策 被引量:3
14
作者 刘忠立 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期552-554,共3页
简要介绍了硅微电子工业的发展状态、限制及对策。为了保持硅微电子工业的继续发展,主要的对策是利用新的结构材料以及新的器件结构和器件原理。在此基础上,介绍了新形势下硅微电子器件及电路辐射加固的考虑。
关键词 硅微电子学 微电子器件 工艺限制 辐射加固
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一种抗单粒子瞬态辐射效应的自刷新三模冗余触发器 被引量:4
15
作者 曹靓 田海燕 王栋 《电子与封装》 2018年第9期36-38,41,共4页
数字集成电路在宇宙空间中会受到单粒子效应的影响,随着半导体工艺的进步,器件尺寸不断缩小,单粒子效应也越发显著。单粒子瞬态脉冲对电路的影响随着电路工作主频越来越高也变得越发严重,甚至可能使电路功能完全失效。在自刷新三模冗余... 数字集成电路在宇宙空间中会受到单粒子效应的影响,随着半导体工艺的进步,器件尺寸不断缩小,单粒子效应也越发显著。单粒子瞬态脉冲对电路的影响随着电路工作主频越来越高也变得越发严重,甚至可能使电路功能完全失效。在自刷新三模冗余触发器设计的基础上,进行了抗单粒子瞬态辐射效应加固设计,增强了原设计的自刷新三模冗余触发器的抗单粒子瞬态脉冲的能力,为以后研制抗辐射数字电路奠定了基础,提供了良好的借鉴。 展开更多
关键词 单粒子瞬态脉冲 抗辐射加固 触发器 三模冗余
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快速闪烁晶体在未来高能物理实验中的应用 被引量:4
16
作者 朱人元 《中国计量学院学报》 2014年第2期107-121,共15页
简要综述了快速闪烁晶体在未来高能物理实验中的应用和目前研究进展.在未来高亮度强子对撞机(HL-LHC)上通过采用高亮度、快速和高抗辐照强度的LYSO晶体为CMS的量能器升级,可以建成具有良好E/γ能量分辨率的稳定的精密电磁量能器.通过读... 简要综述了快速闪烁晶体在未来高能物理实验中的应用和目前研究进展.在未来高亮度强子对撞机(HL-LHC)上通过采用高亮度、快速和高抗辐照强度的LYSO晶体为CMS的量能器升级,可以建成具有良好E/γ能量分辨率的稳定的精密电磁量能器.通过读取PbF2,PbFCl和BSO晶体中的切伦科夫光和闪烁光,可以为未来的轻子对撞机建立具有良好的喷注能量分辨率的均匀强子量能器.有亚纳秒衰变时间的BaF2晶体将为未来的高能物理强度前沿实验建立在速率及时间分辨率提高超过10倍的晶体量热器.对新型快闪烁晶体如PbFCl,YAP:Yb,ZnO:Ga和CuI的研究可能为今后高能物理实验发挥重要作用. 展开更多
关键词 闪烁晶体 高能物理 量能器 抗辐射
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国产双极工艺线性电路低剂量率辐照效应评估方法 被引量:3
17
作者 李鹏伟 吕贺 +3 位作者 张洪伟 孙明 刘凡 孙静 《航天器环境工程》 2019年第2期146-150,共5页
国产双极工艺元器件应用于航天型号存在低剂量率辐射损伤增强效应风险,需要对其开展低剂量率辐照试验评估。在0.01 rad(Si)/s低剂量率辐照条件下,测试分析了不同工艺器件对不同偏置条件的敏感性差异;对比0.1 rad(Si)/s辐照试验结果,分... 国产双极工艺元器件应用于航天型号存在低剂量率辐射损伤增强效应风险,需要对其开展低剂量率辐照试验评估。在0.01 rad(Si)/s低剂量率辐照条件下,测试分析了不同工艺器件对不同偏置条件的敏感性差异;对比0.1 rad(Si)/s辐照试验结果,分析了器件的低剂量率辐射损伤增强效应特性,建立了辐射损伤增强因子和参数判据法相结合的评价标准;依据此标准讨论了各型号器件的低剂量率辐射增强敏感度以及抗电离总剂量辐射的能力。 展开更多
关键词 线性电路 低剂量率辐照 辐射损伤增强因子 抗辐射能力
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深亚微米工艺EEPROM单元加固设计及辐照性能 被引量:2
18
作者 周昕杰 李蕾蕾 +1 位作者 徐睿 于宗光 《东南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期518-521,共4页
当普通EEPROM单元在太空中应用时,会受到辐照效应的影响,导致单元可靠性降低,寿命缩短,为此,基于0.18μm工艺,设计出一种新型抗辐照EEPROM单元.新单元采用环形栅和场区隔离管加固结构.加固后,单元面积为9.56μm2,抗总剂量效应能力大于1 ... 当普通EEPROM单元在太空中应用时,会受到辐照效应的影响,导致单元可靠性降低,寿命缩短,为此,基于0.18μm工艺,设计出一种新型抗辐照EEPROM单元.新单元采用环形栅和场区隔离管加固结构.加固后,单元面积为9.56μm2,抗总剂量效应能力大于1 500 Gy,抗辐照能力明显优于普通结构.为明确失效机制,基于新单元结构在辐照条件下的阈值退化曲线,分析了辐照效应对存储单元的影响,并与普通单元的辐照效应相比较.结果表明:总剂量效应引起的边缘寄生管源/漏端漏电及场氧下漏电是深亚微米工艺EEPROM失效的主要机制.新单元针对失效机制的加固设计,提高了抗辐照能力和可靠性.该设计为满足太空应用中抗辐照存储器的需要,提供了良好的基础. 展开更多
关键词 总剂量效应 EEPROM 抗辐照加固
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钨酸铅晶体的生长及其闪烁性的研究 被引量:1
19
作者 邢洪岩 刘景和 +2 位作者 刘玲 李孝恩 李建立孙强 《材料科学与工程》 CSCD 2000年第2期17-21,共5页
采用提拉法生长出直径 2 0 -2 5mm,长 2 5-3 0 mm优质 Pb WO4及 La3 +、Mg2 +、Mo6+和 Bi3 +掺杂 Pb WO4晶体。测试了晶体的 X射线衍射谱、透射光谱、激发发射光谱、光产额、抗辐照性能和发光衰减时间。总结并解释了掺杂对 Pb WO4晶体... 采用提拉法生长出直径 2 0 -2 5mm,长 2 5-3 0 mm优质 Pb WO4及 La3 +、Mg2 +、Mo6+和 Bi3 +掺杂 Pb WO4晶体。测试了晶体的 X射线衍射谱、透射光谱、激发发射光谱、光产额、抗辐照性能和发光衰减时间。总结并解释了掺杂对 Pb WO4晶体性能的影响以及氧退火对晶体抗辐照性能的影响 ,探讨了掺杂改善晶体闪烁性能的可能性。 展开更多
关键词 钨酸铅 抗辐射 晶体生长 闪烁性 闪烁晶体
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Influence of nitrogen implantation into the buried oxide on the radiation hardness of silicon-on-insulator wafers 被引量:1
20
作者 唐海马 郑中山 +3 位作者 张恩霞 于芳 李宁 王宁娟 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2010年第10期380-385,共6页
In order to improve the total-dose radiation hardness of the buried oxide of separation by implanted oxygen silicon- on-insulator wafers, nitrogen ions were implanted into the buried oxide with a dose of 1016 cm-2, an... In order to improve the total-dose radiation hardness of the buried oxide of separation by implanted oxygen silicon- on-insulator wafers, nitrogen ions were implanted into the buried oxide with a dose of 1016 cm-2, and subsequent annealing was performed at 1100 ℃. The effect of annealing time on the radiation hardness of the nitrogen implanted wafers has been studied by the high frequency capacitance-voltage technique. The results suggest that the improvement of the radiation hardness of the wafers can be achieved through a shorter time annealing after nitrogen implantation. The nitrogen-implanted sample with the shortest annealing time 0.5 h shows the highest tolerance to total-dose radiation. In particular, for the 1.0 and 1.5 h annealing samples, both total dose responses were unusual. After 300-krad(Si) irradiation, both the shifts of capacitance-voltage curve reached a maximum, respectively, and then decreased with increasing total dose. In addition, the wafers were analysed by the Fourier transform infrared spectroscopy technique, and some useful results have been obtained. 展开更多
关键词 silicon-on-insulator wafers radiation hardness nitrogen implantation
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