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高压直流输电系统开路试验原理分析与工程建议 被引量:10
1
作者 李泰 荆雪记 +4 位作者 孔令凯 李少华 彭忠 吴庆范 吴彦维 《电力系统保护与控制》 EI CSCD 北大核心 2015年第11期134-141,共8页
开路试验是高压直流输电工程投运前必做的一项基本试验。该实验中触发角与直流电压的关系具有特殊性。从换流阀电路模型入手,详细分析了在不带线路工况下换流阀的导通情况,推导出理想情况下直流电压与触发角的关系,并给出了理想电压公... 开路试验是高压直流输电工程投运前必做的一项基本试验。该实验中触发角与直流电压的关系具有特殊性。从换流阀电路模型入手,详细分析了在不带线路工况下换流阀的导通情况,推导出理想情况下直流电压与触发角的关系,并给出了理想电压公式的适用条件。使用三沪I回直流输电工程一次模型,在EMTDC中进行了不带线路和带线路工况下的开路试验,并对试验结果进行了详细的分析。分析和实验结果表明:带线路工况下,直流电压在触发角小于60o后到达额定值是正常的。开路试验保护中设置电压判据是不合理的,可只采用电流原理判据作为试验是否成功的依据。 展开更多
关键词 高压直流输电 开路试验 换流阀 触发角 电压判据
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Ni-Cr桥膜换能元的制备 被引量:9
2
作者 解瑞珍 任小明 +3 位作者 王可暄 薛艳 彭志明 卢斌 《含能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期584-587,共4页
为了制作出阻值一致性好,发火电压低的金属桥膜换能元,对Ni-Cr薄膜换能元制作过程中的薄膜溅射、刻蚀等工艺进行了探索,并对制作的换能元参数进行了测试。结果显示随着溅射功率的减小,薄膜的沉积速率减小,成膜致密性提高;在一定范围内,... 为了制作出阻值一致性好,发火电压低的金属桥膜换能元,对Ni-Cr薄膜换能元制作过程中的薄膜溅射、刻蚀等工艺进行了探索,并对制作的换能元参数进行了测试。结果显示随着溅射功率的减小,薄膜的沉积速率减小,成膜致密性提高;在一定范围内,刻蚀液中高氯酸所占的比例越大,刻蚀用时越短。制作的Ni-Cr薄膜换能元电阻的一致性较好,在47μF电容情况下发火电压均值为6.67 V。 展开更多
关键词 物理化学 火工品 Ni-Cr薄膜 溅射 刻蚀 换能元 发火电压
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Transforming growth factor-beta 1 enhances discharge activity of cortical neurons
3
作者 Zhihui Ren Tian Li +5 位作者 Xueer Liu Zelin Zhang Xiaoxuan Chen Weiqiang Chen Kangsheng Li Jiangtao Sheng 《Neural Regeneration Research》 SCIE CAS 2025年第2期548-556,共9页
Transforming growth factor-beta 1(TGF-β1)has been extensively studied for its pleiotropic effects on central nervous system diseases.The neuroprotective or neurotoxic effects of TGF-β1 in specific brain areas may de... Transforming growth factor-beta 1(TGF-β1)has been extensively studied for its pleiotropic effects on central nervous system diseases.The neuroprotective or neurotoxic effects of TGF-β1 in specific brain areas may depend on the pathological process and cell types involved.Voltage-gated sodium channels(VGSCs)are essential ion channels for the generation of action potentials in neurons,and are involved in various neuroexcitation-related diseases.However,the effects of TGF-β1 on the functional properties of VGSCs and firing properties in cortical neurons remain unclear.In this study,we investigated the effects of TGF-β1 on VGSC function and firing properties in primary cortical neurons from mice.We found that TGF-β1 increased VGSC current density in a dose-and time-dependent manner,which was attributable to the upregulation of Nav1.3 expression.Increased VGSC current density and Nav1.3 expression were significantly abolished by preincubation with inhibitors of mitogen-activated protein kinase kinase(PD98059),p38 mitogen-activated protein kinase(SB203580),and Jun NH2-terminal kinase 1/2 inhibitor(SP600125).Interestingly,TGF-β1 significantly increased the firing threshold of action potentials but did not change their firing rate in cortical neurons.These findings suggest that TGF-β1 can increase Nav1.3 expression through activation of the ERK1/2-JNK-MAPK pathway,which leads to a decrease in the firing threshold of action potentials in cortical neurons under pathological conditions.Thus,this contributes to the occurrence and progression of neuroexcitatory-related diseases of the central nervous system. 展开更多
关键词 central nervous system cortical neurons ERK firing properties JNK Nav1.3 p38 transforming growth factor-beta 1 traumatic brain injury voltage-gated sodium currents
PDP器件中MgO薄膜二次电子发射系数γ的研究 被引量:4
4
作者 蔡秋萍 李青 +2 位作者 王志强 张青和 许晓伟 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期416-420,446,共6页
结合等离子体显示器件 ( PDP)的放电机理 ,论述了 PDP中 Mg O保护膜的二次电子发射过程 :势能型发射和动能型发射。讨论了两种二次电子发射系数 γ的测量方法和装置 ,在此基础上 ,建立了一套简单可行的适用于 PDP样品的实验装置 ,文中... 结合等离子体显示器件 ( PDP)的放电机理 ,论述了 PDP中 Mg O保护膜的二次电子发射过程 :势能型发射和动能型发射。讨论了两种二次电子发射系数 γ的测量方法和装置 ,在此基础上 ,建立了一套简单可行的适用于 PDP样品的实验装置 ,文中给出γ值的测量结果。通过γ值的测试 ,可以反馈 Mg O保护膜的性能 。 展开更多
关键词 PDP器件 MgO薄膜 二次电子发射系数 等离子体显示器件 氧化镁 着火电压
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高Xe混合气体对荫罩式等离子体显示器性能的影响 被引量:4
5
作者 朱笛 李青 +1 位作者 况亚伟 崔渊 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期465-469,共5页
本文以提高荫罩式等离子体显示器(SM-PDP)的发光效率为目标,以7"小屏为实验平台,采用实验测试的方法研究了提高Xe浓度对着火电压、静态margin、单脉冲亮度和发光效率的影响。结果表明,Xe浓度的提高虽然增加了着火电压,但同时也加... 本文以提高荫罩式等离子体显示器(SM-PDP)的发光效率为目标,以7"小屏为实验平台,采用实验测试的方法研究了提高Xe浓度对着火电压、静态margin、单脉冲亮度和发光效率的影响。结果表明,Xe浓度的提高虽然增加了着火电压,但同时也加大了静态margin、提高了单脉冲亮度以及发光效率,因此不失为改进SM-PDP的发光效率和性能的良好途径。 展开更多
关键词 荫罩式等离子体显示器 高Xe 着火电压 静态margin 亮度 发光效率
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石墨加热器电极放电特性试验研究 被引量:4
6
作者 刘志民 成竹 蒋军亮 《装备环境工程》 CAS 2013年第3期36-38,50,共4页
采用试验方法研究了电极着火电压与表面温度、压强、距离、材料、环境气体成分的关系。结果表明,着火电压随电极表面温度升高而下降;在压强为10-2~103Pa之间,着火电压先下降后升高,最小值为Ub,min;Ub,min右侧着火电压随电极间距的增大... 采用试验方法研究了电极着火电压与表面温度、压强、距离、材料、环境气体成分的关系。结果表明,着火电压随电极表面温度升高而下降;在压强为10-2~103Pa之间,着火电压先下降后升高,最小值为Ub,min;Ub,min右侧着火电压随电极间距的增大而增大,Ub,min左侧着火电压随电极间距的增大而减小;氮气环境相较于空气环境,电极着火电压更低;对于材料为石墨、钼和铜的电极,着火电压依次降低。 展开更多
关键词 放电特性 着火电压 真空 石墨加热器
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维持电压脉宽和频率对AC-PDP放电特性的影响 被引量:1
7
作者 杜春艳 梁志虎 刘纯亮 《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期107-110,共4页
为优化交流等离子体显示器的维持电压波形 ,采用静态测量法研究了维持电压脉宽和频率对着火电压、熄火电压、记忆余裕度、记忆系数等放电特性的影响。实验结果表明 ,当脉宽大于 2 μs时 ,随着脉宽和频率的增加 ,着火电压和熄火电压减小 ... 为优化交流等离子体显示器的维持电压波形 ,采用静态测量法研究了维持电压脉宽和频率对着火电压、熄火电压、记忆余裕度、记忆系数等放电特性的影响。实验结果表明 ,当脉宽大于 2 μs时 ,随着脉宽和频率的增加 ,着火电压和熄火电压减小 ,记忆余裕度增大 ;当脉宽小于 2 μs时 ,熄火电压出现振荡现象 ;当脉宽小于 3μs时 ,记忆余裕度和记忆系数出现振荡现象 ,实际中不能用。当维持电压脉宽大于 4 μs时 ,记忆余裕和记忆系数受脉宽和频率的影响较小 ,比较稳定 ,而且着火电压也较低 。 展开更多
关键词 放电特性 AC-PDP 脉宽 频率 交流等离子体显示器 着火电压 熄火电压 记忆余裕度
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硅基平面微雷管设计研究 被引量:3
8
作者 解瑞珍 张凡 +3 位作者 刘兰 任小明 薛艳 刘卫 《火工品》 CAS CSCD 北大核心 2018年第1期20-22,共3页
针对MEMS安全保险机构的发展对起爆单元平面化的需求,利用SOI片特有的三层结构,开展了硅基平面微雷管的设计研究。以SOI片的外延硅作为平面微雷管原位装药用专用电极,提升了微雷管结构与原位装药工艺的兼容性。以SOI片的本体硅作为装药... 针对MEMS安全保险机构的发展对起爆单元平面化的需求,利用SOI片特有的三层结构,开展了硅基平面微雷管的设计研究。以SOI片的外延硅作为平面微雷管原位装药用专用电极,提升了微雷管结构与原位装药工艺的兼容性。以SOI片的本体硅作为装药腔体层,减少了微雷管的轴向尺寸,提高集成度。性能试验表明该硅基平面微雷管实现了发火及起爆下级装药的功能。 展开更多
关键词 微雷管 换能元 发火电压 集成
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新型PDP放电单元着火特性的研究
9
作者 崔伟 屠彦 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2003年第6期385-388,399,共5页
采用数值方法 ,研究了新型荫罩式PDP(SM PDP)放电单元的着火特性 ,并与传统表面放电式PDP(ACC PDP)作了比较。计算了沿不同放电路径下的气体着火电压 ,讨论并分析了两种结构中 ,某些结构参数的变化对于着火特性的影响。模拟发现 ,SM PD... 采用数值方法 ,研究了新型荫罩式PDP(SM PDP)放电单元的着火特性 ,并与传统表面放电式PDP(ACC PDP)作了比较。计算了沿不同放电路径下的气体着火电压 ,讨论并分析了两种结构中 ,某些结构参数的变化对于着火特性的影响。模拟发现 ,SM PDP单元的着火电压要低于ACC PDP ,且在两种结构中 ,电极间距、放电空间大小、介质层对着火电压的影响程度也有一些不同。 展开更多
关键词 荫罩式等离子体显示器 PDP 表面放电式等离子体显示器 着火特性 帕邢定律 放电单元
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表面放电AC-PDP放电特性的数值模拟 被引量:2
10
作者 何锋 孙朝晖 刘纯亮 《真空电子技术》 2001年第5期1-3,共3页
给出一种数值模拟的方法 ,来研究表面放电型AC -PDP的放电单元结构参数对着火电压的影响。通过这种方法 ,研究了放电单元结构参数 ,如放电间隙宽度、电极宽度、障壁高度、绝缘介质层厚度、介质层的介电常数以及寻址电极偏压等对着火电... 给出一种数值模拟的方法 ,来研究表面放电型AC -PDP的放电单元结构参数对着火电压的影响。通过这种方法 ,研究了放电单元结构参数 ,如放电间隙宽度、电极宽度、障壁高度、绝缘介质层厚度、介质层的介电常数以及寻址电极偏压等对着火电压的影响。所得结果有助于优化表面放电AC -PDP放电单元的结构设计。 展开更多
关键词 等离子体平板显示器 数值拟合 表面放电 放电特性
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多孔硅/高氯酸钠含能材料爆炸性能研究 被引量:1
11
作者 付琼 刘玉存 于雁武 《火工品》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期1-4,共4页
采用电化学阳极氧化法在P型单晶硅基片上生成多孔硅层,利用重量法计算出多孔硅层的孔隙率。在多孔硅孔隙中填充高氯酸钠,制备多孔硅/高氯酸钠含能材料,并对其进行了电压感度测试。结果表明:生成多孔硅层的孔隙率最高可达到85%;按照GJB 7... 采用电化学阳极氧化法在P型单晶硅基片上生成多孔硅层,利用重量法计算出多孔硅层的孔隙率。在多孔硅孔隙中填充高氯酸钠,制备多孔硅/高氯酸钠含能材料,并对其进行了电压感度测试。结果表明:生成多孔硅层的孔隙率最高可达到85%;按照GJB 772A-97标准对多孔硅/高氯酸钠进行摩擦感度测试,爆炸概率为84%;用Ni-Cr桥丝对样品起爆,当电容为33μF时,多孔硅/高氯酸钠的发火电压为25V。 展开更多
关键词 多孔硅 高氯酸钠 孔隙率 摩擦感度 发火电压
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PDP单元寻址期放电特性的研究 被引量:1
12
作者 郑姚生 崔伟 屠彦 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期323-327,343,共6页
本文基于帕邢定律,采用数值模拟的方法,计算了放电单元内,沿不同放电路径着火电压的分布情况。结合流体模型,研究了寻址期ACCPDP中X电极偏压,对寻址放电以及壁电荷积累的影响。模拟结果表明,寻址期间,在ACCPDP的X电极加一定的正偏压(VX)... 本文基于帕邢定律,采用数值模拟的方法,计算了放电单元内,沿不同放电路径着火电压的分布情况。结合流体模型,研究了寻址期ACCPDP中X电极偏压,对寻址放电以及壁电荷积累的影响。模拟结果表明,寻址期间,在ACCPDP的X电极加一定的正偏压(VX),能达到较好的壁电荷积累,从而降低维持期工作电压。在理论计算的基础上,本文基于气体放电相似性定律,设计和制作了ACCPDP放大单元。拍摄了ACCPDP寻址放电过程,并研究了不同VX偏压对于寻址放电影响。实验得到的放电过程中光发射分布,也间接证明了模拟结果的正确性。 展开更多
关键词 帕邢定律 等离子体显示板 着火电压 寻址期
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降低半导体桥/斯蒂芬酸铅发火能量的技术途径研究 被引量:1
13
作者 严楠 王刚 +1 位作者 何爱军 鲍丙亮 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期789-794,共6页
进一步降低半导体桥(SCB)换能元件发火能量是微机电系统(MEMS)引信用微型起爆系统发展的瓶颈技术。通过发火感度试验,获得了减小桥区尺寸、增加V型缺口、适当长宽比、降低药剂粒度等是降低SCB发火能量的有效技术途径。在试验方案范围内... 进一步降低半导体桥(SCB)换能元件发火能量是微机电系统(MEMS)引信用微型起爆系统发展的瓶颈技术。通过发火感度试验,获得了减小桥区尺寸、增加V型缺口、适当长宽比、降低药剂粒度等是降低SCB发火能量的有效技术途径。在试验方案范围内获得最小全发火电压3.83 V,发火能量0.073 mJ,最大不发火电流229.88 mA.分析发火现象和电特性曲线得出:SCB换能元的桥区面积7.65×102μm2,质量3.55×10-6mg,临界发火属于电热发火;桥区面积5.68×102μm2,质量2.64×10-6mg,临界发火属于电爆发火。 展开更多
关键词 兵器科学与技术 半导体桥 发火电压 发火机理 电爆
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基于UAPCPlatform的天广直流换流变压器分接头控制原理 被引量:1
14
作者 刘洋 《四川电力技术》 2012年第2期56-60,共5页
介绍了换流变压器分接头控制功能,阐述了基于UAPCPlatform的换流变压器分接头控制的两种方式及其基本原理,分析了两种控制方式的优缺点,对控制保护系统改造后的天广直流运行和维护有一定的借鉴意义。
关键词 换流变压器 分接头 触发角 熄弧角 电压
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等离子体显示器中MgO介质保护膜结构和放电性能研究 被引量:1
15
作者 夏星 范玉锋 +1 位作者 郭滨刚 刘纯亮 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期247-250,共4页
为了研究等离子体显示器(PDP)中MgO介质保护膜的结构及其放电特性,通过电子束蒸发沉积,在不 同的基板温度和沉积速率下获得MgO介质保护膜,并利用X射线衍射分析及放电试验对其进行了研究.试验结 果表明:虽然各工艺下的MgO薄膜都只有(111... 为了研究等离子体显示器(PDP)中MgO介质保护膜的结构及其放电特性,通过电子束蒸发沉积,在不 同的基板温度和沉积速率下获得MgO介质保护膜,并利用X射线衍射分析及放电试验对其进行了研究.试验结 果表明:虽然各工艺下的MgO薄膜都只有(111)择优取向,但结构存在差异.少数工艺下得到的MgO的(111) 衍射峰的晶面间距变化很小,衍射峰强度较高,同时可获得最低的着火电压-132.2 V;而在其它的基板温度和 沉积速率下的MgO薄膜发生晶格畸变,(111)的晶面间距有1%以上的收缩,相应的衍射峰强度也低,而着火电 压均高于140 V.另外,较高的基板温度和沉积速率易导致MgO薄膜的晶格畸变. 展开更多
关键词 等离子体显示器 电子束蒸发 晶格畸变 着火电压
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Sc_2O_3掺杂及其工艺参数对MgO介质保护膜性能的影响 被引量:1
16
作者 范玉锋 夏星 +1 位作者 刘纯亮 张劲涛 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期336-340,共5页
MgO介质保护膜掺杂可以改变其性能,基于这一现象,本文利用电子束加热蒸镀法,在多种掺杂比和多种工艺条件下制备了MgO介质保护膜和宏单元气体放电屏。利用扫描电子显微镜(SEM)对制备的复合介质保护膜样品的进行了微观表征,并且,利用宏单... MgO介质保护膜掺杂可以改变其性能,基于这一现象,本文利用电子束加热蒸镀法,在多种掺杂比和多种工艺条件下制备了MgO介质保护膜和宏单元气体放电屏。利用扫描电子显微镜(SEM)对制备的复合介质保护膜样品的进行了微观表征,并且,利用宏单元气体放电实验屏研究了介质保护膜的气体放电特性。结果表明:与纯MgO介质保护膜相比,掺杂Sc2O3的介质保护膜具有较好的性能。 展开更多
关键词 等离子体显示器 保护膜 Sc2O3掺杂 着火电压
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沉积角度对MgO介质保护膜性能的影响 被引量:1
17
作者 范玉锋 夏星 刘纯亮 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期181-184,共4页
由于介质保护膜的特性极大地影响交流等离子体显示器(AC-PDP)的寿命、功耗和显示质量,所以研究介质保护膜的制备工艺是十分重要的。本文利用电子束加热蒸镀法,在不同沉积角度下制备了MgO介质保护膜和宏单元气体放电屏。利用X射线衍射仪(... 由于介质保护膜的特性极大地影响交流等离子体显示器(AC-PDP)的寿命、功耗和显示质量,所以研究介质保护膜的制备工艺是十分重要的。本文利用电子束加热蒸镀法,在不同沉积角度下制备了MgO介质保护膜和宏单元气体放电屏。利用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对制备的介质保护膜样品的微观结构和表面特征进行了表征,并且,利用宏单元气体放电实验屏研究了介质保护膜的气体放电特性。结果表明:在沉积角度为15°下制备的MgO介质保护膜,薄膜的着火电压最低,晶粒最大,并且结晶取向最强。 展开更多
关键词 等离子体显示器 保护膜 沉积角度 着火电压 结晶取向
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PDP中的新型保护膜 被引量:1
18
作者 贾正根 《光电子技术》 CAS 2000年第2期138-144,共7页
主要介绍PDP中的MgO保护膜及各种制造方法,并对新型MgAl_2O_3保护膜作了简单介绍。
关键词 保护膜 等离子体 氧化镁
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H_2对彩色AC-PDP中Ne-Xe混合气体放电性能的影响
19
作者 魏巍 孙鉴 郭滨刚 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期204-206,共3页
使用AC-PDP宏放电单元测试了AC-PDP放电单元加入少量H2对Ne-Xe混合气体放电性能的影响。结果表明,Ne-Xe混合气体中加入少量H2时会显著改变AC-PDP的着火电压、维持电压和放电电流等放电性能参数。当输入电压频率一定时,着火电压和最小维... 使用AC-PDP宏放电单元测试了AC-PDP放电单元加入少量H2对Ne-Xe混合气体放电性能的影响。结果表明,Ne-Xe混合气体中加入少量H2时会显著改变AC-PDP的着火电压、维持电压和放电电流等放电性能参数。当输入电压频率一定时,着火电压和最小维持电压都会随着H2含量的变化而变化,并且着火电压和最小维持电压在某一H2含量下存在最小值;当H2含量一定时,着火电压和最小维持电压随着输入电压频率的增大而增大;在Ne-Xe混合气体中加入H2后,起始放电电流会随着H2含量的增加而增大。但是,当H2含量一定时,起始放电电流会随着输入电压频率的增加而增加,并在某一特定频率下达到最大值;当输入电压频率继续增加达到某一更高的值时,加入H2的Ne-Xe混合气体的起始放电电流反而会降低至未加入H2时相同。 展开更多
关键词 AC-PDP H2 着火电压 维持电压 放电电流
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残余电压对连发型脉冲功率电源的影响
20
作者 王杰 鲁军勇 张晓 《海军工程大学学报》 CAS 北大核心 2020年第2期31-37,共7页
为了研究残余电压对连发型脉冲功率电源的影响,分析了混合储能型脉冲功率电源的充放电过程及残余电压的来源及其对连续充放电过程的影响,并进行了仿真。仿真结果表明:混合储能型脉冲功率电源可以合理利用残余电压,从而缩短脉冲功率电源... 为了研究残余电压对连发型脉冲功率电源的影响,分析了混合储能型脉冲功率电源的充放电过程及残余电压的来源及其对连续充放电过程的影响,并进行了仿真。仿真结果表明:混合储能型脉冲功率电源可以合理利用残余电压,从而缩短脉冲功率电源的充放电时间,有利于提高电磁发射装置的连发频率,通过能量回收还有利于提高发射效率。 展开更多
关键词 脉冲功率电源 PFN 反向电压释放 连发 残余电压
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