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Effects of Electric Field on Electronic States in a GaAs/GaAlAs Quantum Dot with Different Confinements
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作者 A. John Peter Vemuri Lakshminarayana 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2008年第8期3021-3024,共4页
Binding energies of shallow hydrogenic impurity in a GaAs/GaAlAs quantum dot with spherical confinement, parabolic confinement and rectangular confinement are calculated as a function of dot radius in the influence of... Binding energies of shallow hydrogenic impurity in a GaAs/GaAlAs quantum dot with spherical confinement, parabolic confinement and rectangular confinement are calculated as a function of dot radius in the influence of electric field. The binding energy is calculated following a variational procedure within the effective mass approximation along with the spatial depended dielectric function. A finite confining potential well with depth is determined by the discontinuity of the band gap in the quantum dot and the cladding. It is found that the contribution of spatially dependent screening effects are small for a donor impurity and it is concluded that the rectangulax confinement is better than the parabolic and spherical confinements. These results are compared with the existing literature. 展开更多
关键词 BINDING-ENERGY impurity states HYDROGENIC impurITIES MAGNETIC-FIELDS DONOR states EXCITON GAAS-GA1-XALXAS CRYSTALLITES CLUSTERS GAAS
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Effects of electron-and impurity-ion-LO phonon couples on the impurity states in cylindrical quantum wires 被引量:1
2
作者 赵增茹 梁希侠 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期15-19,共5页
The variational method and the effective mass approximation are used to calculate the phonon effects on the hydrogenic impurity states in a cylindrical quantum wire with finite deep potential by taking both the coupli... The variational method and the effective mass approximation are used to calculate the phonon effects on the hydrogenic impurity states in a cylindrical quantum wire with finite deep potential by taking both the couplings of the electron-confined bulk longitudinal optical(LO) phonons and the impurity-ion-LO phonons into account.The binding energies and the phonon contributions are calculated as functions of the transverse dimension of the quantum wire.The results show that the polaronic effect induced by the electron-LO phonon coupling and the screening effect induced by the impurity-ion-LO phonon coupling tend to compensate each other and the total effects reduce the impurity binding energies. 展开更多
关键词 quantum wire electron-phonon interaction impurity states
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Shallow impurity states in Al_xGa_(1-x)As cylindrical quantum wire
3
作者 赵增茹 王高峰 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2014年第8期15-19,共5页
Polarons bound to a shallow Coulomb impurity center in cylindrical quantum wire is studied by a vari- ational approach. The binding energies of the shallow impurity states in AlxGal-xAs cylindrical quantum wire are ca... Polarons bound to a shallow Coulomb impurity center in cylindrical quantum wire is studied by a vari- ational approach. The binding energies of the shallow impurity states in AlxGal-xAs cylindrical quantum wire are calculated as functions of the composition x and the impurity position. It is confirmed that the binding energies are reduced obviously by the influence of the electron-phonon interaction and the binding energies are increased with increasing the composition x. 展开更多
关键词 quantum wire electron-phonon interaction impurity states
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Ga_(1-x)Al_xAs-GaAs-Ga_(1-y)Al_yAs超晶格势阱中类氢杂质基态的束缚能
4
作者 王爱芬 《抚顺石油学院学报》 EI 1999年第2期73-75,79,共4页
介绍刘振鹏提出的关于有限深势阱类氢杂质态的三维薛定谔方程化为利于计算机求数值解的一维薛定谔方程的基本思想,并应用该方法计算了Ga1-xAlxAs-GaAs-Ga1-yAlyAs超晶格类氢杂质态的基态束缚能,给出了x=... 介绍刘振鹏提出的关于有限深势阱类氢杂质态的三维薛定谔方程化为利于计算机求数值解的一维薛定谔方程的基本思想,并应用该方法计算了Ga1-xAlxAs-GaAs-Ga1-yAlyAs超晶格类氢杂质态的基态束缚能,给出了x=0.3,y=0.6,及x=0.6,y=0.3时,杂质在不同位置的基态束缚能结果。该结果比Tanaka的结果精确。 展开更多
关键词 超晶格 基态 势阱 束缚能 氢杂质 半导体
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二维GeSe纳米片五族和七族原子掺杂的受主和施主杂质态(英文)
5
作者 熊宗刚 杜娟 张现周 《计算物理》 EI CSCD 北大核心 2019年第6期733-741,共9页
采用第一性原理的计算方法研究GeSe纳米片结构掺杂Ⅴ和Ⅶ族元素对其电子结构、形成能和跃迁能级的影响.结果表明:无论是掺杂Ⅴ族还是Ⅶ族元素,体系的形成能均随杂质半径的增加而增加.Ⅴ族元素掺杂体系的跃迁能级随杂质原子半径的增加而... 采用第一性原理的计算方法研究GeSe纳米片结构掺杂Ⅴ和Ⅶ族元素对其电子结构、形成能和跃迁能级的影响.结果表明:无论是掺杂Ⅴ族还是Ⅶ族元素,体系的形成能均随杂质半径的增加而增加.Ⅴ族元素掺杂体系的跃迁能级随杂质原子半径的增加而降低,而Ⅶ元素掺杂的体系却随杂质原子半径的增加而增加.其中,F、Cl、Br和I的掺杂为n型施主浅能级杂质,而N、P和As掺杂为p型受体深能级杂质.为相关的实验研究提供了理论参考. 展开更多
关键词 Ge Se单层 杂质态 第一性原理计算
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The Structure of Essential Spectra and Discrete Spectrum of Three-Electron Systems in the Impurity Hubbard Model—Quartet State 被引量:3
6
作者 S. M. Tashpulatov 《Journal of Applied Mathematics and Physics》 2021年第6期1391-1421,共31页
We consider a three-electron system in the Impurity Hubbard model with a coupling between nearest-neighbors. Our research aim consists of studying the structure of essential spectrum and discrete spectra of the energy... We consider a three-electron system in the Impurity Hubbard model with a coupling between nearest-neighbors. Our research aim consists of studying the structure of essential spectrum and discrete spectra of the energy operator of three-electron systems in the impurity Hubbard model in the quartet state of the system in a <em>v</em>-dimensional lattice. We have reduced the study of the spectrum of the three-electron quartet state operator in the impurity Hubbard model to the study of the spectrum of a simpler operator. We proved the essential spectra of the three-electron systems in the Impurity Hubbard model in the quartet state is the union of no more than six segments, and the discrete spectrum of the system is consists of no more than four eigenvalues. 展开更多
关键词 Essential Spectrum Discrete Spectrum Three-Electron System Local impurity states impurity Hubbard Model Quartet state Doublet state
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闪锌矿GaN量子点中类氢杂质态的束缚能 被引量:4
7
作者 楚兴丽 张莹 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期173-176,共4页
在有效质量近似下,用变分法研究了闪锌矿GaN/Al_xGa_(1-x)N单量子点中的类氢杂质态.结果表明量子点中的杂质位置和量子点结构参数(量子点高度H、半径R及Al含量x)对施主束缚能有很大的影响.当杂质位于量子点中心时,施主束缚能E_b有最大值... 在有效质量近似下,用变分法研究了闪锌矿GaN/Al_xGa_(1-x)N单量子点中的类氢杂质态.结果表明量子点中的杂质位置和量子点结构参数(量子点高度H、半径R及Al含量x)对施主束缚能有很大的影响.当杂质位于量子点中心时,施主束缚能E_b有最大值.此外,施主束缚能E_b随着量子点高度H(半径R)的增大而减小,随着量子点中Al含量x的增大而增大. 展开更多
关键词 量子点 类氢杂质态 施主 束缚能
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ZnO∶Al/p-Si的接触特性
8
作者 刘磁辉 段理 +4 位作者 林碧霞 刘秉策 雷欢 蔡俊江 傅竹西 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期526-530,共5页
利用射频磁控溅射制备了ZnO:Al/p-Si接触,并对其进行C-V和I-V特性的77~350 K变温测量.并对未热退火和800℃热退火两种样品的测量结果进行了对比分析.结果发现,未经热退火和经过热退火处理的样品在C-V和I-V特性上有很大差别.解释了两种... 利用射频磁控溅射制备了ZnO:Al/p-Si接触,并对其进行C-V和I-V特性的77~350 K变温测量.并对未热退火和800℃热退火两种样品的测量结果进行了对比分析.结果发现,未经热退火和经过热退火处理的样品在C-V和I-V特性上有很大差别.解释了两种样品的C-V和I-V测量结果的不同.对于未退火的样品,由于界面处的大量界面态的屏蔽作用,使得ZnO:Al/p-Si异质结的C-V曲线发生畸变.经800℃热退火,ZnO:Al/p-Si异质结的C-V特性恢复正常,说明热退火已经消除了异质结中的界面态和缺陷态.研究表明ZnO:Al/p-Si异质结经适当热退火处理有更好的整流特性同时对光致发光也更有利. 展开更多
关键词 氧化锌异质结 C—V特性 I-V特性 界面态
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闪锌矿GaN/AIGaN耦合量子点中的类氢杂质态
9
作者 楚兴丽 王艳文 《河南师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期43-45,共3页
在有效质量近似下,运用变分法计算了闪锌矿GaN/AIGaN耦合量子点中类氢杂质的施主束缚能.数值结果显示了类氢杂质的施主束缚能很大程度依赖于杂质位置和耦合量子点结构参数,当杂质位于量子点中心时,施主束缚能最大,而且随着中间垒宽的增... 在有效质量近似下,运用变分法计算了闪锌矿GaN/AIGaN耦合量子点中类氢杂质的施主束缚能.数值结果显示了类氢杂质的施主束缚能很大程度依赖于杂质位置和耦合量子点结构参数,当杂质位于量子点中心时,施主束缚能最大,而且随着中间垒宽的增加,杂质束缚能保持着先增加,然后不变的趋势. 展开更多
关键词 耦合量子点 类氢杂质态 施主 束缚能
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单电子输运器件中的动态电子传输
10
作者 董清 郭华忠 《四川大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期391-396,共6页
在基于GaAs/AlGaAs异质结二维电子气的声表面波单电子输运器件中,利用声表面波诱发的动态量子点依次通过由串联的三对刻蚀门电极各自所形成的准一维通道,成功实现了电子的量子化动态输运,并对输运特性进行了分析.通过提出局域态杂质模... 在基于GaAs/AlGaAs异质结二维电子气的声表面波单电子输运器件中,利用声表面波诱发的动态量子点依次通过由串联的三对刻蚀门电极各自所形成的准一维通道,成功实现了电子的量子化动态输运,并对输运特性进行了分析.通过提出局域态杂质模型和电子的屏蔽效应,解释了实验中观测到的双峰声电电流现象. 展开更多
关键词 GaAs/AlGaAs异质结 声表面波 单电子器件 局域态杂质
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Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe异质结系统的施主能级 被引量:5
11
作者 宫箭 班士良 《内蒙古大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 2000年第5期482-486,共5页
对单异质结界面系统 ,引入三角近似异质结势 ,利用变分法讨论在界面附近束缚于施主杂质的单电子基态能量 .对 Zn1-x Cdx Se/Zn Se系统的杂质态结合能做了数值计算 ,给出结合能随杂质位置、电子面密度和
关键词 异质结 结合能 硒化锌 施主杂质 锌镉硒化合物
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GaN球形量子点中类氢杂质态的二次斯塔克效应 被引量:1
12
作者 皇甫艳芳 闫祖威 《内蒙古大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期18-23,共6页
在有效质量近似下,利用微扰—变分法研究了GaN球形量子点中类氢杂质态的二次斯塔克效应.计算了杂质态结合能随量子点半径和外加电场强度的变化关系.数值结果表明,随量子点尺寸和外加电场强度的增加,基态能和结合能均单调降低.此外,随着... 在有效质量近似下,利用微扰—变分法研究了GaN球形量子点中类氢杂质态的二次斯塔克效应.计算了杂质态结合能随量子点半径和外加电场强度的变化关系.数值结果表明,随量子点尺寸和外加电场强度的增加,基态能和结合能均单调降低.此外,随着量子点半径的增大,斯塔克效应变得越来越明显.结果还表明在同一外电场下,球形量子点中杂质态的斯塔克能移较无杂质时导带电子的斯塔克能移小. 展开更多
关键词 杂质态 电场强度 量子点尺寸 结合能 斯塔克效应
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真空电弧熔炼制备U3Si2块体及其杂质状态研究 被引量:2
13
作者 闫婷文 谢东华 +2 位作者 陈志磊 蒋春丽 胡殷 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第5期441-446,共6页
U3Si2作为核燃料,相比于传统的UO2燃料,具有高的铀密度和良好的导热性等优点,是极具潜力的下一代核燃料候选。U3Si2多采用电弧熔炼的方法制备,但目前对U3Si2材料的表面杂质状态的研究仍有待深入开展。本文通过真空四电弧熔炼方法制得了U... U3Si2作为核燃料,相比于传统的UO2燃料,具有高的铀密度和良好的导热性等优点,是极具潜力的下一代核燃料候选。U3Si2多采用电弧熔炼的方法制备,但目前对U3Si2材料的表面杂质状态的研究仍有待深入开展。本文通过真空四电弧熔炼方法制得了U3Si2样品。通过X射线衍射仪分析了样品结构与取向特性。能量色散谱仪以及X射线光电子能谱分析表明,电弧熔炼得到的U3Si2样品主要含有C、O杂质,其中C杂质属于表面附着,而O杂质来源于表面氧化,以及熔炼过程中引入的少量O杂质。 展开更多
关键词 U3Si2 电弧熔炼 杂质状态 表面氧化
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量子阱中不同支声子模对杂质态能量的影响 被引量:1
14
作者 赵凤岐 《内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版)》 CAS 1997年第4期22-25,共4页
在量子阱材料中,同时考虑体声子和界面声子模对受主杂质态能级的影响,给出了受主杂质态基态结合能和不同支声子模对能量的贡献随阶宽变化的数值结果.结果表明,陕宽较大时,体声子模的作用比界面声子模的作用大,阱宽较小时,界面声... 在量子阱材料中,同时考虑体声子和界面声子模对受主杂质态能级的影响,给出了受主杂质态基态结合能和不同支声子模对能量的贡献随阶宽变化的数值结果.结果表明,陕宽较大时,体声子模的作用比界面声子模的作用大,阱宽较小时,界面声子模的作用比体声子模的作用大,而整个电子-声子相互作用随阶宽的增大而减小. 展开更多
关键词 量子阱 杂质态 电子 声子 相互作用 声子模
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压力下极化子效应对有限深量子阱中施主结合能的影响 被引量:1
15
作者 温淑敏 班士良 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期848-855,共8页
考虑压力及屏蔽效应,同时计入量子阱结构中三类光学声子模(局域类体光学声子、半空间类体光学声子和界面光学声子)的作用,利用改进的LLP中间耦合方法处理电子-声子相互作用,讨论有限深量子阱中极化子效应对杂质态结合能的影响.结果表明... 考虑压力及屏蔽效应,同时计入量子阱结构中三类光学声子模(局域类体光学声子、半空间类体光学声子和界面光学声子)的作用,利用改进的LLP中间耦合方法处理电子-声子相互作用,讨论有限深量子阱中极化子效应对杂质态结合能的影响.结果表明,极化子效应使杂质态结合能明显降低,但压力使极化子效应减弱,屏蔽对极化子效应的影响不明显. 展开更多
关键词 量子阱 屏蔽 压力 杂质态 结合能 极化子效应
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应变量子阱中杂质态结合能的压力效应 被引量:1
16
作者 温淑敏 赵春旺 王细军 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第A01期97-100,104,共5页
对应变闪锌矿(001)取向GaN-AlxGa1-xN量子阱系统,采用变分法讨论了流体静压力对束缚于界面附近的浅杂质态结合能的影响。计算结果表明,考虑压力对单轴、双轴应变的调制及电子有效质量,材料介电常数及禁带宽度的影响,杂质态的结合能随压... 对应变闪锌矿(001)取向GaN-AlxGa1-xN量子阱系统,采用变分法讨论了流体静压力对束缚于界面附近的浅杂质态结合能的影响。计算结果表明,考虑压力对单轴、双轴应变的调制及电子有效质量,材料介电常数及禁带宽度的影响,杂质态的结合能随压力呈线性变化。由简化相干势近似法讨论了垒材料AlxGa1-xN中Al组分对杂质态结合能的影响。结果表明,在阱宽和压力固定时,当Al组分增加时杂质态结合能会逐渐增加;且压力较大时结合能随组分的增加更加显著。Al组分的增加使电子的二维特性增强,从而使结合能增大。 展开更多
关键词 GaN-AlxGa1-xN量子阱 杂质态 结合能 压力 应变
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Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe异质结中的束缚极化子
17
作者 曹轶乐 班士良 《内蒙古大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期389-394,共6页
对半导体单异质结系统 ,引入三角势近似异质结势 ,考虑电子、杂质与声子的相互作用 ,利用改进的 LLP变分法讨论在界面附近束缚于正施主杂质的极化子基态能量 .对 Zn1-xCdx Se/Zn Se系统的杂质态结合能进行了数值计算 ,给出了结合能、声... 对半导体单异质结系统 ,引入三角势近似异质结势 ,考虑电子、杂质与声子的相互作用 ,利用改进的 LLP变分法讨论在界面附近束缚于正施主杂质的极化子基态能量 .对 Zn1-xCdx Se/Zn Se系统的杂质态结合能进行了数值计算 ,给出了结合能、声子贡献随杂质位置、电子面密度和组分的变化关系 .结果表明 ,杂质 -声子相互作用显著且声子对结合能的作用为负 . 展开更多
关键词 半导体异质结 极化子 杂质态 三角势近似 施主杂质
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外电场对压力下有限深量子阱中杂质态结合能的影响
18
作者 温淑敏 《内蒙古工业大学学报(自然科学版)》 2009年第3期182-187,共6页
考虑压力及屏蔽效应,利用变分法讨论外电场下有限深量子阱中的施主杂质态能级.对GaAs/AL0.3Ga0.7As量子阱系统中的杂质态结合能进行了数值计算,给出结合能随阱宽和电场强度的变化关系,并讨论了有无压力和屏蔽时的区别.结果显示,施主结... 考虑压力及屏蔽效应,利用变分法讨论外电场下有限深量子阱中的施主杂质态能级.对GaAs/AL0.3Ga0.7As量子阱系统中的杂质态结合能进行了数值计算,给出结合能随阱宽和电场强度的变化关系,并讨论了有无压力和屏蔽时的区别.结果显示,施主结合能随电场强度增加或减少既依赖于杂质位置的不同又依赖于阱宽的不同,电场强度对杂质态的结合能影响也与压力及屏蔽有关. 展开更多
关键词 量子阱 屏蔽 压力 杂质态 结合能 外电场
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二维氢负离子
19
作者 王怀玉 孙金祚 《烟台大学学报(自然科学与工程版)》 CAS 1997年第4期245-249,共5页
在半导体掺杂材料或超晶格材料中存在着带负电的杂质,在高浓度掺杂时应考虑杂质之间的相互作用,对δ层掺杂则需要计算二维杂质模型,所有这些都必须研究二维氢负离子.本文采取了合适的步骤,计算了二维氢负离子的能量,与三维氢负离... 在半导体掺杂材料或超晶格材料中存在着带负电的杂质,在高浓度掺杂时应考虑杂质之间的相互作用,对δ层掺杂则需要计算二维杂质模型,所有这些都必须研究二维氢负离子.本文采取了合适的步骤,计算了二维氢负离子的能量,与三维氢负离子作了比较,分析了各变分参量的数值差别及其物理意义. 展开更多
关键词 氢负离子 杂质态 波函数 能级 半导体 掺杂
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金刚石膜的氮掺杂行为 被引量:3
20
作者 李明吉 吕宪义 +3 位作者 孙宝茹 李春燕 李博 金曾孙 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期183-187,共5页
采用电子辅助化学气相沉积法(EA-CVD)制备了氮掺杂金刚石膜,用SEM、Raman光谱、XPS、EPR等测试手段研究了金刚石薄膜的品质和膜中的氮杂质状态。结果表明,随着氮气流量的增加,金刚石膜的形貌从完整的晶面逐渐变为与(100)面共存的“菜花... 采用电子辅助化学气相沉积法(EA-CVD)制备了氮掺杂金刚石膜,用SEM、Raman光谱、XPS、EPR等测试手段研究了金刚石薄膜的品质和膜中的氮杂质状态。结果表明,随着氮气流量的增加,金刚石膜的形貌从完整的晶面逐渐变为与(100)面共存的“菜花状”,且非晶碳的含量增加,品质下降。金刚石膜中氮以Ns0、[N—V]0和[N—V]-1的形式存在,在较低氮气流量下[N—V]0和[N—V]-1的含量较多,Ns0氮杂质的质量分数在1.50×10-5~4.83×10-4之间变化。 展开更多
关键词 金刚石膜 EA-CVD方法 膜品质 氮杂质
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