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磁记忆检测力-磁效应微观机理的试验研究 被引量:34
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作者 任吉林 陈晨 +3 位作者 刘昌奎 陈曦 舒铭航 陈星 《航空材料学报》 EI CAS CSCD 2008年第5期41-44,共4页
铁磁材料在地磁场环境中受载荷的作用,其内部会发生具有磁致伸缩性质的磁畴组织定向和不可逆的重新取向。将去应力退火后的20钢和45钢压缩试件分别施加不同载荷并制作成金相观察试样,利用粉纹法观察受力程度不同的试件的磁畴结构,然后,... 铁磁材料在地磁场环境中受载荷的作用,其内部会发生具有磁致伸缩性质的磁畴组织定向和不可逆的重新取向。将去应力退火后的20钢和45钢压缩试件分别施加不同载荷并制作成金相观察试样,利用粉纹法观察受力程度不同的试件的磁畴结构,然后,对比同种材料不同载荷试样的磁畴结构照,分析不同残余应力对磁畴的影响。试验表明:未受力或应力集中较小时,晶粒内磁畴以片状畴为主,同一晶粒内畴壁相互平行,随着应力集中程度的增加,磁畴结构出现迷宫畴。且应力集中程度越大,迷宫畴个数越多,同时畴壁长度和间距发生改变。 展开更多
关键词 金属磁记忆 磁畴 畴壁 迷宫畴 片状畴
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Co纳米线磁矩反转动态过程的有限元微磁学模拟 被引量:7
2
作者 陆海鹏 韩满贵 +2 位作者 邓龙江 梁迪飞 欧雨 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期2090-2096,共7页
采用有限元微磁学模拟方法研究了Co纳米线在不同外加恒磁场下磁矩的翻转过程.研究结果表明在直径为10nm的Co纳米线内,经过一定的形核时间将在其一端形成一个反向磁畴.磁畴壁的类型为横向畴壁,该畴壁将在一外加恒定磁场的驱动下匀速地从... 采用有限元微磁学模拟方法研究了Co纳米线在不同外加恒磁场下磁矩的翻转过程.研究结果表明在直径为10nm的Co纳米线内,经过一定的形核时间将在其一端形成一个反向磁畴.磁畴壁的类型为横向畴壁,该畴壁将在一外加恒定磁场的驱动下匀速地从一端运动到另一端.畴壁的运动速度与外加磁场大小呈线性关系.在H为1000kA/m时,发现在纳米线的两端均会形成一个"头对头"的反向磁畴.计算结果表明,畴壁内磁矩的方向旋转一个周期所导致的畴壁运动的距离相同,与外加磁场强度无关. 展开更多
关键词 磁性纳米线 微磁学模拟 磁畴 横向畴壁
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铁磁材料磁记忆检测微观机理研究 被引量:6
3
作者 周莉 胡伟利 +2 位作者 陈曦 任吉林 任尚坤 《失效分析与预防》 2011年第3期144-148,163,共6页
对含中心圆孔的Q235平板试样进行静拉伸试验和磁畴组织观察,研究应力集中区和非应力集中区若干测量点处的磁记忆信号和磁畴组织的变化规律。结果表明:随着载荷的增加,磁记忆信号变化幅度增大,局部变形断裂阶段的磁记忆信号幅值小于强化... 对含中心圆孔的Q235平板试样进行静拉伸试验和磁畴组织观察,研究应力集中区和非应力集中区若干测量点处的磁记忆信号和磁畴组织的变化规律。结果表明:随着载荷的增加,磁记忆信号变化幅度增大,局部变形断裂阶段的磁记忆信号幅值小于强化阶段的信号幅值;应力集中区和非应力集中区测量点处的磁记忆信号变化趋势相似,在强化阶段磁记忆信号幅值达到最大值;同一载荷下,应力集中区磁畴分布较非应力集中区更密集,大多数为90°畴壁,磁畴长边较长;同一测量点处,随着载荷变化,从弹性到强化阶段,磁畴分布逐渐密集,180°畴壁逐渐变为90°畴壁,磁畴宽度变小,数量增多,局部变形断裂阶段出现一定量的180°畴壁,磁畴数量减小,宽边的宽度增大。该项研究结论可为探讨磁记忆效应的微观机理提供有效的试验依据。 展开更多
关键词 磁记忆检测 应力集中 磁畴 畴壁
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Domain wall dynamics in magnetic nanotubes driven by an external magnetic field 被引量:3
4
作者 Zai-Dong Li Yue-Chuan Hu +1 位作者 Peng-Bin He Lin-Lin Sun 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第7期527-530,共4页
We use the Landau-Lifshitz-Gilbert equation to investigate field-driven domain wall propagation in magnetic nan- otubes. We find that the distortion is maximum as the time becomes infinite and the exact rigid-body sol... We use the Landau-Lifshitz-Gilbert equation to investigate field-driven domain wall propagation in magnetic nan- otubes. We find that the distortion is maximum as the time becomes infinite and the exact rigid-body solutions are obtained analytically. We also find that the velocity increases with increasing the ratio of inner radius and outer radius. That is to say, we can accelerate domain wall motion not only by increasing the magnetic field, but also by reducing the thickness of the nanotubes. 展开更多
关键词 domain wall magnetic nanotubes magnetic field
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形变量对MAE及BN的影响 被引量:4
5
作者 杜凤牡 徐约黄 《武汉大学学报(自然科学版)》 CSCD 1997年第5期628-632,共5页
研究了无取向硅钢W23G,W10,W14和取向硅钢Q8G4种材料在不同形变量下的磁声发射(MAE)和巴克豪森噪音(BN),结果表明MAE随形变量增大而减少,BN随形变量的增大而增大.测量了形变量为10.4%的W18和... 研究了无取向硅钢W23G,W10,W14和取向硅钢Q8G4种材料在不同形变量下的磁声发射(MAE)和巴克豪森噪音(BN),结果表明MAE随形变量增大而减少,BN随形变量的增大而增大.测量了形变量为10.4%的W18和W23G在100,200,300,…,700°C各退火1h的MAE与BN值.其中MAE值随退火温度的升高逐渐增大,BN值在高于500°C退火时明显下降.并对上述实验结果进行了详细讨论. 展开更多
关键词 磁声发射 巴克豪森噪音 磁畴壁 形变量 铁磁材料
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磁声发射源及其机制的研究 被引量:3
6
作者 郭盈 徐约黄 杜凤牡 《武汉大学学报(自然科学版)》 CSCD 1990年第4期39-45,128,129,共9页
研究了无取向多晶、(110)[001]取向多晶与单晶三类硅钢材料的磁声发射行为,测量了三类试片的磁化曲线与磁滞回线,用粉纹法观察了磁畴结构,用X射线衍射法测量了单晶试片的取向。实验结果表明:取向为(110)[001]只含180°畴壁的单晶体... 研究了无取向多晶、(110)[001]取向多晶与单晶三类硅钢材料的磁声发射行为,测量了三类试片的磁化曲线与磁滞回线,用粉纹法观察了磁畴结构,用X射线衍射法测量了单晶试片的取向。实验结果表明:取向为(110)[001]只含180°畴壁的单晶体,磁声发射仍相当强,即使在磁致伸缩系数几乎为零的磁场下,磁声发射信号仍相当丰富,说明180°磁畴壁运动的确是磁声发射源。对源机制进行了分析讨论。 展开更多
关键词 磁声发射 磁致伸缩 磁畴 畴壁振荡
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硬磁畴稳定性与垂直布洛赫线间静磁相互作用的关系 被引量:2
7
作者 唐贵德 刘英 +2 位作者 孙会元 聂向富 李伯臧 《应用科学学报》 CAS CSCD 1998年第3期291-299,共9页
研究石榴石磁泡膜在直流偏磁场作用下布洛赫线间的静磁作用对硬磁畴稳定性的影响.一方面实验研究了圆形硬磁畴的缩灭行为和条泡转变行为以及两种行为间的关系;另一方面通过引入相邻布洛赫线间的静磁作用能,改进了圆柱形硬磁畴的畴壁... 研究石榴石磁泡膜在直流偏磁场作用下布洛赫线间的静磁作用对硬磁畴稳定性的影响.一方面实验研究了圆形硬磁畴的缩灭行为和条泡转变行为以及两种行为间的关系;另一方面通过引入相邻布洛赫线间的静磁作用能,改进了圆柱形硬磁畴的畴壁能公式,从而使一些多年来一直不能解释的硬磁畴在直流偏磁场下的行为得到了统一的解释,并在此基础上提出了估算硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线数目的方法.最后还应用经该文改进了的畴壁能公式定性地解释了部分硬磁畴种类随温度而变化的现象. 展开更多
关键词 磁泡 布洛赫线 硬磁畴 稳定性 静磁相互作用 ID
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铁磁畴壁中自旋极化电流诱导的左旋极化自旋波
8
作者 刘想 王希光 +1 位作者 李志雄 郭光华 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第14期222-227,共6页
极化指的是波偏振的方式,是波的一个基本性质.利用波的极化可以进行信息的编码,这一编码方式在光学和声学中得到广泛应用.利用自旋波进行信息的传递和处理是磁子学的主要研究课题.然而在铁磁材料中,由于只存在右旋极化的自旋波,利用波... 极化指的是波偏振的方式,是波的一个基本性质.利用波的极化可以进行信息的编码,这一编码方式在光学和声学中得到广泛应用.利用自旋波进行信息的传递和处理是磁子学的主要研究课题.然而在铁磁材料中,由于只存在右旋极化的自旋波,利用波的极化进行信息的编码在铁磁自旋波器件中始终没有实现.前期研究发现,通过自旋极化电流可以在铁磁体中产生左旋极化自旋波,从而有望实现利用极化编码的自旋波器件.然而在一个均匀磁化铁磁体中产生左旋极化自旋波所需的电流密度过大,实验上难以实现.磁畴壁可作为自旋波波导,且畴壁中自旋波的截止频率趋近于零.本文从朗道-栗弗席兹方程出发,研究了在自旋极化电流存在的条件下磁畴壁中自旋波的色散关系和传播特性,证明只需要很小的自旋极化电流就可在畴壁中产生稳定的左旋极化自旋波.微磁学模拟证明了理论分析结果.该项研究为研制基于极化编码信息的自旋波器件提供了一个实际可行的方案. 展开更多
关键词 自旋波 磁畴壁 自旋极化电流 微磁学
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外磁场作用下缺陷区的磁畴变化 被引量:2
9
作者 刘美全 徐章遂 +1 位作者 陈鹏 李建增 《河北师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2009年第3期334-337,共4页
运用磁力显微镜观察外磁场作用下缺陷处的微磁场变化,通过分析缺陷附近磁畴的变化特征得出材料中存在缺陷时,缺陷对畴壁形成钉扎,使得缺陷两侧形成反向势垒,阻碍了畴壁运动,在缺陷边缘附近导致磁荷聚集,形成微磁固定结点,由于微磁固定... 运用磁力显微镜观察外磁场作用下缺陷处的微磁场变化,通过分析缺陷附近磁畴的变化特征得出材料中存在缺陷时,缺陷对畴壁形成钉扎,使得缺陷两侧形成反向势垒,阻碍了畴壁运动,在缺陷边缘附近导致磁荷聚集,形成微磁固定结点,由于微磁固定结点内磁化强度的法向分量不连续,缺陷区形成泄漏微磁场,泄漏微磁场的奇异特征包含了缺陷信息,为缺陷微磁生成机理和微磁检测研究提供了理论和实验支撑. 展开更多
关键词 缺陷 微磁场 磁畴 磁畴壁
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Observation of Magnetic Domain Structures of Magnetic Thin Films by the Lorentz Electron Microscopy 被引量:1
10
作者 A. Okada M Chimura +2 位作者 K Hamada M Arita I. Ishida(Advanced Materials Science Laboratory, Division of Electronics and information Engineering, Graduate School of Engineering, Hokkaido University,Sapporo 060-8628, Japan) 《International Journal of Minerals,Metallurgy and Materials》 SCIE EI CAS CSCD 1999年第2期119-124,共6页
The microstructure change in thin NiFe/Cu/NiFe films during the magnetization process was observed by the Lorentz electronmicroscopy. TWo types of films were prepared: (1) one NiFe layer with anisotropy and the other ... The microstructure change in thin NiFe/Cu/NiFe films during the magnetization process was observed by the Lorentz electronmicroscopy. TWo types of films were prepared: (1) one NiFe layer with anisotropy and the other layer without, and (2) both NiFe layershave anisotropy normal each other. The domain wall migration and magnetization rotation processes in each of NiFe layers could be observed separately. The presence of magnetic anisotropy in the magnetic layer effectively controls the behavior of magnetic domains. Theinteraction between the two NiFe layers of the film could be observed not so strong in the present experiment. 展开更多
关键词 magnetic domain domain wall Lorentz microscopy multi-layers thin films hysteresis loop permalloy film
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Sn对Nd-Fe-B合金高温(423K)磁后效和畴壁钉扎的影响 被引量:3
11
作者 张正富 黄伯云 +1 位作者 周科朝 左铁镛 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期191-195,共5页
研究了Nd-Dy-Fe-B和Nd-Dy-Fe-B-Sn合金在423K的磁后效,发现两者的磁化强度都按时间对数衰减,Nd-Dy- Fe-B-Sn合金的磁后效起伏场H_f大于Nd-Dy-Fe-B合金.用Gaunt的畴壁钉扎... 研究了Nd-Dy-Fe-B和Nd-Dy-Fe-B-Sn合金在423K的磁后效,发现两者的磁化强度都按时间对数衰减,Nd-Dy- Fe-B-Sn合金的磁后效起伏场H_f大于Nd-Dy-Fe-B合金.用Gaunt的畴壁钉扎理论分析该温度下两者的钉扎机制后发现,对 于Nd-Dy-Fe-B-Sn合金,按畴壁强钉扎模型计算的钉扎密度与显微分析一致,因而,其反磁化过程在此温度下由畴壁强钉扎控制。 而Nd-Dy-Fe-B合金的实验结果,与强钉扎模型计算结果不相符,进一步分析表明,Nd-Dy-Fe-B合金的磁化反转过程由局域化弱钉扎控制。 展开更多
关键词 磁后效 畴壁钉扎 永磁体
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固体物理教学的若干思考Ⅱ:磁学前沿案例 被引量:3
12
作者 袁喆 《大学物理》 2021年第4期1-5,18,共6页
固体物理学是物理学本科教育的一门核心课程,其内容紧密联系凝聚态物理研究前沿.在教学中引入适当的前沿进展,可以拓展学生的学术视野,激发深入学习和参与研究的动力.本文结合固体物理中的铁磁性章节,选择铁磁金属中磁畴壁导致的电阻作... 固体物理学是物理学本科教育的一门核心课程,其内容紧密联系凝聚态物理研究前沿.在教学中引入适当的前沿进展,可以拓展学生的学术视野,激发深入学习和参与研究的动力.本文结合固体物理中的铁磁性章节,选择铁磁金属中磁畴壁导致的电阻作为一个典型案例,引导学生整合能带论、微扰论和输运现象等基础知识,分析磁畴壁中的自旋相关输运问题,从而将自旋电子学的前沿研究融入固体物理教学中,为打造具有高阶性、创新性和挑战度的固体物理课程提供参考. 展开更多
关键词 固体物理学 固体的磁性 自旋相关输运 磁畴壁
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静载荷下硅钢片的磁畴结构变化 被引量:2
13
作者 郑初华 潘强华 +2 位作者 任吉林 宋凯 刘昌奎 《无损检测》 2011年第7期11-14,共4页
利用Bitter粉纹法观察了未经磁化、受力程度不同的无取向硅钢片试件的磁畴结构,对比分析了应力对磁畴及磁场值△B的影响。结果表明:无取向硅钢试件在未受力或应力集中较小时,晶粒内磁畴以180°剑状畴为主,同一晶粒内畴壁相互平行;... 利用Bitter粉纹法观察了未经磁化、受力程度不同的无取向硅钢片试件的磁畴结构,对比分析了应力对磁畴及磁场值△B的影响。结果表明:无取向硅钢试件在未受力或应力集中较小时,晶粒内磁畴以180°剑状畴为主,同一晶粒内畴壁相互平行;随着应力集中程度增加,畴壁长度和间距发生改变,出现了迷宫畴,并且随着应力集中程度越大,迷宫畴的数量越多,表面磁场值△B越大。试验为探讨磁记忆检测的微观机理提供了依据。 展开更多
关键词 磁畴结构 Bitter粉纹法 迷宫畴 畴壁
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垂直布洛赫线间静磁相互作用探讨
14
作者 唐贵德 胡海宁 +1 位作者 孙会元 聂向富 《哈尔滨师范大学自然科学学报》 CAS 2001年第4期101-112,共12页
本文以实验现象为基础 ,利用相邻布洛赫线间的静磁作用能 ,改进圆柱形硬磁畴的畴壁能公式 ,公式中只使用了一个由实验数据拟合而确定的参数 c.由一个典型样品得到的参数 c,用于其它几个样品计算时 ,所得数据都与实验数据符合较好 .从而... 本文以实验现象为基础 ,利用相邻布洛赫线间的静磁作用能 ,改进圆柱形硬磁畴的畴壁能公式 ,公式中只使用了一个由实验数据拟合而确定的参数 c.由一个典型样品得到的参数 c,用于其它几个样品计算时 ,所得数据都与实验数据符合较好 .从而使一些多年来一直不能解释的硬磁畴在直流偏磁场下的行为得到了统一的解释 ,特别是成功地解释了硬磁畴的一些温度特性 ,并首次提出垂直布洛赫线元模型 。 展开更多
关键词 磁泡 磁畴壁 布洛赫线 垂直布洛赫线元 静磁相互作用 静磁作用能
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Nonmonotonic effects of perpendicular magnetic anisotropy on current-driven vortex wall motions in magnetic nanostripes 被引量:1
15
作者 苏垣昌 雷海洋 胡经国 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第9期527-531,共5页
In a magnetic nanostripe, the effects of perpendicular magnetic anisotropy(PMA) on the current-driven horizontal motion of vortex wall along the stripe and the vertical motion of the vortex core are studied by micro... In a magnetic nanostripe, the effects of perpendicular magnetic anisotropy(PMA) on the current-driven horizontal motion of vortex wall along the stripe and the vertical motion of the vortex core are studied by micromagnetic simulations.The results show that the horizontal and vertical motion can generally be monotonously enhanced by PMA. However, when the current is small, a nonmonotonic phenomenon for the horizontal motion is found. Namely, the velocity of the horizontal motion firstly decreases and then increases with the increase of the PMA. We find that the reason for this is that the PMA can firstly increase and then decrease the confining force induced by the confining potential energy. In addition, the PMA always enhances the driving force induced by the current. 展开更多
关键词 domain wall motion CURRENT perpendicular magnetic anisotropy micromagnetic simulation
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自旋畴壁动力学的若干研究进展
16
作者 苗君 任增耀 姜勇 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第1期1-15,共15页
磁畴壁运动是实现信息高速存储的新途径,而畴壁调控领域的研究目前尚不全面.探索磁场、电流及其他物理场对磁畴壁的作用,在理论与实际应用方面均具有重要意义.本文简述了近年来磁畴壁的自旋结构、磁畴壁电阻及磁畴壁动力学的若干研究进... 磁畴壁运动是实现信息高速存储的新途径,而畴壁调控领域的研究目前尚不全面.探索磁场、电流及其他物理场对磁畴壁的作用,在理论与实际应用方面均具有重要意义.本文简述了近年来磁畴壁的自旋结构、磁畴壁电阻及磁畴壁动力学的若干研究进展,阐述了磁畴壁研究的主要方向、方法以及重要性,分析了形状结构对畴壁类型的影响和各种外场对畴壁运动的调控,提出了通过对磁畴壁的精确操控,可实现信息存储.展望了利用外场调控磁畴壁,为信息读写或逻辑控制提供新途径,在未来信息存储领域具有潜在的应用价值. 展开更多
关键词 磁畴壁 畴壁电阻 畴壁运动 磁性纳米
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钙钛矿型锰氧化物La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3的磁谱研究 被引量:2
17
作者 王锦辉 朱浩 +2 位作者 顾本喜 钟伟 都有为 《南京大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期223-227,共5页
报导了钙钛矿型锰氧化物La0 .7Sr0 .3MnO3多晶材料不同温度下磁谱的初步研究结果 .平均粒径分别为 4 5、6 6、10 5、140和 12 0 0nm的样品由溶胶 凝胶法制备 .当平均粒径大于10 5nm时 ,样品的磁谱为典型的弛豫型谱线 .共振频率和准静... 报导了钙钛矿型锰氧化物La0 .7Sr0 .3MnO3多晶材料不同温度下磁谱的初步研究结果 .平均粒径分别为 4 5、6 6、10 5、140和 12 0 0nm的样品由溶胶 凝胶法制备 .当平均粒径大于10 5nm时 ,样品的磁谱为典型的弛豫型谱线 .共振频率和准静态磁导率随温度降低而减少 ;随平均粒径增加 ,准静态磁导率增大 ,而共振频率却减小 .当平均粒径小于 6 6nm时 ,观察不到类似的弛豫 .实验结果显示 ,弛豫谱线主要是由于畴壁位移造成的 。 展开更多
关键词 钙钛矿型锰氧化物 LA0.7SR0.3MNO3 磁谱 畴壁驰豫 涡流效应 溶胶-凝胶法 共振频率 准静态磁导率
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微型NiFe磁性薄膜元件中Neel畴壁极性的转变过程 被引量:1
18
作者 余晋岳 朱军 +4 位作者 周狄 禹金强 俞爱斌 蔡炳初 魏福林 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期359-363,共5页
观察和分析了300μm×40μm×40nm的 NiFe磁性薄膜元件在难轴方向反磁化时磁畴结构转变,特别是 Neel畴壁从正极性壁(N_+)转变为负极性壁(N_)的全过程.磁畴结构的转变包含畴壁合并、封闭畴转变、... 观察和分析了300μm×40μm×40nm的 NiFe磁性薄膜元件在难轴方向反磁化时磁畴结构转变,特别是 Neel畴壁从正极性壁(N_+)转变为负极性壁(N_)的全过程.磁畴结构的转变包含畴壁合并、封闭畴转变、钩形畴转变及Neel畴壁极性转变等不可逆因素.对畴壁极性转变的两种方式(即 N_+→N_直接转变及经由十字壁(N_ct)的 N_+→N_ct→N_间接转变)进行了分析讨论. N_往往在元件末端新生封闭畴和正极性主畴壁的连结点成核,然后向中间扩展. N_+→N_ct的转变是通过 N_+ 壁的数次分裂来实现的. 展开更多
关键词 磁性薄膜元件 反磁化 磁畴 Neel畴壁
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微型NiFe条形薄膜元件在反磁化过程中的磁畴活动 被引量:1
19
作者 余晋岳 周勇 +2 位作者 宋柏泉 叶伟春 张宏 《应用科学学报》 CAS CSCD 1996年第3期318-324,共7页
该文应用Bitter粉纹技术系统地观察,并从能量分析了微型40nm厚度NiFe薄膜条状元件在难轴方向反磁化过程中,磁畴结构的特性和变迁过程.研究表明,元件中的Barkhausen跳跃是畴壁合并、壁态转变和塞漏畴转变等... 该文应用Bitter粉纹技术系统地观察,并从能量分析了微型40nm厚度NiFe薄膜条状元件在难轴方向反磁化过程中,磁畴结构的特性和变迁过程.研究表明,元件中的Barkhausen跳跃是畴壁合并、壁态转变和塞漏畴转变等不可逆磁畴结构变化过程的结果. 展开更多
关键词 薄膜元件 反磁化 磁畴 畴壁 NIFE 磁记录
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Influence of spin–orbit coupling on spin-polarized electronic transport in magnetic semiconductor nanowires with nanosized sharp domain walls
20
作者 Lian Liu Wen-Xiang Chen +1 位作者 Rui-Qiang Wang Liang-Bin Hu 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第4期384-390,共7页
Influence of spin–orbit coupling on spin-polarized electronic transport in magnetic semiconductor nanowires with nanosized sharp domain walls is investigated theoretically.It is shown that the Rashba spin–orbit coup... Influence of spin–orbit coupling on spin-polarized electronic transport in magnetic semiconductor nanowires with nanosized sharp domain walls is investigated theoretically.It is shown that the Rashba spin–orbit coupling can enhance significantly the spin-flip scattering of charge carriers from a nanosized sharp domain wall whose extension is much smaller than the carrier's Fermi wavelength.When there are more than one domain wall presented in a magnetic semiconductor nanowire,not only the spin-flip scattering of charge carriers from the domain walls but the quantum interference of charge carriers in the intermediate domain regions between neighboring domain walls may play important roles on spin-polarized electronic transport,and in such cases the influences of the Rashba spin–orbit coupling will depend sensitively both on the domain walls' width and the domain walls' separation. 展开更多
关键词 magnetic semiconductor nanowires domain wall spin-orbit coupling spin-polarized electronic transport
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