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题名窄带缺陷模在入射角缓慢变化中的变化规律
被引量：5
- 1
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作者
于志明
周静
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机构
连云港师范高等专科学校物理系
北京师范大学物理系
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出处
《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第6期876-878,883,共4页
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文摘
用特征矩阵法研究了窄带缺陷模在入射角缓慢变化中的变化规律。结果表明:随着入射角的缓慢增大,可以使s(或p)偏振光的缺陷模的强度由小变大,再由大变小,缺陷模的波长稍微变短,然后重复前边的变化过程。随着入射角的增大,s偏振光的缺陷模的变化要比而p偏振光的缺陷模的变化快。在一定的入射角下,很小的入射角的变化,就可以改变缺陷模的偏振性。
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关键词
一维光子晶体
窄带缺陷模
入射角
透射强度
偏振性
特征矩阵
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Keywords
1D photonic crystal
narrow defect mode
incident angle
transmittance intensity
polarized light
eigen matrix
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分类号
O734
[理学—晶体学]
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题名一维缺陷光子晶体多个禁带中的窄带缺陷模
被引量：3
- 2
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作者
于志明
廖树帜
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机构
连云港师范高等专科学校物理系
湖南师范大学物理与信息科学学院
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出处
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期422-426,共5页
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文摘
用特征矩阵法研究了一维缺陷光子晶体的透射谱。结果发现:在一维缺陷光子晶体的透射谱中的多个禁带内都有窄带缺陷模,窄带缺陷模的波长越大,其宽度越大;当入射角增大后,波长越长的窄带缺陷模的强度变化越小,位置向短波方向移动越多,且S偏振光与P偏振光的窄带缺陷模的分离越大;增大一维缺陷光子晶体中周期性介质的厚度,窄带缺陷模的波长和移动的范围都增大。本研究对一维缺陷光子晶体的窄带缺陷模的选择使用具有重要意义。
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关键词
一维缺陷光子晶体
窄带缺陷模
特征矩阵
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Keywords
1-D defect photonic crystal
narrow defect mode
eigen matrix
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分类号
O432.2
[机械工程—光学工程]
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