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Metal intercalation-induced selective adatom mass transport on graphene
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作者 Xiaojie Liu Cai-Zhuang Wang +4 位作者 Myron Hupalo Hai-Qing Lin Kai-Ming Ho Patricia A. Thiel Michael C. Tringides 《Nano Research》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第5期1434-1441,共8页
Recent experiments indicate that metal intercalation is a very effective method to manipulate the graphene-adatom interaction and control metal nanostructure formation on graphene. A key question is mass transport, i.... Recent experiments indicate that metal intercalation is a very effective method to manipulate the graphene-adatom interaction and control metal nanostructure formation on graphene. A key question is mass transport, i.e., how atoms deposited uniformly on graphene populate different areas depending on the local intercalation. Using first-principles calculations, we show that partially intercalated graphene, with a mixture of intercalated and pristine areas, can induce an alternating electric field because of the spatial variations in electron doping, and thus, an oscillatory electrostatic potential. This alternating field can change normal stochastic adatom diffusion to biased diffusion, leading to selective mass transport and consequent nucleation, on either the intercalated or pristine areas, depending on the charge state of the adatoms. 展开更多
关键词 GRAPHENE intercalation electrostatic potential selective adsorption first-principle calculation
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HCIO4型GIC质量变化分析
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作者 郭垒 徐铭 +3 位作者 胡秀娟 张大志 李楠 张秋杰 《炭素》 2012年第1期31-35,共5页
以HCIO4为主要原料,采用化学氧化法制备HCIO4型GIC,研究了HCIO4-GIC在制备、储存及高温膨胀过程中的质量变化,并对其膨胀体积(VEG)和插层机理做了进一步探讨。结果表明:GIC在制备过程中质量增加,增重率分别为25.3%(30目)、24... 以HCIO4为主要原料,采用化学氧化法制备HCIO4型GIC,研究了HCIO4-GIC在制备、储存及高温膨胀过程中的质量变化,并对其膨胀体积(VEG)和插层机理做了进一步探讨。结果表明:GIC在制备过程中质量增加,增重率分别为25.3%(30目)、24.3%(50目)、18.5%(80目);储存过程中GIC质量随时间不断减少,且不同环境的质量损失量(△m)不同,但最后质量趋于稳定,失重率分别为0.668%(25℃密封)、0.842%(25℃暴露)、1.225%(60℃暴露);由GIC到EG的高温膨胀过程中质量减少,热失重为26.6%,(50目);相同膨胀温度下FHCIO4-GIC的VEG明显高于H2SO4/HNO3-GIC;插层过程中插层剂以中性分子或阴离子形式插入石墨碳层。 展开更多
关键词 可膨胀石墨 膨胀石墨蠕虫 膨胀体积 插层机理
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First principles study of hafnium intercalation between graphene and Ir(111)substrate
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作者 Hao Peng Xin Jin +1 位作者 Yang Song Shixuan Du 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第10期473-477,共5页
The intercalation of heteroatoms between graphene and metal substrates is a promising method for integrating epitaxial graphene with functional materials.Various elements and their oxides have been successfully interc... The intercalation of heteroatoms between graphene and metal substrates is a promising method for integrating epitaxial graphene with functional materials.Various elements and their oxides have been successfully intercalated into graphene/metal interfaces to form graphene-based heterostructures,showing potential applications in electronic devices.Here we theoretically investigate the hafnium intercalation between graphene and Ir(111).It is found that the penetration barrier of Hf atom is significantly large due to its large atomic radius,which suggests that hafnium intercalation should be carried out with low deposition doses of Hf atoms and high annealing temperatures.Our results show the different intercalation behaviors of a large-size atom and provide guidance for the integration of graphene and hafnium oxide in device applications. 展开更多
关键词 first principles calculation intercalation GRAPHENE HAFNIUM
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石墨嵌锂行为的第一性原理计算研究 被引量:2
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作者 胡军平 欧阳楚英 雷敏生 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第7期775-777,共3页
采用基于密度泛涵理论的第一性原理赝势法对石墨晶体嵌锂的几何结构、电子结构和平均嵌入电压进行了比较系统的研究。研究表明,双层石墨通过改变C-C层间距和C-C键长来达到最稳定的状态。电子结构分析表明,石墨及嵌锂石墨是良好的导体。... 采用基于密度泛涵理论的第一性原理赝势法对石墨晶体嵌锂的几何结构、电子结构和平均嵌入电压进行了比较系统的研究。研究表明,双层石墨通过改变C-C层间距和C-C键长来达到最稳定的状态。电子结构分析表明,石墨及嵌锂石墨是良好的导体。随着石墨嵌锂数的增加,平均嵌入电压降低,当嵌锂状态达到Li6C 36时,其平均嵌入电压接近0 V,说明LiC 6是石墨嵌锂的理论极限,结果和实验吻合。 展开更多
关键词 石墨 第一性原理 电子结构 平均嵌锂电压
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Li嵌入对V_2O_5电子结构及光学性质的影响(英文) 被引量:1
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作者 李志阳 周昌杰 +2 位作者 林伟 吴启辉 康俊勇 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期1-6,共6页
采用第一性原理局域密度近似法计算了V2O5的电子态密度和能带结构以及Li嵌入后对其电子结构和光学性质的影响。计算结果表明,V2O5是间接带隙半导体,Li的嵌入并没有改变其电子的跃迁方式。但Li的嵌入使得V2O5导带能量下移,禁带宽度减小,... 采用第一性原理局域密度近似法计算了V2O5的电子态密度和能带结构以及Li嵌入后对其电子结构和光学性质的影响。计算结果表明,V2O5是间接带隙半导体,Li的嵌入并没有改变其电子的跃迁方式。但Li的嵌入使得V2O5导带能量下移,禁带宽度减小,导带中原有的劈裂被分裂的能级填满;同时致使价带出现展宽。电子态密度计算结果表明Li的嵌入对临近的O和V的电子结构有较大的影响。Li2s电子的注入提高了V2O5的费米能级并导致其进入导带。由于价带中的电子只能跃迁到费米能级以上的导带空能级,这致使体系实际的光学带隙增大。同时随着Li注入量的进一步增加,价带的展宽更为明显,费米能级亦呈升高的趋势,使得光学带隙随着Li注入量的增加而增大。 展开更多
关键词 第一性原理 V2O5 Li嵌入 电子结构 光学性质
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