直流磁控溅射工艺对ZnO薄膜结构影响的研究 被引量：8

1

作者 吕文中 贾小龙 何笑明 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期35-39,共5页

ZnO是一种新型的Ⅱ Ⅵ族直接带隙化合物材料,是一种很有潜力的短波长光电器件材料。当ZnO薄膜具有良好的c轴取向和晶格结构时,可得到优良的光电性能比如紫外光受激发射。本实验用XRD和SEM研究了工艺条件如基片温度、氩氧比及退火工艺对... ZnO是一种新型的Ⅱ Ⅵ族直接带隙化合物材料,是一种很有潜力的短波长光电器件材料。当ZnO薄膜具有良好的c轴取向和晶格结构时,可得到优良的光电性能比如紫外光受激发射。本实验用XRD和SEM研究了工艺条件如基片温度、氩氧比及退火工艺对ZnO薄膜结构特性的影响。结果表明在基片温度250℃、氩氧比为1∶4的条件下,可得到结晶质量良好的ZnO薄膜;通过退火可以使薄膜应力得到驰豫,降低缺陷浓度,改善薄膜的结构特性。本实验采用直流磁控溅射的方法,最终在(100)硅衬底基片上制备出了高c轴取向、晶粒尺寸约70nm的ZnO薄膜。 展开更多

关键词 直流磁控溅射工艺 ZNO薄膜 薄膜结构 基片温度 c轴取向 晶格结构 退火 氩氧比 结晶质量

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溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜的特性研究 被引量：16

2

作者 肖宗湖 张萌 郭米艳 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期1003-1007,共5页

采用Sol-gel法,在普通载玻片上使用旋转涂覆技术生长了具有c轴择优取向生长的ZnO薄膜。用热分析、XRD、SEM等手段对薄膜样品进行了表征。热分析结果表明:二水醋酸锌-乙醇胺-乙二醇甲醚体系Sol-gel的热分解过程与纯二水合乙酸锌的分解过... 采用Sol-gel法,在普通载玻片上使用旋转涂覆技术生长了具有c轴择优取向生长的ZnO薄膜。用热分析、XRD、SEM等手段对薄膜样品进行了表征。热分析结果表明:二水醋酸锌-乙醇胺-乙二醇甲醚体系Sol-gel的热分解过程与纯二水合乙酸锌的分解过程大相径庭。ZnO薄膜的Sol-gel分解趋于在较窄的温度范围内一步完成。在Si(111)衬底和玻璃衬底上生长了ZnO薄膜,都表现出明显的c轴择优取向生长。对比了不同涂覆层数对ZnO薄膜结构及表面形貌的影响,ZnO薄膜的c轴择优取向生长特性随着涂覆层数的增加而减弱,这是由于ZnO薄膜的生长模式由层状生长向岛状生长转变所致。ZnO薄膜在可见光范围的透光率超过85%。 展开更多

关键词 ZNO薄膜 溶胶-凝胶法 旋转涂覆技术 c轴取向

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溶胶-凝胶法制备掺铝氧化锌薄膜 被引量：10

3

作者 韦美琴 张光胜 姚文杰 《表面技术》 EI CAS CSCD 2007年第4期34-36,共3页

采用溶胶-凝胶工艺在普通玻璃片上制备了掺铝氧化锌薄膜。通过X-射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)对薄膜的组织结构和形貌进行了表征,结果表明:用溶胶-凝胶法制得的掺铝氧化锌薄膜为纤锌矿型结构,呈c轴方向择优生长,表面均匀、致密。... 采用溶胶-凝胶工艺在普通玻璃片上制备了掺铝氧化锌薄膜。通过X-射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)对薄膜的组织结构和形貌进行了表征,结果表明:用溶胶-凝胶法制得的掺铝氧化锌薄膜为纤锌矿型结构,呈c轴方向择优生长,表面均匀、致密。通过紫外-可见透射光谱(UV)和标准四探针法对薄膜的光电性能进行了研究。试验发现,当铝离子掺杂浓度为4%(摩尔分数)、溶胶物质的量浓度为0.6mol/L、前处理温度为300℃时,薄膜在可见光区的透过率超过80%,且具有较好的导电性,电阻率为8.0×10-4Ω.cm。 展开更多

关键词 溶胶-凝胶法 铝离子掺杂 c轴择优取向 光电性能 氧化锌薄膜

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溶胶-凝胶法制备c轴取向生长ZnO薄膜 被引量：8

4

作者 肖宗湖 张萌 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期2015-2017,2020,共4页

采用sol-gel法,在普通载玻片上使用旋转涂覆技术生长了具有c轴择优取向生长的ZnO薄膜。采用热分析、XRD、SEM等手段对薄膜样品进行了表征。热分析结果表明,二水醋酸锌-乙醇胺-乙二醇甲醚体系sol-gel的热分解过程与纯二水合乙酸锌的分解... 采用sol-gel法,在普通载玻片上使用旋转涂覆技术生长了具有c轴择优取向生长的ZnO薄膜。采用热分析、XRD、SEM等手段对薄膜样品进行了表征。热分析结果表明,二水醋酸锌-乙醇胺-乙二醇甲醚体系sol-gel的热分解过程与纯二水合乙酸锌的分解过程大相径庭。ZnO薄膜的sol-gel分解趋于在较窄的温度范围内一步完成。样品在XRD图谱中表现出明显的c轴择优取向。此外,SEM照片也表明:ZnO薄膜样品中间区域和边缘区域的表面形貌相差甚远。探讨了预热处理温度、退火温度等工艺条件对ZnO薄膜的结构性能的影响,最佳的预热处理温度被认为在ZnO相完全生成温度附近。 展开更多

关键词 ZNO薄膜 溶胶-凝胶法 旋转涂覆技术 c轴取向

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钡铁氧体薄膜的c轴取向生长 被引量：5

5

作者 刘小晰 杨正 松本光功 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期358-360,共3页

首次使用非晶Ｂａ－Ｆｅ－Ｏ衬底层来控制钡铁氧体（ＢａＭ）薄膜的取向生长。这种非晶层决定了六角Ｍ相的结晶并改善了其晶化度。应用这种非晶衬底层，制备了ｃ轴垂直于膜表平面的ＢａＭ薄膜。其（００８）峰的摇摆曲线的半高宽Δθ５... 首次使用非晶Ｂａ－Ｆｅ－Ｏ衬底层来控制钡铁氧体（ＢａＭ）薄膜的取向生长。这种非晶层决定了六角Ｍ相的结晶并改善了其晶化度。应用这种非晶衬底层，制备了ｃ轴垂直于膜表平面的ＢａＭ薄膜。其（００８）峰的摇摆曲线的半高宽Δθ５０仅为２． 展开更多

关键词 钡铁氧体薄膜 c轴取向 非晶衬底层 生长

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ZnO∶Li压电薄膜制备及其性能研究 被引量：4

6

作者 陈文 王兢 王敏锐 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1545-1548,共4页

ZnO薄膜的高阻特性在压电方面的应用极为重要。采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了c轴择优取向优良、电阻率高和化学计量比好的掺Li+(Li/Zn摩尔比分别为0、0.05、0.10、0.15、0.20)ZnO压电薄膜。研究了退火温度、掺杂浓度对ZnO... ZnO薄膜的高阻特性在压电方面的应用极为重要。采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了c轴择优取向优良、电阻率高和化学计量比好的掺Li+(Li/Zn摩尔比分别为0、0.05、0.10、0.15、0.20)ZnO压电薄膜。研究了退火温度、掺杂浓度对ZnO薄膜晶体质量和电学特性的影响。XRD结果表明,ZnO薄膜的c轴择优取向度受退火温度和掺杂浓度的强烈影响;I-V测试表明,掺Li+后薄膜的电阻率显著提高,当Li+掺杂浓度为0.10(Li/Zn摩尔比)、退火温度为600℃时其电阻率达109Ω.cm;XPS分析结果表明,Li+掺杂对ZnO薄膜中O1s和ZnL3M45M45的结合能以及Zn/O比都有一定的影响,掺杂后化学计量比更好。 展开更多

关键词 氧化锌 掺杂 LI^+ c-轴取向 电阻率

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溶胶-凝胶法制备氧化锌薄膜 被引量：2

7

作者 周英 邓宏 +1 位作者 李燕 程珍娟 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期823-825,828,共4页

采用了溶胶-凝胶工艺在普通的玻璃载玻片上成功地制备出具有c轴择优取向性、高的可见光透光率、平整均匀的氧化锌薄膜。通过XRD、AFM以及UV光谱仪等分析,其结果表明:所制备的氧化锌薄膜具有纤锌矿型结构,表面均匀致密,薄膜晶粒尺寸大约... 采用了溶胶-凝胶工艺在普通的玻璃载玻片上成功地制备出具有c轴择优取向性、高的可见光透光率、平整均匀的氧化锌薄膜。通过XRD、AFM以及UV光谱仪等分析,其结果表明:所制备的氧化锌薄膜具有纤锌矿型结构,表面均匀致密,薄膜晶粒尺寸大约在40～90nm,溶胶浓度增大时,其晶粒大小呈增大的趋势。随着涂膜层数的增加,薄膜的(002)方向的取向度增加。薄膜在可见光区的光透过率>85%,在近紫外光波段透射率急剧减小,对应的禁带宽度为3.34eV。 展开更多

关键词 溶胶-凝胶法 ZNO薄膜 c轴择优取向性 禁带宽度

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高Sc掺杂AlN薄膜铁电性能的研究

8

作者 习娟 周大雨 吕天明 《功能材料与器件学报》 CAS 2024年第5期239-246,共8页

纤锌矿铁电材料因其大的剩余极化(P_(r))、优良的高温稳定性以及与半导体工艺的良好兼容性,受到了广泛的关注。然而,纤锌矿钪掺杂氮化铝(AlScN)铁电薄膜应用于非易失性存储器的主要挑战是其较大的矫顽场(E_(c)),以及在高电场下较大的漏... 纤锌矿铁电材料因其大的剩余极化(P_(r))、优良的高温稳定性以及与半导体工艺的良好兼容性,受到了广泛的关注。然而,纤锌矿钪掺杂氮化铝(AlScN)铁电薄膜应用于非易失性存储器的主要挑战是其较大的矫顽场(E_(c)),以及在高电场下较大的漏电流。为制备具有低E_(c)和高电场下低漏电流的AlScN薄膜,本文采用反应磁控溅射的方法,在不同底电极(Mo、TiN和Al)上沉积了高钪含量的Al_(0.57)Sc_(0.43)N铁电薄膜。通过X射线光电子能谱、X射线衍射仪、原子力显微镜、扫描电镜和铁电测试仪对薄膜的成分、微观结构及电性能进了分析。实验结果表明:在不同底电极上沉积的Al_(0.57)Sc_(0.43)N薄膜均表现出明显的c轴取向,并展现出显著的铁电性,E_(c)^(-)分别为2.6、3.5和2.3 MV/cm。TiN作为底电极时,AlScN铁电薄膜获得较大的剩余极化值且薄膜的漏电流较小。 展开更多

关键词 AlScN铁电薄膜 c轴取向 高Sc含量

原文传递

Mo电极上磁控反应溅射AlN薄膜 被引量：4

9

作者 熊娟 顾豪爽 +1 位作者 胡宽 吴小鹏 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第A02期230-233,共4页

采用射频反应磁控溅射法在Mo电极上沉积了AlN薄膜。研究了溅射气压、靶基距、溅射功率、衬底温度及N2含量等不同工艺条件对AlN薄膜择优取向生长的影响。用XRD分析了薄膜的择优取向,用原子力显微镜、高分辨场发射扫描电镜表征了薄膜的形... 采用射频反应磁控溅射法在Mo电极上沉积了AlN薄膜。研究了溅射气压、靶基距、溅射功率、衬底温度及N2含量等不同工艺条件对AlN薄膜择优取向生长的影响。用XRD分析了薄膜的择优取向,用原子力显微镜、高分辨场发射扫描电镜表征了薄膜的形貌。实验结果表明,靶基距和溅射气压的减小,衬底温度及溅射功率的升高有利于AlN(002)晶面的择优取向生长。氮氩比对AlN薄膜择优取向生长影响较小,N2≥50%(体积分数)时均可制得高c轴择优取向的AlN薄膜。经优化工艺参数制备的AlN柱状晶薄膜适用于体声波谐振滤波器的制备。 展开更多

关键词 ALN薄膜 射频磁控反应溅射 c轴择优取向 Mo电极

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脉冲激光沉积法室温下ZnO薄膜的制备与表征 被引量：3

10

作者 曹亮亮 叶志镇 +4 位作者 张阳 朱丽萍 张银珠 诸葛飞 赵炳辉 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期256-258,262,共4页

在室温条件下,采用脉冲激光沉积技术在玻璃衬底上生长了ZnO薄膜。对薄膜的XRD分析表明,ZnO薄膜为六方纤锌矿结构并沿c轴取向生长,且(002)衍射峰的半高峰宽仅为0.24°。薄膜沿c轴方向受到一定的张应力为1.7×108N/m2。原子力显... 在室温条件下,采用脉冲激光沉积技术在玻璃衬底上生长了ZnO薄膜。对薄膜的XRD分析表明,ZnO薄膜为六方纤锌矿结构并沿c轴取向生长,且(002)衍射峰的半高峰宽仅为0.24°。薄膜沿c轴方向受到一定的张应力为1.7×108N/m2。原子力显微镜分析表明薄膜表面较为平整,平均粗糙度约为6.5 nm,晶粒尺寸约为50 nm。此外,透射光谱分析表明薄膜的禁带宽度为3.25 eV,与ZnO体材料的禁带宽度3.30 eV基本相同。 展开更多

关键词 ZNO薄膜 c轴取向 室温 脉冲激光沉积

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ZnO:Al薄膜性质研究 被引量：1

11

作者 杨春容 袁正希 +1 位作者 薛书文 邓宏 《湛江师范学院学报》 2006年第6期37-40,共4页

采用溶胶-凝胶法在硅(100)和玻璃衬底上制备了掺铝氧化锌(ZnO:Al)薄膜.当掺Al3+浓度小于或等于15%时,得到的薄膜均为单一c轴取向.c轴晶格常数随掺Al3+浓度的增加逐渐减小,当掺Al3+浓度增至15%时,薄膜c轴晶格常数值减小约0.56%.薄膜的光... 采用溶胶-凝胶法在硅(100)和玻璃衬底上制备了掺铝氧化锌(ZnO:Al)薄膜.当掺Al3+浓度小于或等于15%时,得到的薄膜均为单一c轴取向.c轴晶格常数随掺Al3+浓度的增加逐渐减小,当掺Al3+浓度增至15%时,薄膜c轴晶格常数值减小约0.56%.薄膜的光学带隙随掺Al3+浓度的增加而增大,掺Al3+20%的薄膜光学带隙达到3.99 eV.O1s结合能随掺Al3+浓度的增加而增大. 展开更多

关键词 掺铝氧化锌薄膜 c轴取向 光学带隙 结合能

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热压烧结增强Ca_3Co_4O_9多晶的c轴择优织构和电输运性质的研究 被引量：3

12

作者 宋世金 虞澜 +3 位作者 傅佳 陈琪 邱兴煌 钟毅 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期5-8,共4页

分别采用常压固相反应和进一步的真空热压烧结法制备了Ca_3Co_4O_9多晶块材,通过XRD、SEM、致密度、电阻率-温度曲线、霍尔效应测试,对比研究了热压烧结对多晶织构和电输运性质的影响。结果表明两种方法制备的多晶样品均为c轴择优,经热... 分别采用常压固相反应和进一步的真空热压烧结法制备了Ca_3Co_4O_9多晶块材,通过XRD、SEM、致密度、电阻率-温度曲线、霍尔效应测试,对比研究了热压烧结对多晶织构和电输运性质的影响。结果表明两种方法制备的多晶样品均为c轴择优,经热压烧结后多晶的择优织构显著增强,致密度增大,但真空烧结使样品中氧的化学计量比不足,结晶质量略有下降。热压烧结后多晶的面内电阻率显著下降,其室温电阻率约为常压烧结样品的1/7,且电阻率随温度的降低而增大,这主要是由于热压样品晶粒沿(00l)择优排列显著增强,使沿材料ab面内的电输运占优,且晶界和缺陷散射减弱使Co^(4+)载流子迁移率增大。 展开更多

关键词 ca3co4O9多晶 热压烧结 c轴择优 电输运

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ZnO薄膜的择优取向生长 被引量：1

13

作者 马勇 王万录 廖克俊 《材料导报》 EI CAS CSCD 2003年第F09期204-206,共3页

ZnO薄膜是一种具有广泛用途的材料,近来成为了研究的热点。高度c轴择优取向是优质ZnO薄膜的重要特点。在已开发的众多生长技术中,磁控溅射、金属有机物气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、电子束反应蒸镀法是生长出高度c轴择优取向优... ZnO薄膜是一种具有广泛用途的材料,近来成为了研究的热点。高度c轴择优取向是优质ZnO薄膜的重要特点。在已开发的众多生长技术中,磁控溅射、金属有机物气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、电子束反应蒸镀法是生长出高度c轴择优取向优质薄膜的主要方法。介绍了这些方法及其研究进展,同时介绍了目前ZnO薄膜主要研究方面。 展开更多

关键词 ZNO薄膜 自激活直接带隙半导体材料 氧化锌 电导率 稳定性 择优取向机理

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溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜及其性能研究 被引量：1

14

作者 赵海丽 许启明 窦卫红 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2007年第8期50-51,共2页

使用溶胶-凝胶法在P型Si（100）衬底上成功地制备了具有c轴择优取向性和高可见光透射率的多晶ZnO薄膜。通过XRD、SEM以及PL光谱等分析,表明：所制备的是结晶良好的ZnO薄膜,表面均匀致密,薄膜晶粒尺寸大约在15～60nm,颗粒平均直径大约为3... 使用溶胶-凝胶法在P型Si（100）衬底上成功地制备了具有c轴择优取向性和高可见光透射率的多晶ZnO薄膜。通过XRD、SEM以及PL光谱等分析,表明：所制备的是结晶良好的ZnO薄膜,表面均匀致密,薄膜晶粒尺寸大约在15～60nm,颗粒平均直径大约为38nm。由透射谱可知,制备的ZnO薄膜在可见光区域内薄膜的平均透射率在85%以上;由光致发光谱可知,室温下可观察到显著的紫外光发射,说明具有较好的光学性质。 展开更多

关键词 ZNO薄膜 溶胶-凝胶法 c轴择优取向性 光致发光

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AlN压电薄膜的制备工艺 被引量：2

15

作者 陈颖慧 王旭光 +2 位作者 席仕伟 施志贵 姚明秋 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2013年第8期506-511,共6页

采用射频反应磁控溅射法制备了AlN压电薄膜,并分析了制备条件对AlN薄膜性能的影响。为了确定c轴择优取向生长AlN薄膜的制备工艺参数,设计了关于溅射功率、衬底温度、氮氩体积比和气氛压强这四个参数的工艺实验,研究了不同的工艺条件对Al... 采用射频反应磁控溅射法制备了AlN压电薄膜,并分析了制备条件对AlN薄膜性能的影响。为了确定c轴择优取向生长AlN薄膜的制备工艺参数,设计了关于溅射功率、衬底温度、氮氩体积比和气氛压强这四个参数的工艺实验,研究了不同的工艺条件对AlN薄膜质量的影响。采用X射线衍射(XRD)图谱分析了薄膜的晶格结构和摇摆曲线半高宽,采用原子力显微镜(AFM)表征了薄膜的表面形貌和均方根粗糙度。对不同制备条件下AlN薄膜样品的XRD和AFM测试结果进行了分析和讨论,最终得到了最佳的工艺参数,为下一步研究工作提供了实验依据和奠定了工艺基础。 展开更多

关键词 ALN薄膜 射频反应磁控溅射 c轴择优取向 X射线衍射(XRD) 原子力显微镜(AFM)

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薄膜的自组织设计及形貌控制(英文) 被引量：2

16

作者 周小燕 邓宏 +2 位作者 姜斌 李燕 王恩信 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期9-13,共5页

采用单源化学气相沉积 (SSCVD)法 ,在Si( 1 0 0 )基片上通过改变前驱反应体与基片的入射角度 ,获得了可控柱状取向的ZnO薄膜。研究发现 ,入射角度的改变可使沉积薄膜中的柱状结构的生成方向倾斜。但X射线衍射 (XRD)分析表明 :ZnO薄膜的c... 采用单源化学气相沉积 (SSCVD)法 ,在Si( 1 0 0 )基片上通过改变前驱反应体与基片的入射角度 ,获得了可控柱状取向的ZnO薄膜。研究发现 ,入射角度的改变可使沉积薄膜中的柱状结构的生成方向倾斜。但X射线衍射 (XRD)分析表明 :ZnO薄膜的c轴 ( 0 0 2 )取向与入射角无关 ,且不沿ZnO柱状结构的生长方向取向。由于ZnO的 ( 0 0 2 )面为其表面自由能最低且原子密度高的晶面 ,ZnO薄膜的生长更易于在垂直于基片表面的方向c轴取向生长。 展开更多

关键词 氧化锌薄膜 自组织设计 单源化学气相沉积法 柱状结构 入射角度 X射线衍射分析 c轴取向

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c-轴取向对Bi系钴氧化物射频介电常数的影响 被引量：2

17

作者 倪江利 冯双久 张显良 《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期350-352,共3页

文章采用固相反应法制备了具有c-轴取向的层状Bi系钴氧化物多晶样品,并测试了样品射频介电常数。实验结果表明,相对于没有明显取向的样品,c-轴取向样品的相对介电常数从150以上减少到80左右,同时损耗角正切也不到前者的1/2。这是由于没... 文章采用固相反应法制备了具有c-轴取向的层状Bi系钴氧化物多晶样品,并测试了样品射频介电常数。实验结果表明,相对于没有明显取向的样品,c-轴取向样品的相对介电常数从150以上减少到80左右,同时损耗角正切也不到前者的1/2。这是由于没有取向的样品中空间电荷极化对介电常数有很大贡献,而c-轴取向的样品中基本没有空间电荷极化的贡献。 展开更多

关键词 介电性质 Bi系钴氧化物 c-轴取向 空间电荷极化

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退火对射频磁控溅射氧化锌薄膜性能的影响 被引量：1

18

作者 谢和平 张树人 +2 位作者 杨成韬 张洪伟 杨艳 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2008年第1期87-89,共3页

采用射频磁控溅射技术在SiO2／Si上淀积高C轴取向的ZnO薄膜，在氧气和氩气的混合气氛、不同温度（400～900℃）下进行快速热退火处理。利用X-射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）、扫描电镜（SEM）和透射电镜（TEM）对薄膜结构、形貌... 采用射频磁控溅射技术在SiO2／Si上淀积高C轴取向的ZnO薄膜，在氧气和氩气的混合气氛、不同温度（400～900℃）下进行快速热退火处理。利用X-射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）、扫描电镜（SEM）和透射电镜（TEM）对薄膜结构、形貌与界面状态性能进行了分析。研究结果表明，ZnO薄膜的晶粒尺寸随着退火温度的升高而增大，衍射峰强度增强，峰位随之偏移；SEM分析显示薄膜呈柱状生长，表现出较好的C轴取向性；TEM分析表明ZnO与下电极Pt是呈共格生长，晶格匹配很好。 展开更多

关键词 快速热退火 ZNO薄膜 c轴取向 透射电镜(TEM)

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超声电化学沉积ZnO薄膜及其机理研究 被引量：2

19

作者 郭艳 沈鸿烈 +2 位作者 尹玉刚 李斌斌 高超 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期1638-1640,1645,共4页

采用超声电化学沉积生长了c轴取向的ZnO薄膜,并与常规电化学沉积生长的ZnO薄膜进行了比较。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光度计研究了样品的晶体结构、表面形貌以及光学性能。结果表明,常规电化学沉积生长的... 采用超声电化学沉积生长了c轴取向的ZnO薄膜,并与常规电化学沉积生长的ZnO薄膜进行了比较。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光度计研究了样品的晶体结构、表面形貌以及光学性能。结果表明,常规电化学沉积生长的ZnO薄膜为纳米柱状结构,随着沉积电压的增加,c轴取向率呈极值变化,热退火可提高这种薄膜的透射率。超声电化学沉积生长的ZnO薄膜,在1.5V低沉积电压下仍为柱状结构,但比未加超声电化学法沉积的样品具有更好的c轴取向,沉积电压增加到2.0V时样品则变为麦粒状结构,热退火后其透射率几乎不变。 展开更多

关键词 ZNO薄膜 超声电化学沉积 c轴取向 麦粒状结构 透射率

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厚度对M型钡铁氧体薄膜结构及磁性能的影响 被引量：1

20

作者 郭辉莉 杨艳 +5 位作者 柴治 孙科 李强 余忠 蒋晓娜 兰中文 《磁性材料及器件》 CAS 2015年第6期21-24,36,共5页

采用射频（RF）磁控溅射法在蓝宝石基片上制备M型钡铁氧体（BaM）薄膜,研究了薄膜厚度对BaM铁氧体薄膜的结构及磁性能影响.结果显示,样品的衍射峰全部为BaM薄膜的（00l）衍射峰,表明样品都具有良好的c轴取向性.显微结构分析结果表明,在... 采用射频（RF）磁控溅射法在蓝宝石基片上制备M型钡铁氧体（BaM）薄膜,研究了薄膜厚度对BaM铁氧体薄膜的结构及磁性能影响.结果显示,样品的衍射峰全部为BaM薄膜的（00l）衍射峰,表明样品都具有良好的c轴取向性.显微结构分析结果表明,在膜厚为40~90nm范围内,薄膜样品表面主要为c轴取向的片状晶粒,未出现c轴随机取向的针状晶粒;当样品厚度增加至140nm时,出现了较明显的针状晶粒;随着薄膜厚度进一步增加到190nm时,样品表面出现了大量c轴随机取向的针状晶粒,且部分针状晶粒长度达到了μm级.磁性能测试结果显示,随着薄膜厚度的增加,薄膜样品饱和磁化强度降低,垂直膜面方向矫顽力和剩磁比减小,膜厚40~90nm范围的薄膜在垂直膜面方向获得了最大剩磁比和矫顽力,表现出较好的磁晶各向异性. 展开更多

关键词 M型钡铁氧体薄膜 射频磁控溅射 薄膜厚度 c轴择优取向 磁性能

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