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2.5GS/s高速DAC陶瓷封装协同设计 被引量:2
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作者 王德敬 赵元富 +3 位作者 姚全斌 曹玉生 练滨浩 胡培峰 《电子技术应用》 北大核心 2017年第1期16-19,共4页
随着超大规模集成电路向着高密度、高频方向发展,保证高速信号的可靠传输成为封装电学设计中的关键。完成了一款转换速率为2.5 GS/s的14 bit DAC陶瓷外壳封装设计,利用芯片、封装和PCB的协同设计,保证了关键差分信号路径在2.5 GHz以内... 随着超大规模集成电路向着高密度、高频方向发展,保证高速信号的可靠传输成为封装电学设计中的关键。完成了一款转换速率为2.5 GS/s的14 bit DAC陶瓷外壳封装设计,利用芯片、封装和PCB的协同设计,保证了关键差分信号路径在2.5 GHz以内插入损耗始终大于-0.8 d B,满足了高速信号的传输要求;并结合系统为中心的协同设计和仿真,对从芯片bump到PCB的整个传输路径进行了仿真和优化,有效降低了信号的传输损耗和供电系统的电源地阻抗。 展开更多
关键词 高速DAC 陶瓷封装 协同设计与仿真 插入损耗 电源地阻抗
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