杂质的添加对SrAl_2O_4∶Eu^(2+),Dy^(3+)余辉发光特性的改善 被引量：22

1

作者 陈一诚 陈登铭 詹益松 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第6期502-506,共5页

采用溶胶 凝胶法制备SrAl2 O4 ∶Eu2 + ,Dy3+ 磷光体 ,并在合成过程中添加硼或硅以探讨光致发光及长余辉发光性质。发现硼、硅添加物不仅是助熔剂 ,且能改良SrAl2 O4 ∶Eu2 + ,Dy3+ 之长余辉的持续时间及余辉发光强度。基于不同磷光体... 采用溶胶 凝胶法制备SrAl2 O4 ∶Eu2 + ,Dy3+ 磷光体 ,并在合成过程中添加硼或硅以探讨光致发光及长余辉发光性质。发现硼、硅添加物不仅是助熔剂 ,且能改良SrAl2 O4 ∶Eu2 + ,Dy3+ 之长余辉的持续时间及余辉发光强度。基于不同磷光体样品的实验结果比较 ,综合材料表面微结构观察、X射线衍射图谱、热释发光光谱与余辉衰减曲线的测量等实验结果分析 ,推断在SrAl2 O4 ∶Eu2 + ,Dy3+ 中添加硼、硅可导致磷光体缺陷增加并稳定活化剂Eu2 + 的价态。 展开更多

关键词 稀土 SRAL2O4:EU^2+ DY^3+ 热释发光光谱 余辉衰减 长余辉发光特性 铝酸锶荧光体 掺杂 铕 镝

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真空蒸发CVD法研制超微粒SnO_2薄膜 被引量：2

2

作者 李蓉萍 季秉厚 《内蒙古大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1990年第4期521-526,共6页

用真空反应蒸发,在玻璃、陶瓷及Si-SiO_2衬底上获得晶粒线度为90至0.2μm的超微粒SnO_2薄膜,对薄膜的结构、形貌及其电学性质和光学性质进行了研究。通过控制掺杂,使薄膜具有优良的湿敏特性和气敏特性。

关键词 薄膜 SNO2 超微粒 真空蒸发 CVD法

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选择性扩散方式对硅基选择性发射极太阳电池性能的影响

3

作者 张孙浩琛 虞铮栋 王强 《南通职业大学学报》 2013年第3期80-84,共5页

研究了不同的选择性扩散方式对SE电池短路电流性能的影响。实验结果表明,采用预淀积PSG层的恒定表面杂质总量的扩散方式的SE电池可获得最佳的短路电流特性。通过对扩散工艺的研究发现,不论何种扩散方式,扩散时间的增加均会微弱降低电池... 研究了不同的选择性扩散方式对SE电池短路电流性能的影响。实验结果表明,采用预淀积PSG层的恒定表面杂质总量的扩散方式的SE电池可获得最佳的短路电流特性。通过对扩散工艺的研究发现,不论何种扩散方式,扩散时间的增加均会微弱降低电池短路电流特性;扩散温度的增加均会使电池的短路电流先增加后降低;在恒定表面浓度扩散过程中的氧化作用会导致电池性能的降低。 展开更多

关键词 杂质掺杂 太阳电池 选择性发射极 扩散方式

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无铅焊料合金研究现状

4

作者 吕金梅 陈希 +2 位作者 卢红波 孙维 张欣 《云南冶金》 2022年第6期99-105,共7页

介绍了目前广泛使用的无铅焊料体系及其优缺点,在Sn-Cu、Sn-Ag、Sn-Bi、Sn-Zn系无铅焊料合金与SnPb37合金性能进行对比的基础上,通过焊接界面IMC可靠性分析,总结了金属元素、纳米颗粒对无铅焊料合金可靠性能的影响,对Thermo-Calc计算在... 介绍了目前广泛使用的无铅焊料体系及其优缺点,在Sn-Cu、Sn-Ag、Sn-Bi、Sn-Zn系无铅焊料合金与SnPb37合金性能进行对比的基础上,通过焊接界面IMC可靠性分析,总结了金属元素、纳米颗粒对无铅焊料合金可靠性能的影响,对Thermo-Calc计算在焊料合金设计和疲劳计算的应用前景和发展趋势进行了展望。 展开更多

关键词 无铅焊料 掺杂 可靠性 Thermo-Calc计算模拟

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基区重掺杂对InGaAs/InAlAs突变HBT电流输运的影响 被引量：4

5

作者 吴利锋 唐吉玉 +2 位作者 文于华 汤莉莉 刘超 《华南师范大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2009年第1期49-51,70,共4页

基区重掺杂产生禁带变窄效应(BGN),从而导致HBT突变异质结界面的势垒高度发生改变,这会严重影响载流子的电流输运.该文基于Jain-Roulston禁带收缩模型及电流输运机理,对电子的传输进行了深入的分析,并与实验数据进行了比较,结果表明:在... 基区重掺杂产生禁带变窄效应(BGN),从而导致HBT突变异质结界面的势垒高度发生改变,这会严重影响载流子的电流输运.该文基于Jain-Roulston禁带收缩模型及电流输运机理,对电子的传输进行了深入的分析,并与实验数据进行了比较,结果表明:在基区重掺杂的条件下,考虑BGN对电流输运的影响,对于准确描述电流的输运现象是非常有必要的. 展开更多

关键词 重掺杂 禁带变窄 Jain-Roulston模型

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Ca^(2+)掺杂对NaYF_4∶Yb,Er微米晶上转换发光性能的影响 被引量：3

6

作者 李大光 刘世虎 +3 位作者 兰民 张鹏 赵丹 王丽丽 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期45-49,共5页

采用柠檬酸钠辅助的水热方法制备了一系列不同Ca2+含量的Ca2+/Yb3+/Er3+共掺的NaYF4微米片。利用透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射分析(XRD)、发光光谱等测量手段对样品进行了形貌、晶相、发光性质的表征。样品在980 nm激光泵浦下,可以... 采用柠檬酸钠辅助的水热方法制备了一系列不同Ca2+含量的Ca2+/Yb3+/Er3+共掺的NaYF4微米片。利用透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射分析(XRD)、发光光谱等测量手段对样品进行了形貌、晶相、发光性质的表征。样品在980 nm激光泵浦下,可以观察到强的上转换绿色荧光。在Ca2+的摩尔分数从0增加到8%的过程中,紫外到可见的上转换发光随着Ca2+浓度的增加而显著增强。这是由于Ca2+的掺杂导致了晶体内部的不对称性,同时也提高了晶体的结晶性。 展开更多

关键词 Ca2+掺杂 NAYF4 上转换发光

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镓铝双质掺杂提高晶闸管性能的机理研究 被引量：3

7

作者 王公堂 刘秀喜 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期1964-1969,共6页

依据Ga,A1在Si和SiO2中的扩散行为和特性,采用SiO2/Si系统,利用磁控装置精确控制Ga掺杂量,实现镓铝双质掺杂在同一扩散炉中经一次高温连续完成.该项掺杂技术能实现Si中的高均匀掺杂,扩散参数具有良好的重复性和一致性,可获得较理想的杂... 依据Ga,A1在Si和SiO2中的扩散行为和特性,采用SiO2/Si系统,利用磁控装置精确控制Ga掺杂量,实现镓铝双质掺杂在同一扩散炉中经一次高温连续完成.该项掺杂技术能实现Si中的高均匀掺杂,扩散参数具有良好的重复性和一致性,可获得较理想的杂质浓度分布.Ga,Al与Si的共价半径相接近,高温后又采取缓慢降温等措施,能明显减少晶格缺陷,提高少子寿命,降低压降.研究了受主双质掺杂与晶闸管参数之间的关系,并对镓铝双质掺杂提高晶闸管性能的机理进行了深入的分析与讨论.研究表明,镓铝双质受主掺杂有利于提高晶闸管的耐压水平和浪涌能力,能明显改善电流特性、触发特性和动态特性,优于其他受主掺杂技术. 展开更多

关键词 镓铝双质掺杂 机理 晶闸管 性能

原文传递

快速晶闸管通态特性的改善 被引量：2

8

作者 刘国辉 田石 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期188-192,共5页

从协调快速晶闸管主要参数之间矛盾关系、降低功率损耗以及并联均流应用等方面,论述了改善快速晶闸管通态特性的重要意义。在影响晶闸管通态压降的主要因素中,着重分析了提高晶闸管j3结的注入比降低通态压降的机理。为获得比较理想的杂... 从协调快速晶闸管主要参数之间矛盾关系、降低功率损耗以及并联均流应用等方面,论述了改善快速晶闸管通态特性的重要意义。在影响晶闸管通态压降的主要因素中,着重分析了提高晶闸管j3结的注入比降低通态压降的机理。为获得比较理想的杂质浓度分布,增大j3结两侧杂质浓度的比值,在快速晶闸管的制造中,p型扩散工艺采用了固态源闭管式镓铝双质掺杂技术。研究结果表明:采用该技术制造的快速晶闸管,通态基本特性参数具有较好的一致性,通态压降明显降低,通态特性明显改善,关断时间与通态压降的关系也得到了合理的协调,提高了器件的综合电气性能。 展开更多

关键词 快速晶闸管 通态特性 镓铝双质掺杂 杂质浓度分布 注入比

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采用镓铝双质掺杂制造快速晶闸管 被引量：1

9

作者 刘国辉 田石 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期30-34,共5页

介绍了采用镓铝双质掺杂制造快速晶闸管的设计要点和关键工艺。根据器件的特性要求,优化设计了基区结构参数和门极-阴极图形,采用了高级交叉指状辅助门极结构,合理确定了短路发射极的尺寸及分布形式。采用固态源闭管式扩散工艺,镓铝双... 介绍了采用镓铝双质掺杂制造快速晶闸管的设计要点和关键工艺。根据器件的特性要求,优化设计了基区结构参数和门极-阴极图形,采用了高级交叉指状辅助门极结构,合理确定了短路发射极的尺寸及分布形式。采用固态源闭管式扩散工艺,镓铝双质掺杂一次连续完成,扩散参数具有良好的均匀性和重复性,获得了较理想的杂质浓度分布,并采用12 MeV电子辐照技术控制少子寿命。研究了镓铝双质掺杂对快速晶闸管参数的影响,分析和讨论了器件特性得到改善的原理。研究结果表明,采用该掺杂技术制造的快速晶闸管,电气参数的一致性明显提高,综合性能明显改善,具有良好的阻断特性、门极特性和动态特性。 展开更多

关键词 快速晶闸管 镓铝双质掺杂 杂质浓度分布 图形设计 电子辐照

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镓铝双质掺杂在制造快速晶闸管中的应用研究

10

作者 王公堂 刘秀喜 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第8期4823-4828,共6页

采用开管式Al乳胶源涂布与气相Ga相结合的技术,实现了镓铝双质在n型Si中的均匀掺杂,得到了p型半导体.研究了镓铝双质掺杂的方法及其与器件性能的关系,并讨论了机理.利用扩展电阻法、四探针和晶闸管测试仪等手段,测试了镓铝扩散Si片的杂... 采用开管式Al乳胶源涂布与气相Ga相结合的技术,实现了镓铝双质在n型Si中的均匀掺杂,得到了p型半导体.研究了镓铝双质掺杂的方法及其与器件性能的关系,并讨论了机理.利用扩展电阻法、四探针和晶闸管测试仪等手段,测试了镓铝扩散Si片的杂质分布规律、薄层电阻RS及快速晶闸管的多项参数.利用该技术制造的快速晶闸管的关断时间toff为31.2—38.6μs,开通时间ton为4.6—5.9μs,通态峰值压降VTM为1.9—2.1V.实验和试用表明,该掺杂技术能明显提高器件的综合性能、电参数一致性和成品率,为制造快速晶闸管提供了一种可行的受主双质掺杂新工艺. 展开更多

关键词 快速晶闸管 镓铝双质掺杂技术 杂质浓度分布

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镓铝扩散产生表面层缺陷的机理及处理措施

11

作者 刘秀喜 《山东师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1997年第2期149-152,共4页

针对铝乳胶源涂布与气相Ｇａ杂质相结合的受主双质掺杂技术，分析了产生表面层缺陷的原因。

关键词 受主双质掺杂 表面层缺陷 位错 晶闸管 镓铝扩散

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掺杂As2S8非晶态薄膜波导的光阻断效应 被引量：4

12

作者 杜丽萍 陈抱雪 +4 位作者 孙蓓 陈直 邹林儿 浜中广见 矶守 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期3593-3599,共7页

实验研究了未掺杂和低浓度掺锡和掺磷的As2S8薄膜波导的光阻断效应,提供了三种样品的光阻断响应曲线、室温退激实验数据和光谱测试数据.结果表明,掺锡样品可以明显提升毫秒级响应的快过程恢复作用,同时还具有减少残留传输损耗的效果,掺... 实验研究了未掺杂和低浓度掺锡和掺磷的As2S8薄膜波导的光阻断效应,提供了三种样品的光阻断响应曲线、室温退激实验数据和光谱测试数据.结果表明,掺锡样品可以明显提升毫秒级响应的快过程恢复作用,同时还具有减少残留传输损耗的效果,掺磷的效果则相反.结合实验结果给出了分析讨论. 展开更多

关键词 光波导技术 硫属化合物玻璃 光阻断效应 掺杂

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