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铁电存储器研究进展 被引量:14
1
作者 周志刚 王耘波 +3 位作者 王华 于军 谢基凡 郭冬云 《信息记录材料》 2002年第1期31-35,共5页
铁电薄膜与半导体集成技术相结合而发展起来的铁电存储器,以其高密度、高速度、非易失性以及抗辐射性而大大优于目前任何一种半导体存储器。介绍了铁电存储器的存储原理、特点、基本存储单元、研究进展、应用及存在的问题等。
关键词 铁电存储器 研究进展 铁电薄膜 FRAM FFET
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铁电随机存储器的研究进展 被引量:9
2
作者 吴淼 胡明 +1 位作者 王兴 阎实 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2003年第6期472-475,共4页
铁电薄膜与半导体集成技术相结合而发展起来的铁电存储器,以其高密度、高速度、非易失性及抗辐射性而大大优于目前任何一种半导体存储器。该文介绍了铁电存储器的存储原理、特点、基本存储单元、研究进展、应用及存在的问题,并指出1T结... 铁电薄膜与半导体集成技术相结合而发展起来的铁电存储器,以其高密度、高速度、非易失性及抗辐射性而大大优于目前任何一种半导体存储器。该文介绍了铁电存储器的存储原理、特点、基本存储单元、研究进展、应用及存在的问题,并指出1T结构的铁电随机存储器(FRAM)将会成为下一代随机存储器。 展开更多
关键词 铁电存储器 铁电薄膜 铁电随机存储器(FRAM)
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铁电存储器及研究进展 被引量:5
3
作者 王华 任鸣放 《桂林电子工业学院学报》 2000年第3期37-40,共4页
铁电薄膜与半导体集成技术相结合而发展起来的铁电存储器 ,以其高密度、高速度、非挥发性以及抗辐射性而大大优于目前任何一种半导体存储器。本文介绍了铁电存储器的存储原理、特点、基本结构、研究进展、应用及存在的问题等。
关键词 铁电薄膜 铁电存储器 半导体存储器
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铁电薄膜及铁电存储器研究 被引量:7
4
作者 武德起 刘保亭 +2 位作者 闫正 闫常瑜 赵庆勋 《河北大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2005年第2期225-230,共6页
综述了铁电薄膜以及铁电存储器的发展,讨论了铁电薄膜制备方法、结构和物理性能表征,并结合作者的前期工作,详细讨论了用于铁电薄膜与硅衬底集成的导电阻挡层问题,指出了铁电薄膜研究中需重点解决的一些问题.
关键词 铁电薄膜 集成铁电体 铁电存储器
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SrBi_4Ti_4O_(15)铁电薄膜的制备工艺及薄膜生长机理研究 被引量:7
5
作者 黄平 徐廷献 崔彩娥 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期1464-1471,共8页
以氯化锶,硝酸铋和钛酸丁酯为原料,柠檬酸为络合剂,乙二醇为交联剂,无水乙醇为钛酸丁酯的溶剂,盐酸为硝酸铋的溶剂,去离子水为氯化锶的溶剂,配制了稳定的SrBi4Ti4O15(SBTi)前驱液.采用溶胶凝胶工艺,在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了a轴取向... 以氯化锶,硝酸铋和钛酸丁酯为原料,柠檬酸为络合剂,乙二醇为交联剂,无水乙醇为钛酸丁酯的溶剂,盐酸为硝酸铋的溶剂,去离子水为氯化锶的溶剂,配制了稳定的SrBi4Ti4O15(SBTi)前驱液.采用溶胶凝胶工艺,在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了a轴取向增强的SBTi铁电薄膜.研究了一次性晶化快速退火工艺、两层晶化快速退火工艺、逐层晶化快速退火工艺以及成膜次数对薄膜结晶性、微观结构和生长行为的影响.实验结果表明,逐层快速退火工艺可有效抑制焦绿石相的形成;随着涂覆次数的增加,薄膜的结晶性变好;由于SBTi晶体生长的各向异性及单层膜厚对晶体沿(119)方向生长的限制,随着涂覆次数的增加,SBTi薄膜(119)峰和(200)峰的强度逐渐增大,而(00l)峰的强度反而略有减小,从而使I(200)/I(119),I(200)/I(0010),I(119)/I(0010)逐渐增大. 展开更多
关键词 铁电薄膜 钛酸锶铋 逐层快速退火工艺 生长行为
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钛酸锶钡薄膜微细图形的制备 被引量:5
6
作者 张卫华 赵高扬 +1 位作者 李莺 赵卫 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期1590-1594,共5页
采用化学修饰的溶胶凝胶工艺,制备了具有紫外光感应特性的钛酸锶钡(Ba0.8Sr0.2TiO3)溶胶及其凝胶薄膜.提出了钛酸锶钡薄膜微细加工的新方法,即以苯酰丙酮(BzAcH)为化学修饰剂,乙酸钡、氯化锶、钛酸丁酯为原料,甲醇为溶剂,乳酸为催化剂,... 采用化学修饰的溶胶凝胶工艺,制备了具有紫外光感应特性的钛酸锶钡(Ba0.8Sr0.2TiO3)溶胶及其凝胶薄膜.提出了钛酸锶钡薄膜微细加工的新方法,即以苯酰丙酮(BzAcH)为化学修饰剂,乙酸钡、氯化锶、钛酸丁酯为原料,甲醇为溶剂,乳酸为催化剂,合成了具有螯合物结构的前驱溶胶体系.其螯合物的特征吸收峰在358nm附近,该溶胶及其凝胶薄膜在室温下有较好的化学稳定性;高压汞灯产生的紫外光照射可以分解薄膜中的螯合物结构,伴随着这种螯合物结构的分解,薄膜在乙醇中的溶解性迅速降低,从而表现出紫外光感应特性.利用这种光感应特性,采用紫外光通过掩膜照射薄膜,然后在乙醇中溶洗,获得了凝胶薄膜的微细图形,进一步通过600℃晶化热处理,最后得到了具有钙钛矿相结构和铁电特性的钛酸锶钡薄膜的微细图形. 展开更多
关键词 钛酸锶钡 铁电薄膜 微细图形 溶胶凝胶
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BaTiO_3铁电薄膜在硅基片上的取向生长 被引量:6
7
作者 魏贤华 黄文 +1 位作者 接文静 朱俊 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期583-587,共5页
采用脉冲激光沉积方法,在硅基片上先沉积 MgO 或 CeO2缓冲层后再制备 BaTiO3 (BTO)铁电薄膜。通过原位反射高能电子衍射来监测 MgO,CeO2 缓冲层在硅基片上的生长行为。用 X 射线衍射测定 BTO 薄膜的结晶取向。并利用压电响应力显微镜观... 采用脉冲激光沉积方法,在硅基片上先沉积 MgO 或 CeO2缓冲层后再制备 BaTiO3 (BTO)铁电薄膜。通过原位反射高能电子衍射来监测 MgO,CeO2 缓冲层在硅基片上的生长行为。用 X 射线衍射测定 BTO 薄膜的结晶取向。并利用压电响应力显微镜观察了铁电薄膜的自发极化形成的铁电畴。结果表明:BTO 薄膜在不同的缓冲层硅基片上以不同的取向生长,在织构的 MgO/Si(001)基片上为(001)择优,择优程度与 MgO 织构品质有关,其中在双轴织构 MgO 缓冲层上为(001)单一取向;在 CeO2(111)缓冲层上为(011)单一取向。(001)取向的 BTO 薄膜具有更大的面外极化,而(011)取向的 BTO薄膜具有更大的面内极化。 展开更多
关键词 钛酸钡 铁电薄膜 缓冲层 取向生长 激光沉积
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退火温度对Sol-gel法制备的BiFeO3薄膜结构及电性能的影响 被引量:4
8
作者 王秀章 晏伯武 刘红日 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期16-18,35,共4页
采用溶胶-凝胶法在ITO/glass衬底上制备了BiFeO3薄膜,退火温度分别为500℃和550℃。实验结果表明,550℃退火的薄膜晶粒较大且不均匀,并有杂相产生,薄膜的漏电流较大,没有得到饱和的电滞回线;而在500℃退火的薄膜晶粒较小且均匀,没有杂... 采用溶胶-凝胶法在ITO/glass衬底上制备了BiFeO3薄膜,退火温度分别为500℃和550℃。实验结果表明,550℃退火的薄膜晶粒较大且不均匀,并有杂相产生,薄膜的漏电流较大,没有得到饱和的电滞回线;而在500℃退火的薄膜晶粒较小且均匀,没有杂相产生,相对于550℃退火的薄膜,其漏电流密度降低了约2个数量级,铁电性得到明显增强,剩余极化强度约为40μC/cm2,矫顽场约为75kV/cm,最大的测试电场为130kV/cm。 展开更多
关键词 铁电薄膜 溶胶-凝胶法 BIFEO3薄膜 退火温度
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铁电体中相变临界尺寸的研究现状 被引量:2
9
作者 宋红章 李永祥 殷庆瑞 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期583-589,共7页
从铁电薄膜和铁电颗粒两大方面回顾了处理尺寸效应的理论研究方法(包括宏观的热力学唯像理论、微观的横场Ising模型和第一性原理计算)和铁电相变临界尺寸的理论预测.总结了从50年代以来实验中观测到的各种铁电材料的临界尺寸,简单介绍... 从铁电薄膜和铁电颗粒两大方面回顾了处理尺寸效应的理论研究方法(包括宏观的热力学唯像理论、微观的横场Ising模型和第一性原理计算)和铁电相变临界尺寸的理论预测.总结了从50年代以来实验中观测到的各种铁电材料的临界尺寸,简单介绍了铁电纳米陶瓷的一些尺寸效应,并叙述了近几年才开始报道的铁电纳米线中的铁电相变.最后指出了目前研究现状中存在的一些问题. 展开更多
关键词 铁电薄膜 铁电颗粒 铁电陶瓷 铁电纳米线 相变临界尺寸
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铁电突触器件及其应用的研究进展 被引量:2
10
作者 燕少安 臧俊逸 +7 位作者 徐佩 朱颖方 李刚 陈祺来 陈卓俊 张妍 唐明华 郑学军 《Science China Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第3期877-894,共18页
类脑计算是后摩尔时代集成电路发展的重要方向,开发能够模拟理想突触行为的人工突触器件是构建神经元-突触-神经元连接方式的类脑计算芯片的关键.铁电薄膜材料具有独特的非易失性极化,极化的可塑性与生物突触的可塑性十分类似,因此铁电... 类脑计算是后摩尔时代集成电路发展的重要方向,开发能够模拟理想突触行为的人工突触器件是构建神经元-突触-神经元连接方式的类脑计算芯片的关键.铁电薄膜材料具有独特的非易失性极化,极化的可塑性与生物突触的可塑性十分类似,因此铁电突触器件近年来受到了广泛关注.本文从器件突触功能模拟和类脑计算应用两个方面对铁电突触器件的研究进展进行了综述.结果表明,铁电突触器件具有两端和三端两种典型结构.除了能有效模拟生物突触功能,铁电突触器件还具有结构简单、功耗低、稳定性高、开关比大及编程速度快等优点.在应用层面,基于铁电突触的神经网络在图像识别方面的研究取得了一系列进展.此外铁电突触还被应用于触觉和视觉仿生.虽然取得了丰富的研究进展,但铁电突触器件目前仍停留在原理的提出和实验验证阶段,在突触性能调控机理、可靠性评价标准、阵列结构优化设计、高密度集成工艺、神经形态计算架构设计、新颖应用场景拓展等方面的研究都存在不小的挑战,这些也是未来铁电突触研究所要聚焦的方向. 展开更多
关键词 类脑计算 非易失性 图像识别 神经网络 视觉仿生 电突触 突触功能 可靠性评价
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Bi_4Ti_3O_(12)栅Si基铁电场效应晶体管特性研究 被引量:4
11
作者 王华 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期159-163,222,共6页
采用溶胶 -凝胶工艺制备了 Si基 Ag/Bi4 Ti3O1 2 栅铁电场效应晶体管。研究了 Bi4 Ti3O1 2 铁电薄膜厚度、栅宽 /长比等器件结构参数对性能的影响。研究表明 :铁电场效应晶体管的阈值电压、击穿场强和剩余极化等并不随 Bi4 Ti3O1 2 薄... 采用溶胶 -凝胶工艺制备了 Si基 Ag/Bi4 Ti3O1 2 栅铁电场效应晶体管。研究了 Bi4 Ti3O1 2 铁电薄膜厚度、栅宽 /长比等器件结构参数对性能的影响。研究表明 :铁电场效应晶体管的阈值电压、击穿场强和剩余极化等并不随 Bi4 Ti3O1 2 薄膜厚度的增加而线性变化 ,跨导和漏 -源电流在不同的栅宽 /长比范围变化趋势不同 ,当Bi4 Ti3O1 2 厚度为 2 0 0~ 40 0 nm、Wg/Lg 取 1~ 2时 ,器件可获得较好的综合性能 ,不同栅压变化过程的 Isd-Vsd特性曲线并不重合 ,表明该器件具有源于铁电薄膜极化的场效应特性。 展开更多
关键词 铁电薄膜 铁电场效应晶体管 结构设计
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纳米结构PZT铁电膜的制备及其表征 被引量:5
12
作者 朱信华 宋晔 +3 位作者 杭启明 朱健民 周舜华 刘治国 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第11期1959-1962,共4页
采用溶胶-凝胶(sol-gel)自旋涂敷法在硅基氧化铝纳米有序孔膜版介质上(膜版孔径尺寸20~100nm,内生长金属纳米线作为底电极一部分)制备Pb(Zr0.53Ti0.47)O3(PZT)纳米结构铁电膜,并对其介电、铁电性能及微结构进行了表征。介电测量结果表... 采用溶胶-凝胶(sol-gel)自旋涂敷法在硅基氧化铝纳米有序孔膜版介质上(膜版孔径尺寸20~100nm,内生长金属纳米线作为底电极一部分)制备Pb(Zr0.53Ti0.47)O3(PZT)纳米结构铁电膜,并对其介电、铁电性能及微结构进行了表征。介电测量结果表明,厚度25nm的PZT铁电膜,其介电常数在低频区域(频率<104Hz)从860迅速下降到100,然后保持在100左右,直至测量频率升高到106Hz。低频区域的介电常数迅速下降是由空间电荷极化所致,它与薄膜和电极之间聚集的界面空间电荷密切相关,尤其是在薄膜与Au纳米线的弯曲界面处。介电损耗在4000Hz附近出现峰值,它来源于空间电荷的共振吸收效应。电滞回线测量结果表明,厚度为100nm的PZT铁电膜,其剩余极化强度为50μC/cm2,矫顽场强为500kV/cm。剖面透射电镜(TEM)像表明PZT纳米铁电膜与底电极(金属纳米线)直接相接触,它们之间的界面呈现一定程度的弯曲。在PZT纳米铁电薄膜后退火处理后,发现部分Au金属纳米线顶端出现分枝展宽现象;而改用Pt纳米线后可有效抑制这种现象。为兼顾氧化铝纳米有序孔膜版内的金属纳米线有序分布及PZT纳米膜的结晶度,选择合适的退火温度是制备工艺中的关键因素。 展开更多
关键词 PZT 纳米结构 铁电膜 制备 物性及微结构表征
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PZT/SiO_2/Si界面的XPS分析 被引量:3
13
作者 于军 周文利 +1 位作者 曹广军 谢基凡 《华中理工大学学报》 CSCD 北大核心 1996年第1期82-84,共3页
采用SOL-GEL工艺在SiO2/Si衬底上制备了铁电薄膜,对PZT/SiO2/Si结构进行了XPS分析,结果表明,在PZT铁电薄膜和硅衬底之间加SiO2使F/S界面得到了改善.
关键词 PZT 二氧化硅 铁电薄膜 界面 XPS
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快速退火对PZT铁电薄膜结构的影响 被引量:4
14
作者 李振豪 王忠华 +2 位作者 李琳 普朝光 杨培志 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期415-419,共5页
采用射频磁控溅射方法在Pt/Ti/S iO2/S i衬底上制备出(PZT)铁电薄膜,在550℃、600℃、650℃、700℃几个温度下对薄膜进行了快速退火热处理,并在退火处理后用X射线衍射、原子力显微镜和热释电系数测试系统研究了PZT铁电薄膜的薄膜结构、... 采用射频磁控溅射方法在Pt/Ti/S iO2/S i衬底上制备出(PZT)铁电薄膜,在550℃、600℃、650℃、700℃几个温度下对薄膜进行了快速退火热处理,并在退火处理后用X射线衍射、原子力显微镜和热释电系数测试系统研究了PZT铁电薄膜的薄膜结构、表面形貌及热释电性能。在650℃快速退火后,PZT铁电薄膜已经形成较好的钙钛矿相结构,并获得了较好的热释电性能,热释电系数达到1.5×10-8C.cm-2.k-1。 展开更多
关键词 锆钛酸铅 铁电薄膜 快速退火 X射线衍射 原子力显微镜
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BUCKLING ANALYSIS OF STRETCHABLE FERROELECTRIC THIN FILM ON ELASTOMERIC SUBSTRATES 被引量:3
15
作者 Zhidong Zhou Quan Jiang 《Acta Mechanica Solida Sinica》 SCIE EI CSCD 2014年第5期509-517,共9页
The thin stiff films on pre-stretched compliant substrates can form wrinkles, which can be controlled in micro and nanoscale systems to generate smart structures. Recently, buck- led piezoelectric/ferroelectrie nanori... The thin stiff films on pre-stretched compliant substrates can form wrinkles, which can be controlled in micro and nanoscale systems to generate smart structures. Recently, buck- led piezoelectric/ferroelectrie nanoribbons have been reported to show an enhancement in the piezoelectric effect and stretchability, which can be applied in energy harvesting devices, sensors and memory devices instead of polymeric polyvinylidine fluoride (PVDF). This paper studies the buckling and post-buckling process of ferroelectric thin films bonded to the pre-stretched soft layer, which in turn lies on a rigid support. Nonlinear electromechanical equations for the buckling of thin piezoelectric plates are deduced and employed to model the ferroelectric film poled in the thickness direction. Two buckling modes are analyzed and discussed: partially de-adhered buck- ling and fully adhered buckling. Transition from one buckling mode to the other is predicted and the effect of piezoelectricity on the critical buckling condition of piezoelectric film is examined. 展开更多
关键词 BUCKLING ferroelectric films energy method variational method
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脉冲激光沉积Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3、Pb_(0.5)Ba_(0.5)TiO_3和Pb_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3薄膜及其介电性质 被引量:1
16
作者 徐华 沈明荣 +1 位作者 方亮 甘肇强 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期603-605,609,共4页
 采用脉冲激光沉积法,在Pt/Ti/SiO2/Si基底上分别制备厚度为350nm的Ba0.5Sr0.5TiO3(BST)、Pb0.5Ba0.5TiO3(PBT)和Pb0.5Sr0.5TiO3(PST)薄膜并研究了它们的介电性质。XRD显示,在相同的制备条件下三者具有不同的择优取向,PST具有(110)择...  采用脉冲激光沉积法,在Pt/Ti/SiO2/Si基底上分别制备厚度为350nm的Ba0.5Sr0.5TiO3(BST)、Pb0.5Ba0.5TiO3(PBT)和Pb0.5Sr0.5TiO3(PST)薄膜并研究了它们的介电性质。XRD显示,在相同的制备条件下三者具有不同的择优取向,PST具有(110)择优取向,PBT具有(111)择优取向,而BST则是混合取向。SEM显示三者样品表面均匀致密,颗粒尺寸大约在50nm至150nm之间。PST与BST、PBT相比有更高的介电常数,在频率为10kHz时,分别为874、334和355,而损耗都较低,分别为0.0378、0.0316和0.0423,同时PST漏电流也是最小的。测量薄膜的C V特性和铁电性能表明室温下BST呈现的是顺电相,PST和PBT则呈铁电相。本文也测量了薄膜在不同频率下的介电温度特性,BST、PBT和PST均表现出频率弥散现象,即随着频率的降低,居里温度降低而介电常数会升高。并测得BST和PST的居里温度分别为-75和150℃,而PBT的居里温度在250℃以上。本文研究表明:与BST相比较,PBT的介电常数与之相近,漏电流较大;而PST具有高介电常数,较小的漏电流和较大的电容 电压调谐度,在相关半导体器件中的应用将有很大的潜力。 展开更多
关键词 脉冲激光 铁电薄膜 介电性质
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Fabrication of sub-micro size PZT array and their ferroelectric properties 被引量:2
17
作者 ZHAO Gaoyang1, ZHANG Weihua1, XU Guomin1, DENG Xiaocui1, JIANG Bailing1 & ZHAO Wei2 1. School of Materials Science and Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an 710048, China 2. Xi’an Institute of Optics and Precision Mechanics of CAS, Xi’an 710048, China 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 2006年第6期693-700,共8页
The photosensitive PZT sols and their gel films were prepared by sol-gel process. Based on the photosensitivity of the PZT gel films, two-dimensional (2D) array of the PZT gel film was fabricated using twice-exposure ... The photosensitive PZT sols and their gel films were prepared by sol-gel process. Based on the photosensitivity of the PZT gel films, two-dimensional (2D) array of the PZT gel film was fabricated using twice-exposure of double-beam interference on the gel film. PZT gel films coated on ITO/quartz substrate were exposed to an interference fringe of 325 He-Cd laser beams, the substrate was rotated by 90° between the first and second irradiation steps. Island type periodic 2D array structures with a pitch of 1 μm and cell size of about 480 nm × 480 nm × 40 nm were formed after the irradiation, and followed by leaching with organic solvent, and then by heat treatment at 600°C for 15 min. The hysteresis loops of the cell in PZT array were in-situ measured by the online-operation of TF analyzer and atomic force microscope (AFM). The probe can be located on the locked cell of PZT array in the AFM image. The alternating voltage applied to the locked cell is supplied by the TF analyzer through the conductive coating probe, and then the test signal is fed back to the TF analyzer to obtain the hysteresis loop of the locked cell of array in the absence of top electrode. The results show that the sub-micro size PZT arrays prepared in this way are of polarization reversal characteristics with the alternating electric fields, thereby exhibiting obvious ferroelectricity. 展开更多
关键词 PZT ferroelectric films photosensitivity HYSTERESIS loop.
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集成铁电器件及研究进展
18
作者 郭鸣 汤亮 +1 位作者 石美荣 吴兰英 《钦州学院学报》 2006年第6期75-79,共5页
铁电薄膜与半导体集成技术而发展起来的集成铁电器件受到了众多学者的关注,文章重点介绍了一些常见集成铁电器件:铁电存储器、铁电红外探测器、微波可调器件和铁电集成光电器件的原理,特点,研究发展和应用,指出了集成铁电器件的铁电薄... 铁电薄膜与半导体集成技术而发展起来的集成铁电器件受到了众多学者的关注,文章重点介绍了一些常见集成铁电器件:铁电存储器、铁电红外探测器、微波可调器件和铁电集成光电器件的原理,特点,研究发展和应用,指出了集成铁电器件的铁电薄膜研究中需要解决的一些问题. 展开更多
关键词 铁电薄膜 集成铁电器件 应用
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挠曲电效应对超薄铁电薄膜物理性能的调控 被引量:3
19
作者 柴国钟 周挺 +2 位作者 吴化平 张征 董晨晨 《浙江工业大学学报》 CAS 北大核心 2015年第2期159-162,231,共5页
具有量子隧穿及阻变存储效应的超薄铁电薄膜引起了广泛的关注.在超薄铁电薄膜中,应变及应变梯度效应十分明显,因此由应变梯度所产生的挠曲电效应不可忽视.挠曲电效应是指应变梯度或非均匀应变场能局部地破坏反演对称,从而导致晶体产生... 具有量子隧穿及阻变存储效应的超薄铁电薄膜引起了广泛的关注.在超薄铁电薄膜中,应变及应变梯度效应十分明显,因此由应变梯度所产生的挠曲电效应不可忽视.挠曲电效应是指应变梯度或非均匀应变场能局部地破坏反演对称,从而导致晶体产生电极化的效应.基于朗道热力学理论,建立了考虑挠曲电效应的超薄铁电薄膜相变的理论模型.通过该模型研究了挠曲电效应对纳米尺度超薄BaTiO3薄膜相变温度、铁电性能以及热释电系数的影响.研究结果表明:挠曲电效应提高铁电薄膜的电极化值和临界厚度,降低薄膜的相变温度.利用挠曲电效应可有效调控超薄铁电薄膜的相变温度及热释电系数. 展开更多
关键词 挠曲电效应 铁电薄膜 热力学理论 应变梯度 热释电系数
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用横场伊辛模型研究应力对铁电薄膜的热力学性质的影响 被引量:3
20
作者 陶永梅 蒋青 曹海霞 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期274-279,共6页
用横场伊辛模型研究了铁电薄膜的热力学性质 .在体系的哈密顿量中引入一个两维的在平面内的应力 ,并假设应力从基底材料和薄膜材料之间的界面层到薄膜的表面层是呈指数形式衰减的 .结果显示 :压应力有利于极化 ,使居里温度向高温区移动 ... 用横场伊辛模型研究了铁电薄膜的热力学性质 .在体系的哈密顿量中引入一个两维的在平面内的应力 ,并假设应力从基底材料和薄膜材料之间的界面层到薄膜的表面层是呈指数形式衰减的 .结果显示 :压应力有利于极化 ,使居里温度向高温区移动 ,而张应力对极化和居里温度的影响正好相反 . 展开更多
关键词 伊辛模型 热力学性质 对极 哈密顿量 铁电薄膜 居里温度 极化 基底材料 衰减 显示
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