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真空共晶焊接技术研究 被引量:20
1
作者 庞婷 王辉 《电子工艺技术》 2017年第1期8-11,共4页
介绍了真空共晶焊接的优势。应用真空共晶焊炉研究了影响焊接质量的主要工艺参数:焊接气氛、焊接温度、焊接时间和压力等。从试验得出,在真空环境进行共晶焊接,可有效抑制氧化物的产生,降低空洞率,提高焊接质量,并可实现多元件一次性焊... 介绍了真空共晶焊接的优势。应用真空共晶焊炉研究了影响焊接质量的主要工艺参数:焊接气氛、焊接温度、焊接时间和压力等。从试验得出,在真空环境进行共晶焊接,可有效抑制氧化物的产生,降低空洞率,提高焊接质量,并可实现多元件一次性焊接,极大地提高焊接效率。提出了可行的低空洞率焊接工艺方案。 展开更多
关键词 共晶焊接 真空 空洞
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真空环境下的共晶焊接 被引量:18
2
作者 霍灼琴 杨凯骏 《电子与封装》 2010年第11期11-14,共4页
共晶焊接是微电子组装中一种重要的焊接工艺。文章简要介绍了共晶焊接的工作原理以及共晶焊料如何选用和常用共晶焊料的性能特性。然后比较了几种共晶焊接设备的优缺点,得出用真空可控气氛共晶炉在真空环境下完成共晶焊接能有效防止共... 共晶焊接是微电子组装中一种重要的焊接工艺。文章简要介绍了共晶焊接的工作原理以及共晶焊料如何选用和常用共晶焊料的性能特性。然后比较了几种共晶焊接设备的优缺点,得出用真空可控气氛共晶炉在真空环境下完成共晶焊接能有效防止共晶焊接过程中氧化物的产生,大大降低空洞率,从而提高焊接质量。它同样适用于多芯片组件的一次共晶。对真空环境下影响共晶焊接质量的真空度、保护性气氛、焊接过程中的温度曲线、焊接时的压力等条件做了探讨,得出了几种最优的工艺方案,能适用于大部分的共晶焊接工艺。 展开更多
关键词 共晶焊接 真空 焊料 工艺曲线 空洞
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共晶焊料焊接的孔隙率研究 被引量:15
3
作者 陈波 丁荣峥 +1 位作者 明雪飞 高娜燕 《电子与封装》 2012年第11期9-12,共4页
大功率或高功率密度的高可靠集成电路等通常采用合金焊料焊接芯片,以降低封装热阻和提高芯片焊接的可靠性。合金焊料焊接方式主要有真空烧结、保护气氛下静压烧结、共晶摩擦焊等。不同焊接工艺有其不同的适应性和焊接可靠性。文章以高... 大功率或高功率密度的高可靠集成电路等通常采用合金焊料焊接芯片,以降低封装热阻和提高芯片焊接的可靠性。合金焊料焊接方式主要有真空烧结、保护气氛下静压烧结、共晶摩擦焊等。不同焊接工艺有其不同的适应性和焊接可靠性。文章以高可靠封装常用金基焊料的共晶焊接为例,探讨在相同封装结构、不同共晶焊接工艺下焊接层孔隙率,以及相同工艺设备、工艺条件下随芯片尺寸增大孔隙率的变化趋势。研究结果表明:金-硅共晶摩擦焊工艺的孔隙率低于金-锡真空烧结工艺和金-锡保护气氛静压烧结;同一焊接工艺,随着芯片尺寸变大,其孔隙率变化不显著,但单个空洞的尺寸有明显增大趋势。 展开更多
关键词 共晶摩擦 合金烧结 孔隙率
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微波芯片共晶焊接技术研究 被引量:9
4
作者 陈帅 赵志平 +2 位作者 张飞 黄建国 赵文忠 《电子工艺技术》 2018年第3期157-159,167,共4页
利用共晶炉,采用Au80Sn20共晶焊片对GaAs微波芯片与MoCu载体进行了共晶焊接。利用推拉力测试仪、X射线衍射仪对焊接样品的焊接强度和孔洞率进行了测试。采用正交试验法分析了焊料尺寸、焊接压力及温度曲线等工艺参数对共晶焊接的影响。... 利用共晶炉,采用Au80Sn20共晶焊片对GaAs微波芯片与MoCu载体进行了共晶焊接。利用推拉力测试仪、X射线衍射仪对焊接样品的焊接强度和孔洞率进行了测试。采用正交试验法分析了焊料尺寸、焊接压力及温度曲线等工艺参数对共晶焊接的影响。研究发现:各因素影响主次顺序为焊接压力、焊接曲线、焊片大小;当焊料尺寸为70%,焊接压力为0.001N/mm2,选用优化的温度曲线时,共晶焊接效果最优,孔洞率小于1%,剪切强度大于50N,满足GJB548B的要求。 展开更多
关键词 微波芯片 Au80Sn20焊片 共晶焊接
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微波芯片Au80Sn20全自动共晶焊接工艺 被引量:7
5
作者 冯晓晶 夏维娟 +1 位作者 孙鹏 连凯 《电子工艺技术》 2020年第6期346-349,共4页
介绍了微波芯片全自动Au80Sn20共晶焊接工艺。采用全自动设备对微波GaAs芯片与可伐载体进行Au80Sn20共晶焊接,并利用显微镜、X-ray测试、推拉力测试等方法对样件外观、空洞率和焊接强度进行检测。研究发现:摩擦焊接方式下,根据生产需求... 介绍了微波芯片全自动Au80Sn20共晶焊接工艺。采用全自动设备对微波GaAs芯片与可伐载体进行Au80Sn20共晶焊接,并利用显微镜、X-ray测试、推拉力测试等方法对样件外观、空洞率和焊接强度进行检测。研究发现:摩擦焊接方式下,根据生产需求选择合适的焊片裁切方式、焊片尺寸、摩擦幅度,能够得到良好的共晶焊接效果。结果表明:芯片表面无污染,焊料溢出符合要求,空洞率小于25%,剪切强度高达111.9 N(1.96 mm^2面积的芯片),满足标准要求。 展开更多
关键词 全自动 微波芯片 共晶焊接 焊接强度
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多芯片真空共晶工装设计方法研究 被引量:7
6
作者 王辉 庞婷 《电子工艺技术》 2017年第1期12-13,52,共3页
共晶焊接是微电子组装中的一种重要的焊接工艺。相比手动摩擦共晶,真空共晶具有无需摩擦、不易损伤芯片和可同时共晶多芯片等优势。介绍了多芯片真空共晶焊接工装夹具的设计方法,可实现芯片焊接定位精度优于±50μm。
关键词 共晶焊接 真空 工装夹具
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芯片组装可靠性与检测方法研究进展 被引量:5
7
作者 陈材 巩维艳 +1 位作者 祁俊峰 陈雅容 《电子工艺技术》 2015年第5期253-256,共4页
芯片组装技术是微组装核心技术之一,其组装质量直接影响整个器件或组件的性能。随着厚膜电子产品的大量应用,进行芯片组装技术研究和可靠性分析将非常重要。着重介绍了国内外芯片组装质量检测和芯片组装可靠性研究进展。
关键词 粘接 共晶焊 芯片组装 可靠性
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微流体系统在高功率裸芯片模块上的散热研究 被引量:1
8
作者 钱自富 李丽丹 +4 位作者 李鹏 张庆军 李治 刘压军 宋洁 《重庆理工大学学报(自然科学)》 北大核心 2023年第11期372-378,共7页
为解决高热流密度功率裸芯片的散热问题,在功率模块腔体上设置了一种自闭环一体化微流道散热系统。将裸芯片共晶焊接到金刚石,再将金刚石共晶焊接到功率模块腔体,有效降低了裸芯片到功率模块腔体之间的传导热阻。通过实验和仿真探究了... 为解决高热流密度功率裸芯片的散热问题,在功率模块腔体上设置了一种自闭环一体化微流道散热系统。将裸芯片共晶焊接到金刚石,再将金刚石共晶焊接到功率模块腔体,有效降低了裸芯片到功率模块腔体之间的传导热阻。通过实验和仿真探究了微流道形式和流道宽度对散热能力的影响。结果表明:相同条件下交联微流道散热性能较好,同时减小流道宽度,提高芯片温度性能。仿真结果与实验结果具有良好的一致性,最大误差为7.16%。提出的微系统具备较好的散热能力,在环境温度70℃下,可处理的芯片热流密度为320 W/cm^(2)。 展开更多
关键词 微流体散热系统 交联微流道 共晶焊 热阻
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基于新工艺技术的高功率裸芯片模块微流体系统的散热技术 被引量:1
9
作者 李丽丹 钱自富 +3 位作者 张庆军 刘压军 李治 李鹏 《制冷学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第6期118-124,共7页
为解决高功率裸芯片的散热问题,本文在功率模块腔体上设计了一种自循环一体化微流道散热系统,并对有无微流道、平直流道以及交联流道的散热特性进行对比。研究表明:有微流道的裸芯片散热特性优于无微流道,有交联流道的裸芯片散热特性优... 为解决高功率裸芯片的散热问题,本文在功率模块腔体上设计了一种自循环一体化微流道散热系统,并对有无微流道、平直流道以及交联流道的散热特性进行对比。研究表明:有微流道的裸芯片散热特性优于无微流道,有交联流道的裸芯片散热特性优于具有平直流道;将裸芯片共晶焊接到金刚石热沉,再将热沉共晶焊接到功率模块腔体,裸芯片到功率模块腔体之间的传导热阻降至传统工艺热阻的1/360~1/280;仿真与实验能够相互验证,最大偏差仅为7.16%。该微流道系统具有较强的散热能力,可解决环境温度为70℃,热流密度为320 W/cm^(2)时的裸芯片散热问题。 展开更多
关键词 散热 微流道 共晶焊 金刚石
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大功率微波芯片共晶焊接工艺技术 被引量:4
10
作者 胡永芳 韩宗杰 《电子机械工程》 2020年第5期51-54,共4页
文中采用自动化手段研究了大功率微波芯片共晶焊接技术,分别对影响微波芯片焊接焊透率的预置焊料、温度曲线、氮气保护气氛、摩擦次数等影响因素开展了研究。通过在MoCu热沉上预置焊料,采用优化的共晶焊接温度曲线,施加一定流量的氮气保... 文中采用自动化手段研究了大功率微波芯片共晶焊接技术,分别对影响微波芯片焊接焊透率的预置焊料、温度曲线、氮气保护气氛、摩擦次数等影响因素开展了研究。通过在MoCu热沉上预置焊料,采用优化的共晶焊接温度曲线,施加一定流量的氮气保护,采用合适的共晶焊接摩擦次数,最终获得了具有良好焊透率的大功率微波芯片共晶焊接模块。焊接位置精度能够控制在(25±5)μm范围内。文中还完成了焊后大功率微波芯片模块的热循环试验,进行了微波芯片的剪切力测试。试验结果显示共晶焊接焊点剪切力满足GJB 548B—2005的要求,表明采用优化的工艺参数获得的大功率微波芯片共晶焊接模块具有很高的可靠性。 展开更多
关键词 大功率微波芯片 共晶焊接 焊透率
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芯片真空金锡共晶焊接中的气压控制 被引量:4
11
作者 洪火锋 《电子与封装》 2020年第5期11-15,共5页
真空共晶焊接是用真空共晶炉实现芯片与载体互连的一种重要的焊接工艺。对于需要共晶的芯片,其与载体间共晶焊接的空洞率会直接影响到芯片工作时的散热及其输出功率。重点针对无工装施加压力条件下真空共晶炉内抽真空、加压、泄压等工... 真空共晶焊接是用真空共晶炉实现芯片与载体互连的一种重要的焊接工艺。对于需要共晶的芯片,其与载体间共晶焊接的空洞率会直接影响到芯片工作时的散热及其输出功率。重点针对无工装施加压力条件下真空共晶炉内抽真空、加压、泄压等工艺展开试验研究,分析不同的炉内气压与空洞率之间的关系。试验结果表明,在焊料熔化形成空洞时增加气压、在焊料凝固后排气降压,对降低焊接空洞率有明显改善。 展开更多
关键词 共晶焊接 真空 气体压强 空洞
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共晶焊后热敏电阻的应力分析及优化
12
作者 李长安 牛玉秀 +1 位作者 全本庆 关卫林 《电子与封装》 2023年第9期1-4,共4页
为了研究与解决热敏电阻在共晶焊后阻值变大的问题,采用扫描电子显微镜(SEM)观测失效的热敏电阻,发现其内部有裂纹。采用有限元分析法分析热敏电阻经过共晶焊后产生的应力,结果表明,最大应力的位置与裂纹位置基本一致,最大应力的方向与... 为了研究与解决热敏电阻在共晶焊后阻值变大的问题,采用扫描电子显微镜(SEM)观测失效的热敏电阻,发现其内部有裂纹。采用有限元分析法分析热敏电阻经过共晶焊后产生的应力,结果表明,最大应力的位置与裂纹位置基本一致,最大应力的方向与裂纹方向正交,这说明裂纹是由应力引起的。分析了热敏电阻上最大应力与焊料厚度的关系,结果表明,焊料越厚,则热敏电阻在共晶焊时产生的应力越小。通过验证试验可知,采用适当加厚的焊料对热敏电阻进行共晶焊,共晶焊后热敏电阻的外观良好,没有裂纹发生,且阻值没有增大。因此,可采用加厚焊料的方法防止热敏电阻开裂。 展开更多
关键词 热敏电阻 共晶焊 应力 有限元分析法
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Soldering of Zr-based bulk metallic glass and copper by Au-12Ge eutectic alloy 被引量:2
13
作者 Jun Wang Jing Cui +2 位作者 Hong-Chao Kou Heng Guan Jin-Shan Li 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第1期52-58,共7页
Zr-based bulk metallic glass and copper with different surface roughness were soldered using low temperature eutectic Au-12 Ge(wt%) solder on a thermomechanical simulator. The cross-sectional microstructures of the br... Zr-based bulk metallic glass and copper with different surface roughness were soldered using low temperature eutectic Au-12 Ge(wt%) solder on a thermomechanical simulator. The cross-sectional microstructures of the brazed joints were analyzed by scanning electron microscopy(SEM) and transmission electron microscope(TEM) in detail, and the compositional distribution along the interface was analyzed by energy-dispersive spectrometer(EDS). Results show that the surface roughness of base metals plays an important role in the quality of the brazed joint because the surface roughness can enlarge the effective contact area, which can improve the brazing surface quality between two materials. A moderate roughness of treated Zr-based metallic glass of 18 μm is shown to be the best for the soldering, while the surface roughness has a weak effect on the soldering behavior of Au-12 Ge solder on copper. After soldering, long-range diffusion of atoms occurs between the base metal and solder, and five distinct regions are formed at the joint region. 展开更多
关键词 BULK METALLIC glass soldering Au-Ge eutectic alloy Interface
原文传递
功率芯片共晶阵列化工装设计方法 被引量:3
14
作者 高逸晖 陈帅 赵文忠 《电子工艺技术》 2021年第3期166-169,共4页
共晶焊接是功率芯片装配过程中的关键技术,被广泛应用于通讯、雷达等军民用电子装备中。在功率芯片批量化组装过程中,采用真空共晶炉进行功率器件共晶焊是目前行业内通用的做法,有着操作人员要求低、器件不易损伤等多方面的优势,但也存... 共晶焊接是功率芯片装配过程中的关键技术,被广泛应用于通讯、雷达等军民用电子装备中。在功率芯片批量化组装过程中,采用真空共晶炉进行功率器件共晶焊是目前行业内通用的做法,有着操作人员要求低、器件不易损伤等多方面的优势,但也存在传热效率不高、批量化生产效率较低等问题,设计专门用于批量化生产的工装可以良好解决上述问题。提供了一种功率芯片共晶阵列化工装的设计方法,采用阵列化工装进行共晶焊接,生产效率可达100片/h,焊接空洞率小于10%。 展开更多
关键词 功率芯片 共晶焊接 阵列工装
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微波芯片共晶焊接工装设计方法研究 被引量:2
15
作者 赵文忠 陈帅 吴昕雷 《电子工艺技术》 2020年第1期37-39,47,62,共5页
共晶焊接是微波多芯片组件功率器件装配过程中的关键技术,与手动共晶机、全自动共晶贴片设备相比,采用真空共晶炉进行功率器件的共晶焊接时,器件焊接质量好,生产效率高,但存在定位困难和压力不易控制的问题。设计专用工装可以良好解决... 共晶焊接是微波多芯片组件功率器件装配过程中的关键技术,与手动共晶机、全自动共晶贴片设备相比,采用真空共晶炉进行功率器件的共晶焊接时,器件焊接质量好,生产效率高,但存在定位困难和压力不易控制的问题。设计专用工装可以良好解决上述问题。采用工装进行共晶焊接,芯片定位精度优于±0.05 mm,焊接压力在1 g/mm^2~10g/mm^2之间可调。 展开更多
关键词 微波芯片 共晶焊接 工装 设计
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厚膜混合微电子芯片共晶焊工艺研究 被引量:2
16
作者 李波 夏俊生 李寿胜 《新技术新工艺》 2016年第5期6-10,共5页
为满足散热和封装内部气氛控制要求,厚膜混合微电子多采用芯片共晶焊工艺。采用分组试验的方法,通过内部气氛检测、X射线照相等试验手段,得到了共晶焊工艺中的关键工艺方案。
关键词 厚膜混合微电子 共晶焊 内部气氛检测 X射线照相 工艺方案
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Sn-3.0Ag-0.5Cu-3.0Bi钎料对SiC_P/6063Al复合材料真空钎焊接头组织的影响 被引量:1
17
作者 范晓杰 徐冬霞 +3 位作者 王鹏 牛济泰 王东斌 陈思杰 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期36-39,共4页
采用自制Sn-3.0Ag-0.5Cu-3.0Bi合金对Si CP/6063Al复合材料进行真空钎焊。通过SEM、EDX实验方法分析钎料与化学镀镍后Si CP/6063Al复合材料真空钎焊接头的显微组织。结果表明:无铅钎料Sn-3.0Ag-0.5Cu-3.0Bi合金显微组织主要由富Sn相、... 采用自制Sn-3.0Ag-0.5Cu-3.0Bi合金对Si CP/6063Al复合材料进行真空钎焊。通过SEM、EDX实验方法分析钎料与化学镀镍后Si CP/6063Al复合材料真空钎焊接头的显微组织。结果表明:无铅钎料Sn-3.0Ag-0.5Cu-3.0Bi合金显微组织主要由富Sn相、共晶组织和单质Bi构成;其显微组织形成机制可以用化学亲和力来表征,元素间的化学亲和力参数越大,越容易形成化合物;Si Cp/6063Al复合材料真空钎焊后的焊缝组织致密,钎料对镀镍复合材料的润湿性良好;界面生成的IMC为(CuxNi1-x)6Sn5,其晶体结构与Cu6Sn5相似,只是部分Cu原子被Ni取代。 展开更多
关键词 SiCP/6063Al复合材料 共晶组织 化学亲和力 真空钎焊
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超导温度下微波混合集成电路工艺可靠性初探 被引量:1
18
作者 高能武 徐榕青 李敬勇 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2009年第10期66-68,共3页
为研制可靠的高温超导微波组件设计了可靠性试验,研究了高温超导微波组件常用的微波混合集成电路工艺,如锡铅钎焊、共晶焊接和金丝焊接等在超导温度下的可靠性。结果表明:在经历温度循环、机械冲击、变频振动和恒定加速度试验后,所研究... 为研制可靠的高温超导微波组件设计了可靠性试验,研究了高温超导微波组件常用的微波混合集成电路工艺,如锡铅钎焊、共晶焊接和金丝焊接等在超导温度下的可靠性。结果表明:在经历温度循环、机械冲击、变频振动和恒定加速度试验后,所研究的工艺能满足GJB548B—2005的相关要求,其中锡铅钎焊的试样可以通过1×10–9Pa.m3/s的泄漏率要求,设计的环境试验对80Au-20Sn共晶焊接性能无显著影响。 展开更多
关键词 微波混合集成电路 高温超导 可靠性 锡铅钎焊 共晶焊接
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倒装LED芯片共晶焊接性能研究 被引量:1
19
作者 鲁青 邹军 +7 位作者 石明明 朱雨轩 陈跃 翟鑫梦 陈俊峰 杨磊 杨忠 徐慧 《应用技术学报》 2020年第4期315-322,共8页
LED照明与传统照明相比,具有节约能源、辐射小、使用寿命长、显色指数高等优点。当前LED倒装封装过程中,主要采用2种方法将芯片贴装到基板上,一种是通过导电银胶粘接,一种是进行共晶焊接。共晶焊接相比导电胶具有更高的可靠性,但关于其... LED照明与传统照明相比,具有节约能源、辐射小、使用寿命长、显色指数高等优点。当前LED倒装封装过程中,主要采用2种方法将芯片贴装到基板上,一种是通过导电银胶粘接,一种是进行共晶焊接。共晶焊接相比导电胶具有更高的可靠性,但关于其性能改善的研究还比较少。从共晶焊料、共晶焊接技术、共晶焊接可靠性等方面,综述了当前LED芯片共晶焊接的研究进展,以及未来的研究重点。 展开更多
关键词 共晶焊接 封装 发光二极管
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金带平行微隙焊工艺中Au80Sn20焊膏的应用
20
作者 刘微微 尉志霞 种静 《电子工艺技术》 2021年第5期299-301,306,共4页
金带平行微隙焊工艺中,采用在金带和焊盘之间增加Au80Sn20焊膏的方法,将电阻焊工艺变为共晶工艺,成功实现500 μm×25 μm金带在Ni3~5 μm Au0.05~0.30 μm /Ni3~5 μm Au≥3 μm RO4350B焊盘的焊接。试验结果表明,金锡焊膏的引入... 金带平行微隙焊工艺中,采用在金带和焊盘之间增加Au80Sn20焊膏的方法,将电阻焊工艺变为共晶工艺,成功实现500 μm×25 μm金带在Ni3~5 μm Au0.05~0.30 μm /Ni3~5 μm Au≥3 μm RO4350B焊盘的焊接。试验结果表明,金锡焊膏的引入可降低焊接参数值,有效解决焊接不牢或过焊的问题,实现可靠连接。通过控制焊膏用量及涂敷形状可实现合格焊点,适当缩短焊接时间,可有效解决焊点过宽的问题。 展开更多
关键词 微隙焊 Au80Sn20焊膏 共晶 焊接时间
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