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高压换流变压器套管内绝缘性能研究现状综述 被引量:13
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作者 张施令 彭宗仁 《电瓷避雷器》 CAS 北大核心 2021年第2期15-25,共11页
高压换流变阀侧套管是实现换流变压器与阀塔电气连接的重要设备,笔者主要针对其绝缘性能研究现状进行综述性讨论。首先分析了高压换流变压器套管运行条件苛刻、电场分布复杂的典型特点,并详细梳理了换流变套管的发展及国内外研究现状,... 高压换流变阀侧套管是实现换流变压器与阀塔电气连接的重要设备,笔者主要针对其绝缘性能研究现状进行综述性讨论。首先分析了高压换流变压器套管运行条件苛刻、电场分布复杂的典型特点,并详细梳理了换流变套管的发展及国内外研究现状,最后凝练提出了换流变套管具有价值的研究方向。综述性研究表明:大电流及高电压运行环境为换流变套管绝缘结构设计提出了更高要求,其长期承受交直流叠加、极性反转电应力作用,因此环氧浸纸复合材料绝缘性能、换流变套管发热模型建立、换流变套管主绝缘结构设计、出线装置非线性电场模拟均为具有前景的研究方向。综述分析结果可为高压直流输电工程用换流变套管绝缘设计提供一定技术支撑,并为高端换流变压器套管国产化研制及工程应用指出研究方向和理论指导。 展开更多
关键词 换流变阀侧套管 绝缘性能 发热模型 非线性电场
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非对称三角形电极离子阱的单向出射性能模拟研究 被引量:5
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作者 吴海燕 张礼朋 +4 位作者 袁广洲 张在越 钱洁 张曙光 李晓旭 《质谱学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期316-322,共7页
三角形电极离子阱(triangular-electrode linear ion trap,TeLIT)是一种新型结构的线性离子阱,具有简单的电极结构和良好的分析性能。为进一步提高TeLIT的离子探测效率,本实验将离子出射方向的2个电极设置为不同角度,建立非对称结构的Te... 三角形电极离子阱(triangular-electrode linear ion trap,TeLIT)是一种新型结构的线性离子阱,具有简单的电极结构和良好的分析性能。为进一步提高TeLIT的离子探测效率,本实验将离子出射方向的2个电极设置为不同角度,建立非对称结构的TeLIT,通过引入非对称场实现离子单向出射。通过分析电极角度差与其内部电场分布的关系,并模拟离子运动轨迹,获得离子出射情况和模拟质谱峰。理论模拟结果显示:当离子出射方向三角电极的角度差Δα=15°时,在优化的AC频率条件下,三角形电极离子阱的m/z610离子单向出射率可达95%以上,且质量分辨率达到2 647。经优化几何参数后的非对称三角形电极离子阱可在几乎不损失分辨率的情况下实现离子单向出射,大幅提高了单检测器模式下TeLIT的离子探测效率和仪器的灵敏度,使其在小型化质谱仪的开发中具有显著优势。 展开更多
关键词 三角形电极离子阱(TeLIT) 非对称电场 三角电极角度差 离子单向出射 高阶电场
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高频谐波下电缆头热点温升的红外测量与分析 被引量:2
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作者 黄华勇 魏长明 +4 位作者 毛欣 杨可 刘明军 周凯 潘荣超 《电测与仪表》 北大核心 2013年第7期29-34,共6页
为研究高频谐波电压下电缆头的失效原因,本文对电缆头(非线性应力控制型)在高频谐波电压下的热点温度升高现象及原因进行了研究。搭建了高频、高压和大电流发生装置以模拟电缆头的实际工况,研究了有、无负荷电流下的红外图像特征和电压... 为研究高频谐波电压下电缆头的失效原因,本文对电缆头(非线性应力控制型)在高频谐波电压下的热点温度升高现象及原因进行了研究。搭建了高频、高压和大电流发生装置以模拟电缆头的实际工况,研究了有、无负荷电流下的红外图像特征和电压对热点温度的影响。建立了电缆头的有限元模型,通过电热耦合分析软件对电缆头进行电场和温度场耦合仿真分析,结合电缆头红外热图像分析了谐波电压对电缆头温升的影响。分析结果表明,随着电压值的增加,非线性应力管的局部位置电场增强,并存在一个电场阈值,当大于该阈值时,阻性发热迅速增加,导致表面形成温度升高。 展开更多
关键词 电缆头 红外成像 电热耦合 非线性电场 阻性发热
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基于响应表面法的非线性电缆终端的材料与结构参数优化
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作者 宫瑞磊 邱捷 +1 位作者 王曙鸿 刘英 《绝缘材料》 CAS 2007年第2期69-73,共5页
基于变分原理推导了非线性的时域有限元电场计算方程和稳态热场有限元方程,并引进了响应表面法,实现了响应表面法与时域有限元方法的结合,针对含非线性应力管(Stress Control Tube,SCT)的电缆终端,进行了材料和结构的参数优化。优化后... 基于变分原理推导了非线性的时域有限元电场计算方程和稳态热场有限元方程,并引进了响应表面法,实现了响应表面法与时域有限元方法的结合,针对含非线性应力管(Stress Control Tube,SCT)的电缆终端,进行了材料和结构的参数优化。优化后的结果表明,终端体积达到最小,使用的材料明显减少;损耗明显减少,终端中各部分运行时的温度明显降低,利用响应表面法和有限元相结合的优化方法对电缆终端的设计是可行的。 展开更多
关键词 非线性电场 时域有限元 热场 优化 响应表面法 电缆终端 应力管
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非线性电场中电选粉煤灰颗粒分离过程研究
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作者 温晓龙 李海生 +2 位作者 陈英华 王文平 陈明 《煤炭加工与综合利用》 CAS 2019年第5期72-76,I0001,共6页
在粉煤灰摩擦电选脱炭中,针对颗粒因带电荷质比小导致分选效率不高的问题,提出了一种新的非线性电场结构;在建立非线性电场二维模型和数学模型的基础上,对带电粉煤灰颗粒的运动过程进行了数值模拟,深入研究了颗粒荷质比、入射速度、电... 在粉煤灰摩擦电选脱炭中,针对颗粒因带电荷质比小导致分选效率不高的问题,提出了一种新的非线性电场结构;在建立非线性电场二维模型和数学模型的基础上,对带电粉煤灰颗粒的运动过程进行了数值模拟,深入研究了颗粒荷质比、入射速度、电场强度和极板最小间距等因素对粉煤灰颗粒分离行为的影响,探索了非线性电场用于74μm粉煤灰颗粒高效脱炭的可行性,获得了操作参数的合理范围,为实现粉煤灰电选高效脱炭提供了新思路。 展开更多
关键词 粉煤灰 摩擦电选 非线性电场 数值模拟 分离过程
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暴时等离子体层顶密度不规则结构对SAR弧的调制
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作者 向溢民 袁志刚 +2 位作者 薛祖祥 余雄东 黄政 《地球物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第11期4413-4428,共16页
SAR弧的磁层源区对应环电流与等离子体层顶重叠区域,而等离子体层顶常常观测到密度不规则结构.之前还没有暴时等离子体层顶密度不规则结构对SAR弧调制的观测报道.本文报道了地基成像和磁层、电离层卫星对2013年10月9日磁暴恢复相期间发... SAR弧的磁层源区对应环电流与等离子体层顶重叠区域,而等离子体层顶常常观测到密度不规则结构.之前还没有暴时等离子体层顶密度不规则结构对SAR弧调制的观测报道.本文报道了地基成像和磁层、电离层卫星对2013年10月9日磁暴恢复相期间发生的SAR弧的联合观测事件.在SAR弧的磁层源区,Van Allen Probe B卫星观测到了密度不规则结构,其中存在EMIC波、环电流离子分布和非线性电场结构.联合观测表明:该区域中的环电流离子分布通过库伦碰撞产生的热流通量足以驱动SAR弧,热流通量受到密度不规则结构的调制,形成空间上的小尺度分布,环电流离子中几keV的质子和几十keV的氧离子对这个过程起主导作用;此外,位于等离子体层顶密度不规则结构的低密度区的非线性结构电场引起的低能电子沉降可能是造成这次SAR弧非常明亮的原因. 展开更多
关键词 SAR弧 密度不规则结构 库伦碰撞 非线性电场结构 等离子体层电子 环电流离子
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数值延拓法在非线性直流电场间接耦合计算中的应用 被引量:3
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作者 唐烈峥 阮江军 陈柔 《电网技术》 EI CSCD 北大核心 2019年第12期4605-4612,共8页
高压直流设备的材料电导率取决于场强和温度的大小,高度非线性的电场分布可能导致数值求解的发散,而迭代初值的选择是计算收敛的关键之一。为此,提出了一种非线性直流电场间接耦合计算新方法,将原直流场问题转化为特定参数下的同伦方程... 高压直流设备的材料电导率取决于场强和温度的大小,高度非线性的电场分布可能导致数值求解的发散,而迭代初值的选择是计算收敛的关键之一。为此,提出了一种非线性直流电场间接耦合计算新方法,将原直流场问题转化为特定参数下的同伦方程,以削弱电导率的非线性为出发点,构造了2个具有明确物理意义的同伦方程,并采用数值延拓法对真解进行跟踪,从而扩大初始解的收敛域。以±200 kV直流模注型接头为例,利用数值延拓法结合Steffensen迭代公式计算得到了其电场分布,而采用传统间接耦合方法则会出现数值发散,最后对影响算法收敛性的迭代公式、同伦方程和延拓步长等因素进行了探讨。所提方法有助于提高非线性直流电场计算的大范围收敛性,可有效改善由迭代初值选取不当引起的数值发散问题。 展开更多
关键词 非线性电场计算 数值延拓法 同伦方程 初值选取 大范围收敛
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硅材料的场致线性电光效应 被引量:2
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作者 陈占国 赵建勋 +8 位作者 张玉红 贾刚 刘秀环 任策 武文卿 孙鉴波 曹昆 王爽 时宝 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期1336-1340,共5页
从经典的极化理论出发,分析了直流电场、低频调制电场和光波电场共同存在时硅材料折射率的变化,从理论上揭示了场致线性电光效应的物理实质。以近本征硅材料为样品,采用金属-绝缘体-半导体样品结构,搭建了由塞纳蒙(Senarmont)补偿器改... 从经典的极化理论出发,分析了直流电场、低频调制电场和光波电场共同存在时硅材料折射率的变化,从理论上揭示了场致线性电光效应的物理实质。以近本征硅材料为样品,采用金属-绝缘体-半导体样品结构,搭建了由塞纳蒙(Senarmont)补偿器改进成的横向电光调制系统。在硅材料空间电荷区内观测到显著的线性电光调制效应,系统的半波电压小于170 V,从实验上直接证实了硅材料中内建电场诱导的场致线性电光效应的存在。此外还观测到由克尔效应引起的二次电光调制信号,以及由场致光整流效应引起的、随线偏振光的方位角的二倍余弦变化的电信号。实验结果与经典极化理论的预期完全一致,也间接证实了硅材料中场致线性电光效应的存在。 展开更多
关键词 非线性光学 场致线性电光效应 场致光整流 克尔效应 横向电光调制 硅材料
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