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题名一种高增益低功耗CMOS LNA设计
被引量：4
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作者
唐江波
王宁章
卢安栋
罗婕思
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机构
广西大学计算机与电子信息学院
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出处
《通信技术》
2011年第4期175-177,共3页
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文摘
采用TSMC0.18μmCMOS工艺,利用ADS2008软件仿真,设计了一种高增益的CMOS低噪声放大器。与传统的共源共栅结构相比,该电路在晶体管M3的栅源极处并入电容C1,以增加系统抗干扰能力;并在级间引入一并联电感和电容与寄生电容谐振,以提高增益。仿真结果表明,在2.4 GHz工作频率下,该电路的增益大于20 dB,噪声系数小于1 dB,工作电压为1.5 V,功耗小于5 mW,且输入输出阻抗匹配良好。
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关键词
CMOS
低噪声放大器
高增益
输入输出阻抗匹配
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Keywords
CMOS
low-noise amplifier
high-gain
input and output impedances match
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分类号
TN710
[电子电信—电路与系统]
TN432
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