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直流反应磁控溅射制备氧化铝薄膜 被引量:12
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作者 唐秀凤 罗发 +1 位作者 周万城 朱冬梅 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2011年第14期120-123,共4页
采用直流反应磁控溅射,以高纯Al为靶材,高纯O2为反应气体,在镍基合金和单晶硅基片上制备了氧化铝薄膜,并对氧化铝薄膜的沉积速率和表面形貌进行了研究。结果表明,氧化铝薄膜的沉积速率随溅射功率的增大先几乎呈线性增大而后增速趋缓;随... 采用直流反应磁控溅射,以高纯Al为靶材,高纯O2为反应气体,在镍基合金和单晶硅基片上制备了氧化铝薄膜,并对氧化铝薄膜的沉积速率和表面形貌进行了研究。结果表明,氧化铝薄膜的沉积速率随溅射功率的增大先几乎呈线性增大而后增速趋缓;随溅射气压的增加,沉积速率先增大,在1.0Pa时达到峰值,而后随气压继续增大而减小;随Ar/O2流量比的不断增加,沉积速率也随之不断增大,但是随着负偏压的增大,沉积速率先急剧减小而后趋于平缓。用扫描电子显微镜对退火处理前后的氧化铝薄膜表面形貌进行观察,发现在500℃退火1h能够使氧化铝薄膜致密化和平整化。 展开更多
关键词 直流反应磁控溅射 氧化铝薄膜 沉积速率 退火 表面形貌
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VO_x薄膜的制备、电阻-温度特性及结构研究 被引量:5
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作者 邵林飞 李合琴 +1 位作者 范文宾 宋泽润 《红外》 CAS 2009年第11期30-34,共5页
VO_2是一种热致相变材料。发生相变时,VO_2的电阻、红外光透过率、反射率都会发生显著变化。采用直流反应磁控溅射法,通过改变氧氩比(O_2:Ar)、工作气压、衬底温度等制备工艺参数,研究了工艺参数对VO_x薄膜的结构、电阻-温度性能的影响... VO_2是一种热致相变材料。发生相变时,VO_2的电阻、红外光透过率、反射率都会发生显著变化。采用直流反应磁控溅射法,通过改变氧氩比(O_2:Ar)、工作气压、衬底温度等制备工艺参数,研究了工艺参数对VO_x薄膜的结构、电阻-温度性能的影响。结果表明,当氧氩比为1.0:15、工作气压为2.0Pa时,制备的薄膜中VO_2的含量较多;衬底温度为250℃时,制备的VO_x薄膜的电阻-温度突变性能最佳。 展开更多
关键词 VO2薄膜 直流反应磁控溅射 沉积条件 电阻突变
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氧化银薄膜的微结构对其反射率和透射率的影响 被引量:5
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作者 冯红亮 粱艳 +5 位作者 郜小勇 林清耿 张增院 马姣民 卢景霄 宁皓 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期211-214,共4页
保持150℃的衬底温度不变,通过调节氧氩比(OFR=[O2]/[Ar]),利用直流反应磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了一系列氧化银薄膜。利用X射线衍射谱、扫描电子显微镜和分光光度计重点研究了薄膜的微结构对其反射率和透射率的影响。研究表明随着... 保持150℃的衬底温度不变,通过调节氧氩比(OFR=[O2]/[Ar]),利用直流反应磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了一系列氧化银薄膜。利用X射线衍射谱、扫描电子显微镜和分光光度计重点研究了薄膜的微结构对其反射率和透射率的影响。研究表明随着OFR的升高,氧化银薄膜呈现了从Ag+Ag2O多晶结构到Ag2O多晶结构的演变。薄膜的表面相应地呈现了从疏松的多孔结构到类金字塔结构的演变。较高的Ag2O含量和致密的表面形貌有利于薄膜可见和红外区的透光性,而较高的银含量和疏松的多孔结构则造成对光的强烈吸收,急剧地降低了薄膜的透射率和反射率。特别是在OFR为0.5条件下成功制备了具有(111)择优取向的Ag2O多晶薄膜,有效地将氧化银热分解的临界温度降低到200℃左右。 展开更多
关键词 氧化银薄膜 直流反应磁控溅射 Ag2O薄膜 快速热处理
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衬底温度对HfO_2薄膜结构和光学性能的影响 被引量:4
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作者 赵海廷 马紫微 +5 位作者 李健 刘利新 张洪亮 谢毅柱 苏玉荣 谢二庆 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期71-74,共4页
采用直流磁控反应溅射法,分别在室温,200,300,400和500℃下制备了HfO2薄膜。利用X射线衍射(XRD)、椭圆偏振光谱(SE)和紫外可见光谱(UVvis)研究了衬底温度对HfO2薄膜的晶体结构和光学性能的影响。XRD研究结果显示:不同衬底温度下制备的H... 采用直流磁控反应溅射法,分别在室温,200,300,400和500℃下制备了HfO2薄膜。利用X射线衍射(XRD)、椭圆偏振光谱(SE)和紫外可见光谱(UVvis)研究了衬底温度对HfO2薄膜的晶体结构和光学性能的影响。XRD研究结果显示:不同衬底温度下制备的HfO2薄膜均为单斜多晶结构;随衬底温度的升高,(-111)面择优生长更加明显,薄膜中晶粒尺寸增大。SE和UVvis研究结果表明:随衬底温度升高,薄膜折射率增加,光学带隙变小;制备的HfO2薄膜在250~850nm范围内有良好的透过性能,透过率在80%以上。 展开更多
关键词 HfO薄膜 衬底温度 晶体结构 直流磁控反应溅射 折射率 光学带隙
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极紫外反射镜氧化物保护层的制备与表征 被引量:4
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作者 王珣 金春水 +1 位作者 李春 匡尚奇 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第3期403-410,共8页
极紫外(EUV)反射镜在使用过程中的氧化及表面碳污染沉积,严重影响了极紫外光刻(EUVL)技术的工业应用。为了延长EUV反射镜的稳定性与使用寿命,一般采取在Mo/Si多层膜表面添加保护层。采用直流反应磁控溅射技术,建立氧气流量与溅射电压之... 极紫外(EUV)反射镜在使用过程中的氧化及表面碳污染沉积,严重影响了极紫外光刻(EUVL)技术的工业应用。为了延长EUV反射镜的稳定性与使用寿命,一般采取在Mo/Si多层膜表面添加保护层。采用直流反应磁控溅射技术,建立氧气流量与溅射电压之间的"迟滞回线"关系,进而准确掌握不同氧化物保护层所需氧气量,以此减少过多的活性氧对下层Mo/Si多层膜的影响,提高镜面的反射率。选用Ru O2与Ti O2两种保护层材料进行比较,根据充氧量的不同,分析不同反应阶段的薄膜特性。针对催化性和物理稳定性更好的Ti O2薄膜,在晶相、表面粗糙度、截面均匀性和化学组分等方面给予评价。研制出膜质致密均匀的非晶态Ti O2薄膜,其表面粗糙度优于100 pm;Ti O2纯度(质量分数)达97.2%;保护层厚度为2 nm的Mo/Si多层膜的反射率损失小于5%,满足EUV外多层膜的基本要求。 展开更多
关键词 薄膜 极紫外保护层 直流反应磁控溅射 迟滞回线
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反应磁控溅射法制备Y_2O_3金刚石红外减反膜 被引量:3
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作者 郭会斌 魏俊俊 +3 位作者 王耀华 贺琦 吕反修 唐伟忠 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2008年第3期10-14,18,共6页
采用纯钇(Y)金属靶,在氧+氩反应气氛中进行了Y2O3薄膜直流反应磁控溅射沉积。研究了工艺参数改变对薄膜的影响,选择较优的工艺在金刚石表面沉积符合光学厚度的薄膜,达到增透减反射效果。利用X射线光电子能谱(XPS)和扫描电子显微镜... 采用纯钇(Y)金属靶,在氧+氩反应气氛中进行了Y2O3薄膜直流反应磁控溅射沉积。研究了工艺参数改变对薄膜的影响,选择较优的工艺在金刚石表面沉积符合光学厚度的薄膜,达到增透减反射效果。利用X射线光电子能谱(XPS)和扫描电子显微镜(SEM)研究了薄膜的组成和结构。利用X射线衍射仪(GIXRD)和椭偏仪(Ellipsometer)研究了不同衬底温度和热处理温度对氧化钇薄膜组织结构和光学性能的影响。采用傅立叶红外光谱仪(FTIR)检测了镀膜前后金刚石红外透过性能。研究发现Y2O3薄膜能够有效提高金刚石在8-12μm的红外透过性能,在8μm处最大增透可达21.8%,使金刚石红外透过率由66.4%提高到88.2%;在3-5μm范围,双面镀制了Y2O3薄膜的金刚石平均透过率达64.9%,比没有镀膜的金刚石在该处的平均透过率54%高出10.9%。 展开更多
关键词 Y2O3薄膜 反应磁控溅射法 红外透过率 减反射
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氧气流量对TiO_x薄膜结构和光学特性的影响 被引量:2
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作者 周继承 荣林艳 +1 位作者 赵保星 李莉 《中南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期138-143,共6页
用直流反应磁控溅射法在未加热的玻璃基片上制备出晶态TiOx(x<2)薄膜,研究关键工艺因素即氧气流量对薄膜的沉积速率、表面形貌、显微结构和光学特性的影响。研究结果表明:随着氧气流量增加,薄膜的沉积速率从38.54nm/min下降到3.28nm/... 用直流反应磁控溅射法在未加热的玻璃基片上制备出晶态TiOx(x<2)薄膜,研究关键工艺因素即氧气流量对薄膜的沉积速率、表面形貌、显微结构和光学特性的影响。研究结果表明:随着氧气流量增加,薄膜的沉积速率从38.54nm/min下降到3.28nm/min,溅射模式也从转变模式过渡到氧化模式,薄膜表面均方根粗糙度逐渐减小,表面更趋平整;当氧气流量≤5mL/min时,得到不透明的晶态TiOx(x<2)薄膜;当氧气流量>5mL/min时,所沉积的TiOx薄膜呈透明非晶态,薄膜平均透射率高于80%。 展开更多
关键词 TiOx薄膜 直流反应磁控溅射 氧气流量
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高熵合金AlCrNbSiTiV氮化物薄膜溅镀参数的优化 被引量:2
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作者 万松峰 许春耀 张钰乾 《电镀与涂饰》 CAS CSCD 北大核心 2018年第15期677-682,共6页
以AlCrNbSiTiV为靶材,用反应式磁控溅镀系统分别在住友BNX20刀具和硅晶片上沉积高熵合金氮化物(AlCrNbSiTiV)N薄膜。采用田口方法的L9(34)正交表考察了沉积时间、基材偏压、溅射功率和基材温度对沉积速率、薄膜硬度和刀具寿命的影响,通... 以AlCrNbSiTiV为靶材,用反应式磁控溅镀系统分别在住友BNX20刀具和硅晶片上沉积高熵合金氮化物(AlCrNbSiTiV)N薄膜。采用田口方法的L9(34)正交表考察了沉积时间、基材偏压、溅射功率和基材温度对沉积速率、薄膜硬度和刀具寿命的影响,通过方差分析(ANOVA)确定了影响各性能的主要因素。对信噪比(S/N)进行灰关联分析以实现多目标优化,得出最佳工艺参数为:沉积时间20min,基材偏压-100V,溅射功率250W,基材温度400°C。在该条件下,沉积速率为17.28nm/min,薄膜硬度达到2814HV,刀具寿命2.50m。 展开更多
关键词 高熵合金 氮化物 薄膜 刀具 直流反应式磁控溅射 田口方法 灰关联分析 多目标优化
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反应气压对直流磁控反应溅射制备的氧化银薄膜的结构和光学性质的影响 被引量:2
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作者 张增院 郜小勇 +2 位作者 冯红亮 马姣民 卢景霄 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期486-491,共6页
利用直流磁控反应溅射技术,通过调节反应气压(RP),在250℃衬底温度下制备了一系列氧化银(AgxO)薄膜,并利用X射线衍射谱、能量色散谱和分光光度计重点研究了RP对AgxO薄膜的结构和光学性质的影响.研究结果表明,随着RP从0.5Pa升高到3.5Pa,... 利用直流磁控反应溅射技术,通过调节反应气压(RP),在250℃衬底温度下制备了一系列氧化银(AgxO)薄膜,并利用X射线衍射谱、能量色散谱和分光光度计重点研究了RP对AgxO薄膜的结构和光学性质的影响.研究结果表明,随着RP从0.5Pa升高到3.5Pa,薄膜明显呈现了从两相(AgO+Ag2O)到单相(Ag2O)结构再到两相(Ag2O+AgO)结构的演变.特别是在RP=2.5Pa时成功制备了单相Ag2O薄膜,使AgxO薄膜的热分解临界温度的有效降低成为现实.AgxO薄膜透明区的透射率随RP的增加而增加,而反射率和吸收率随RP的增加而减小.该结果可归结于薄膜相结构的演变和薄膜厚度的减小.两相(AgO+Ag2O)薄膜的吸收边在2.75eV附近,而单相(Ag2O)和Ag2O相占主导的两相(Ag2O+AgO)薄膜的吸收边在2.5eV附近. 展开更多
关键词 氧化银薄膜 直流磁控反应溅射 X射线衍射谱 光学性质
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Effects of the sputtering power on the crystalline structure and optical properties of the silver oxide films deposited using direct-current reactive magnetron sputtering
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作者 郜小勇 张增院 +3 位作者 马姣民 卢景霄 谷锦华 杨仕娥 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第2期370-375,共6页
This paper reports that a series of silver oxide (AgzO) films are deposited on glass substrates by direct-current reactive magnetron sputtering at a substrate temperature of 250 ℃ and an oxygen flux ratio of 15:18... This paper reports that a series of silver oxide (AgzO) films are deposited on glass substrates by direct-current reactive magnetron sputtering at a substrate temperature of 250 ℃ and an oxygen flux ratio of 15:18 by modifying the sputtering power (SP). The AgxO films deposited apparently show a structural evolution from cubic biphased (AgO + Ag20) to cubic single-phased (Ag20), and to biphased (Ag20 + AgO) structure. Notably, the cubic single-phased Ag20 fihn is deposited at the SP = 105 W and an AgO phase with (220) orientation discerned in the Ag^O films deposited using the SP 〉 105 W. The transmissivity and refiectivity of the AgxO films in transparent region decrease with the increase the SP, whereas the absorptivity inversely increases with the increase of the SP. These results may be due to the structural evolution and the increasing film thickness. A redshift of the films' absorption edges determined in terms of Tauc formula clearly occurs from 3.1 eV to 2.73 eV with the increase of the SP. 展开更多
关键词 Ag2O film direct-current reactive magnetron sputtering x-ray diffraction optical prop-erties
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C轴择优取向AlN薄膜的制备研究 被引量:1
11
作者 李位勇 张凯 +2 位作者 徐丹丹 陈丽丽 顾豪爽 《四川大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2005年第S1期421-423,共3页
采用直流磁控反应溅射法制备AlN薄膜.研究了靶基距、衬底温度和电极材料对AlN薄膜择优取向的影响.用XRD、AFM表征了AlN薄膜的结构、表面形貌.结果表明衬底温度为300℃、靶基距为3cm,在Pt电极上可沉积高质量的C轴择优取向AlN薄膜.
关键词 ALN薄膜 直流磁控反应溅射 C轴择优取向
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磁控反应溅射AlN缓冲层对GaN基LED器件性能的影响 被引量:1
12
作者 农明涛 苗振林 +5 位作者 梁智勇 周佐华 蔡炳杰 卢国军 林传强 张宇 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第12期1452-1457,共6页
以直流磁控反应溅射法(RMS)在图形化蓝宝石衬底上制备的AlN薄膜作为缓冲层,采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)外延生长了GaN基LED。与MOCVD生长的低温GaN缓冲层相比,RMS制备的AlN缓冲层具有表面更平整、颗粒更小的形核岛,有利于促进Ga... 以直流磁控反应溅射法(RMS)在图形化蓝宝石衬底上制备的AlN薄膜作为缓冲层,采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)外延生长了GaN基LED。与MOCVD生长的低温GaN缓冲层相比,RMS制备的AlN缓冲层具有表面更平整、颗粒更小的形核岛,有利于促进GaN外延的横向生长,减少了形核岛合并时的界面数量和高度差异,降低了缺陷和位错产生的几率。研究结果表明,溅射AlN缓冲层取代传统低温GaN缓冲层后,外延生长的GaN材料具有更高的晶体质量,LED器件在亮度、漏电和抗静电能力等光电特性上均有明显提升。 展开更多
关键词 直流磁控反应溅射 氮化铝缓冲层 氮化镓基发光二极管 金属有机化学气相沉积
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铝锰合金表面直流反应磁控溅射制备氧化铟锡薄膜
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作者 黄晓辉 左秀荣 姬中华 《电镀与涂饰》 CAS CSCD 北大核心 2009年第9期35-37,40,共4页
采用直流反应磁控溅射在AlMn合金表面制备出ITO薄膜。采用扫描电镜、X射线衍射、紫外–可见光测试、磨损试验、盐雾试验、薄膜厚度测量和显微硬度试验等方法对制备的ITO薄膜表面进行检测分析。结果表明:在溅射功率210W、衬底温度120... 采用直流反应磁控溅射在AlMn合金表面制备出ITO薄膜。采用扫描电镜、X射线衍射、紫外–可见光测试、磨损试验、盐雾试验、薄膜厚度测量和显微硬度试验等方法对制备的ITO薄膜表面进行检测分析。结果表明:在溅射功率210W、衬底温度120°C、溅射时间20min的条件下,AlMn合金表面的ITO薄膜晶粒尺寸细小,与基底结合良好,AlMn合金表面光泽度好,强度、硬度高,并具有一定的耐磨、耐蚀性能。 展开更多
关键词 铝锰合金 氧化铟锡 薄膜 直流反应磁控溅射
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室温下制备以{211}晶面为主的Ti_(1-x)V_xO_2薄膜及其可见光催化性能
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作者 谢鹏程 黄洁 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2015年第11期2197-2204,共8页
以金属Ti和V作为靶材,采用直流反应共溅射技术在室温下制备了以{211}晶面为主的锐钛矿相Ti1-xVxO2薄膜,研究了不同V靶功率对Ti1-xVxO2薄膜的薄膜成分、晶相结构和可见光催化性能的影响。研究表明,Ti1-xVxO2薄膜的晶相结构为锐钛矿相,择... 以金属Ti和V作为靶材,采用直流反应共溅射技术在室温下制备了以{211}晶面为主的锐钛矿相Ti1-xVxO2薄膜,研究了不同V靶功率对Ti1-xVxO2薄膜的薄膜成分、晶相结构和可见光催化性能的影响。研究表明,Ti1-xVxO2薄膜的晶相结构为锐钛矿相,择优取向为(211),而结晶度受V靶功率的影响。随着V靶功率的增加,薄膜中V元素含量逐渐增加,同时,晶粒和沉积速率也逐渐增加。另外,当V靶功率为150 W时,薄膜的表面粗糙度值有一个最大值。V的掺杂导致薄膜的能带间隙变窄,对光的吸收向可见光区偏移,从而有效地改善了薄膜的可见光催化能力。当V靶功率为150 W时,Ti1-xVxO2薄膜的能带间隙值为2.82 e V,其在2 h的可见光照射下分解了80%的Rh B染料。这被归结于能带间隙窄,高能晶面{211}和结晶度高的共同作用。 展开更多
关键词 直流反应磁控溅射 Ti1-xVxO2薄膜 室温 高能晶面 可见光催化行为
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TiO_2缓冲层对掺钨氧化钒热敏智能玻璃的制备及性能影响 被引量:4
15
作者 刘涛 李合琴 +3 位作者 刘丹 武大伟 吕晓庆 宋泽润 《真空》 CAS 北大核心 2011年第6期21-24,共4页
用直流磁控溅射法在玻璃基片上先沉积TiO2缓冲层,再用直流/射频反应磁控共溅射法制备掺钨VOX薄膜,然后在氮气中退火。用X射线衍射、原子力显微镜、紫外可见光分光光度计、红外光谱仪等对薄膜的结构、表面形貌、光透过率等进行测试分析... 用直流磁控溅射法在玻璃基片上先沉积TiO2缓冲层,再用直流/射频反应磁控共溅射法制备掺钨VOX薄膜,然后在氮气中退火。用X射线衍射、原子力显微镜、紫外可见光分光光度计、红外光谱仪等对薄膜的结构、表面形貌、光透过率等进行测试分析。结果表明:在溅射气压为1 Pa,氧氩气体比例为1:4,Ti靶采用100 W直流电源时,所制备的TiO2缓冲层上的掺钨VOX薄膜致密,晶粒大小均匀。掺钨VOX薄膜样品的相变温度降低至35℃,可见光透过率较高,对红外光的屏蔽效果明显。 展开更多
关键词 掺钨VOx薄膜 TiO2缓冲层 直流/射频反应磁控共溅射 光透过率
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