期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
基于锗硅异质纳米晶的非易失浮栅存储器的存储特性
1
作者
闾锦
陈裕斌
+3 位作者
左正
施毅
濮林
郑有炓
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第4期770-773,共4页
利用自组织生长和选择化学刻蚀方法在超薄SiO2隧穿氧化层上制备了渐变锗硅异质纳米晶,并通过电容-电压特性和电容-时间特性研究了该纳米结构浮栅存储器的存储特性.测试结果表明,该异质纳米晶非易失浮栅存储器具有良好的空穴存储特性,这...
利用自组织生长和选择化学刻蚀方法在超薄SiO2隧穿氧化层上制备了渐变锗硅异质纳米晶,并通过电容-电压特性和电容-时间特性研究了该纳米结构浮栅存储器的存储特性.测试结果表明,该异质纳米晶非易失浮栅存储器具有良好的空穴存储特性,这是由于渐变锗硅异质纳米晶中Ge的价带高于Si的价带形成了复合势垒,空穴有效地存储在复合势垒的Ge的一侧.
展开更多
关键词
异质纳米晶
非易失浮栅存储器
电容-电压特性
自组织生长
选择化学刻蚀
下载PDF
职称材料
非挥发浮栅存储器用PtAu纳米颗粒单层膜的制备
2
作者
闾锦
陈裕斌
+3 位作者
潘力佳
濮林
施毅
郑有炓
《纳米技术与精密工程》
EI
CAS
CSCD
2008年第2期81-84,共4页
将Langmuir-Blodgett(LB)膜等化学方法应用于非挥发浮栅存储器制备工艺中.采用反相微乳液方法合成的分散良好的PtAu纳米颗粒粒径约为5 nm,并应用LB膜方法在存储器隧穿氧化层上制备了PtAu纳米颗粒的单层膜.采用SEM对LB膜的表面形貌进行观...
将Langmuir-Blodgett(LB)膜等化学方法应用于非挥发浮栅存储器制备工艺中.采用反相微乳液方法合成的分散良好的PtAu纳米颗粒粒径约为5 nm,并应用LB膜方法在存储器隧穿氧化层上制备了PtAu纳米颗粒的单层膜.采用SEM对LB膜的表面形貌进行观测,研究了表面压对成膜质量的影响,结果表明在表面压为15 mN/m时可获得密度为1011cm-2均匀分布的PtAu纳米颗粒单层二维阵列,可应用于非挥发性金属纳米颗粒浮栅存储器,并成功拓展了LB膜等化学方法的应用范围.
展开更多
关键词
非挥发浮栅存储器
PtAu纳米颗粒
反相微乳液
LB膜
下载PDF
职称材料
题名
基于锗硅异质纳米晶的非易失浮栅存储器的存储特性
1
作者
闾锦
陈裕斌
左正
施毅
濮林
郑有炓
机构
南京大学物理系固体微结构国家实验室
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第4期770-773,共4页
基金
国家自然科学基金(批准号:60225014
90606021
+1 种基金
60676006)
国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB0L1000)资助项目~~
文摘
利用自组织生长和选择化学刻蚀方法在超薄SiO2隧穿氧化层上制备了渐变锗硅异质纳米晶,并通过电容-电压特性和电容-时间特性研究了该纳米结构浮栅存储器的存储特性.测试结果表明,该异质纳米晶非易失浮栅存储器具有良好的空穴存储特性,这是由于渐变锗硅异质纳米晶中Ge的价带高于Si的价带形成了复合势垒,空穴有效地存储在复合势垒的Ge的一侧.
关键词
异质纳米晶
非易失浮栅存储器
电容-电压特性
自组织生长
选择化学刻蚀
Keywords
hetero-nanocrystals
nonvolatile
floating
-
gate
memory
capacitance-voltage
measurement
self-assembled
growth
selective
chemical
etching
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
下载PDF
职称材料
题名
非挥发浮栅存储器用PtAu纳米颗粒单层膜的制备
2
作者
闾锦
陈裕斌
潘力佳
濮林
施毅
郑有炓
机构
南京大学物理系固体微结构物理国家实验室
出处
《纳米技术与精密工程》
EI
CAS
CSCD
2008年第2期81-84,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(9060602160676006)
文摘
将Langmuir-Blodgett(LB)膜等化学方法应用于非挥发浮栅存储器制备工艺中.采用反相微乳液方法合成的分散良好的PtAu纳米颗粒粒径约为5 nm,并应用LB膜方法在存储器隧穿氧化层上制备了PtAu纳米颗粒的单层膜.采用SEM对LB膜的表面形貌进行观测,研究了表面压对成膜质量的影响,结果表明在表面压为15 mN/m时可获得密度为1011cm-2均匀分布的PtAu纳米颗粒单层二维阵列,可应用于非挥发性金属纳米颗粒浮栅存储器,并成功拓展了LB膜等化学方法的应用范围.
关键词
非挥发浮栅存储器
PtAu纳米颗粒
反相微乳液
LB膜
Keywords
nonvolatile
floating
gate
memory
PtAu
nanoparticle
reverse
microemulsion
Langmuir-Blodgett
（LB）
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于锗硅异质纳米晶的非易失浮栅存储器的存储特性
闾锦
陈裕斌
左正
施毅
濮林
郑有炓
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
0
下载PDF
职称材料
2
非挥发浮栅存储器用PtAu纳米颗粒单层膜的制备
闾锦
陈裕斌
潘力佳
濮林
施毅
郑有炓
《纳米技术与精密工程》
EI
CAS
CSCD
2008
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
