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阳离子聚丙烯酰胺/微粒体系的助留助滤作用 被引量:8
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作者 王进 陈克复 +1 位作者 陈夫山 赵传山 《中华纸业》 CAS 北大核心 2003年第10期45-48,共4页
对阳离子聚丙烯酰胺(CPAM)/改性膨润土和CPAM/胶体SiO2两种微粒体系对漂白麦草浆的助留助滤作用进行了探讨,确定了改性膨润土、胶体SiO2的最佳用量,对两种体系的助留助滤效果进行了对比,并结合纸浆的Zeta电位和扫描电镜初步探讨了复式... 对阳离子聚丙烯酰胺(CPAM)/改性膨润土和CPAM/胶体SiO2两种微粒体系对漂白麦草浆的助留助滤作用进行了探讨,确定了改性膨润土、胶体SiO2的最佳用量,对两种体系的助留助滤效果进行了对比,并结合纸浆的Zeta电位和扫描电镜初步探讨了复式助留助滤的机理。 展开更多
关键词 阳离子聚丙烯酰胺 改性膨润土 助留助滤作用 胶体sio2 漂白麦草浆 纸浆
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采用静电自组装技术在光纤上制备光学薄膜的研究 被引量:2
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作者 余海湖 李小甫 +1 位作者 许丕池 姜德生 《光通信研究》 北大核心 2002年第3期43-46,共4页
采用静电自组装技术在石英玻璃光纤和显微镜载玻片上制备了二氧化钛胶体与阴离子聚电解质 PSS、二氧化硅胶体与阳离子聚电解质 PDDA的复合薄膜 ,研究了薄膜的光反射性能 .在光纤端面上交替沉积光学厚度为λ/4的 PSS/Ti O2 高折射率薄膜... 采用静电自组装技术在石英玻璃光纤和显微镜载玻片上制备了二氧化钛胶体与阴离子聚电解质 PSS、二氧化硅胶体与阳离子聚电解质 PDDA的复合薄膜 ,研究了薄膜的光反射性能 .在光纤端面上交替沉积光学厚度为λ/4的 PSS/Ti O2 高折射率薄膜和光学厚度为λ/4的 PDDA/Si O2 低折射率薄膜 ,可以获得λ/4多层高反射膜 ,使样品表面的反射性能大大提高 . 展开更多
关键词 静电 自组装技术 光纤 制备 光学薄膜 二氧化钛胶体 二氧化硅胶体
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纳米氧化硅在玻璃基片表面亚纳米级抛光中的应用 被引量:4
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作者 雷红 张鹏珍 卢海参 《润滑与密封》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期31-34,共4页
为满足先进电子产品对玻璃基片表面超光滑的要求,制备了一种纳米氧化硅抛光液,并研究了氧化硅粒子大小、抛光时间等参数对玻璃基片抛光后表面粗糙度、材料去除速率的影响。ZYGO形貌仪表明,采用纳米氧化硅抛光液,可以使玻璃表面粗糙度达... 为满足先进电子产品对玻璃基片表面超光滑的要求,制备了一种纳米氧化硅抛光液,并研究了氧化硅粒子大小、抛光时间等参数对玻璃基片抛光后表面粗糙度、材料去除速率的影响。ZYGO形貌仪表明,采用纳米氧化硅抛光液,可以使玻璃表面粗糙度达到0.5 nm左右。AFM表明,抛光后的玻璃基片表面超光滑且无划痕等微观缺陷。 展开更多
关键词 纳米氧化硅抛光液 玻璃基片 亚纳米级粗糙度 平面化
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PROGRESS IN THREE-DIMENSIONALLY ORDERED SELF-ASSEMBLY OF COLLOIDAL SiO2 PARTICLES 被引量:1
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作者 QianZhou PengDong BingyingCheng 《China Particuology》 SCIE EI CAS CSCD 2003年第3期124-130,共7页
Three-dimensionally ordered self-assembly of monodispersed colloidal SiO2 particles involving a structure with periodic alternation of refractive indices represents an advanced field of particuology, colloidal chemist... Three-dimensionally ordered self-assembly of monodispersed colloidal SiO2 particles involving a structure with periodic alternation of refractive indices represents an advanced field of particuology, colloidal chemistry, materials science, optical physics and information science. Study on such self-assembly not only lays the foundation for the development of advanced functional materials, but also is significant in understanding the principles of nano- and micro-scale processes. Recent progress in three-dimensionally ordered self-assembly of colloidal SiO2 particles is reviewed, inclusive of the authors investigations. 展开更多
关键词 colloidal sio2 particles ordered self-assembly colloidal crystals photonic crystals
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CeO_2/ZrO_2硅溶胶复合磨料的制备及其对蓝宝石抛光性能的影响 被引量:2
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作者 张雷 王海倩 +1 位作者 所世兴 于少明 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2018年第9期3021-3027,共7页
以硅溶胶为原料,通过化学沉淀法对硅溶胶进行铈锆改性,制备出抛光用单分散的CeO_2/ZrO_2硅溶胶复合磨料。考察了不同铈锆掺杂量的CeO_2/ZrO_2硅溶胶复合磨料对蓝宝石晶片抛光性能的影响,研究了CeO_2/ZrO_2硅溶胶复合磨料对蓝宝石晶片的... 以硅溶胶为原料,通过化学沉淀法对硅溶胶进行铈锆改性,制备出抛光用单分散的CeO_2/ZrO_2硅溶胶复合磨料。考察了不同铈锆掺杂量的CeO_2/ZrO_2硅溶胶复合磨料对蓝宝石晶片抛光性能的影响,研究了CeO_2/ZrO_2硅溶胶复合磨料对蓝宝石晶片的抛光机理。通过透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)-能谱仪(EDS)、X射线光电子能谱仪(XPS)、X射线衍射仪(XRD)对样品的组成、形貌等进行表征。以所制备的复合磨料对蓝宝石晶片进行抛光,利用原子力显微镜(AFM)检测抛光后的蓝宝石晶片表面粗糙度。结果表明:CeO_2/ZrO_2硅溶胶复合磨料中最佳的铈锆掺杂量为:铈掺杂量为1.5wt%,锆掺杂量为1.0wt%,材料去除速率可以达到36.1 nm/min,表面粗糙度可以达到0.512 nm,而相同条件下纯硅溶胶抛光后的蓝宝石表面粗糙度为1.59 nm,材料去除速率为18.4nm/min,该复合磨料表现出较好的抛光性能。 展开更多
关键词 CeO2/ZrO2硅溶胶 复合磨料 化学沉淀法 蓝宝石抛光 单分散
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SiO_2涂层对多孔氮化物陶瓷材料性能影响初探 被引量:6
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作者 刘建 李伶 +1 位作者 张伟儒 潘伟 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 2004年第6期38-40,共3页
采用硅溶胶+石英粉体在多孔氮化物陶瓷材料表面形成一层致密的过渡层,初步研究了过渡层对多孔 氮化物陶瓷材料部分性能的影响。
关键词 陶瓷材料 sio2涂层 氮化物 硅溶胶 粉体 多孔 性能影响 部分性 初步研究 初探
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