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热压碳化硼表面自润滑膜的生成 被引量：5
1
作者 吴芳 王零森 +3 位作者 张金生 樊毅 刘伯威 高游 《中南工业大学学报》 CSCD 北大核心 2001年第1期78-80,共3页
研究了热压碳化硼表面自润滑膜的生成 .在实验条件下 ,未经热处理的碳化硼摩擦副的摩擦因数由起始阶段的 0 .35～ 0 .40 ,随滑行距离的增加而减小至 0 .2 5左右 .对摩擦前后接触面进行X射线衍射分析 ,结果表明 :接触界面发生了摩擦化学... 研究了热压碳化硼表面自润滑膜的生成 .在实验条件下 ,未经热处理的碳化硼摩擦副的摩擦因数由起始阶段的 0 .35～ 0 .40 ,随滑行距离的增加而减小至 0 .2 5左右 .对摩擦前后接触面进行X射线衍射分析 ,结果表明 :接触界面发生了摩擦化学反应 ,生成了B2 O3,H3BO3;由于H3BO3 具有层状原子结构 ,有润滑性 ,这是使摩擦因数降低的主要原因 ;利用热处理的方法 ,促使碳化硼表面生成氧化膜B2 O3,在冷却过程中B2 O3 自发地与空气中的水蒸气反应生成H3BO3 自润滑膜 ,可使摩擦因数进一步降低至 0 .0 8左右 。 展开更多
关键词 碳化硼 磨擦因数 自润滑膜 表面膜 热处理 摩擦副
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磁控溅射制备碳化硼薄膜的结构与成分分析
2
作者 朱京涛 刘扬 +3 位作者 周健荣 周晓娟 孙志嘉 崔明启 《光学仪器》 2024年第2期63-68,共6页
近年来国际上^(3)He资源的短缺造成了基于^(3)He的中子探测器高昂的成本,而以碳化硼薄膜作为中子转换层的硼基中子探测器逐渐成为了最有前景的替代方案。通过直流磁控溅射制备了Ti/B_(4)C多层膜,并使用透射电子显微镜(TEM)、飞行时间二... 近年来国际上^(3)He资源的短缺造成了基于^(3)He的中子探测器高昂的成本,而以碳化硼薄膜作为中子转换层的硼基中子探测器逐渐成为了最有前景的替代方案。通过直流磁控溅射制备了Ti/B_(4)C多层膜,并使用透射电子显微镜(TEM)、飞行时间二次离子质谱(ToF-SIMS)、X射线光电子能谱(XPS)等手段对薄膜的结构与成分进行表征。结果表明:Ti层存在结晶情况;H、O、N元素为薄膜内部的主要杂质,且多分布于Ti层与B_(4)C-on-Ti过渡层中;更高的本底真空度能够降低碳化硼薄膜内的杂质含量,提高B含量占比;中子探测效率测试结果证明本底真空度的提高能够有效提高碳化硼中子转换层的效率。 展开更多
关键词 中子光学 碳化硼薄膜 直流磁控溅射 透射电子显微镜(TEM) X射线光电子能谱(XPS) 中子探测
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SiC-B_4C复合膜的制备及其力学和热电性能 被引量：2
3
作者 王新华 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期49-53,共5页
　探索了SiC-B4C复合膜的热等离子体PVD(TPPVD)法快速制备,研究了SiC-B4C复合膜的力学性能和热电性能。实验结果表明:以SiC和B4C超细粉为原料的热等离子体PVD(TPPVD)法是快速制备SiC-B4C复合膜的有效方法。通过控制SiC和B4C粉末的供给,... 　探索了SiC-B4C复合膜的热等离子体PVD(TPPVD)法快速制备,研究了SiC-B4C复合膜的力学性能和热电性能。实验结果表明:以SiC和B4C超细粉为原料的热等离子体PVD(TPPVD)法是快速制备SiC-B4C复合膜的有效方法。通过控制SiC和B4C粉末的供给,可以获得具有层状结构的SiC-B4C致密优质复合膜,最大沉积速度达356nm/s,高于常规PVD和CVD法两个数量级。膜的硬度随B4C含量增加而增大,最大显微维氏硬度达到35GPa。SiC-B4C复合膜的电阻率和Seebeck系数随B4C含量增加而减小。最大Seebeck系数为550μVK-1,在973K时最大功率因子达到640μWm-1K-2,是SiC烧结体的21倍。 展开更多
关键词 碳化硅 碳化硼 显微硬度 热电性能
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B_4C/hBN复相陶瓷与球墨铸铁配副摩擦学性能研究 被引量：3
4
作者 潘武 高义民 +2 位作者 李秀清 宋连成 钟志超 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期61-69,共9页
本文中以热压烧结法制备不同hBN质量分数(0%、10%、20%和30%)的B4C/hBN复相陶瓷作为销试样,与球墨铸铁(QT)盘试样在空气润滑条件下进行销-盘式摩擦磨损试验,滑动速度为0.66 m/s,磨程为850 m,载荷为5 N.借助扫描电子显微镜(SEM)观察摩擦... 本文中以热压烧结法制备不同hBN质量分数(0%、10%、20%和30%)的B4C/hBN复相陶瓷作为销试样,与球墨铸铁(QT)盘试样在空气润滑条件下进行销-盘式摩擦磨损试验,滑动速度为0.66 m/s,磨程为850 m,载荷为5 N.借助扫描电子显微镜(SEM)观察摩擦表面和磨屑的形貌特征,利用X光电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)等分析手段表征磨面和磨屑的物质组成,得出复相陶瓷成分、试验参数对配副摩擦学性能的影响.研究表明:hBN质量分数为0%和10%的复相陶瓷(BN00、BN10)与铸铁配副时,磨损机制以黏着磨损为主,摩擦系数为0.5,h BN质量分数为20%和30%的复相陶瓷(BN20、BN30)与铸铁配副时,陶瓷销表面出现连续的表面膜,该表面膜主要由Fe_2O_3、Fe_3O_4、B_2O_3、B_4C及h BN等物质组成,摩擦系数降低至0.2;随着载荷的升高,QT-BN00与QT-BN10配副磨损机制仍以黏着磨损为主,摩擦系数与5 N载荷无明显变化,而QT-BN20与QT-BN30配副摩擦系数随载荷上升而升高,当载荷为10 N时,摩擦系数升至0.6. 展开更多
关键词 碳化硼 氮化硼 摩擦系数 表面膜
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碳化硼对刚玉-碳化硅复合材料表面氧化膜的影响 被引量：3
5
作者 幸非凡 刘璐 +4 位作者 杨春 张杨 张润杰 魏军从 涂军波 《耐火材料》 CAS 北大核心 2020年第5期395-398,共4页
将60%(w)刚玉粉和40%(w)碳化硅粉、外加不同质量分数(0、1%和2%)的碳化硼混合均匀,经压制成型后,分别在空气中于1400和1500℃保温3 h,制得刚玉-碳化硅复合试样,研究了碳化硼加入量对刚玉-碳化硅复合耐火材料表面氧化膜组成、结构及物相... 将60%(w)刚玉粉和40%(w)碳化硅粉、外加不同质量分数(0、1%和2%)的碳化硼混合均匀,经压制成型后,分别在空气中于1400和1500℃保温3 h,制得刚玉-碳化硅复合试样,研究了碳化硼加入量对刚玉-碳化硅复合耐火材料表面氧化膜组成、结构及物相组成的影响。结果表明:在刚玉-碳化硅耐火材料中加入碳化硼,由于碳化硼先于碳化硅氧化形成液相,可以降低材料表面氧化膜的形成温度,提高氧化膜的致密度并且减小氧化膜的厚度,对碳化硅有保护作用;1500℃烧成试样的氧化膜比1400℃的更致密、更薄。 展开更多
关键词 碳化硅 刚玉 碳化硼 复合材料 表面氧化膜
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碳化硼薄膜的激光法制备及性能 被引量：3
6
作者 王淑云 陆益敏 +4 位作者 刘旭 黄国俊 郭延龙 万强 田方涛 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期895-897,共3页
采用KrF准分子激光器,在Si,Ge光学衬底上制备了碳化硼薄膜,研究了不同激光能量、靶材与衬底距离、衬底负偏压等条件对薄膜性能的影响。利用傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)和纳米压痕仪,并依据光学薄膜测试的通用标准,对样品的光学透过率... 采用KrF准分子激光器,在Si,Ge光学衬底上制备了碳化硼薄膜,研究了不同激光能量、靶材与衬底距离、衬底负偏压等条件对薄膜性能的影响。利用傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)和纳米压痕仪,并依据光学薄膜测试的通用标准,对样品的光学透过率、纳米硬度及膜层与衬底的结合性能进行了测试。结果表明:Si,Ge衬底单面镀碳化硼薄膜后最高透过率提高10%以上,纳米硬度提高到未镀膜的3倍以上,且膜层与衬底有较好的结合性能,表明制备的碳化硼薄膜可对光学材料起到较好的增透保护作用。 展开更多
关键词 激光沉积 碳化硼薄膜 透过率 硬度 增透膜
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碳化硼薄膜制备的研究进展(英文) 被引量：1
7
作者 范强 廖志君 伍登学 《材料导报（纳米与新材料专辑）》 EI 2008年第3期328-331,335,共5页
综述了碳化硼材料的主要性能和制备碳化硼薄膜的主要方法,讨论了包括磁控溅射、离子束沉积和化学气相沉积等制备方法的优点及重要工艺参数,并就各方法指出了提高薄膜性能的主要措施,指出制备出更均匀、致密的碳化硼薄膜,提高薄膜与基体... 综述了碳化硼材料的主要性能和制备碳化硼薄膜的主要方法,讨论了包括磁控溅射、离子束沉积和化学气相沉积等制备方法的优点及重要工艺参数,并就各方法指出了提高薄膜性能的主要措施,指出制备出更均匀、致密的碳化硼薄膜,提高薄膜与基体间的结合力,降低薄膜应力仍是今后研究的重点。 展开更多
关键词 碳化硼 薄膜 性能 制备方法
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温度对B_(4)C涂层氧化防护性能和防护机制的影响
8
作者 胡凯飞 王佩佩 +4 位作者 孙万昌 侯兆琪 易大伟 罗欢 任宣儒 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期89-97,共9页
目的研究温度对B_(4)C涂层氧化防护性能和防护机制的影响,得出B_(4)C涂层最佳氧化防护温度范围,以及B_(4)C涂层在不同温度的氧化防护机制演变。方法以石墨为基体,采用放电等离子烧结法在石墨表面制备B_(4)C涂层,通过不同恒温氧化试验(80... 目的研究温度对B_(4)C涂层氧化防护性能和防护机制的影响,得出B_(4)C涂层最佳氧化防护温度范围,以及B_(4)C涂层在不同温度的氧化防护机制演变。方法以石墨为基体,采用放电等离子烧结法在石墨表面制备B_(4)C涂层,通过不同恒温氧化试验(800、1000、1200、1400℃)和室温至1400℃宽温域动态氧化试验来测试其氧化防护性能,并通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和能谱仪(EDS)对B_(4)C涂层石墨试样氧化前后的物相组成、微观形貌、氧扩散等进行分析。结果B_(4)C涂层氧化后可生成B2O3玻璃膜,在800、1000、1200、1400℃恒温氧化的防护效率分别为98.43%、98.61%、94.4%和92.8%,在室温至1400℃宽温域动态氧化的防护效率为93.1%。B_(4)C涂层在800℃以下主要依赖结构阻氧,800至900℃由结构阻氧向惰化阻氧转变,900℃以上主要依赖惰化阻氧。1100℃以上,随温度升高B2O3玻璃膜的挥发加剧,B_(4)C涂层惰化阻氧能力减弱。结论B_(4)C涂层的氧化防护效率随温度上升先增大后减小,结构阻氧机制逐渐降低,惰化阻氧机制先升高后降低。B_(4)C涂层在800至1100℃具有良好的氧化防护性能。 展开更多
关键词 涂层 石墨 碳化硼(B_(4)C) 玻璃膜 氧化防护 阻氧机制
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基片温度对电子束蒸发沉积碳化硼薄膜性能的影响 被引量：4
9
作者 范强 廖志君 +3 位作者 杨水长 刘振良 伍登学 卢铁城 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第S1期44-47,共4页
在不同基片温度下,采用电子束蒸发法在Si(100)衬底上制备了碳化硼薄膜,研究了基片温度对薄膜性能的影响。采用X射线光电子能谱仪(XPS)分析了薄膜成分,薄膜的表面形貌用原子力显微镜(AFM)进行表征,采用台阶仪和椭偏测厚仪测量了薄膜厚度... 在不同基片温度下,采用电子束蒸发法在Si(100)衬底上制备了碳化硼薄膜,研究了基片温度对薄膜性能的影响。采用X射线光电子能谱仪(XPS)分析了薄膜成分,薄膜的表面形貌用原子力显微镜(AFM)进行表征,采用台阶仪和椭偏测厚仪测量了薄膜厚度和折射率。结果表明基片温度对薄膜成分影响不大;随着基片温度的升高,薄膜表面粗糙度逐渐增大,均方根粗糙度由0.394 nm增至0.504 nm;而沉积速率先增大后减小,在300℃时达到最大值7.47 nm/min;其折射率由2.06渐增至2.41,表明薄膜致密性逐渐提高。 展开更多
关键词 碳化硼薄膜 电子束蒸发 基片温度 粗糙度
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APTES-TiO_(2)-B_(4)C/PVDF膜的制备及其光降解有机染料的性能研究
10
作者 欧阳园园 李三喜 +2 位作者 蒋大富 王松 Otitoju Tunmise Ayode 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2022年第8期204-208,共5页
采用3-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)对纳米碳化硼(BC)和二氧化钛(TiO_(2))的混合颗粒进行改性,制备出功能化APTES-BC/TiO_(2)复合颗粒。利用相转化技术将APTES-BC-TiO_(2)复合颗粒引入聚偏氟乙烯(PVDF)膜基质中,得到具有光催化性能的APTES... 采用3-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)对纳米碳化硼(BC)和二氧化钛(TiO_(2))的混合颗粒进行改性,制备出功能化APTES-BC/TiO_(2)复合颗粒。利用相转化技术将APTES-BC-TiO_(2)复合颗粒引入聚偏氟乙烯(PVDF)膜基质中,得到具有光催化性能的APTES-BC-TiO_(2)/PVDF复合膜。通过XRD、SEM、EDS和水接触角测试对制备的复合膜进行表征。以50 mg/L的罗丹明B(RhB)水溶液模拟废水考察APTES-BC-TiO_(2)/PVDF复合膜的光催化性能。结果表明,当复合粒子的质量分数为0.5%时,复合膜具有最高的孔隙率(68.3%)、最大的膜比表面积(8.25 m^(2)/g)和最低的水接触角(69°)。光催化实验结果表明,APTES-BC-TiO_(2)复合粒子的质量分数为0.5%时,APTES-BC-TiO_(2)/PVDF复合膜光催化性能最佳,对RhB的去除率达到82.92%,远高于纯膜的去除率(65.73%)。 展开更多
关键词 聚偏氟乙烯 碳化硼-二氧化钛 膜 光催化
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