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a-C:F薄膜的热稳定性与光学带隙的关联 被引量:8
1
作者 杨慎东 宁兆元 +2 位作者 黄峰 程珊华 叶超 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期1321-1325,共5页
以CF4和C6H6的混合气体作为气源 ,在微波电子回旋共振化学气相沉积 (ECR CVD)装置中制备了氟化非晶碳薄膜 (a C :F) ,并在N2 气氛中作了退火处理以考察其热稳定性 .通过傅里叶变换红外吸收谱和紫外 可见光谱获得了薄膜中CC双键的相对... 以CF4和C6H6的混合气体作为气源 ,在微波电子回旋共振化学气相沉积 (ECR CVD)装置中制备了氟化非晶碳薄膜 (a C :F) ,并在N2 气氛中作了退火处理以考察其热稳定性 .通过傅里叶变换红外吸收谱和紫外 可见光谱获得了薄膜中CC双键的相对含量和光学带隙 ,发现膜中CC键含量与光学带隙之间存在着密切的关联 ,在高微波功率下沉积的氟化非晶碳膜具有低的光学带隙和较好的热稳定性 . 展开更多
关键词 a-C:F薄膜 氟化非晶碳膜 光学带隙 退火温度 热稳定性 超大规模集成电路
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非晶硅薄膜PECVD法制备与光学性质表征 被引量:6
2
作者 郝江波 夏冬林 +1 位作者 姜宏 赵修建 《武汉理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期55-58,共4页
在普通玻璃上采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备氢化非晶硅薄膜,研究了在不同温度、压力、功率、H2/SiH4气体流量比等条件下氢化非晶硅的沉积速率,折射率、消光系数、吸收系数、光学禁带宽度等光学性质。实验结果表明非晶硅... 在普通玻璃上采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备氢化非晶硅薄膜,研究了在不同温度、压力、功率、H2/SiH4气体流量比等条件下氢化非晶硅的沉积速率,折射率、消光系数、吸收系数、光学禁带宽度等光学性质。实验结果表明非晶硅薄膜的折射率随着入射光波长的增加而减小;在500 nm处吸收系数高达8.5×104cm-1,光学禁带宽度在1.60—1.78 eV之间变化。 展开更多
关键词 非晶硅薄膜 折射率 吸收系数 光学禁带宽度
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Y掺杂ZnO最小光学带隙和吸收光谱的第一性原理研究 被引量:7
3
作者 曲灵丰 侯清玉 赵春旺 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期264-272,共9页
对于Y掺杂ZnO,当摩尔数在0.0313-0.0625之内,Y掺杂量越增加,吸收光谱发生红移和蓝移两种不同实验结果均有文献报道.本文使用Materials Studio软件下的CASTEP模块中密度泛函理论的第一性原理平面波模守恒(Norm conserving)赝势GGA+U的方... 对于Y掺杂ZnO,当摩尔数在0.0313-0.0625之内,Y掺杂量越增加,吸收光谱发生红移和蓝移两种不同实验结果均有文献报道.本文使用Materials Studio软件下的CASTEP模块中密度泛函理论的第一性原理平面波模守恒(Norm conserving)赝势GGA+U的方法,构建了未掺杂纤锌矿ZnO单胞以及Y掺杂ZnO的Zn_(0.9687)Y_(0.0313)O超胞、Zn_(0.9583)Y_(0.0417)O超胞和Zn_(0.9375)Y_(0.0625)O超胞模型.对掺杂前后体系的能带结构、态密度、差分电荷密度、布居值以及吸收光谱进行了计算.计算结果表明:当Y掺杂摩尔数在0.0313-0.0625之内,Y掺杂量越增加,掺杂体系的晶格常数、体积、总能量越增大,掺杂体系越不稳定、形成能越增大、掺杂越难;掺杂体系中平行于和垂直于c轴的Y-O键布居值越减小、离子键越增强、共价键越减弱、键长越变长;掺杂体系的最小光学带隙越变宽、吸收光谱发生蓝移现象越明显.吸收光谱的计算结果与实验结果相符合,合理解释了吸收光谱红移、蓝移的争论.这对制备Y掺杂ZnO短波长光学器件能起到一定的理论指导作用. 展开更多
关键词 Y掺杂ZnO 最小光学带隙 吸收光谱 第一性原理
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二硫化钼量子点的一步水热法制备与光学性能研究 被引量:2
4
作者 蒋胤 李佳保 +5 位作者 王琴 戚自婷 姚雪梅 王涛 王兆阳 杨培志 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第2期246-253,共8页
二硫化钼量子点(MoS_(2)QDs)因具有尺寸可控、量子限域效应强等优异的物化特性,故在传感、荧光检测和光催化等领域中具有潜在的应用价值。以钼酸铵为钼源,以谷胱甘肽为硫源,采用一步水热法合成水溶性好、尺寸均一的MoS_(2)QDs(MoS_(2)QD... 二硫化钼量子点(MoS_(2)QDs)因具有尺寸可控、量子限域效应强等优异的物化特性,故在传感、荧光检测和光催化等领域中具有潜在的应用价值。以钼酸铵为钼源,以谷胱甘肽为硫源,采用一步水热法合成水溶性好、尺寸均一的MoS_(2)QDs(MoS_(2)QDs-1)。为探究不同硫源对MoS_(2)QDs尺寸和光学性能的影响,又以钼酸铵和L-半胱氨酸分别为钼源和硫源,通过相同方法制备MoS_(2)QDs(MoS_(2)QDs-2)。研究了MoS_(2)QDs-1和MoS_(2)QDs-2样品的结构和光致发光性能。结果表明,与MoS_(2)QDs-2样品相比,MoS_(2)QDs-1样品的平均晶粒尺寸更小(3.88 nm)、平均晶粒高度更低(4.75 nm)、光学带隙更小(3.65 eV)和荧光量子产率更高(10.8%)。 展开更多
关键词 量子光学 二硫化钼量子点 水热法 光致发光 光学带隙
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火柴状Ag_(2)S-ZnS纳米棒的一步法合成及光学性质研究
5
作者 刘佩丰 雷俊宇 +1 位作者 秦瑞雪 蔡婧 《安徽化工》 CAS 2024年第2期106-109,113,共5页
采用[(C_(4)H_(9))_(2)NCS_(2)]Ag和[(C_(4)H_(9))_(2)NCS_(2)]2Zn为前驱体,通过一步法合成了Ag_(2)S-ZnS异质结。不同温度下合成的Ag_(2)S-ZnS异质结的形貌类似火柴状结构,尺寸随着反应温度的变化而变化。当反应温度从110oC升高至170℃... 采用[(C_(4)H_(9))_(2)NCS_(2)]Ag和[(C_(4)H_(9))_(2)NCS_(2)]2Zn为前驱体,通过一步法合成了Ag_(2)S-ZnS异质结。不同温度下合成的Ag_(2)S-ZnS异质结的形貌类似火柴状结构,尺寸随着反应温度的变化而变化。当反应温度从110oC升高至170℃时,火柴头部Ag_(2)S纳米颗粒以及杆部ZnS纳米棒平均直径越来越小,两者之间的差值越来越大,这可能是由于不同温度下[(C_(4)H_(9))_(2)NCS_(2)]Ag和[(C_(4)H_(9))_(2)NCS_(2)]2Zn活性差异导致的。不同温度下制备的Ag_(2)S-ZnS异质结的光学带隙不同,当反应温度从110℃升高至170℃时,ZnS纳米棒的平均直径从(7.0±1.1)nm降低到(6.3±0.8)nm,光学带隙从3.79 eV增加到3.84 eV。 展开更多
关键词 ZnS纳米棒 异质结 温度调变 光学带隙
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择优生长取向对BiOBr光催化性能影响研究
6
作者 范厚刚 牟云鹤 《吉林师范大学学报(自然科学版)》 2024年第1期33-38,共6页
利用水热法合成了两种不同择优生长取向的溴氧铋(BiOBr)材料,其中最强衍射峰对应(102)晶面的样品被定义为(102)BiOBr材料,而最强衍射峰对应(110)晶面的样品定义为(110)BiOBr材料.对两个材料的结构、形貌、光电特性和光催化性能进行了研... 利用水热法合成了两种不同择优生长取向的溴氧铋(BiOBr)材料,其中最强衍射峰对应(102)晶面的样品被定义为(102)BiOBr材料,而最强衍射峰对应(110)晶面的样品定义为(110)BiOBr材料.对两个材料的结构、形貌、光电特性和光催化性能进行了研究.X射线衍射结果表明,随着温度的改变,两种材料的择优生长取向不同.扫描电子显微镜图显示,(102)BiOBr和(110)BiOBr样品的形貌几乎相同,都是堆叠的纳米板.对水体中典型污染物罗丹明B的光催化降解测试表明,(110)BiOBr材料要优于(102)BiOBr材料,这主要是因为二者的光学带隙和氧空位含量差异所致. 展开更多
关键词 溴氧铋 择优生长取向 光学带隙 氧空位
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微波法制备纳米碳点反应机制与发光机理 被引量:5
7
作者 刘金龙 林亮珍 +5 位作者 胡锦凤 白明洁 陈良贤 魏俊俊 黑立富 李成明 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2018年第1期92-98,共7页
为探讨微波法制备纳米碳点发光性质的影响规律与本质,采用微波加热法通过控制微波功率、反应时间以及p H值合成了一系列纳米碳点,并利用荧光激发光谱与发射光谱测试对纳米碳点的发光性质进行了表征,结合紫外吸收光谱与傅立叶红外光谱对... 为探讨微波法制备纳米碳点发光性质的影响规律与本质,采用微波加热法通过控制微波功率、反应时间以及p H值合成了一系列纳米碳点,并利用荧光激发光谱与发射光谱测试对纳米碳点的发光性质进行了表征,结合紫外吸收光谱与傅立叶红外光谱对反应产物官能团变化分析,最终揭示了微波加热过程中葡萄糖向纳米碳点转变的机制与发光机理。结果表明,采用微波法制备纳米碳点,当微波功率为560 W,反应时间为2.5 min时,获得纳米碳点发光性能最佳。当采用波长370 nm紫外光激发时,对应451 nm的蓝光发射强度最高。伴随纳米碳点溶液p H值从酸性变为碱性,纳米碳点最强发光峰的激发光波长由350 nm显著向高波长方向移动,且发光峰强度显著升高。紫外吸收光谱与傅立叶红外光谱显示反应过程中形成了多环芳香族碳氢化合物,表明微波加热过程中是葡萄糖单糖向多糖聚合并最终发生碳化的过程。不同pH值下纳米碳点发光性质的差异,源于对纳米碳点中C=C键与C=O键比例的调整,从而实现对纳米碳点的光学带隙宽度及激子束缚能等的综合调控。 展开更多
关键词 纳米碳点 荧光发光 葡萄糖 微波合成 碳化反应 光学带隙
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沉积压力对磁控溅射纳米硅薄膜结构和性能影响 被引量:5
8
作者 于军 王晓晶 +2 位作者 雷青松 彭刚 徐玮 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期556-560,共5页
采用射频(RF)磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了氢化纳米硅薄膜,研究了沉积压力(4-9 Pa)对薄膜结构和性能的影响。利用XRD、SEM、紫外-可见光分光光度计、傅立叶红外吸收光谱仪(FT-IR)及四探针电阻测试仪等对薄膜结构和性能进行了... 采用射频(RF)磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了氢化纳米硅薄膜,研究了沉积压力(4-9 Pa)对薄膜结构和性能的影响。利用XRD、SEM、紫外-可见光分光光度计、傅立叶红外吸收光谱仪(FT-IR)及四探针电阻测试仪等对薄膜结构和性能进行了表征。结果表明:随着沉积压力的提高,薄膜结晶程度逐渐变差,晶粒尺寸降低;薄膜光学带隙在2.04-2.3 eV之间,且随着沉积压力的提高而增加;薄膜具有SiH、SiO、SiH2和SiH3振动吸收峰,随着沉积压力的增加,SiH、SiH2振动吸收峰向高波数移动,薄膜方块电阻在132-96Ω/□,且随着沉积压力的升高而降低。 展开更多
关键词 氢化纳米硅 磁控溅射 沉积压力 光学带隙
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Influence of post-annealing on the properties of Ta-doped In_2O_3 transparent conductive films 被引量:5
9
作者 XU Lei WANG Rui +2 位作者 LIU Yong ZHANG Dan XIAO Qi 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 2011年第15期1535-1538,共4页
Ta-doped In_2O_3 transparent conductive oxide films were deposited on glass substrates using radio-frequency (RF) sputtering at 300°C.The influence of post-annealing on the structural,morphologic,electrical and o... Ta-doped In_2O_3 transparent conductive oxide films were deposited on glass substrates using radio-frequency (RF) sputtering at 300°C.The influence of post-annealing on the structural,morphologic,electrical and optical properties of the films was investigated using X-ray diffraction,field emission scanning electron microscopy,Hall measurements and optical transmission spectroscopy.The obtained films were polycrystalline with a cubic structure and were preferentially oriented in the (222) crystallographic direction.The lowest resistivity,5.1×10 4 cm,was obtained in the film annealed at 500°C,which is half of that of the un-annealed film (9.9×10 4 cm).The average optical transmittance of the films was over 90%.The optical bandgap was found to decrease with increasing annealing temperature. 展开更多
关键词 透明导电薄膜 退火温度 氧化铟 掺杂 场发射扫描电子显微镜 透明导电氧化物 特性 光学带隙
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Ga_(x)N_(2)∶Zn_(3-x)薄膜的分子束外延生长及其光学和电子输运性能表征
10
作者 吴鹏 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2023年第6期67-72,共6页
本文采用分子束外延技术,通过对金属分子束的精确控制,在MgO(002)基底上成功生长了Ga_(x)N_(2)∶Zn_(3-x)合金薄膜.高分辨率单晶X光衍射仪表征结果表明Ga_(x)N_(2)∶Zn_(3-x)合金薄膜仍是以(400)Zn_(3)N_(2)为主导的复合晶体结构,对衍... 本文采用分子束外延技术,通过对金属分子束的精确控制,在MgO(002)基底上成功生长了Ga_(x)N_(2)∶Zn_(3-x)合金薄膜.高分辨率单晶X光衍射仪表征结果表明Ga_(x)N_(2)∶Zn_(3-x)合金薄膜仍是以(400)Zn_(3)N_(2)为主导的复合晶体结构,对衍射数据的分析得到该薄膜晶粒尺寸小.用扫描电子显微镜和能谱射线分析仪对其表面和成分做了深入的分析和讨论,在固定的金属流量比的生长环境下,不同厚度的样品在成膜后x均为0.65,化学通式Zn_(2.35)Ga_(0.65)N_(2).该结果表明Ga元素属于重度掺杂,同时也体现了分子束外延技术在共掺杂技术中的优越性.本文也测量并讨论了Zn_(2.35)Ga_(0.65)N_(2)薄膜的光学性能,实验得到的1.85 eV的光学带隙与理论推算基本吻合,说明Ga的掺入有Ga-N结构的形成.同时也说明,Ga元素的掺入,实现了对Zn_(3)N_(2)薄膜的光学带隙的调控.最后对该薄膜的电子输运性能进行表征,测量结果表明其为p型半导体薄膜.本文的实验技术和结果也为今后对Zn类化合物半导体的研究奠定了基础. 展开更多
关键词 分子束外延 Ga_(x)N_(2)∶Zn_(3-x)薄膜 光学带隙 电子输运性质
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非晶硅锗薄膜与太阳能电池研究 被引量:4
11
作者 刘石勇 李旺 +4 位作者 牛新伟 杨德仁 王仕鹏 黄海燕 陆川 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期765-770,共6页
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在1.1 m×1.3 m的大面积玻璃衬底上制备非晶硅锗(aSiGe)薄膜和太阳能电池。系统研究了锗烷流量比(RGe)、氢气流量比(RH)、沉积功率和压强对a-SiGe薄膜光学带隙以及沉积速率的影响;分析了具... 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在1.1 m×1.3 m的大面积玻璃衬底上制备非晶硅锗(aSiGe)薄膜和太阳能电池。系统研究了锗烷流量比(RGe)、氢气流量比(RH)、沉积功率和压强对a-SiGe薄膜光学带隙以及沉积速率的影响;分析了具有不同RGe的本征层对a-SiGe单结电池的影响;通过调节沉积参数制备出具有合适本征层带隙的高质量a-SiGe单结电池,实现在800 nm波长处的量子效率达到18.9%,同时填充因子(FF)也达到0.62。 展开更多
关键词 非晶硅锗 光学带隙 太阳能电池
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沉积功率对多晶硅薄膜结构和光学性质的影响 被引量:3
12
作者 沈峰 夏冬林 +1 位作者 李蔚 赵修建 《武汉理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第E01期172-175,共4页
采用等离子体化学汽相沉积(PECVD)方法在普通玻璃衬底上制备出多晶硅薄膜。研究了在不同沉积功率下的薄膜的沉积速率、晶相结构、吸收系数和光学禁带宽度。实验结果表明,沉积功率为140W时薄膜沉积速率最大,达到7.8nm/min。沉积功... 采用等离子体化学汽相沉积(PECVD)方法在普通玻璃衬底上制备出多晶硅薄膜。研究了在不同沉积功率下的薄膜的沉积速率、晶相结构、吸收系数和光学禁带宽度。实验结果表明,沉积功率为140W时薄膜沉积速率最大,达到7.8nm/min。沉积功率为30W多晶硅薄膜的晶粒较大,平均尺寸200nm左右。沉积功率为100W薄膜有较高结晶度,晶化率达到68%。薄膜样品在波长为500nm的光吸收系数达到6×10^4cm^-1,在不同功率下样品的光学禁带宽度在1.70—1.85eV之间变化。 展开更多
关键词 多晶硅薄膜 沉积速率 吸收系数 光学带隙
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沉积电位对电沉积ZnS薄膜的影响 被引量:3
13
作者 夏冬林 雷盼 +1 位作者 石正忠 徐俊 《影像科学与光化学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期129-133,共5页
采用电沉积方法,在不同沉积电位条件下,在氧化锡铟(ITO)导电玻璃上沉积制备了ZnS薄膜,利用XRD、SEM和UV-VIS测试技术对在不同沉积电位所制备薄膜的晶相结构、表面微观形貌和光学性能进行了表征.研究结果表明:沉积电位在1.5V—1.7V范围... 采用电沉积方法,在不同沉积电位条件下,在氧化锡铟(ITO)导电玻璃上沉积制备了ZnS薄膜,利用XRD、SEM和UV-VIS测试技术对在不同沉积电位所制备薄膜的晶相结构、表面微观形貌和光学性能进行了表征.研究结果表明:沉积电位在1.5V—1.7V范围内制备的ZnS薄膜呈非晶态,其可见光透过率从60%降低到20%,薄膜的光学带隙约为3.97eV.在沉积电位为2.0V条件下所沉积薄膜为ZnS结晶相和金属Zn混合相,薄膜透过率显著降低. 展开更多
关键词 ZNS薄膜 电沉积 透过率 光学带隙
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Sol-Gel法制备ZnO:Cd薄膜及结构特性研究 被引量:1
14
作者 陈瀚 邓宏 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2007年第6期700-703,共4页
采用Sol—Gel法,结合旋转涂覆技术在Si(100)衬底上制备了ZnO:Cd薄膜,并对其在600~800℃热处理。X-射线衍射仪(XRD)结果表明,ZnO:Cd薄膜具有与ZnO同样的六角纤锌矿结构,且随着热处理温度的升高,(002)衍射峰的强度逐渐增强... 采用Sol—Gel法,结合旋转涂覆技术在Si(100)衬底上制备了ZnO:Cd薄膜,并对其在600~800℃热处理。X-射线衍射仪(XRD)结果表明,ZnO:Cd薄膜具有与ZnO同样的六角纤锌矿结构,且随着热处理温度的升高,(002)衍射峰的强度逐渐增强。峰半高宽(FWHM,ZnO(002))不断减小,并沿c轴择优取向生长;Cd掺杂后,未出现CdO或其他镉化物等杂质相,但在(002)峰-峰顶出现了分叉(多峰)现象。随着退火温度的升高,多峰消失,但这方面的报道甚少。扫描式电子显微镜(SEM)显示ZnO:Cd晶粒粒径分布情况及表面形貌特征。以石英为基片的透射光谱实验计算表明,ZnO:Cd薄膜的禁带宽度平均为3.10eV;800℃,x(Cd)=8%样品的禁带宽度为2.80eV,比纯ZnO晶体禁带宽度(3.30eV)明显减小,这说明适度掺镉可降低薄膜的光学禁带宽度。 展开更多
关键词 Sol—Gel法 光学禁带 透射光谱 ZnO:Cd薄膜
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聚[2-甲氧基-5-(3′-甲基)丁氧基]对苯乙炔的合成及性能研究 被引量:2
15
作者 李宝铭 吴洪才 孙建平 《精细化工》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第12期711-714,共4页
以对甲氧基苯酚和溴代异戊烷为原料,经过三步反应制备了大π共轭高分子聚[2 甲氧基 5 (3′ 甲基)丁氧基]对苯乙炔(MMB PPV),摩尔产率为48%。聚合反应投料比为n(双氯苄)∶n(叔丁醇钾)=1∶5。利用1H NMR、FT IR和元素分析等对产物及中间... 以对甲氧基苯酚和溴代异戊烷为原料,经过三步反应制备了大π共轭高分子聚[2 甲氧基 5 (3′ 甲基)丁氧基]对苯乙炔(MMB PPV),摩尔产率为48%。聚合反应投料比为n(双氯苄)∶n(叔丁醇钾)=1∶5。利用1H NMR、FT IR和元素分析等对产物及中间体的结构进行了表征。UV Vis光谱表明,MMB PPV在波长450~550nm具有显著的吸收。TG曲线显示,MMB PPV的失重主要由两个部分组成,245℃对应于聚合物的分解温度。分别用H2SO4、FeCl3和I2对MMB PPV粉末进行掺杂,掺杂后MMB PPV的电导率依次为0 34、8 5×10-2和4 7×10-3S/cm。此外,采用分光光度计对MMB PPV的光学禁带宽度(Eg)进行测量,线性拟合的结果分别为2 02eV及2 07eV。 展开更多
关键词 聚[2-甲氧基-5-(3′-甲基)丁氧基]对苯乙炔 电导率 光学禁带宽度
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An Investigation of PLD-Deposited Barium Strontium Titanate (Ba<sub>x</sub>Sr<sub>1-x</sub>TiO<sub>3</sub>) Thin Film Optical Properties
16
作者 Martin Kocanda Syed Farhan Mohiudin Ibrahim Abdel-Motaleb 《Crystal Structure Theory and Applications》 2012年第2期17-20,共4页
Reflectance and transmittance parameters of pulsed laser deposited barium strontium titanate (BST) were investigated using spectrophotometric methods. Three stoichiometries consisting of BaxSr1-xTiO3 (x = 0.30, 0.40, ... Reflectance and transmittance parameters of pulsed laser deposited barium strontium titanate (BST) were investigated using spectrophotometric methods. Three stoichiometries consisting of BaxSr1-xTiO3 (x = 0.30, 0.40, 0.50) were deposited on glass substrates using oxygen partial pressures of 1.3 Pa ± 0.13 Pa at 500oC. Subsequently, the measured optical parameters were employed to determine the refractive index (n), extinction coefficient (k), optical conductivity (σ), absorption coefficient (α) and optical bandgap (Eg) using swept spectra in the ultraviolet, visible and near-infrared range (200 nm - 1100 nm) as these have not been reported in the literature. The calculated parameters for Ba0.4Sr0.6TiO3 are reported in this experimental work. Minimal differences in the transmittance have been observed at the visible band edges when comparing each stoichiometry. Sharp cutoffs were observed at the bands edges and strong absorbance in the 200 nm - 300 nm band as attributed to the crystal structure based upon the oxygen partial pressure during the deposition process. 展开更多
关键词 Barium Strontium TITANATE optical bandgap optical Conductivity Pulsed Laser Deposition STOICHIOMETRY
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TiO_2-x(V_2O_5)纳米复合薄膜的光吸收
17
作者 夏长生 吴广明 +1 位作者 沈军 张志华 《同济大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期1111-1115,共5页
采用溶胶 -凝胶技术 ,以Ti(C4H9O) 4 和V2 O5粉末为原材料制备了纳米结构的TiO2 -x(V2 O5) (x为V2 O5的质量分数 ,分别为 10 % ,2 0 % ,30 % ,10 0 % )复合薄膜 .采用原子力显微镜观察薄膜的表面形貌 ;使用UV VIS NIR分光光度计测量了... 采用溶胶 -凝胶技术 ,以Ti(C4H9O) 4 和V2 O5粉末为原材料制备了纳米结构的TiO2 -x(V2 O5) (x为V2 O5的质量分数 ,分别为 10 % ,2 0 % ,30 % ,10 0 % )复合薄膜 .采用原子力显微镜观察薄膜的表面形貌 ;使用UV VIS NIR分光光度计测量了复合薄膜在紫外 -可见光波段的透射率和反射率光谱 ,研究其光吸收特性 .实验结果表明 :复合薄膜具有纳米颗粒结构 ;随着V2 O5用量的增加 ,复合薄膜在紫外光区的吸收逐渐增加 ,(αhv) 1/ 2 与hv存在线性关系 ,光学带隙由纯TiO2 的 3.36eV减小为x =30 %时的 2 .83eV ,光学带隙与x满足Eg(x) =Eg(0 ) +[Eg(1)-Eg(0 ) -b]x +bx2 关系式 ;复合薄膜光吸收边缘红移起因于V2 O5复合后薄膜中定域态宽度的增加 . 展开更多
关键词 TiO2-x(V2O5)纳米复合薄膜 溶胶-凝胶法 光吸收 光学带隙
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远红外Ge-Te-Ag硫系玻璃的光学性能研究 被引量:2
18
作者 何钰钜 聂秋华 +6 位作者 王训四 王国祥 戴世勋 徐铁峰 张培全 ZHANG Xiang-hua Bruno Bureaua 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期1109-1113,共5页
用熔融淬冷法制备了一系列Ge-Te-Ag硫系玻璃,并确定了玻璃态的成玻区。通过阿基米德排水法、X射线衍射(XRD)、差示扫描量热(DSC)、可见/近红外吸收(UV-VIS-NIR)光谱和傅里叶红外透射(FTIR)光谱等技术,研究了玻璃态的物理特性、热学特性... 用熔融淬冷法制备了一系列Ge-Te-Ag硫系玻璃,并确定了玻璃态的成玻区。通过阿基米德排水法、X射线衍射(XRD)、差示扫描量热(DSC)、可见/近红外吸收(UV-VIS-NIR)光谱和傅里叶红外透射(FTIR)光谱等技术,研究了玻璃态的物理特性、热学特性以及光学特性。研究表明,玻璃态的密度随着Ag含量的增加而增大;Ag的掺入改善了玻璃态的形成能力和热稳定性;随着Ag含量的增加,玻璃态的短波吸收限发生了红移,而红外截止波长基本没变化;玻璃态有着较宽的红外透过范围(1.8~20.0μm),表明其在远红外领域具有很大的应用前景。 展开更多
关键词 硫系玻璃 光学性能 光学带隙 红外透过
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溅射功率对脉冲磁控溅射沉积Cu2O薄膜结构和光学性能的影响 被引量:2
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作者 自兴发 杨雯 +3 位作者 杨培志 彭柳军 邓双 宋肇宁 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期1003-1008,共6页
利用脉冲磁控溅射制备技术,采用单质金属铜靶作为溅射靶,在氧气(O2)和氩气(Ar)的混合气氛下,在石英玻璃衬底上制备了Cu2O薄膜。研究了溅射功率对脉冲反应磁控溅射沉积法在室温下对生长Cu2O薄膜结构、表面形貌及光学性能的影响。结... 利用脉冲磁控溅射制备技术,采用单质金属铜靶作为溅射靶,在氧气(O2)和氩气(Ar)的混合气氛下,在石英玻璃衬底上制备了Cu2O薄膜。研究了溅射功率对脉冲反应磁控溅射沉积法在室温下对生长Cu2O薄膜结构、表面形貌及光学性能的影响。结果表明,在O2、Ar流量比(O2/Ar)为30∶80的气氛条件下,在60~90 W的溅射功率范围内可获得〈111〉取向的Cu2O薄膜;薄膜的表面粗糙度的均方根值随溅射功率的增加而增大;薄膜的光谱吸收范围为300~670 nm,不同溅射功率下制备的薄膜均在430 nm附近出现明显的带边吸收,其光学带隙(Eg)在2.15~2.53 eV之间变化。 展开更多
关键词 Cu2O薄膜 溅射功率 表面粗糙度 光学带隙
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铜-二氧化硅凝胶薄膜的电化学制备及其光学性能 被引量:2
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作者 冯砚艳 王星星 辜敏 《电镀与涂饰》 CAS CSCD 北大核心 2017年第9期462-467,共6页
以CuCl_2·2H_2O和正硅酸乙酯(TEOS)作为前驱体,配制了透明稳定的Cu^(2+)–SiO_2复合溶胶。采用循环伏安法研究了Cu^(2+)在该溶胶中的电化学性质,以恒电位法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃表面沉积了凝胶复合薄膜。采用扫描电镜、能谱、X... 以CuCl_2·2H_2O和正硅酸乙酯(TEOS)作为前驱体,配制了透明稳定的Cu^(2+)–SiO_2复合溶胶。采用循环伏安法研究了Cu^(2+)在该溶胶中的电化学性质,以恒电位法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃表面沉积了凝胶复合薄膜。采用扫描电镜、能谱、X射线衍射对复合薄膜进行了表征,以紫外-可见光谱测试了薄膜的线性光学性能。结果表明,控制电位在-0.24~0.2 V和负于-0.24 V(相对于饱和甘汞电极)可分别制备出Cu^+–SiO_2和Cu–SiO_2凝胶薄膜,前者的平均光学带隙宽度(Eg)为1.94 e V,略高于后者的1.92 eV。由于Cu在溶胶中是连续成核,导致了Cu–SiO_2凝胶薄膜中的Cu颗粒大小不均匀(在几十纳米至几微米之间),吸收光谱在400~500 nm出现了Cu带间迁移的吸收峰。 展开更多
关键词 二氧化硅溶胶 复合薄膜 氧化铟锡 恒电位电沉积 循环伏安法 紫外-可见光谱 光学带隙
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