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硒铟镓银多晶材料的合成研究
被引量：
1
1
作者
朱伟林
朱世富
+6 位作者
赵北君
黄毅
刘娟
徐承福
张建军
陈宝军
黎明
《四川大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第S1期196-198,共3页
根据Ag2Se-Ga2Se3赝二元相图,对AgGa1-xInxSe2按同成分点配料,通过机械和温度振荡的方法合成出AgGa1-xInxSe2多晶材料.并对合成的多晶材料进行了XRD测试,与直接法合成的AgGa1-xInxSe多晶材料进行对比.结果表明,改进工艺后合成的AgGa1-xI...
根据Ag2Se-Ga2Se3赝二元相图,对AgGa1-xInxSe2按同成分点配料,通过机械和温度振荡的方法合成出AgGa1-xInxSe2多晶材料.并对合成的多晶材料进行了XRD测试,与直接法合成的AgGa1-xInxSe多晶材料进行对比.结果表明,改进工艺后合成的AgGa1-xInxSe2多晶材料的图谱与标准PDF卡片相符,表明其是高纯单相的AgGa1-xInxSe2多晶材料.用新方法合成的AgGa1-xInxSe2多晶材料进行单晶生长,获得了完整的AgGa1-xInxSe2单晶体.实验结果表明,机械和温度振荡法是合成高质量AgGa1-xInxSe2多晶材料的一种有效方法.
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关键词
AgGa_(1-x)In_xSe_2
多晶材料
机械和温度振荡
单晶生长
下载PDF
职称材料
CdGeAs_2多晶合成研究
被引量：
2
2
作者
郭楠
朱世富
+4 位作者
赵北君
何知宇
陈宝军
李佳伟
邓江辉
《四川大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第1期151-154,共4页
以高纯(6N)Cd、Ge和As单质为原料,按CdGeAs_2的化学计量比配料,采用机械振荡和温度振荡相结合新方法合成出CdGeAs_2多晶锭,经X射线粉末衍射分析表明合成产物为高纯单相的CdGeAs_2多晶.用20℃/min的升温和降温速率对合成的CdGeAs_2多晶...
以高纯(6N)Cd、Ge和As单质为原料,按CdGeAs_2的化学计量比配料,采用机械振荡和温度振荡相结合新方法合成出CdGeAs_2多晶锭,经X射线粉末衍射分析表明合成产物为高纯单相的CdGeAs_2多晶.用20℃/min的升温和降温速率对合成的CdGeAs_2多晶进行了DTA分析,结果显示CdGeAs_2多晶的熔化温度为669.24℃、结晶温度为615.55℃.根据DTA分析结果设计CdGeAs_2晶体生长温场,采用改进的Bridgman法生长出外观完整、尺寸为Φ15 mm× 45 mm的CdGeAs_2晶体,并对其进行解理实验,获得了完整、光滑的解理面,经XRD分析结果显示,连扫谱呈现{101}面的四级衍射峰,(101)面回摆谱峰尖锐、对称性好.
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关键词
砷锗镉
多晶合成
机械和温度振荡
单晶生长
布里奇曼法
X射线衍射和差热分析
原文传递
题名
硒铟镓银多晶材料的合成研究
被引量：
1
1
作者
朱伟林
朱世富
赵北君
黄毅
刘娟
徐承福
张建军
陈宝军
黎明
机构
四川大学材料科学系
出处
《四川大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第S1期196-198,共3页
基金
教育部博士点基金(20040610024)
文摘
根据Ag2Se-Ga2Se3赝二元相图,对AgGa1-xInxSe2按同成分点配料,通过机械和温度振荡的方法合成出AgGa1-xInxSe2多晶材料.并对合成的多晶材料进行了XRD测试,与直接法合成的AgGa1-xInxSe多晶材料进行对比.结果表明,改进工艺后合成的AgGa1-xInxSe2多晶材料的图谱与标准PDF卡片相符,表明其是高纯单相的AgGa1-xInxSe2多晶材料.用新方法合成的AgGa1-xInxSe2多晶材料进行单晶生长,获得了完整的AgGa1-xInxSe2单晶体.实验结果表明,机械和温度振荡法是合成高质量AgGa1-xInxSe2多晶材料的一种有效方法.
关键词
AgGa_(1-x)In_xSe_2
多晶材料
机械和温度振荡
单晶生长
Keywords
AgGa_（1-x）In_xSe_2
polycrystalline
materials
mechanical
and
temperature
oscillation
single
crystal
growth
分类号
O741 [理学—晶体学]
下载PDF
职称材料
题名
CdGeAs_2多晶合成研究
被引量：
2
2
作者
郭楠
朱世富
赵北君
何知宇
陈宝军
李佳伟
邓江辉
机构
四川大学材料科学系
出处
《四川大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第1期151-154,共4页
基金
国家自然科学基金重点项目(50732005)
863计划课题(2007AA03Z443)
文摘
以高纯(6N)Cd、Ge和As单质为原料,按CdGeAs_2的化学计量比配料,采用机械振荡和温度振荡相结合新方法合成出CdGeAs_2多晶锭,经X射线粉末衍射分析表明合成产物为高纯单相的CdGeAs_2多晶.用20℃/min的升温和降温速率对合成的CdGeAs_2多晶进行了DTA分析,结果显示CdGeAs_2多晶的熔化温度为669.24℃、结晶温度为615.55℃.根据DTA分析结果设计CdGeAs_2晶体生长温场,采用改进的Bridgman法生长出外观完整、尺寸为Φ15 mm× 45 mm的CdGeAs_2晶体,并对其进行解理实验,获得了完整、光滑的解理面,经XRD分析结果显示,连扫谱呈现{101}面的四级衍射峰,(101)面回摆谱峰尖锐、对称性好.
关键词
砷锗镉
多晶合成
机械和温度振荡
单晶生长
布里奇曼法
X射线衍射和差热分析
Keywords
CdGeAs2,
polycrystalline
synthesis,
mechanical
and
temperature
oscillation
,
mingle
crystalgrowth,
Bridgman
method,
XRD
and
DTA
分类号
O782 [理学—晶体学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
硒铟镓银多晶材料的合成研究
朱伟林
朱世富
赵北君
黄毅
刘娟
徐承福
张建军
陈宝军
黎明
《四川大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2005
1
下载PDF
职称材料
2
CdGeAs_2多晶合成研究
郭楠
朱世富
赵北君
何知宇
陈宝军
李佳伟
邓江辉
《四川大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2010
2
原文传递
已选择
0
条
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引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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