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射频功率HBT热稳定性分析及镇流电阻优化 被引量:1
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作者 金冬月 张万荣 +2 位作者 谢红云 沈珮 王扬 《北京工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期141-144,149,共5页
为了有效改善射频功率HBT的热不稳定性、消除自加热效应对功率器件电学特性的影响,从热电反馈网络出发,阐述了晶体管热稳定因子S的物理意义.在考虑发射极电流正温度系数、器件能带连续性(△E_v)、重掺杂效应(△E_g)、基极和发射极加入... 为了有效改善射频功率HBT的热不稳定性、消除自加热效应对功率器件电学特性的影响,从热电反馈网络出发,阐述了晶体管热稳定因子S的物理意义.在考虑发射极电流正温度系数、器件能带连续性(△E_v)、重掺杂效应(△E_g)、基极和发射极加入镇流电阻(R_B和R_E)等因素的情况下。给出了功率HBT自热完全补偿(S= 0)所需最小镇流电阻(R_c)表达式.结果表明,在△E_v+△E_g>2κT时,HBT工作温度丁越大,R_c反而越小.由于R_c的减小,功率HBT将能提供更大的输出功率、功率增益和功率附加效率. 展开更多
关键词 异质结双极晶体管 热稳定 镇流电阻
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发射极空气桥InGaP/GaAs HBT的DC和RF特性分析
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作者 申华军 葛霁 +4 位作者 杨威 陈延湖 王显泰 刘新宇 吴德馨 《电子器件》 CAS 2007年第1期1-4,共4页
为抑制电流增益崩塌,提高HBT的热稳定性,研制了发射极空气桥互连结构的HBT晶体管,应用ICCAP提取参数建立VBIC模型,结合模型参数对三种不同结构HBT的DC和RF特性进行比较分析.与引线爬坡互连结构相比,发射极空气桥互连结构HBT的热阻得到改... 为抑制电流增益崩塌,提高HBT的热稳定性,研制了发射极空气桥互连结构的HBT晶体管,应用ICCAP提取参数建立VBIC模型,结合模型参数对三种不同结构HBT的DC和RF特性进行比较分析.与引线爬坡互连结构相比,发射极空气桥互连结构HBT的热阻得到改善,热稳定性提高;与发射极电阻镇流方式相比,发射极空气桥HBT的截止频率(fT)相同,最大振荡频率(fmax)提高,最大稳定功率增益(MSG)高出约5dB. 展开更多
关键词 InGaP/GaAs发射极空气桥互连 热阻 镇流电阻
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硅微波功率晶体管镇流电阻的设计
3
作者 蔡树军 《半导体情报》 1994年第3期11-15,共5页
从热稳定条件出发,对扩散镇流电阻的设计进行了详细的计算和分析,讨论了在保证器件增益前提下提高器件热稳定性的措施,器件应用显示出了良好的结果,最后提出了一种新的没有热崩现象存在的高可靠器件的设想。
关键词 功率晶体管 镇流电阻 热稳定性
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1.2~1.4GHz 300W宽带硅微波脉冲大功率管 被引量:1
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作者 王因生 丁晓明 +5 位作者 蒋幼泉 傅义珠 王佃利 王志楠 盛国兴 严德圣 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期356-360,397,共6页
介绍了L波段宽带硅微波脉冲300W大功率晶体管研制结果。该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻和热稳定等新工艺技术,在1.2~1.4GHz频带内,脉宽150μs,占空比10%和40V工作电压下,全带内脉冲输出功率大于300W,功... 介绍了L波段宽带硅微波脉冲300W大功率晶体管研制结果。该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻和热稳定等新工艺技术,在1.2~1.4GHz频带内,脉宽150μs,占空比10%和40V工作电压下,全带内脉冲输出功率大于300W,功率增益大于8.75dB,效率大于55%。 展开更多
关键词 微波 功率管 镇流电阻
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P波段100W(CW)硅大功率平衡晶体管的设计
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作者 牛晓青 张海平 《半导体情报》 1994年第4期17-21,共5页
本文介绍了采用网状发射极图形结构、浓硼扩散发射极镇流电阻以及用输入端内部网络匹配和平衡结构器件组装形式研制出的硅大功率器件,该器件在225~400MHz频率下输出功率100W,增益7.5dB,效率55%。
关键词 平衡晶体管 大功率晶体管
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硅双极功率晶体管镇流技术的改进
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作者 周蓉 胡思福 张庆中 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期486-489,共4页
从可靠性和功率增益两方面对现有硅双极功率晶体管镇流技术作了仔细分析,并提出了改进措施。结果表明,采用改进的复合镇流技术,不仅有效地防止热斑和电流二次击穿现象,提高了器件的可靠性和工作寿命,而且有助于提高器件的功率增益。
关键词 硅化物 氮化钛 镇流电阻 双极晶体管 功率晶体管
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发射极镇流电阻对In_(0.49)Ga_(0.51)P/GaAs HBT特性的影响 被引量:1
7
作者 石瑞英 孙海锋 +2 位作者 袁志鹏 罗明雄 汪宁 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第7期831-835,共5页
在发射极加一个镇流电阻可以解决在多个 HBT并联时 ,常常出现电流坍塌的问题 .研究了发射极镇流电阻对 In0 .4 9Ga0 .51 P/ Ga As HBT直流及高频特性的影响 。
关键词 发射极镇流电阻 In0.49Ga0.51P/GaAs HBT 直流特性 高频特性 EEACC 1350F 2560B 2560J 2560Z
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基于SA算法的无绝缘轨道电路故障综合检测方法 被引量:17
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作者 张友鹏 常高武 赵斌 《铁道学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期68-72,共5页
针对遗传算法对无绝缘轨道电路进行故障综合检测时,存在检测结果精度低、耗时长以及实用性差等缺点,提出基于模拟退火算法的无绝缘轨道电路故障检测方法。建立以补偿电容为分界点,分段划分道砟区段的分路状态模型,运用该模型分析道砟电... 针对遗传算法对无绝缘轨道电路进行故障综合检测时,存在检测结果精度低、耗时长以及实用性差等缺点,提出基于模拟退火算法的无绝缘轨道电路故障检测方法。建立以补偿电容为分界点,分段划分道砟区段的分路状态模型,运用该模型分析道砟电阻、补偿电容与分段分路电流幅值包络之间的关系,在上述分析的基础上,从发送端到接收端,依次对每一段电流幅值包络利用模拟退火算法求得与之相对应的道砟电阻值和补偿电容值,实现轨道电路故障的综合检测。实验表明,本文所提出的故障检测方法能够准确检测多个电容故障,并反映出道砟电阻分段波动的情况。与遗传算法相比,该方法检测精度高、耗时短、实用性强,更加适合于无绝缘轨道电路故障综合检测。 展开更多
关键词 无绝缘轨道电路 故障检测 模拟退火算法 补偿电容 道砟电阻
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提高微波功率双极晶体管性能的研究 被引量:2
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作者 王建志 藩宏菽 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期443-445,共3页
通过对硅S波段微波功率双极晶体管的结终端技术实验数据对比和晶体管镇流电阻设计的考虑,提高了微波功率双极器件的击穿电压和电流通过能力及抗烧毁能力。微波器件采用这些技术后,器件的工作频率不但没有降低,反而从原来的S波段的低端(2... 通过对硅S波段微波功率双极晶体管的结终端技术实验数据对比和晶体管镇流电阻设计的考虑,提高了微波功率双极器件的击穿电压和电流通过能力及抗烧毁能力。微波器件采用这些技术后,器件的工作频率不但没有降低,反而从原来的S波段的低端(2.25~2.55 GHz),提高到了中高端(3.1~3.5 GHz);器件的集电结反向击穿电压50 V以上的比率由原来的17.6%提高到63.5%;器件的功率增益也从6 dB提高到7.5 dB以上,证明了该工艺方法的有效性与可行性。 展开更多
关键词 微波 功率晶体管 浅结 击穿电压 镇流电阻
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无源功率因数校正电路的实验研究 被引量:1
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作者 曹幼章 孙绍伍 《物理实验》 北大核心 2001年第10期34-36,39,共4页
对电子镇流器的几种无源功率因数校正电路进行了分析 ,指出电路存在的问题和改进措施 .
关键词 无源功率因数 电子镇流器 波峰系数 校正电路 实验研究
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一种解决HBT功率器件热失控的新方法 被引量:1
11
作者 胡善文 钱罕杰 +2 位作者 孙晓红 张晓东 高怀 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期56-59,64,共5页
提出了一种具有强耦合作用的新型镇流电阻器网络,该镇流电阻器网络为树形拓扑结构,对其工作原理进行了详细分析。基于COMSOL MULTIPHYSICS软件的仿真结果表明:该镇流电阻器网络具有自适应功能,通过其耦合作用可以自动调整HBT并联阵列中... 提出了一种具有强耦合作用的新型镇流电阻器网络,该镇流电阻器网络为树形拓扑结构,对其工作原理进行了详细分析。基于COMSOL MULTIPHYSICS软件的仿真结果表明:该镇流电阻器网络具有自适应功能,通过其耦合作用可以自动调整HBT并联阵列中晶体管的电流,使高温HBT的热量向低温HBT传递,获得更为均匀的温度分布,较好地解决了热失控问题。采用该新型镇流电阻器网络与传统镇流电阻器网络设计了两种面积相等的电路,在同等的偏置条件下测得其温度分布曲线,通过比较可以看出新型镇流电阻器网络具有更为均匀的热分布。 展开更多
关键词 镇流电阻器网络 热失控
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波峰系数对灯寿命影响的实验研究 被引量:1
12
作者 孙绍伍 王永超 《物理实验》 北大核心 2002年第12期35-37,共3页
由实验中测出不同的灯电流波峰系数与灯开关次数的对比结果 ,说明了灯电流波峰系数偏高对灯寿命的影响 ,从而推出一种高性能低成本的电子镇流器 .
关键词 寿命 影响 实验研究 电子镇流器 波峰系数 功率因数 日光灯 开头次数
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音响用低压大电流器件功率容量研究
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作者 叶新民 《微电子技术》 2001年第2期36-38,共3页
本文介绍了一种提高晶体管二次击穿耐量的方法 。
关键词 功率容量 二次击穿 等效镇流电阻 音响 低压电流器件 晶体管
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新关角隧道信号系统方案研究 被引量:1
14
作者 马书元 《铁道标准设计》 北大核心 2015年第4期111-116,共6页
鉴于青藏线西格二线关角隧道的特殊性,通过对国内已开通可借鉴的长大隧道京广线大瑶山隧道、兰武二线乌鞘岭隧道及青藏铁路既有关角隧道情况进行调研、测试、分析,综合新关角隧道环境条件、方案可靠性、维修维护、投资等各方面因素,推... 鉴于青藏线西格二线关角隧道的特殊性,通过对国内已开通可借鉴的长大隧道京广线大瑶山隧道、兰武二线乌鞘岭隧道及青藏铁路既有关角隧道情况进行调研、测试、分析,综合新关角隧道环境条件、方案可靠性、维修维护、投资等各方面因素,推荐区间采用ZPW-2000系列无绝缘轨道电路,隧道内进行轨道电路分割方案。 展开更多
关键词 关角隧道 道床电阻 轨道电路 分割
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