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一种带温度补偿的高精度片上RC振荡器 被引量:8
1
作者 董春雷 宁振球 +2 位作者 金星 张正民 万文艳 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2015年第1期58-62,共5页
介绍了一款带有高阶温度补偿和数字修调功能的高精度片上RC振荡器。由于采用了2阶温度补偿方案,该时钟振荡器在较宽的温度范围内实现了振荡频率的高稳定性。由于采用电流数字修调技术,因此减小了工艺漂移对输出中心频率的影响。另外,应... 介绍了一款带有高阶温度补偿和数字修调功能的高精度片上RC振荡器。由于采用了2阶温度补偿方案,该时钟振荡器在较宽的温度范围内实现了振荡频率的高稳定性。由于采用电流数字修调技术,因此减小了工艺漂移对输出中心频率的影响。另外,应用误差放大器及共源共栅结构提高了电源抑制特性,从而使振荡器精度得到显著提高。电路基于SMIC 0.18μm CMOS工艺设计。仿真结果显示,在温度范围为-40℃~125℃,电源电压波动为±10%,及不同的工艺角下,振荡器输出中心频率均为5 MHz,精度保持在±0.25%以内。同其他相似片上振荡器相比,在同样的温度变化、电压波动及工艺漂移的情况下,其频率稳定性显著提高。 展开更多
关键词 RC振荡电路 2阶温度补偿 工艺漂移 数字修调
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考虑工艺波动的两相邻耦合RC互连串扰噪声估计 被引量:5
2
作者 董刚 杨杨 +1 位作者 柴常春 杨银堂 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期1082-1087,1131,共7页
基于6节点耦合互连串扰噪声电路模型,提出了一种新的考虑工艺波动的统计互连串扰噪声分析方法,在给定互连参数波动范围条件下,推导出了耦合互连统计串扰噪声的均值和标准差的解析表达式.实验结果表明,与在互连工艺波动研究中广泛采用的... 基于6节点耦合互连串扰噪声电路模型,提出了一种新的考虑工艺波动的统计互连串扰噪声分析方法,在给定互连参数波动范围条件下,推导出了耦合互连统计串扰噪声的均值和标准差的解析表达式.实验结果表明,与在互连工艺波动研究中广泛采用的蒙特卡罗方法相比,新方法在确保计算精度的前提下大大缩短了计算时间,且采用新方法计算得到的RC互连串扰噪声均值误差低于2.36%,而标准差误差则低于7.23%. 展开更多
关键词 工艺波动 RC互连 串扰噪声 统计模型
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工艺随机扰动下非均匀RLC互连线串扰的谱域方法分析 被引量:4
3
作者 李鑫 Janet M.Wang +2 位作者 张瑛 唐卫清 吴慧中 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期398-403,共6页
考虑工艺随机扰动对互连线传输性能的影响,建立了互连线随机扰动模型,提出了一种基于谱域随机方法的互连线串扰分析新方法.该方法将具有随机扰动的耦合互连线模型在线元分析阶段进行解耦,分别采用随机伽辽金方法(SGM)和随机点匹配方法(S... 考虑工艺随机扰动对互连线传输性能的影响,建立了互连线随机扰动模型,提出了一种基于谱域随机方法的互连线串扰分析新方法.该方法将具有随机扰动的耦合互连线模型在线元分析阶段进行解耦,分别采用随机伽辽金方法(SGM)和随机点匹配方法(SCM)进行串扰分析.最后,利用复逼近给出工艺随机扰动下互连线串扰噪声的解析表达式.实验结果表明本文方法不仅可以对工艺随机扰动下的非均匀耦合互连线串扰进行有效估计,相较于SPICE仿真还具有更高的计算效率. 展开更多
关键词 工艺随机扰动 谱域随机方法 随机伽辽金方法 随机点匹配方法 串扰噪声
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考虑时延偏差的数字电路时延测试综述 被引量:3
4
作者 李华伟 《集成技术》 2013年第6期54-64,共11页
先进集成电路工艺下,时延测试是数字电路测试的一项重要内容。各种时延偏差来源如小时延缺陷、工艺偏差、串扰、电源噪声、老化效应等,影响着电路的额定时钟频率,是时延测试中需要考虑的因素。文章在介绍电路时延偏差问题的各种来源的... 先进集成电路工艺下,时延测试是数字电路测试的一项重要内容。各种时延偏差来源如小时延缺陷、工艺偏差、串扰、电源噪声、老化效应等,影响着电路的额定时钟频率,是时延测试中需要考虑的因素。文章在介绍电路时延偏差问题的各种来源的基础上,给出了针对不同的时延偏差问题所涉及的分析、建模、测试生成与电路设计等关键技术。进一步介绍了中国科学院计算技术研究所近年来在考虑时延偏差的数字电路时延测试方面所做的研究工作,包括:考虑串扰/电源噪声的时延测试、基于统计定时分析的测试通路选择、片上时延测量、超速测试、测试优化、在线时序检测等方面。文章最后对数字电路时延测试技术的发展趋势进行了总结。 展开更多
关键词 数字电路 时延测试 工艺偏差 测试生成 时延测量 超速测试
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一种可校准的低温漂基准电流源 被引量:3
5
作者 汤华莲 庄奕琪 +2 位作者 张丽 景鑫 杜永乾 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期130-136,共7页
针对由于工艺偏差导致的器件误差和不匹配性会严重降低基准源的性能,在研究器件失配的基础上,设计了幅值在15~80μA之间可调的基准电流源Iref,同时利用温度补偿电路来提高其温度特性.为了进一步提高基准源的精度,提出了一个双向校准电... 针对由于工艺偏差导致的器件误差和不匹配性会严重降低基准源的性能,在研究器件失配的基础上,设计了幅值在15~80μA之间可调的基准电流源Iref,同时利用温度补偿电路来提高其温度特性.为了进一步提高基准源的精度,提出了一个双向校准电路,它由8bit的外部信号控制校准电流的方向及大小,并采用二进制加权的编码方式实现127级的等比数列电流校准.基于CMOS 0.13μm工艺,在输出电流为15μA,温度范围为-40℃~120℃的仿真条件下,基准电流温度系数为26ppm/℃.实测结果表明,电流源校正范围为-14.3%.Iref~14.3%.Iref,校正精度为0.11%.Iref,可应用在高精度的A/D和D/A转换器等集成电路中. 展开更多
关键词 基准电流 温度系数 工艺偏差 校准
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工艺参数扰动下互连线时延的随机点匹配评估算法 被引量:3
6
作者 李鑫 Janet M.Wang 唐卫清 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期3603-3610,共8页
提出了一种基于工艺参数扰动的随机点匹配时延评估算法.该算法通过Cholesky分解将具有强相关性的工艺随机扰动转化为独立随机变量,并结合随机点匹配方法和多项式混沌理论对耦合随机互连线模型进行时延分析.最后,利用数值计算方法给出互... 提出了一种基于工艺参数扰动的随机点匹配时延评估算法.该算法通过Cholesky分解将具有强相关性的工艺随机扰动转化为独立随机变量,并结合随机点匹配方法和多项式混沌理论对耦合随机互连线模型进行时延分析.最后,利用数值计算方法给出互连时延的有限维表达式.仿真实验结果表明,该算法与HSPICE仿真时延的相对误差不超过2%,且相比于HSPICE显著降低了电路模拟时间. 展开更多
关键词 工艺参数扰动 随机互连模型 随机点匹配方法 多项式混沌理论
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Efficient SRAM yield optimization with mixture surrogate modeling
7
作者 蒋中建 叶佐昌 王燕 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2016年第12期64-69,共6页
Largely repeated cells such as SRAM cells usually require extremely low failure-rate to ensure a mod- erate chi yield. Though fast Monte Carlo methods such as importance sampling and its variants can be used for yield... Largely repeated cells such as SRAM cells usually require extremely low failure-rate to ensure a mod- erate chi yield. Though fast Monte Carlo methods such as importance sampling and its variants can be used for yield estimation, they are still very expensive if one needs to perform optimization based on such estimations. Typ- ically the process of yield calculation requires a lot of SPICE simulation. The circuit SPICE simulation analysis accounted for the largest proportion of time in the process yield calculation. In the paper, a new method is proposed to address this issue. The key idea is to establish an efficient mixture surrogate model. The surrogate model is based on the design variables and process variables. This model construction method is based on the SPICE simulation to get a certain amount of sample points, these points are trained for mixture surrogate model by the lasso algorithm. Experimental results show that the proposed model is able to calculate accurate yield successfully and it brings significant speed ups to the calculation of failure rate. Based on the model, we made a further accelerated algo- rithm to further enhance the speed of the yield calculation. It is suitable for high-dimensional process variables and multi-performance applications. 展开更多
关键词 yield optimization process variations design variations mixture surrogate model statistical analysis importance sampling
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考虑制程变异的全芯片漏电流统计分析 被引量:2
8
作者 李涛 余志平 《清华大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期578-580,585,共4页
为了解决在制程变异的影响下,全芯片漏电流很难被验证的难题,提出了基于新的漏电流模型的统计分析算法。建立了一个亚阈值漏电流模型以及它的参数提取方法。该模型不仅包含了小尺寸器件的量子效应和应力效应,而且能够很好地与实验数据... 为了解决在制程变异的影响下,全芯片漏电流很难被验证的难题,提出了基于新的漏电流模型的统计分析算法。建立了一个亚阈值漏电流模型以及它的参数提取方法。该模型不仅包含了小尺寸器件的量子效应和应力效应,而且能够很好地与实验数据拟合。65 nm工艺节点下由于制程变异而引起的亚阈值漏电流波动表明,主要的变异源为有效沟道长度和阈值电压的变化。模型和对变异源的研究,验证了全芯片漏电流。模拟结果和实际电路测试结果的比较,证明了该算法的正确性和有效性。 展开更多
关键词 统计分析 制程变异 漏电流模型 变异源
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65nm SRAM传统静态指标的测试方案及研究 被引量:2
9
作者 陈凤娇 简文翔 +2 位作者 董庆 袁瑞 林殷茵 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期613-618,共6页
65nm及其以下工艺,工艺波动对SRAM性能影响越来越大。SRAM读写噪声容限能够反映SRAM性能的好坏,对于预测SRAM良率有着重要的作用。采用一种新型测试结构测量SRAM读写噪声容限(即SRAM传统静态指标),该测试结构能够测量65nm SRAM在保持、... 65nm及其以下工艺,工艺波动对SRAM性能影响越来越大。SRAM读写噪声容限能够反映SRAM性能的好坏,对于预测SRAM良率有着重要的作用。采用一种新型测试结构测量SRAM读写噪声容限(即SRAM传统静态指标),该测试结构能够测量65nm SRAM在保持、读、写三种操作下的指标:Hold SNM,RSNM,N-curve,WNM。为了解决其它测试方法存在的测试工作量大和IR drop(压降)等问题,该测试结构采用四端结构引出SRAM的内部存储结点,通过译码器选中特定的SRAM单元进行测试,解决了端口复用问题。提出的测试结构已在SIMC65nm CMOS标准工艺上流片验证,并测得相应数据。 展开更多
关键词 工艺波动 传统静态指标 静态随机存取存储器 测试结构 四端结构
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工艺波动致RLC互连延时极值分析 被引量:1
10
作者 李建伟 董刚 +1 位作者 杨银堂 王增 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期301-307,共7页
基于等效Elmore延时模型和RLC互连的工艺角分析,提出了工艺波动致RLC互连延时快速极值分析方法,可以用于由工艺波动引起的RLC互连延时变化的最好情况和最坏情况分析.采用该方法针对68 nm,45 nm,36 nm和25 nm工艺节点进行了仿真验证.结... 基于等效Elmore延时模型和RLC互连的工艺角分析,提出了工艺波动致RLC互连延时快速极值分析方法,可以用于由工艺波动引起的RLC互连延时变化的最好情况和最坏情况分析.采用该方法针对68 nm,45 nm,36 nm和25 nm工艺节点进行了仿真验证.结果显示,这种新方法误差小速度快,与HSPICE相比误差小于7%,可以应用在快速静态时序分析中. 展开更多
关键词 工艺波动 RLC互连延时 工艺角
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Timing-Driven Variation-Aware Partitioning and Optimization of Mixed Static-Dynamic CMOS Circuits
11
作者 Kumar Yelamarthi 《Circuits and Systems》 2013年第2期202-208,共7页
The advancement in CMOS technology has surpassed the progress in computer aided design tools, creating an avenue for new design optimization flows. This paper presents a design level transistor sizing based timing opt... The advancement in CMOS technology has surpassed the progress in computer aided design tools, creating an avenue for new design optimization flows. This paper presents a design level transistor sizing based timing optimization algorithms for mixed-static-dynamic CMOS logic designs. This optimization algorithm performs timing optimization through partitioning a design into static and dynamic circuits based on timing critical paths, and is further extended through a process variation aware circuit level timing optimization algorithm for dynamic CMOS circuits. Implemented on a 64-b adder and ISCAS benchmark circuits for mixed-static-dynamic CMOS, the design level optimization algorithm demonstrated a critical path delay improvement of over 52% in comparison with static CMOS implementation by state-of-the-art commercial optimization tools. 展开更多
关键词 TIMING Optimization Dynamic CMOS CIRCUITS process variations DELAY Uncertainty
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Efficient Statistical Leakage Power Analysis Method for Function Blocks Considering All Process Variations
12
作者 骆祖莹 《Tsinghua Science and Technology》 SCIE EI CAS 2007年第S1期67-72,共6页
With technology scaling into nanometer regime, rampant process variations impact visible influences on leakage power estimation of very large scale integrations (VLSIs). In order to deal with the case of large inter- ... With technology scaling into nanometer regime, rampant process variations impact visible influences on leakage power estimation of very large scale integrations (VLSIs). In order to deal with the case of large inter- and intra-die variations, we induce a novel theory prototype of the statistical leakage power analysis (SLPA) for function blocks. Because inter-die variations can be pinned down into a small range but the number of gates in function blocks is large(>1000), we continue to simplify the prototype. At last, we induce the efficient methodology of SLPA. The method can save much running time for SLPA in the low power design since it is of the local-updating advantage. A large number of experimental data show that the method only takes feasible running time (0.32 s) to obtain accurate results (3 σ-error <0.5% on maximum) as function block circuits simultaneous suffer from 7.5%(3 σ/mean) inter-die and 7.5% intra-die length variations, which demonstrates that our method is suitable for statistical leakage power analysis of VLSIs under rampant process variations. 展开更多
关键词 process variations statistical analysis leakage power very large scale integration (VLSI)
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Fast statistical delay evaluation of RC interconnect in the presence of process variations
13
作者 李建伟 董刚 +1 位作者 杨银堂 王增 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期104-108,共5页
Fast statistical methods of interconnect delay and slew in the presence of process fluctuations are proposed. Using an optimized quadratic model to describe the effects of process variations, the proposed method enabl... Fast statistical methods of interconnect delay and slew in the presence of process fluctuations are proposed. Using an optimized quadratic model to describe the effects of process variations, the proposed method enables closedform expressions of interconnect delay and slew for the given variations in relevant process parameters. Simulation results show that the method, which has a statistical characteristic similar to traditional methodology, is more efficient compared to HSPICE-based Monte Carlo simulations and traditional methodology. 展开更多
关键词 process variations RC delay static delay
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Statistical Elmore delay of RC interconnect tree
14
作者 董刚 杨杨 +1 位作者 柴常春 杨银堂 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2010年第11期35-40,共6页
As feature size keeps scaling down, process variations can dramatically reduce the accuracy in the estimation of interconnect performance. This paper proposes a statistical Elmore delay model for RC interconnect tree ... As feature size keeps scaling down, process variations can dramatically reduce the accuracy in the estimation of interconnect performance. This paper proposes a statistical Elmore delay model for RC interconnect tree in the presence of process variations. The suggested method translates the process variations into parasitic parameter extraction and statistical Elmore delay evaluation. Analytical expressions of mean and standard deviation of interconnect delay can be obtained in a given t^uctuation range of interconnect geometric parameters. Experimental results demonstrate that the approach matches well with Monte Carlo simulations. The errors of proposed mean and standard deviation are less than 1% and 7%, respectively. Simulations prove that our model is efficient and accurate. 展开更多
关键词 statistical delay parasitic extraction RC interconnect process variations
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工艺变化下互连线分布参数随机建模与延迟分析 被引量:1
15
作者 张瑛 Janet M. Wang 《电路与系统学报》 CSCD 北大核心 2009年第4期79-86,共8页
随着超大规模集成电路制造进入深亚微米和超深亚微米阶段,电路制造过程中的工艺变化已经成为影响集成电路互连线传输性能的重要因素。文中引入高斯白噪声建立了互连线分布参数的随机模型,并提出基于Elmore延迟度量的工艺变化下的互连延... 随着超大规模集成电路制造进入深亚微米和超深亚微米阶段,电路制造过程中的工艺变化已经成为影响集成电路互连线传输性能的重要因素。文中引入高斯白噪声建立了互连线分布参数的随机模型,并提出基于Elmore延迟度量的工艺变化下的互连延迟估计式;通过简化工艺变化量与互连线参数之间的关系式,对延迟一阶变化量与二阶变化量进行了分析,给出一般工艺变化下互连延迟的统计特性计算方法;另,针对线宽工艺变化推导出互连延迟均值与方差的计算公式。最后通过仿真实验对工艺变化下互连线延迟分析方法及其统计特性计算公式的有效性进行了验证。 展开更多
关键词 工艺变化 互连线 RC模型 Elmore延迟 蒙特卡洛法
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考虑工艺波动影响的RLC互连统计延时 被引量:1
16
作者 李建伟 董刚 +1 位作者 杨银堂 王增 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2009年第11期2767-2771,共5页
该文提出了一种考虑工艺波动的统计RLC互连延时分析方法。文中首先给出了考虑工艺波动的寄生参数和矩的构建方法,然后基于Weibull分布给出了RLC互连的统计延时模型。所提方法同样适用于已有的延时模型如Elmore模型,等效Elmore模型和D2M... 该文提出了一种考虑工艺波动的统计RLC互连延时分析方法。文中首先给出了考虑工艺波动的寄生参数和矩的构建方法,然后基于Weibull分布给出了RLC互连的统计延时模型。所提方法同样适用于已有的延时模型如Elmore模型,等效Elmore模型和D2M模型。通过对几种模型的比较,表明,基于Weibull分布的RLC互连的统计延时模型是最精确的,和HSPICE相比,50%延时误差最大0.11%,蒙特卡洛分析中的均值和平均偏差误差最大2.02%。 展开更多
关键词 集成电路 工艺波动 RLC互连延时 统计模型 WEIBULL分布
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一种考虑空间关联工艺偏差的统计静态时序分析方法 被引量:1
17
作者 喻伟 杨海钢 +3 位作者 刘洋 黄娟 蔡博睿 陈锐 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2015年第2期468-476,共9页
为了准确评估工艺参数偏差对电路延时的影响,该文提出一种考虑空间关联工艺偏差的统计静态时序分析方法。该方法采用一种考虑非高斯分布工艺参数的二阶延时模型,通过引入临时变量,将2维非线性模型降阶为1维线性模型;再通过计算到达时间... 为了准确评估工艺参数偏差对电路延时的影响,该文提出一种考虑空间关联工艺偏差的统计静态时序分析方法。该方法采用一种考虑非高斯分布工艺参数的二阶延时模型,通过引入临时变量,将2维非线性模型降阶为1维线性模型;再通过计算到达时间的紧密度概率、均值、二阶矩、方差及敏感度系数,完成了非线性非高斯延时表达式的求和、求极大值操作。经ISCAS89电路集测试表明,与蒙特卡洛仿真(MC)相比,该方法对应延时分布的均值、标准差、5%延时点及95%延时点的平均相对误差分别为0.81%,-0.72%,2.23%及-0.05%,而运行时间仅为蒙特卡洛仿真的0.21%,证明该方法具有较高的准确度和较快的运行速度。 展开更多
关键词 集成电路 统计静态时序分析 空间关联 非高斯非线性 工艺偏差 延时模型
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考虑工艺波动的RC互连树统计功耗
18
作者 董刚 薛萌 +1 位作者 李建伟 杨银堂 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期486-493,共8页
为了有效分析考虑工艺波动的RC互连树统计功耗,本文首先给出了考虑工艺波动的互连寄生参数和输入驱动点导纳矩的构建方法,然后,推导得出了互连功耗均值与标准差的表达式.计算结果表明,与目前广泛应用的Monte Carlo分析方法相比,采用本... 为了有效分析考虑工艺波动的RC互连树统计功耗,本文首先给出了考虑工艺波动的互连寄生参数和输入驱动点导纳矩的构建方法,然后,推导得出了互连功耗均值与标准差的表达式.计算结果表明,与目前广泛应用的Monte Carlo分析方法相比,采用本文方法得到的RC互连功耗均值误差小于4.36%,标准差误差则小于6.68%.结果显示,本文方法在确保精度的前提下大大缩短了仿真时间. 展开更多
关键词 工艺波动 RC互连 统计功耗
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一种提高芯片良率的时序电路缓冲器插入算法
19
作者 戢小亮 佟星元 +1 位作者 吴睿振 杜鸣 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第12期2964-2969,共6页
针对集成电路工艺参数波动影响芯片良率的问题,提出一种提高芯片良率的时序电路缓冲器插入算法.该算法通过蒙特卡罗仿真模拟流片后的芯片,确定时序电路中可插入缓冲器的最佳位置,在保证良率的前提下,降低了面积及成本损耗.算法经过ISCA... 针对集成电路工艺参数波动影响芯片良率的问题,提出一种提高芯片良率的时序电路缓冲器插入算法.该算法通过蒙特卡罗仿真模拟流片后的芯片,确定时序电路中可插入缓冲器的最佳位置,在保证良率的前提下,降低了面积及成本损耗.算法经过ISCAS89的基准电路和TAU2013的电路进行仿真验证,结果表明插入缓冲器的数量小于等于触发器数量的1%,良率提高高达35. 98%. 展开更多
关键词 工艺参数波动 芯片良率 缓冲器
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VLSI随机工艺变化下互连线建模与延迟分析
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作者 张瑛 王志功 Janet M.Wang 《电路与系统学报》 CSCD 北大核心 2009年第5期70-75,共6页
目前互连线的工艺变化问题已成为影响超大规模集成电路性能的重要因素。考虑了互连线工艺变化的空间相关性,将工艺参数变化建模为具有自相关性的随机过程,采用数值仿真及拟合方法得到寄生参数的近似表达式,最后基于Elmore延迟度量分析... 目前互连线的工艺变化问题已成为影响超大规模集成电路性能的重要因素。考虑了互连线工艺变化的空间相关性,将工艺参数变化建模为具有自相关性的随机过程,采用数值仿真及拟合方法得到寄生参数的近似表达式,最后基于Elmore延迟度量分析了随机工艺变化对互连延迟的影响,提出了工艺变化下互连延迟统计特性的估算方法,并通过仿真实验对方法的有效性进行了验证。 展开更多
关键词 工艺变化 空间相关性 互连线 Elmore延迟 蒙特卡洛法
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