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低温制备应变硅沟道MOSFET栅介质研究
被引量：
3
1
作者
谭静
李竞春
+2 位作者
杨谟华
徐婉静
张静
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第2期118-120,124,共4页
分别对300°C下采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)和700°C下采用热氧化技术制备应变硅沟道MOS器件栅介质薄膜进行了研究。采用PECVD制备SiO2栅介质技术研制的应变硅沟道PMOSFET(W/L=20μm/2μm)跨导可达45mS/mm(300K),阈...
分别对300°C下采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)和700°C下采用热氧化技术制备应变硅沟道MOS器件栅介质薄膜进行了研究。采用PECVD制备SiO2栅介质技术研制的应变硅沟道PMOSFET(W/L=20μm/2μm)跨导可达45mS/mm(300K),阈值电压为1.2V;在700°C下采用干湿氧结合,制得电学性能良好的栅介质薄膜,并应用于应变硅沟道PMOSFET(W/L=52μm/4.5μm)器件研制,其跨导达到20mS/mm(300K),阈值电压为0.4V。
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关键词
等离子体增强化学气相淀积
低温热氧化
栅介质
应变硅沟道
MOS器件
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职称材料
用对靶磁控溅射附加低温热氧化处理方法制备相变氧化钒薄膜
被引量：
1
2
作者
梁继然
胡明
+1 位作者
刘志刚
韩雷
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第7期1203-1208,共6页
采用直流对靶磁控溅射低价态氧化钒(VO2-x)薄膜再附加热氧化处理的方式,进行具有金属-半导体相变特性氧化钒薄膜的制备。采用X射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对薄膜中钒的价态与组分、薄膜结晶结构和表面微观...
采用直流对靶磁控溅射低价态氧化钒(VO2-x)薄膜再附加热氧化处理的方式,进行具有金属-半导体相变特性氧化钒薄膜的制备。采用X射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对薄膜中钒的价态与组分、薄膜结晶结构和表面微观形貌进行分析,利用热敏感系统对薄膜的电阻温度特性进行测量。结果表明:新制备的低价态氧化钒薄膜以V2O3和VO为主,经过300℃低温热氧化处理后,薄膜中出现单斜金红石结构的VO2相,薄膜具有金属-半导体相变特性;薄膜表面颗粒之间存在间隙,利于氧的渗入;在300～320℃进行热处理时,薄膜中的V2O3和VO向单斜结构的VO2转变,VO2含量增加,随着薄膜内VO2含量的增加,薄膜的金属-半导体相变幅度增大,超过2个数量级,相变性能变好,但是此热处理温度区间对已获得的VO2的结构没有影响。同时利用直流对靶磁控溅射方法还可以在低氧化温度下获得具有优异金属-半导体相变特性的氧化钒薄膜,制备工艺与微机械电子系统(MEMS)工艺相兼容。
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关键词
相变氧化钒薄膜
低温热氧化
直流对靶磁控溅射
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职称材料
低温热氧化法强化剩余污泥微生物燃料电池的产电特性
3
作者
郭珊
阳柳
+8 位作者
龚育诚
邢成广
黄世豪
王丹阳
苗珂
杨志舒
刘志华
赵文玉
陈启杰
《环境化学》
CAS
CSCD
北大核心
2020年第5期1330-1336,共7页
城市污水处理厂污泥因有机物含量高而成为微生物燃料电池(MFC)应用研究的主要方向之一,而污泥中有机质的释放成为限制其发展的主要因素.本实验利用低温热解和过氧化氢氧化处理的耦合方法预处理城市污水处理厂污泥,分析了其作为燃料对MF...
城市污水处理厂污泥因有机物含量高而成为微生物燃料电池(MFC)应用研究的主要方向之一,而污泥中有机质的释放成为限制其发展的主要因素.本实验利用低温热解和过氧化氢氧化处理的耦合方法预处理城市污水处理厂污泥,分析了其作为燃料对MFC产电性能的影响.研究表明,利用预处理后的污泥上清液作为燃料,预处理温度、时间、pH值和过氧化氢投加量对MFC的产电性能影响大.当温度、时间、pH值和过氧化氢分别为100℃、90 min、11和500 g·kg TSS-1的预处理条件下,MFC功率密度最大,分别为235、287、233.2、280 mW·m-3.采用热氧化法预处理污泥,可有利于污泥的破解,使能被产电菌利用的营养物质增多,提高了MFC产电特性,可为污泥资源化利用提供有益的参考.
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关键词
剩余污泥
微生物燃料电池
低温热氧化法
功率密度
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职称材料
题名
低温制备应变硅沟道MOSFET栅介质研究
被引量：
3
1
作者
谭静
李竞春
杨谟华
徐婉静
张静
机构
电子科技大学微电子与固体电子学院
模拟集成电路国家重点实验室中国电子科技集团公司第二十四研究所
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第2期118-120,124,共4页
基金
模拟集成电路国家重点实验室资助项目(51439010303DZ0202)
文摘
分别对300°C下采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)和700°C下采用热氧化技术制备应变硅沟道MOS器件栅介质薄膜进行了研究。采用PECVD制备SiO2栅介质技术研制的应变硅沟道PMOSFET(W/L=20μm/2μm)跨导可达45mS/mm(300K),阈值电压为1.2V;在700°C下采用干湿氧结合,制得电学性能良好的栅介质薄膜,并应用于应变硅沟道PMOSFET(W/L=52μm/4.5μm)器件研制,其跨导达到20mS/mm(300K),阈值电压为0.4V。
关键词
等离子体增强化学气相淀积
低温热氧化
栅介质
应变硅沟道
MOS器件
Keywords
PECVD
low
temperature
thermal
oxidation
Gate
insulator
Strained
Si-channel
MOSFET
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
用对靶磁控溅射附加低温热氧化处理方法制备相变氧化钒薄膜
被引量：
1
2
作者
梁继然
胡明
刘志刚
韩雷
机构
天津大学
出处
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第7期1203-1208,共6页
基金
天津市自然科学基金面上项目(043600811)
天津市应用基础及前沿技术研究计划重点项目(08JCZDJC17500)
文摘
采用直流对靶磁控溅射低价态氧化钒(VO2-x)薄膜再附加热氧化处理的方式,进行具有金属-半导体相变特性氧化钒薄膜的制备。采用X射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对薄膜中钒的价态与组分、薄膜结晶结构和表面微观形貌进行分析,利用热敏感系统对薄膜的电阻温度特性进行测量。结果表明:新制备的低价态氧化钒薄膜以V2O3和VO为主,经过300℃低温热氧化处理后,薄膜中出现单斜金红石结构的VO2相,薄膜具有金属-半导体相变特性;薄膜表面颗粒之间存在间隙,利于氧的渗入;在300～320℃进行热处理时,薄膜中的V2O3和VO向单斜结构的VO2转变,VO2含量增加,随着薄膜内VO2含量的增加,薄膜的金属-半导体相变幅度增大,超过2个数量级,相变性能变好,但是此热处理温度区间对已获得的VO2的结构没有影响。同时利用直流对靶磁控溅射方法还可以在低氧化温度下获得具有优异金属-半导体相变特性的氧化钒薄膜,制备工艺与微机械电子系统(MEMS)工艺相兼容。
关键词
相变氧化钒薄膜
低温热氧化
直流对靶磁控溅射
Keywords
phase
transition
vanadium
oxid
e
thin
films
low
temperature
thermal
oxidation
direct
current
facing
targets
magnetron
sputtering
分类号
O614.511 [理学—无机化学]
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职称材料
题名
低温热氧化法强化剩余污泥微生物燃料电池的产电特性
3
作者
郭珊
阳柳
龚育诚
邢成广
黄世豪
王丹阳
苗珂
杨志舒
刘志华
赵文玉
陈启杰
机构
长沙理工大学化学与食品工程学院电力与交通材料保护湖南省重点实验室
出处
《环境化学》
CAS
CSCD
北大核心
2020年第5期1330-1336,共7页
基金
长沙理工大学电力与交通材料保护湖南省重点实验室开放基金(2017CL09)
2018年度湖南省重点研发计划项目(2018SK2011)
+1 种基金
长沙理工大学青年教师成长计划项目(2019QJCZ038)
湖南省教育厅优秀青年项目(19B040)资助
文摘
城市污水处理厂污泥因有机物含量高而成为微生物燃料电池(MFC)应用研究的主要方向之一,而污泥中有机质的释放成为限制其发展的主要因素.本实验利用低温热解和过氧化氢氧化处理的耦合方法预处理城市污水处理厂污泥,分析了其作为燃料对MFC产电性能的影响.研究表明,利用预处理后的污泥上清液作为燃料,预处理温度、时间、pH值和过氧化氢投加量对MFC的产电性能影响大.当温度、时间、pH值和过氧化氢分别为100℃、90 min、11和500 g·kg TSS-1的预处理条件下,MFC功率密度最大,分别为235、287、233.2、280 mW·m-3.采用热氧化法预处理污泥,可有利于污泥的破解,使能被产电菌利用的营养物质增多,提高了MFC产电特性,可为污泥资源化利用提供有益的参考.
关键词
剩余污泥
微生物燃料电池
低温热氧化法
功率密度
Keywords
residual
sludge
microbial
fuel
cell
low
temperature
thermal
oxidation
power
density
分类号
TM911.45 [电气工程—电力电子与电力传动]
X703 [环境科学与工程—环境工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
低温制备应变硅沟道MOSFET栅介质研究
谭静
李竞春
杨谟华
徐婉静
张静
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2005
3
下载PDF
职称材料
2
用对靶磁控溅射附加低温热氧化处理方法制备相变氧化钒薄膜
梁继然
胡明
刘志刚
韩雷
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
1
下载PDF
职称材料
3
低温热氧化法强化剩余污泥微生物燃料电池的产电特性
郭珊
阳柳
龚育诚
邢成广
黄世豪
王丹阳
苗珂
杨志舒
刘志华
赵文玉
陈启杰
《环境化学》
CAS
CSCD
北大核心
2020
0
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职称材料
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