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SiO_2/CeO_2复合磨粒的制备及在蓝宝石晶片抛光中的应用 被引量:13
1
作者 白林山 熊伟 +2 位作者 储向峰 董永平 张王兵 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期1289-1295,共7页
采用均相沉淀法制备了SiO2/CeO2复合磨料,并利用X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)等对样品的相组成和形貌进行了表征。将所制备的SiO2/CeO2复合磨料用于蓝宝石晶片的化学机械抛光,利用原子力显微镜... 采用均相沉淀法制备了SiO2/CeO2复合磨料,并利用X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)等对样品的相组成和形貌进行了表征。将所制备的SiO2/CeO2复合磨料用于蓝宝石晶片的化学机械抛光,利用原子力显微镜检测抛光后的蓝宝石晶片表面粗糙度。结果表明:所制备的SiO2/CeO2复合磨粒呈球形,粒径在40-50nm;在相同条件下,经过复合磨料抛光后的蓝宝石晶片表面粗糙度为0.32nm,材料去除速率为16.4nm/min,而SiO2抛光后的蓝宝石晶片表面粗糙度为0.92nm,材料去除速率为20.1nm/min。实验显示,复合磨料的材料去除速率略低于单一SiO2磨料,但它获得了较好的表面质量,基本满足蓝宝石作发光二极管(LED)衬底的工艺要求。 展开更多
关键词 蓝宝石晶片 化学机械抛光 表面粗糙度 SiO2/CeO2 复合磨料
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化学机械抛光浆料研究进展 被引量:9
2
作者 陆中 陈杨 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第12期1157-1161,1239,共6页
化学机械抛光(CMP)作为目前唯一可以实现全面平坦化的工艺技术,已被越来越广泛地应用到集成电路芯片、计算机硬磁盘和光学玻璃等表面的超精密抛光。介绍了CMP技术的发展背景,以及目前国内外抛光浆料的研究现状,并根据CMP浆料磨料的性质... 化学机械抛光(CMP)作为目前唯一可以实现全面平坦化的工艺技术,已被越来越广泛地应用到集成电路芯片、计算机硬磁盘和光学玻璃等表面的超精密抛光。介绍了CMP技术的发展背景,以及目前国内外抛光浆料的研究现状,并根据CMP浆料磨料的性质,将其分为单磨料、混合磨料和复合磨料浆料,对每一种浆料做了总体描述。详细介绍了近年来发展的复合磨料制备技术及其在CMP中的应用,并展望了CMP技术的发展前景以及新型抛光浆料的开发方向。 展开更多
关键词 化学机械抛光 抛光浆料 复合磨料
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Chemical Mechanical Polishing of Glass Substrate with α-Alumina-g-Polystyrene Sulfonic Acid Composite Abrasive 被引量:9
3
作者 LEI Hong BU Naijing ZHANG Zefang CHEN Ruling 《Chinese Journal of Mechanical Engineering》 SCIE EI CAS CSCD 2010年第3期276-281,共6页
Abrasive is the one of key influencing factors during chemical mechanical polishing(CMP) process. Currently, α-Alumina (α-Al2O3) particle, as a kind of abrasive, has been widely used in CMP slurries, but their h... Abrasive is the one of key influencing factors during chemical mechanical polishing(CMP) process. Currently, α-Alumina (α-Al2O3) particle, as a kind of abrasive, has been widely used in CMP slurries, but their high hardness and poor dispersion stability often lead to more surface defects. After being polished with composite particles, the surface defects of work pieces decrease obviously. So the composite particles as abrasives in slurry have been paid more attention. In order to reduce defect caused by pure α-Al2O3 abrasive, α-alumina-g-polystyrene sulfonic acid (α-Al2O3-g-PSS) composite abrasive was prepared by surface graft polymerization. The composition, structure and morphology of the product were characterized by Fourier transform infrared spectroscopy(FTIR), X-ray photoelectron spectroscopy(XPS), time-of-flight secondary ion mass spectroscopy(TOF-SIMS), and scanning electron microscopy(SEM), respectively. The results show that polystyrene sulfonic acid grafts onto α-Al2O3, and has well dispersibility. Then, the chemical mechanical polishing performances of the composite abrasive on glass substrate were investigated with a SPEEDFAM-16B-4M CMP machine. Atomic force microscopy(AFM) images indicate that the average roughness of the polished glass substrate surface can be decreased from 0.835 nm for pure α-Al2O3 abrasive to 0.583 nm for prepared α-Al2O3-g-PSS core-shell abrasive. The research provides a new and effect way to improve the surface qualities during CMP. 展开更多
关键词 chemical mechanical polishing glass substrate α-alumina graft polymerization composite abrasive
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一种新型复合磨料对铜的化学机械抛光研究 被引量:8
4
作者 张磊 汪海波 +3 位作者 张泽芳 王良咏 刘卫丽 宋志棠 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期520-525,共6页
磨料是化学机械抛光(CMP)中重要的组成部分,是决定抛光平坦化的重要影响因素。采用两步法制备了新型的氧化硅包覆聚苯乙烯(PS)核壳型复合磨料,采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM),X射线能量色散谱(EDX)等对复合磨料进行了表... 磨料是化学机械抛光(CMP)中重要的组成部分,是决定抛光平坦化的重要影响因素。采用两步法制备了新型的氧化硅包覆聚苯乙烯(PS)核壳型复合磨料,采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM),X射线能量色散谱(EDX)等对复合磨料进行了表征。结果表明所制备的复合磨料具有核壳结构,且表面光滑。随后复合磨料对比硅溶胶对铜化学机械抛光进行研究,采用原子力显微镜(AFM)观测表面的微观形貌,并测量了表面粗糙度。经过复合磨料抛光后的铜片粗糙度为0.58nm,抛光速率为40nm/min。硅溶胶抛光后的铜片的粗糙度是1.95nm,抛光速率是37nm/min。 展开更多
关键词 PS/SiO2 复合磨料 化学机械抛光
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抛光压力和抛光垫硬度对PMMA-CeO2核壳复合磨粒抛光性能的影响(英文) 被引量:6
5
作者 马翔宇 陈杨 《微纳电子技术》 北大核心 2019年第10期835-843,共9页
磨粒结构在化学机械抛光(CMP)过程中发挥重要作用。利用化学沉积技术在聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)表面嫁接氧化铈(CeO2)纳米粒子,得到了核壳结构的PMMA-CeO2复合颗粒。借助X射线衍射、傅里叶转换红外光谱、场发射扫描电镜、透射电镜和选区... 磨粒结构在化学机械抛光(CMP)过程中发挥重要作用。利用化学沉积技术在聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)表面嫁接氧化铈(CeO2)纳米粒子,得到了核壳结构的PMMA-CeO2复合颗粒。借助X射线衍射、傅里叶转换红外光谱、场发射扫描电镜、透射电镜和选区电子衍射等手段对样品结构进行表征。结果表明,硝酸铈用量对CeO2复合颗粒的壳层厚度及均匀性具有明显影响。以氧化硅片作为加工对象,利用原子力显微镜对比了PMMA-CeO2复合磨粒与商用CeO2纳米粒子的抛光特性,发现所得复合磨粒有助于消除划痕和改善表面质量。且随着抛光垫硬度的降低和抛光压力的减小,抛光表面粗糙度和轮廓起伏均随之降低。本文旨在为通过优化工艺参数提高复合磨粒的抛光效果提供实验和理论依据。 展开更多
关键词 聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA) 氧化铈(CeO2) 复合磨粒 核壳结构 化学机械抛光(CMP)
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复合磨料的制备及其对层间介质CMP性能的影响
6
作者 陈志博 王辰伟 +4 位作者 罗翀 杨啸 孙纪元 王雪洁 杨云点 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第4期323-329,共7页
以SiO_(2)为内核、CeO_(2)为外壳制备出了核壳结构复合磨料,用以提升集成电路层间介质的去除速率及表面一致性。采用扫描电子显微镜(SEM)观察复合磨料的表面形貌,利用X射线衍射仪(XRD)、傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)和X射线光电子能谱仪(... 以SiO_(2)为内核、CeO_(2)为外壳制备出了核壳结构复合磨料,用以提升集成电路层间介质的去除速率及表面一致性。采用扫描电子显微镜(SEM)观察复合磨料的表面形貌,利用X射线衍射仪(XRD)、傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)和X射线光电子能谱仪(XPS)分析复合磨料的表面物相结构及化学键组成。研究结果表明,所制备的复合磨料呈现出“荔枝”形,平均粒径为70~90 nm,CeO_(2)粒子主要以Si—O—Ce键与SiO_(2)内核结合。将所制备的复合磨料配置成抛光液进行层间介质化学机械抛光(CMP)实验。实验结果表明,Zeta电位随着pH值的降低而升高,当pH值约为6.8时达到复合磨料的等电点。当pH值为3时,层间介质去除速率达到最大,为481.6 nm/min。此外,研究发现去除速率还与摩擦力和温度有关,CMP后的SiO_(2)晶圆均方根表面粗糙度为0.287 nm。 展开更多
关键词 复合磨料 核壳结构 层间介质 化学机械抛光(CMP) 去除速率
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氧化铈及其复合磨料的研究进展 被引量:5
7
作者 邹兰梅 《安徽化工》 CAS 2021年第1期13-16,共4页
介绍了氧化铈及其复合磨料的主要制备方法,描述了该材料在化学机械抛光(CMP)应用中的研究进展。针对当前研究所面临的问题进行简要分析,并展望了其今后的研究方向。
关键词 氧化铈 复合磨料 化学机械抛光 制备
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CeO_(2)磨料在介质化学机械抛光及后清洗中应用的研究进展
8
作者 闫妹 檀柏梅 +2 位作者 王亚珍 李伟 纪金伯 《稀土》 CAS CSCD 北大核心 2023年第3期106-117,I0005,共13页
氧化铈(CeO_(2))磨料在化学机械抛光(CMP)效率、选择性以及表面质量等方面的表现优异,是目前浅沟槽隔离和层间电介质CMP的主要磨料,如何提高二氧化硅(SiO2)介质抛光速率(MRR)并改善表面质量是目前的研究热点。增强CeO_(2)⁃SiO2间的相互... 氧化铈(CeO_(2))磨料在化学机械抛光(CMP)效率、选择性以及表面质量等方面的表现优异,是目前浅沟槽隔离和层间电介质CMP的主要磨料,如何提高二氧化硅(SiO2)介质抛光速率(MRR)并改善表面质量是目前的研究热点。增强CeO_(2)⁃SiO2间的相互作用会大幅加快介质的去除率,但Ce—O—Si化学键的形成会导致CMP后清洗工艺的难度加大,因此,晶圆表面残余CeO_(2)磨料的有效去除被广泛关注。本文概述了CeO_(2)在二氧化硅CMP及后清洗工艺中的应用研究进展,并对CeO_(2)磨料的附着、去除机理进行了归纳分析。重点综述了复合磨料对CMP性能的影响以及水抛光工艺、物理及化学等方法的清洗效果。同时,对氧化铈作磨料的STI CMP及后清洗工艺中所面临的问题进行了总结,以期为其提供有价值的思考。 展开更多
关键词 氧化铈 浅沟槽隔离 化学机械抛光 Ce 3+浓度 复合磨料 材料去除速率 CMP后清洗
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Sm掺杂核-壳结构介孔SiO2@CeO2复合颗粒的制备和抛光性能 被引量:4
9
作者 陈爱莲 王婉莹 +2 位作者 马翔宇 蔡文杰 陈杨 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第4期919-926,共8页
在低模量介孔SiO2(Mesoporous silica, mSiO2)微球表面负载Sm掺杂CeO2纳米粒子,制备了具有均匀完整核-壳结构的非刚性mSiO2@Ce1-xSmxO2(x=0, 0.23)复合颗粒。借助XRD、 SEM、 HRTEM、 STEM-EDX Mapping、 Raman光谱和N2吸-脱附等技术对... 在低模量介孔SiO2(Mesoporous silica, mSiO2)微球表面负载Sm掺杂CeO2纳米粒子,制备了具有均匀完整核-壳结构的非刚性mSiO2@Ce1-xSmxO2(x=0, 0.23)复合颗粒。借助XRD、 SEM、 HRTEM、 STEM-EDX Mapping、 Raman光谱和N2吸-脱附等技术对产物进行结构表征,利用AFM和三维光学轮廓仪评价Sm元素掺杂处理对mSiO2@Ce1-xSmxO2(x=0, 0.23)复合颗粒抛光效果的影响。讨论了Sm掺杂复合磨粒的高效无损超精密抛光机制。结果表明:掺杂处理可使mSiO2@Ce1-xSmxO2(x=0, 0.23)复合颗粒的抛光效率提高近36%,达到84 nm/min,同时获得具有原子量级精度的加工表面,抛光后SiO2薄膜的粗糙度平均值和均方根分别为0.14和0.17 nm。 展开更多
关键词 CEO2 掺杂 复合磨粒 核-壳结构 抛光
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金刚石/氧化铈复合磨料的制备及性能测定 被引量:3
10
作者 董德胜 陈锋 +2 位作者 陈金身 黎克楠 陈恩厚 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 2014年第3期62-66,共5页
为提高金刚石树脂磨具的使用寿命和工作效率,采用真空法制备金刚石/氧化铈复合磨料。通过亲水性测定仪、单颗粒抗压测定仪、万能材料试验机、立式万能摩擦磨损试验机等设备对材料性能进行测试,并利用X射线衍射仪对其进行表征。实验结果... 为提高金刚石树脂磨具的使用寿命和工作效率,采用真空法制备金刚石/氧化铈复合磨料。通过亲水性测定仪、单颗粒抗压测定仪、万能材料试验机、立式万能摩擦磨损试验机等设备对材料性能进行测试,并利用X射线衍射仪对其进行表征。实验结果表明:镀覆后,金刚石/氧化铈亲水性大大提高;当氧化铈质量分数为15%时,其亲水性和单颗粒抗压强度最大;当氧化铈质量分数为5%时,所制得的树脂磨具具有最大的抗折强度;当氧化铈质量分数为10%时,所制得的树脂磨具具有最大的磨削比。综合考虑,当氧化铈质量分数为10%时,利用金刚石/氧化铈复合磨料制备的树脂磨具具有较好的综合性能。 展开更多
关键词 金刚石 氧化铈 复合磨料 制备 性能
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氧化铝复合磨粒的制备及表征 被引量:3
11
作者 麻鹏飞 张萍 蒋春东 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2012年第11期26-30,共5页
为了提高Al2O3超微粉在水介质中的分散稳定性,先采用硅烷偶联剂KH-570对Al2O3表面进行改性,然后通过分两次加入引发剂过硫酸铵的方式,引发丙烯酰胺AM在KH-570改性的Al2O3超微粉表面进行接枝聚合改性。利用傅立叶红外光谱仪、激光粒度仪... 为了提高Al2O3超微粉在水介质中的分散稳定性,先采用硅烷偶联剂KH-570对Al2O3表面进行改性,然后通过分两次加入引发剂过硫酸铵的方式,引发丙烯酰胺AM在KH-570改性的Al2O3超微粉表面进行接枝聚合改性。利用傅立叶红外光谱仪、激光粒度仪、微电泳仪、分光光度计、扫描电镜及X射线衍射仪对样品的表面元素分布、颗粒粒径、分散稳定性、表面Zeta电位、表面形貌及物相结构进行了表征。结果表明:分两次加入引发剂,可以得到在水介质中稳定、分散性好的复合磨粒。同未改性的Al2O3超微粉相比,经AM接枝聚合改性后的颗粒表面团聚现象得到改善,颗粒D50减少;接枝改性后Al2O3的等电点IEP发生迁移,在pH值11时颗粒表面Zeta电位绝对值达到最大,在水介质中的分散稳定性得到提高,形成以聚丙烯酰胺为壳,Al2O3为核的复合磨粒。 展开更多
关键词 Al2O3超微粉 分散性 表面改性 复合磨粒
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壳层厚度对核-壳结构PS-SiO_2杂化颗粒压缩弹性模量的影响 被引量:3
12
作者 陈爱莲 钱程 +1 位作者 苗乃明 陈杨 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期1125-1131,共7页
基于正负电荷间的静电作用制备了具有核-壳结构的聚苯乙烯-氧化硅(PS-SiO2)杂化颗粒,通过调节正硅酸乙酯的用量对样品的SiO2壳层厚度进行控制.利用原子力显微镜(AFM)在微观尺度上测定杂化颗粒的力-位移曲线,根据Hertz接触模型和Sned... 基于正负电荷间的静电作用制备了具有核-壳结构的聚苯乙烯-氧化硅(PS-SiO2)杂化颗粒,通过调节正硅酸乙酯的用量对样品的SiO2壳层厚度进行控制.利用原子力显微镜(AFM)在微观尺度上测定杂化颗粒的力-位移曲线,根据Hertz接触模型和Sneddon接触模型,考查了SiO2壳层厚度对样品压缩弹性模量的影响.扫描电子显微镜(SEM)和透射电镜(TEM)结果显示,杂化颗粒中PS内核尺寸为(197士9)nm,壳层由SiO2纳米颗粒组成,在本试验范围内杂化颗粒样品的壳厚为11~16 nm.在Hertz接触模型条件下,PS微球的弹性模量为(2.2士0.5) GPa,其数值略低于PS块体材料.当SiO2壳厚由11 nm增至16 nm时,杂化颗粒的弹性模量从(4.4士0.6) GPa增至(10.2士1.1) GPa,其数值明显低于纯SiO2,且更接近于PS内核. 展开更多
关键词 复合磨粒 杂化颗粒 核-壳结构 弹性模量 原子力显微镜
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DND@CeO_(2)核壳型磨料的制备及其在蓝宝石表面的抛光机理研究 被引量:2
13
作者 周晨 许向阳 +1 位作者 林顺天 姚云飞 《矿冶工程》 CAS CSCD 北大核心 2021年第2期115-120,共6页
采用原位化学沉淀法,将氧化铈(CeO_(2))包覆于爆轰纳米金刚石(DND)颗粒上,制得DND@CeO_(2)复合磨料。复合磨料的最佳抛光工艺参数为:抛光压力4 kg、抛光盘转速120 r/min、抛光液流量70 mL/min、抛光液质量浓度1%、抛光液pH=10,此条件下... 采用原位化学沉淀法,将氧化铈(CeO_(2))包覆于爆轰纳米金刚石(DND)颗粒上,制得DND@CeO_(2)复合磨料。复合磨料的最佳抛光工艺参数为:抛光压力4 kg、抛光盘转速120 r/min、抛光液流量70 mL/min、抛光液质量浓度1%、抛光液pH=10,此条件下复合磨料最大材料去除率可达73.26 nm/min,且抛光后的蓝宝石表面粗糙度可达4.47 nm,较CeO_(2)(粗糙度17.21 nm)和DND磨料(粗糙度24.1 nm)更优。分析抛光机理可知,复合磨料抛光性能的改善归因于蓝宝石表面与CeO_(2)发生了固相化学反应,形成较软的变质层,而DND可有效去除此反应层。 展开更多
关键词 复合磨料 纳米金刚石 氧化铈 化学机械抛光 蓝宝石 抛光磨料
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抛光压力对PS/CeO_2纳米复合磨粒抛光性能的影响 被引量:2
14
作者 汪亚运 陈杨 +1 位作者 赵晓兵 秦佳伟 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2015年第2期129-134,共6页
以采用改进无皂乳液聚合法制备的纳米尺寸聚苯乙烯(PS)微球为内核,采用原位化学沉淀法制备了不同壳层厚度的PS/CeO2核/壳包覆结构复合微球。将所制备的复合颗粒用于二氧化硅介质层的化学机械抛光,用原子力显微镜测定晶片的微观形貌和... 以采用改进无皂乳液聚合法制备的纳米尺寸聚苯乙烯(PS)微球为内核,采用原位化学沉淀法制备了不同壳层厚度的PS/CeO2核/壳包覆结构复合微球。将所制备的复合颗粒用于二氧化硅介质层的化学机械抛光,用原子力显微镜测定晶片的微观形貌和粗糙度。电镜结果表明:复合颗粒呈规则球形,其PS内核尺寸约为72 nm,CeO2壳厚为5-20 nm。抛光结果显示:在本实验范围内,抛光速率随抛光压力的增加而增大,而过低(2.4 psi,1 psi=6 895 Pa)或过高(6.1 psi)的抛光压力均使晶片表面产生划痕。当抛光压力适中(4.5 psi)时,经复合磨料(壳厚约为13 nm)抛光后的晶片表面无明显划痕,在5μm×5μm范围内表面均方根粗糙度为0.265 nm,抛光速率达98.7 nm/min。 展开更多
关键词 聚苯乙烯(PS) 氧化铈 复合磨料 核壳结构 化学机械抛光(CMP)
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复合磨粒抛光技术研究现状与展望 被引量:2
15
作者 朱良健 滕霖 白满社 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第13期122-125,共4页
复合磨粒抛光技术具有抛光速率高、面形精度好、表面缺陷少等优点,已成为当前的研究热点。综述了复合磨粒抛光技术中核壳型复合磨粒的制备方法、表征技术和作用机理的研究现状,指出了当前复合磨粒抛光技术存在的问题与不足,并对其发展... 复合磨粒抛光技术具有抛光速率高、面形精度好、表面缺陷少等优点,已成为当前的研究热点。综述了复合磨粒抛光技术中核壳型复合磨粒的制备方法、表征技术和作用机理的研究现状,指出了当前复合磨粒抛光技术存在的问题与不足,并对其发展方向进行了展望。 展开更多
关键词 抛光 复合磨粒 核壳型
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内核尺寸对核/壳结构PS/SiO_2复合磨料抛光特性的影响 被引量:2
16
作者 陈杨 李志娜 +1 位作者 宋志棠 闵国全 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第19期19121-19127,共7页
核/壳结构有机/无机复合微球作为一种新型抛光介质,在实现高效无损伤抛光方面具有重要的应用价值.以无皂乳液聚合法制备的聚苯乙烯(PS)为内核,通过溶胶-凝胶法合成了一系列具有不同内核尺寸的 PS/SiO 2复合微球.利用 FT-IR、FESEM 和T... 核/壳结构有机/无机复合微球作为一种新型抛光介质,在实现高效无损伤抛光方面具有重要的应用价值.以无皂乳液聚合法制备的聚苯乙烯(PS)为内核,通过溶胶-凝胶法合成了一系列具有不同内核尺寸的 PS/SiO 2复合微球.利用 FT-IR、FESEM 和TEM 等手段对样品进行表征,并借助 AFM 考察了复合磨料内核尺寸对 SiO 2介质层抛光质量的影响规律.结果表明,所制备单分散 PS 微球尺寸在200~600 nm,复合微球的壳层由 SiO 2纳米颗粒(5~10 nm)所组成,壳厚在10~15 nm.材料去除率(MRR)随复合磨料内核尺寸的减小而降低,而抛光后晶片表面粗糙度(RMS)的变化则不明显.当复合磨料内核尺寸为210 nm 时,抛光后 RMS 和 MRR 分别为0.217 nm 和126.2 nm/min.提出将核壳结构有机/无机复合磨料理解成一种表面布满无机纳米颗粒的微型“抛光垫”,尝试用有效磨料数量以及壳层中单个 SiO 2颗粒的压入深度对 CMP 实验结果进行解释,并进一步讨论了有机内核在抛光过程中的作用. 展开更多
关键词 聚苯乙烯 氧化硅 包覆结构 复合磨料 化学机械抛光
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CeO_2/ZrO_2硅溶胶复合磨料的制备及其对蓝宝石抛光性能的影响 被引量:2
17
作者 张雷 王海倩 +1 位作者 所世兴 于少明 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2018年第9期3021-3027,共7页
以硅溶胶为原料,通过化学沉淀法对硅溶胶进行铈锆改性,制备出抛光用单分散的CeO_2/ZrO_2硅溶胶复合磨料。考察了不同铈锆掺杂量的CeO_2/ZrO_2硅溶胶复合磨料对蓝宝石晶片抛光性能的影响,研究了CeO_2/ZrO_2硅溶胶复合磨料对蓝宝石晶片的... 以硅溶胶为原料,通过化学沉淀法对硅溶胶进行铈锆改性,制备出抛光用单分散的CeO_2/ZrO_2硅溶胶复合磨料。考察了不同铈锆掺杂量的CeO_2/ZrO_2硅溶胶复合磨料对蓝宝石晶片抛光性能的影响,研究了CeO_2/ZrO_2硅溶胶复合磨料对蓝宝石晶片的抛光机理。通过透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)-能谱仪(EDS)、X射线光电子能谱仪(XPS)、X射线衍射仪(XRD)对样品的组成、形貌等进行表征。以所制备的复合磨料对蓝宝石晶片进行抛光,利用原子力显微镜(AFM)检测抛光后的蓝宝石晶片表面粗糙度。结果表明:CeO_2/ZrO_2硅溶胶复合磨料中最佳的铈锆掺杂量为:铈掺杂量为1.5wt%,锆掺杂量为1.0wt%,材料去除速率可以达到36.1 nm/min,表面粗糙度可以达到0.512 nm,而相同条件下纯硅溶胶抛光后的蓝宝石表面粗糙度为1.59 nm,材料去除速率为18.4nm/min,该复合磨料表现出较好的抛光性能。 展开更多
关键词 CeO2/ZrO2硅溶胶 复合磨料 化学沉淀法 蓝宝石抛光 单分散
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新型硅基抛光磨料的研究进展 被引量:1
18
作者 王丹 秦飞 +3 位作者 刘卫丽 孔慧 宋志棠 施利毅 《应用化工》 CAS CSCD 北大核心 2017年第8期1608-1612,共5页
二氧化硅具有优异的抛光性能,是最重要的抛光磨料之一。然而随着新材料、新结构的出现,CMP磨料的需求出现多样化趋势,通过对纳米颗粒的物理化学性质进行微观设计达到满足不同材料抛光需求的目的成为新的研究方向。目前SiO_2基体的新型... 二氧化硅具有优异的抛光性能,是最重要的抛光磨料之一。然而随着新材料、新结构的出现,CMP磨料的需求出现多样化趋势,通过对纳米颗粒的物理化学性质进行微观设计达到满足不同材料抛光需求的目的成为新的研究方向。目前SiO_2基体的新型磨料包括异形磨料、混合磨料和复合磨料。混合磨料、异形磨料已经取得一定进展;复合磨料尚处于发展阶段,是未来磨料研究的主要方向和趋势。就SiO_2为基体的几种新型磨料的应用和抛光原理进行了简要说明。 展开更多
关键词 二氧化硅 复合磨料 非球形 混合磨料 掺杂 化学机械抛光
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设计与制备具有放射状介孔壳层的PS/_MSiO_2复合磨料及其抛光氧化硅片效果 被引量:1
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作者 陈爱莲 汪亚运 陈杨 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第2期392-401,共10页
以阳离子表面活性剂CTAB为牺牲模板、TEOS为硅源、硝酸铵/乙醇混合溶液为选择性溶剂,合成以表面经PVP修饰的聚苯乙烯(Polystyrene,PS)微球为内核、表面包覆介孔氧化硅(Mesoporous-silica,MSiO_2)壳层的新型PS/MSiO_2复合磨料。采用场发... 以阳离子表面活性剂CTAB为牺牲模板、TEOS为硅源、硝酸铵/乙醇混合溶液为选择性溶剂,合成以表面经PVP修饰的聚苯乙烯(Polystyrene,PS)微球为内核、表面包覆介孔氧化硅(Mesoporous-silica,MSiO_2)壳层的新型PS/MSiO_2复合磨料。采用场发射扫描电镜(FESEM)、透射电镜(TEM)和原子力显微镜(AFM)测试,研究PS/MSiO_2复合磨料的核壳结构以及经复合磨料抛光后的表面粗糙度均方根值和抛光速率。结果表明:PS/MSiO_2复合磨料具有包覆完整的核壳结构,其PS内核尺寸为200~210 nm,介孔氧化硅壳层厚度约为30 nm,包覆层中存在大量放射状介孔孔道。氮气吸刚/脱刚测试表明:复合磨料的比表面积为612 m^2/g,介孔孔径为2~3 nm;经复合磨料抛光后衬底表面粗糙度均方根值(RMS)和抛光速率(MRR)分别为0.252 nm和141 nm/min,明显优于粒径相当的常规SiO_2磨料(0.317 nm,68 nm/min)。复合磨料中有机内核及壳层中的介孔孔道结构有利于降低颗粒的弹性模量和表面硬度,从而有助于减小磨料在衬底表面的压痕深度并降低抛光表面粗糙度。此外,复合磨料可借助其高比表面积提高对抛光液中有效化学组分的吸刚能力,从而增强接触微区内的化学反应活性以提高抛光速率。 展开更多
关键词 聚苯乙烯 介孔氧化硅 核壳结构 复合磨料 化学机械抛光
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Al_2O_3/SiO_2/介孔SiO_2包覆型复合磨料的制备及表征研究 被引量:1
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作者 汪亚军 许高晋 +3 位作者 张雷 汪亦凡 孙武 于少明 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2017年第7期155-157,共3页
先以纳米Al_2O_3为核,Na_2SiO_3和柠檬酸为原料,采用非均匀成核法制备出Al_2O_3/SiO_2包覆型复合纳米粉体;再以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为介孔模板剂,通过自组装法制得Al_2O_3/SiO_2/介孔SiO_2包覆型复合磨料;并借助X射线衍射、红外... 先以纳米Al_2O_3为核,Na_2SiO_3和柠檬酸为原料,采用非均匀成核法制备出Al_2O_3/SiO_2包覆型复合纳米粉体;再以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为介孔模板剂,通过自组装法制得Al_2O_3/SiO_2/介孔SiO_2包覆型复合磨料;并借助X射线衍射、红外光谱、透射电镜、能谱和N_2吸附-脱附等手段对样品进行表征。结果表明:SiO_2和介孔SiO_2依次包覆在Al_2O_3表面形成了Al_2O_3/SiO_2/介孔SiO_2包覆型复合磨料,其具有MCM-48型介孔孔道结构,平均孔径为2.3nm,比表面积为454m^2/g,孔体积为0.43cm^3/g。 展开更多
关键词 Al2O3/SiO2 Al2O3/SiO2/介孔SiO2 包覆 复合磨料 非均匀成核法
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