期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到5篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
真空电解法制备海绵钛中阴极的制备与表征 被引量：4
1
作者 邹敏 刘国钦 +1 位作者 王琪琳 马光强 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期19-21,共3页
采用TiO2粉末、聚乙烯醇和蒸馏水为主要原料制备了真空条件下直接电解TiO2制备海绵钛中的TiO2阴极.研究了TiO2阴极的制备工艺,采用X射线衍射(XRD)对TiO2电极晶体结构进行表征,采用扫描电子显微镜(SEM)对电极中TiO2颗粒形貌进行了观察,... 采用TiO2粉末、聚乙烯醇和蒸馏水为主要原料制备了真空条件下直接电解TiO2制备海绵钛中的TiO2阴极.研究了TiO2阴极的制备工艺,采用X射线衍射(XRD)对TiO2电极晶体结构进行表征,采用扫描电子显微镜(SEM)对电极中TiO2颗粒形貌进行了观察,并测定了TiO2阴极的导电性能随温度的变化关系.研究结果表明,电极中TiO2由锐钛型转变为金红石型;TiO颗粒明显增大且部分连接在一起,空隙率达40%～60%;当温度在900～1300℃之间时,电极的电阻率在0.002～0.012Ω/m之间. 展开更多
关键词 TiO2电极 制备 性能
下载PDF
光学级硅酸镓镧晶体的生长初探(Ⅰ)——晶体原料、起始配比与提出量的讨论
2
作者 王继扬 张建秀 +6 位作者 刘耀刚 孔海宽 葛炳辉 董胜明 严振华 尹鑫 蒋民华 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第11期1371-1376,共6页
根据制作La3Ga5SiO14(LGS)晶体电光Q开关的需要,生长了可用于制作电光Q开关的LGS晶体。根据大量晶体生长实验的结果,讨论了晶体原料纯度、来源、晶体原料起始组分配比及晶体提出量与晶体质量的关系,认为Ga2O3的纯度和来源对晶体质量的... 根据制作La3Ga5SiO14(LGS)晶体电光Q开关的需要,生长了可用于制作电光Q开关的LGS晶体。根据大量晶体生长实验的结果,讨论了晶体原料纯度、来源、晶体原料起始组分配比及晶体提出量与晶体质量的关系,认为Ga2O3的纯度和来源对晶体质量的影响最大。实际生长光学应用的LGS晶体过程中,La2O3纯度为5N(或6N),而SiO2为6N。起始组分配比应选共熔点处的配比,即x(La2O3)=30.00%,x(Ga2O3)=50.65%,x(SiO2)=19.35%。考虑到生长过程中Ga2O3的挥发,Ga2O3应适当过量,n(Ga)/n(Si)范围为5.20～5.30。晶体提出量与起始组分有关,晶体提出量以50%～60%为宜。 展开更多
关键词 硅酸镓镧 晶体生长 提拉法 晶体原料 起始组分配比 提出量
下载PDF
晶体生长对原料纯度的要求 被引量：3
3
作者 陈福泉 潘伟健 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1990年第1期84-90,共7页
本文分析高纯材料的纯度标志的随意性缺点,提出了生产厂家必须标明生产方法和按不同的级别标出已测定的阳、阴离子杂质和基体组成。同时,根据杂质对晶体生长的影响,提出各类晶体原料应当测试分析的阳、阴离子杂质,以及某些原料基体偏离... 本文分析高纯材料的纯度标志的随意性缺点,提出了生产厂家必须标明生产方法和按不同的级别标出已测定的阳、阴离子杂质和基体组成。同时,根据杂质对晶体生长的影响,提出各类晶体原料应当测试分析的阳、阴离子杂质,以及某些原料基体偏离化学计量比组成。从而使晶体生长时能够选择恰当纯度的原料,既限制“有害杂质”浓度,又可适当放宽“无害杂质”浓度,达到降低成本,提高质量的目的。 展开更多
关键词 晶体生长 原料 纯度
下载PDF
可调谐激光晶体Cr^（3＋）：LiCaAIF_6的生长及原料处理 被引量：2
4
作者 程立森 黄朝恩 +1 位作者 王英才 方珍意 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1994年第3期243-247,共5页
本文介绍了生长Ｃｒ￣（３＋）：ＬｉＣａＡＩＦ＿６晶体所用原料的氟氢化处理和几种晶体生长工艺，获得了尺寸为Φ１０×１００ｍｍ及Φ２０×６０ｍｍ的完整单晶。对晶体成分及所含杂质进行了化学常量分析、光谱半定量分析和... 本文介绍了生长Ｃｒ￣（３＋）：ＬｉＣａＡＩＦ＿６晶体所用原料的氟氢化处理和几种晶体生长工艺，获得了尺寸为Φ１０×１００ｍｍ及Φ２０×６０ｍｍ的完整单晶。对晶体成分及所含杂质进行了化学常量分析、光谱半定量分析和光电子能谱分析，讨论了晶体末端有时失透的可能原因。发现原料处理对高质量晶体的生长极为重要。 展开更多
关键词 氟铝酸钙锂 激光晶体 晶体生长
下载PDF
钒酸钇晶体原料的提纯
5
作者 吴少凡 李敢生 +2 位作者 诸月梅 滕硕 熊建华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期220-,共1页
钒酸钇晶体的质量与原料的纯度有着直接的关系 ,提高原料纯度不但可以克服散射中心和多晶的形成 ,还可以在保证晶体质量的同时 ,提高晶体的生长速度。市场上出售的NH4VO3为分析纯 ,稀土杂质含量为ppm量级 ,非稀土杂质的含量比稀土杂质... 钒酸钇晶体的质量与原料的纯度有着直接的关系 ,提高原料纯度不但可以克服散射中心和多晶的形成 ,还可以在保证晶体质量的同时 ,提高晶体的生长速度。市场上出售的NH4VO3为分析纯 ,稀土杂质含量为ppm量级 ,非稀土杂质的含量比稀土杂质含量高几个数量级 ,其中铁的含量为 5 0ppm。所以提纯的重点应放在降低非稀土杂质的含量上。我们把Na、K、Ca、Mg、Si和Fe作为特定杂质。铁离子是荧光猝灭剂 ,含量高时对激光十分有害。因此应首先解决除铁的问题。使Fe3 +离子水解析出沉淀Fe(OH) 3 长期以来作为一种典型的除铁方法 ,可以除去大部分的铁。但对微量的铁却没有什么效果 ,因为Fe(OH) 3 具有胶体的性质 ,不仅沉淀速度慢 ,过滤困难 ,通常应用聚凝剂使Fe(OH) 3 聚沉淀或长时间加热煮沸破坏胶体 ,但由于溶液澄清 ,不易聚沉淀 ,且不能长时间加热 ,所以从溶液中分离微量铁是很困难的。共沉淀可以除去绝大部分的铁 ,但原料的损耗太大。我们采用二次重结晶的方法来提纯NH4VO3 。为了除去其中的Fe3 +第一次重结晶时加入EDTA ,因为FeEDTA-2 的稳定常数比五价钒的大 9个数量级 ,所以可以除去绝大多数的Fe3 +。第二次重结晶时加入邻二氮菲 ,主要为了降低Fe2 +的含量 ,同时除去可与邻二氮菲生成稳定络和物的Cu、Co和Ni等杂? 展开更多
关键词 钒酸钇晶体 二次重结晶 原料提纯
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部