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超薄圆片划片工艺探讨 被引量:6
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作者 姜健 张政林 《中国集成电路》 2009年第8期66-69,共4页
集成电路小型化正在推动圆片向更薄的方向发展,超薄圆片的划片技术作为集成电路封装小型化的关键基础工艺技术,显得越来越重要,它直接影响产品质量和寿命。本文从超薄片划片时常见的崩裂问题出发,分析了崩裂原因,简单介绍了目前超薄圆... 集成电路小型化正在推动圆片向更薄的方向发展,超薄圆片的划片技术作为集成电路封装小型化的关键基础工艺技术,显得越来越重要,它直接影响产品质量和寿命。本文从超薄片划片时常见的崩裂问题出发,分析了崩裂原因,简单介绍了目前超薄圆片切割普遍采用的STEP切割工艺。另外,针对崩裂原因,还从组成划片刀的3个要素入手分析了减少崩裂的选刀方法。 展开更多
关键词 超薄圆片 崩片 背崩 正面崩片 崩裂 划片刀过载
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混合烧结高散热导电胶的封装应用及性能 被引量:1
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作者 刘怡 张灏杰 +3 位作者 柳炀 龚臻 张月升 宋大悦 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第11期881-886,共6页
为满足中大尺寸背面裸硅芯片的封装应用及其高散热需求,开发了一种新型混合烧结高散热导电胶,该新型导电胶以有机二元酸表面活化的银粉颗粒、丙烯酸树脂和其他有机添加剂为原料混合制备而成。采用新型导电胶将6 mm×6 mm裸硅芯片粘... 为满足中大尺寸背面裸硅芯片的封装应用及其高散热需求,开发了一种新型混合烧结高散热导电胶,该新型导电胶以有机二元酸表面活化的银粉颗粒、丙烯酸树脂和其他有机添加剂为原料混合制备而成。采用新型导电胶将6 mm×6 mm裸硅芯片粘接到方形扁平无引脚封装键合(QFNWB)产品上,并进行了导电胶黏度测量、X射线无损检测、导电胶和芯片粘接的破坏性推力测试、导热系数测试和可靠性试验。研究结果表明,该导电胶触变指数为7.2,烘烤后无明显气孔产生,6 mm×6 mm裸硅芯片粘接的破坏性推力为343 N,导热系数高达15 W/(m·K)。与常规导电胶相比,其导热性能优异,且解决了烧结银导电胶无法应用于中大尺寸背面裸硅芯片的问题,满足产品的高散热和高可靠性要求。 展开更多
关键词 混合烧结 导电胶 高散热 背面裸硅芯片 封装 高可靠性
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具有图形化Al背面反射镜的GaN基LED芯片 被引量:1
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作者 黄华茂 胡金勇 王洪 《华南理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第8期14-20,共7页
图形化反射镜能提高LED芯片的光提取效率.在蓝宝石衬底背面制备三角周期排列的微米尺寸Si O2圆台形结构,再沉积金属Al,构成图形化反射镜.基于Monte Carlo光线追迹方法的三维光学仿真表明,相比平面反射镜,图形化Al反射镜可使芯片光提取... 图形化反射镜能提高LED芯片的光提取效率.在蓝宝石衬底背面制备三角周期排列的微米尺寸Si O2圆台形结构,再沉积金属Al,构成图形化反射镜.基于Monte Carlo光线追迹方法的三维光学仿真表明,相比平面反射镜,图形化Al反射镜可使芯片光提取效率提升7.5%.实验测试结果表明,输入电流为20m A时,相比平面反射镜,图形化Al反射镜可提升芯片输出光功率8.4%,而芯片的电学性能无恶化.基于有限元方法的二维热力学仿真讨论表明,图形化反射镜有利于芯片获得更低的温度和热应力,且微结构附近的应力集中对芯片性能的影响可忽略. 展开更多
关键词 图形化反射镜 LED芯片 出光效率 热应力
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