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GaN基半导体上BiFeO_3薄膜的生长与性能研究
被引量：
1
1
作者
罗文博
朱俊
廖秀尉
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第5期488-491,共4页
采用脉冲激光沉积法在(0001)取向的GaN以及AlGaN/GaN调制掺杂结构上制备了(111)取向的BiFeO3(BFO)薄膜。首先在导电氧化物SrRuO3和TiO2缓冲层包覆的GaN上制备了BFO薄膜,分析了在GaN上生长的BFO薄膜的面外取向、外延关系、表面形貌以及...
采用脉冲激光沉积法在(0001)取向的GaN以及AlGaN/GaN调制掺杂结构上制备了(111)取向的BiFeO3(BFO)薄膜。首先在导电氧化物SrRuO3和TiO2缓冲层包覆的GaN上制备了BFO薄膜,分析了在GaN上生长的BFO薄膜的面外取向、外延关系、表面形貌以及电学性能等性质。然后,在AlGaN/GaN调制掺杂结构上采用TiO2缓冲层生长了BFO薄膜,并采用光刻工艺分别在AlGaN表面制备Ti/Al/Ti/Au欧姆电极和BFO表面制备Ni/Au肖特基电极以形成二极管结构。C-V测试表明,由于BFO铁电薄膜极化的作用,BFO/TiO2/AlGaN/GaN结构具有1 V左右的逆时针窗口。
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关键词
BIFEO3
脉冲激光沉积
X射线衍射
压电力显微镜
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职称材料
利用压电力显微镜研究PMN-30%PT单晶体中铁电畴的结构及其演变(英文)
2
作者
戴吉岩
王健新
《物理学进展》
CSCD
北大核心
2009年第2期197-214,共18页
本文总结了我们近年来利用压电力显微镜(PFM)研究PMN 30%PT单晶体中铁电畴的结构及其演变的结果。选择PMN-30%PT晶体是因为该组分在超声传感器等应用方面具有最大的潜力。铁电畴的观察是基于反压电现象;具体来讲就是当交变电场通过原子...
本文总结了我们近年来利用压电力显微镜(PFM)研究PMN 30%PT单晶体中铁电畴的结构及其演变的结果。选择PMN-30%PT晶体是因为该组分在超声传感器等应用方面具有最大的潜力。铁电畴的观察是基于反压电现象;具体来讲就是当交变电场通过原子力显微镜探针加到晶体表面时,会引起晶体表面的起伏振荡,而锁相放大器可以解出该振荡信号的振幅和相位角;其中振幅衬度反映了压电系数d_(33)的大小,而相位衬度则反映了铁电畴的极化方向。文中介绍了平面内以及垂直平面的PFM成像技术,并演示了影响畴的图像的一些因素,其中包括静电荷效应,表层效应和机械抛光的影响。本文还利用有限元模型对PFM成像原理进行了模拟分析。着重研究了晶体中铁电畴的尺寸分布,畴与晶体取向,时间和温度的相关性,以及畴的演变过程。
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关键词
PMN-30%PT单晶体
铁电畴
压电力显微镜
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职称材料
题名
GaN基半导体上BiFeO_3薄膜的生长与性能研究
被引量：
1
1
作者
罗文博
朱俊
廖秀尉
机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第5期488-491,共4页
基金
国家重点基础研究发展计划"973"项目
国家自然科学基金项目(50772019)
文摘
采用脉冲激光沉积法在(0001)取向的GaN以及AlGaN/GaN调制掺杂结构上制备了(111)取向的BiFeO3(BFO)薄膜。首先在导电氧化物SrRuO3和TiO2缓冲层包覆的GaN上制备了BFO薄膜,分析了在GaN上生长的BFO薄膜的面外取向、外延关系、表面形貌以及电学性能等性质。然后,在AlGaN/GaN调制掺杂结构上采用TiO2缓冲层生长了BFO薄膜,并采用光刻工艺分别在AlGaN表面制备Ti/Al/Ti/Au欧姆电极和BFO表面制备Ni/Au肖特基电极以形成二极管结构。C-V测试表明,由于BFO铁电薄膜极化的作用,BFO/TiO2/AlGaN/GaN结构具有1 V左右的逆时针窗口。
关键词
BIFEO3
脉冲激光沉积
X射线衍射
压电力显微镜
Keywords
BiFeO3,
Pulsed
laser
deposition,
X-ray
diffraction,
piezo
-
response
force
microscopy
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
O484.2 [理学—物理]
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职称材料
题名
利用压电力显微镜研究PMN-30%PT单晶体中铁电畴的结构及其演变(英文)
2
作者
戴吉岩
王健新
机构
香港理工大学应用物理系
出处
《物理学进展》
CSCD
北大核心
2009年第2期197-214,共18页
基金
supported by theHong Kong Polytechnic University Internal Grant:G-YE74.
文摘
本文总结了我们近年来利用压电力显微镜(PFM)研究PMN 30%PT单晶体中铁电畴的结构及其演变的结果。选择PMN-30%PT晶体是因为该组分在超声传感器等应用方面具有最大的潜力。铁电畴的观察是基于反压电现象;具体来讲就是当交变电场通过原子力显微镜探针加到晶体表面时,会引起晶体表面的起伏振荡,而锁相放大器可以解出该振荡信号的振幅和相位角;其中振幅衬度反映了压电系数d_(33)的大小,而相位衬度则反映了铁电畴的极化方向。文中介绍了平面内以及垂直平面的PFM成像技术,并演示了影响畴的图像的一些因素,其中包括静电荷效应,表层效应和机械抛光的影响。本文还利用有限元模型对PFM成像原理进行了模拟分析。着重研究了晶体中铁电畴的尺寸分布,畴与晶体取向,时间和温度的相关性,以及畴的演变过程。
关键词
PMN-30%PT单晶体
铁电畴
压电力显微镜
Keywords
PMN-PT
single
crystal
ferroelectric
domain
piezo
-
response
force
microscopy
分类号
TM221 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaN基半导体上BiFeO_3薄膜的生长与性能研究
罗文博
朱俊
廖秀尉
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
1
下载PDF
职称材料
2
利用压电力显微镜研究PMN-30%PT单晶体中铁电畴的结构及其演变(英文)
戴吉岩
王健新
《物理学进展》
CSCD
北大核心
2009
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
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参考文献
引证文献
统计分析
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