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功率快恢复二极管反偏ESD机理分析
被引量：
2
1
作者
魏峰
吴郁
+6 位作者
周新田
周东海
吴立成
贾云鹏
胡冬青
金锐
刘钺杨
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第8期629-634,共6页
功率半导体器件静电放电(ESD)的可靠性在应用中至关重要,其抗ESD的机理需深入研究。采用一种符合GB/T 17626.2标准的简明分段线性电流源,对功率快恢复二极管(FRD)反偏ESD过程进行仿真计算。基于器件外端电压波形经历过冲、负阻和振荡以...
功率半导体器件静电放电(ESD)的可靠性在应用中至关重要,其抗ESD的机理需深入研究。采用一种符合GB/T 17626.2标准的简明分段线性电流源,对功率快恢复二极管(FRD)反偏ESD过程进行仿真计算。基于器件外端电压波形经历过冲、负阻和振荡以及平缓发展三个阶段,分析了器件内部相应的一系列复杂变化。结果表明:器件内部的"过耗尽"、雪崩注入、载流子及电场分布涨落等变化,最终导致电流在pn结拐角处形成局部集中。最后,分析了器件结构参数对抗ESD能力的影响。
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关键词
静电放电(ESD)
快恢复二极管(FRD)
人体模型(HBM)
雪崩注入
临界场
强
背景掺杂
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职称材料
利用背景掺杂对SiC CVD系统总体泄漏程度评价方法研究
2
作者
刘永立
陈昊
《电子工业专用设备》
2008年第11期23-26,共4页
以各部分管道检漏达到低于1×10-10(Pa.m3)/s的SiCCVD为考察对象,通过分析SiC热壁式CVD设备中影响背景掺杂浓度的杂质来源和与之对应的硬件因素,对比在不同的真空条件下得到的外延层背景掺杂浓度变化趋势,并得到最低4×1013cm-...
以各部分管道检漏达到低于1×10-10(Pa.m3)/s的SiCCVD为考察对象,通过分析SiC热壁式CVD设备中影响背景掺杂浓度的杂质来源和与之对应的硬件因素,对比在不同的真空条件下得到的外延层背景掺杂浓度变化趋势,并得到最低4×1013cm-3的极低背景掺杂浓度。证明反应腔中的石墨,尤其是多孔石墨中吸附的大量氮气提供了作为背景掺杂的氮元素。定性得到系统整体漏率对背景掺杂无显著影响的结果。
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关键词
SiC外延
hot-wall
真空
漏率
背景掺杂
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职称材料
光致发光技术PL(PhotoLuminescence)分析结晶硅片及电池片
3
作者
T.Trupke
R.A.Bardos
+1 位作者
J.Nyhus
鲁永强
《中国建设动态（阳光能源）》
2010年第2期62-62,64-66,共4页
类稳态光致发光技术(QSS-PL)是一项很有效,定量分析硅片及电池片的工具。类稳态光致发光技术(QSS-PL)的运用不仅在研究开发方面,也适合在线硅片高速分选。
关键词
原生硅片
发射极磷扩散
有效寿命
体寿命
注入条件
背景掺杂浓度
过剩少子浓度
陷阱现象
空乏区
钝化
表面合复速度
下载PDF
职称材料
题名
功率快恢复二极管反偏ESD机理分析
被引量：
2
1
作者
魏峰
吴郁
周新田
周东海
吴立成
贾云鹏
胡冬青
金锐
刘钺杨
机构
北京工业大学电子信息与控制工程学院
国网智能院电工新材料及微电子研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第8期629-634,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(61176071)
教育部博士点基金新教师项目(2011110312001)
国家电网公司科技项目(SGRI-WD-71-13-006)
文摘
功率半导体器件静电放电(ESD)的可靠性在应用中至关重要,其抗ESD的机理需深入研究。采用一种符合GB/T 17626.2标准的简明分段线性电流源,对功率快恢复二极管(FRD)反偏ESD过程进行仿真计算。基于器件外端电压波形经历过冲、负阻和振荡以及平缓发展三个阶段,分析了器件内部相应的一系列复杂变化。结果表明:器件内部的"过耗尽"、雪崩注入、载流子及电场分布涨落等变化,最终导致电流在pn结拐角处形成局部集中。最后,分析了器件结构参数对抗ESD能力的影响。
关键词
静电放电(ESD)
快恢复二极管(FRD)
人体模型(HBM)
雪崩注入
临界场
强
背景掺杂
Keywords
electrostatic
discharge
（ESD）
fast
recovery
diode
（FRD）
human
body
model
（HBM）
avalanche
injection
critical
electricfield
background
doping
分类号
TN306 [电子电信—物理电子学]
TN31
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职称材料
题名
利用背景掺杂对SiC CVD系统总体泄漏程度评价方法研究
2
作者
刘永立
陈昊
机构
河北半导体研究所
出处
《电子工业专用设备》
2008年第11期23-26,共4页
文摘
以各部分管道检漏达到低于1×10-10(Pa.m3)/s的SiCCVD为考察对象,通过分析SiC热壁式CVD设备中影响背景掺杂浓度的杂质来源和与之对应的硬件因素,对比在不同的真空条件下得到的外延层背景掺杂浓度变化趋势,并得到最低4×1013cm-3的极低背景掺杂浓度。证明反应腔中的石墨,尤其是多孔石墨中吸附的大量氮气提供了作为背景掺杂的氮元素。定性得到系统整体漏率对背景掺杂无显著影响的结果。
关键词
SiC外延
hot-wall
真空
漏率
背景掺杂
Keywords
SiC
CVD
Hot-wall
vacuum
leak
rate
background
doping
分类号
TN305.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
光致发光技术PL(PhotoLuminescence)分析结晶硅片及电池片
3
作者
T.Trupke
R.A.Bardos
J.Nyhus
鲁永强
机构
BT Imaging Pty Ltd
REC ScanWafer AS
北京华通特瑞光电科技有限公司
台北广集股份有限公司
出处
《中国建设动态（阳光能源）》
2010年第2期62-62,64-66,共4页
文摘
类稳态光致发光技术(QSS-PL)是一项很有效,定量分析硅片及电池片的工具。类稳态光致发光技术(QSS-PL)的运用不仅在研究开发方面,也适合在线硅片高速分选。
关键词
原生硅片
发射极磷扩散
有效寿命
体寿命
注入条件
背景掺杂浓度
过剩少子浓度
陷阱现象
空乏区
钝化
表面合复速度
Keywords
As
cut
silicon
wafer,
Phosphorous
emitter
diffusion,
Effective
lifetime,
Bulk
lifetime
,Injection
level,
background
doping
concentration,
Excess
minority
carrier
density,
Trapping,
Space
charge
regions,
Passivation,
Surface
recombination
velocity
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
功率快恢复二极管反偏ESD机理分析
魏峰
吴郁
周新田
周东海
吴立成
贾云鹏
胡冬青
金锐
刘钺杨
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013
2
下载PDF
职称材料
2
利用背景掺杂对SiC CVD系统总体泄漏程度评价方法研究
刘永立
陈昊
《电子工业专用设备》
2008
0
下载PDF
职称材料
3
光致发光技术PL(PhotoLuminescence)分析结晶硅片及电池片
T.Trupke
R.A.Bardos
J.Nyhus
鲁永强
《中国建设动态（阳光能源）》
2010
0
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职称材料
已选择
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