基于GaSe和ZnGeP2晶体差频产生可调谐太赫兹辐射的理论研究 被引量：17

1

作者 刘欢 徐德刚 姚建铨 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期5662-5669,共8页

基于非线性光学频率变换理论,采用已报道的利用非线性光学差频方法产生可调谐太赫兹波的实验条件作为理论分析的实验模型,计算模拟出在不同相位匹配条件下,GaSe和ZnGeP2晶体差频的相位匹配角、走离角、允许角和有效非线性系数,并对计算... 基于非线性光学频率变换理论,采用已报道的利用非线性光学差频方法产生可调谐太赫兹波的实验条件作为理论分析的实验模型,计算模拟出在不同相位匹配条件下,GaSe和ZnGeP2晶体差频的相位匹配角、走离角、允许角和有效非线性系数,并对计算结果进行了分析比较,总结出对应输出不同太赫兹波长的最佳相位匹配方式.计算结果为利用非线性晶体差频产生可调谐太赫兹辐射的实验研究提供深入和全面的理论基础. 展开更多

关键词 太赫兹波 GaSe晶体 zngep2晶体 差频

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红外非线性晶体ZnGeP_2的生长及品质研究 被引量：9

2

作者 吴海信 倪友保 +4 位作者 耿磊 毛明生 王振友 程干超 杨琳 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期507-511,共5页

采用高温元素反应法直接合成ZnGeP2多晶料,用竖式Bridgman法生长出ZnGeP2单晶,晶体棒毛坯尺寸达15×70mm3。对多晶料和单晶体进行了X射线粉末衍射(XRD)、低倍率红外显微镜、红外分光光度计检测;对晶体切片进行退火处理,使得在2μ... 采用高温元素反应法直接合成ZnGeP2多晶料,用竖式Bridgman法生长出ZnGeP2单晶,晶体棒毛坯尺寸达15×70mm3。对多晶料和单晶体进行了X射线粉末衍射(XRD)、低倍率红外显微镜、红外分光光度计检测;对晶体切片进行退火处理,使得在2μm吸收系数降到α=0.10cm-1;加工出一块5×6×6.5mm3的晶体倍频元件,在一台射频激励CO2激光器上实现了从9.24μm到4.26μm的倍频。 展开更多

关键词 zngep2 非线性光学晶体 CO2激光器 倍频

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红外非线性材料ZnGeP_2的研究(Ⅰ)——多晶料的合成 被引量：6

3

作者 卓洪升 顾庆天 房昌水 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期88-90,共3页

本文报告了红外非线性材料ＺｎＧｅＰ２多晶料的合成方法。该法是以元素态的磷、锗，锌为原料，通过直接化合的方法进行合成。合成的多晶料经比重测量和Ｘ射线粉末衍射测试证明与标准值一致。该法为ＺｎＧｅＰ２晶体生长的研究奠定了... 本文报告了红外非线性材料ＺｎＧｅＰ２多晶料的合成方法。该法是以元素态的磷、锗，锌为原料，通过直接化合的方法进行合成。合成的多晶料经比重测量和Ｘ射线粉末衍射测试证明与标准值一致。该法为ＺｎＧｅＰ２晶体生长的研究奠定了基础。 展开更多

关键词 zngep2 多晶体 红外非线性材料 晶体生长

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ZnGeP_2晶体点缺陷影响光学性能的研究进展 被引量：4

4

作者 朱崇强 雷作涛 杨春晖 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第S1期160-165,共6页

ZnGeP2晶体具有非线性系数大和透光波段宽的特点,是目前重要的中红外频率转换介质材料。然而,点缺陷的存在却引起了ZnGeP2晶体的额外光学吸收,影响了其应用发展。本文对ZnGeP2晶体点缺陷影响光学性能的研究进展情况做了详细的综述。利... ZnGeP2晶体具有非线性系数大和透光波段宽的特点,是目前重要的中红外频率转换介质材料。然而,点缺陷的存在却引起了ZnGeP2晶体的额外光学吸收,影响了其应用发展。本文对ZnGeP2晶体点缺陷影响光学性能的研究进展情况做了详细的综述。利用电子顺磁共振技术研究了ZnGeP2晶体中存在的点缺陷类型;结合光学吸收和电子顺磁共振方法分析了ZnGeP2晶体点缺陷影响光学性能的机理;介绍了降低ZnGeP2晶体额外光学吸收的方法;最后,展望了围绕ZnGeP2晶体点缺陷及光学性能将开展的研究方向。 展开更多

关键词 zngep2晶体 点缺陷 光学吸收 电子顺磁共振

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ZnGeP_2的多晶合成与单晶生长研究 被引量：5

5

作者 赵欣 朱世富 +2 位作者 赵北君 陈宝军 孙永强 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2009年第1期99-103,共5页

采用富P配料工艺,通过改进的单温区合成法(MSTZM)合成出高纯、单相的ZnGeP2多晶原料。用改进垂直布里奇曼法(MVBM)生长出尺寸为Φ20mm×30mm的ZnGeP2单晶体。经X射线衍射分析、红外光谱分析、ZC36高阻仪测试表明:晶体完整性好,具有... 采用富P配料工艺,通过改进的单温区合成法(MSTZM)合成出高纯、单相的ZnGeP2多晶原料。用改进垂直布里奇曼法(MVBM)生长出尺寸为Φ20mm×30mm的ZnGeP2单晶体。经X射线衍射分析、红外光谱分析、ZC36高阻仪测试表明:晶体完整性好,具有黄铜矿结构,晶格常数a=b=0.5463nm,c=1.0709nm。晶体的透光范围为0.65～12.5μm。厚度为2mm的晶片在2～12μm范围内的平均红外透过率达55%以上,电阻率为6×107Ω·cm,计算2.05μm和10.6μm处的吸收系数分别为0.017cm-1和0.21cm-1。 展开更多

关键词 磷锗锌 改进垂直布里奇曼法 晶体生长 红外光谱

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磷锗锌单晶体的腐蚀研究 被引量：3

6

作者 张羽 赵北君 +5 位作者 朱世富 陈宝军 何知宇 孙永强 程江 梁栋程 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期304-307,共4页

报道了一种新的ZnGeP2晶体择优腐蚀剂及其腐蚀工艺,即先采用研磨、物理机械抛光和HCl+HNO3热化学抛光获得表面平整无划痕的ZnGeP2晶片,然后将晶片在室温下采用HF(40%)∶HNO3(65%)∶CH3COOH(99.5%)∶H2O∶I2=2 mL∶2 mL∶1 mL∶1 mL∶4 m... 报道了一种新的ZnGeP2晶体择优腐蚀剂及其腐蚀工艺,即先采用研磨、物理机械抛光和HCl+HNO3热化学抛光获得表面平整无划痕的ZnGeP2晶片,然后将晶片在室温下采用HF(40%)∶HNO3(65%)∶CH3COOH(99.5%)∶H2O∶I2=2 mL∶2 mL∶1 mL∶1 mL∶4 mg腐蚀剂超声振荡腐蚀8 min;在扫描电镜下观察到ZGP(110)和(204)晶面的腐蚀坑,蚀坑形貌清晰,具有立体感,(110)晶面蚀坑呈四边形,(204)晶面蚀坑呈五边形,取向一致,蚀坑密度(EPD)约为104/cm2。从理论上对蚀坑形貌的形成机理进行了分析。 展开更多

关键词 zngep2晶体 化学腐蚀 蚀坑形貌

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Tm脉冲激光器泵浦的中红外固体激光器 被引量：3

7

作者 张晓娟 蔡军 +1 位作者 许宏 杨海波 《光电技术应用》 2011年第2期15-17,共3页

介绍了Tm：YAP脉冲激光器泵浦的中红外固体激光器。首先介绍了Tm脉冲激光器,由实验分析,对YAP固体激光器腔型结构进行优化,确定了适合泵浦ZGP OPO的YAP激光器腔型,得到较理想的2μm脉冲激光输出。中红外固体激光器由优化后的Tm：YAP激... 介绍了Tm：YAP脉冲激光器泵浦的中红外固体激光器。首先介绍了Tm脉冲激光器,由实验分析,对YAP固体激光器腔型结构进行优化,确定了适合泵浦ZGP OPO的YAP激光器腔型,得到较理想的2μm脉冲激光输出。中红外固体激光器由优化后的Tm：YAP激光器泵浦ZGP光学参量振荡器（OPO）组成,最终得到输出功率达瓦级以上的3~5μm激光。 展开更多

关键词 TM:YAP激光器 中红外固体激光器 OPO zngep2晶体

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Ho∶YAG激光泵浦的磷锗锌光参量振荡器 被引量：4

8

作者 白云昌 孙峰 +2 位作者 刘在洲 郑建奎 李海速 《光学与光电技术》 2016年第4期44-47,共4页

介绍了由Ho∶YAG声光调Q激光器输出2.1μm激光脉冲泵浦ZGP光参量振荡器。利用1.9μm激光器作为Ho∶YAG激光器的泵浦源,调Q重复频率为15kHz时,激光器输出功率21.5 W单一波长窄线宽激光。由Ho∶YAG激光器泵浦ZGP-OPO,最大输出中波红外激光... 介绍了由Ho∶YAG声光调Q激光器输出2.1μm激光脉冲泵浦ZGP光参量振荡器。利用1.9μm激光器作为Ho∶YAG激光器的泵浦源,调Q重复频率为15kHz时,激光器输出功率21.5 W单一波长窄线宽激光。由Ho∶YAG激光器泵浦ZGP-OPO,最大输出中波红外激光8.85 W,激光脉冲宽度14.5ns,激光器输出斜效率高达80.9%。该激光器在气体检测及光电对抗等领域有广泛的应用前景。 展开更多

关键词 单波长窄线宽 2.1μm激光器 磷锗锌晶体 中波红外激光 光参量振荡器

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强磁场对非线性光学晶体ZnGeP_2生长及性能的影响 被引量：2

9

作者 周艳 张礼峰 +3 位作者 胡治宁 任维丽 钟云波 任忠鸣 《上海金属》 CAS 北大核心 2015年第1期33-38,共6页

按化学计量比并富P2%配料,通过改进的单温区合成法合成出高纯、单相的ZnGeP2多晶原料,在无磁场、6 T匀强磁场和上、下梯度磁场条件下,使用坩埚下降法成功生长出ZnGeP2单晶。研究表明,施加6 T匀强磁场和上、下梯度磁场后,ZnGeP2晶体依次... 按化学计量比并富P2%配料,通过改进的单温区合成法合成出高纯、单相的ZnGeP2多晶原料,在无磁场、6 T匀强磁场和上、下梯度磁场条件下,使用坩埚下降法成功生长出ZnGeP2单晶。研究表明,施加6 T匀强磁场和上、下梯度磁场后,ZnGeP2晶体依次沿(116)、(112)和(220)取向,与无磁场下晶体取向不同;ZnGeP2晶体成分沿纵向方向在强磁场中比无磁场中波动明显;红外透过率在匀强和上梯度磁场中均有明显提高,下梯度磁场中变化不明显;电阻率在匀强和上梯度磁场中有所下降,而下梯度磁场中则有所升高。 展开更多

关键词 强磁场 zngep2 非线性 晶体生长

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ZnGeP_2 OPO产生4.3μm波段窄线宽激光实验研究 被引量：2

10

作者 卞进田 叶庆 孙晓泉 《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期9-14,共6页

为了设计4. 3μm波段大功率窄线宽中红外激光器,开展了2. 7μm激光抽运ZnGeP_2晶体光参量振荡(Optical Parametric Oscillation,OPO)技术产生4. 3μm波段窄线宽激光实验研究,对实验结果开展了详细的分析。抽运源为1064 nm抽运的KTiOPO_4... 为了设计4. 3μm波段大功率窄线宽中红外激光器,开展了2. 7μm激光抽运ZnGeP_2晶体光参量振荡(Optical Parametric Oscillation,OPO)技术产生4. 3μm波段窄线宽激光实验研究,对实验结果开展了详细的分析。抽运源为1064 nm抽运的KTiOPO_4OPO激光器输出的2. 7μm波段参量激光,KTiOPO_4OPO采用单谐振结构,将两块相同的KTiOPO_4晶体光轴相向放置以补偿走离效应,KTiOPO_4晶体按Ф=0°、θ=62°切割以获得波长2. 7μm波段激光输出,采用Ⅱ(B)类相位匹配(o→o+e)以利用较大的非线性系数。ZnGeP_2OPO采用单谐振结构,采用Ⅱ(B)类相位匹配(o→o+e)以获得窄线宽输出,ZnGeP_2晶体按Ф=0°、θ=68°切割以获得波长4. 3μm波段激光输出。在抽运光波长2. 7μm,脉冲能量为7. 5 m J,脉宽8. 6 ns的条件下,获得脉冲能量2. 12 m J,线宽30 nm,脉宽8. 7 ns的4. 26μm激光输出,光-光转换效率约为28. 3%,斜效率约为32. 6%,水平和垂直方向的光束质量M^2分别为6. 2和13. 5。 展开更多

关键词 激光器 4.3μm激光 单谐振光参量振荡器 zngep2晶体

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ZnGeP_2多晶合成爆炸原因分析与工艺改进 被引量：3

11

作者 赵欣 朱世富 程江 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第7期516-519,553,共5页

分析了磷锗锌(ZnGeP2)多晶合成中的化学反应及其发生爆炸的原因,研究出防止安瓿爆炸的合成新工艺。采用改进的单温区合成法,配合梯度降温冷却技术,有效地避免了ZnGeP2合成过程中的爆炸现象,实现了富余P与合成产物的有效分离。经X射线衍... 分析了磷锗锌(ZnGeP2)多晶合成中的化学反应及其发生爆炸的原因,研究出防止安瓿爆炸的合成新工艺。采用改进的单温区合成法,配合梯度降温冷却技术,有效地避免了ZnGeP2合成过程中的爆炸现象,实现了富余P与合成产物的有效分离。经X射线衍射仪、能量分散光谱仪测试表明:合成产物是高纯单相的ZnGeP2多晶材料。以此为原料,采用垂直布里奇曼法进行ZnGeP2晶体生长,获得了尺寸达Φ20 mm×60 mm外观完整、结晶性好的ZnGeP2单晶体。 展开更多

关键词 磷锗锌 多晶合成 安瓿爆炸 垂直布里奇曼法 晶体生长

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磷锗锌(ZnGeP_2)单晶体生长研究 被引量：3

12

作者 赵欣 朱世富 +5 位作者 赵北君 杨慧光 孙永强 程江 陈宝军 何知宇 《四川大学学报（工程科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期101-104,共4页

以高纯(6N)Ge、Zn、P单质为原料,按化学计量比并富P 0.1%~0.3%配料,在特殊设计的密封安瓿中,采用改进的两温区气相输运法(MTVM)和机械振荡技术合成出单相致密的ZnGeP2多晶原料。以此为原料,采用改进的垂直布里奇曼法(VBM)生长出尺寸为Φ... 以高纯(6N)Ge、Zn、P单质为原料,按化学计量比并富P 0.1%~0.3%配料,在特殊设计的密封安瓿中,采用改进的两温区气相输运法(MTVM)和机械振荡技术合成出单相致密的ZnGeP2多晶原料。以此为原料,采用改进的垂直布里奇曼法(VBM)生长出尺寸为Φ15 mm×25 mm的ZnGeP2单晶体,呈黑灰色,外观完整、无裂纹。对晶体进行解理试验发现,其存在(112)和(101)两个易解理面;对10×10×2 mm3ZnGeP2晶片,采用同成分粉末包裹,在550~600℃真空退火后,经红外透过率测试结果显示:在2~12μm波段内红外透过率可达55%以上。 展开更多

关键词 磷锗锌 单晶生长 垂直布里奇曼法 X射线衍射 红外透过率

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CO激光在非线性晶体ZnGeP_2和GaSe中的混频效应(英文) 被引量：1

13

作者 张来明 谢冀江 +10 位作者 郭劲 陈飞 姜可 ANDREEV YU M IONIN A A KINYAEVSKIY I O KLIMACHEV YU M KOZLOV A YU KOTKOV A A LANSKII G V SHAIDUKO A V 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期277-286,共10页

为了获得2.15～1 500μm的相干光源,研究了CO激光在高质量非线性晶体ZnGeP2和GaSe中的混频效应。为了提高转换效率,在激光锁模方式下对CO激光器的二次谐波、和频和差频的产生进行了研究。结果显示,利用GaSe晶体和ZnGeP2晶体,调Q多谱线C... 为了获得2.15～1 500μm的相干光源,研究了CO激光在高质量非线性晶体ZnGeP2和GaSe中的混频效应。为了提高转换效率,在激光锁模方式下对CO激光器的二次谐波、和频和差频的产生进行了研究。结果显示,利用GaSe晶体和ZnGeP2晶体,调Q多谱线CO激光辐射的谱线内倍频效率分别大于0.3%和1.1%。采用ZnGeP2晶体进行倍频时,可调谐锁膜CO激光器的转换效率为12.5%。模拟结果显示,二次谐波与和频产生的输出光谱相同。相邻谱线下,和频和差频的产生过程中,基波和一次谐波可以分别在4.0～5.0μm和100～≥1 200μm(太赫兹范围)形成振荡。利用锁模CO激光器在ZnGeP2晶体中的混频效应,可以得到2.15～≥1 500μm的相干光源,同时转换效率可达到甚至高于12.5%。 展开更多

关键词 非线性晶体 zngep2晶体 GaSe晶体 混频效应 脉冲CO激光 锁模

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高品质ZnGeP_2晶体光参量振荡元件及应用 被引量：1

14

作者 雷作涛 朱崇强 +2 位作者 宋梁成 姚宝权 杨春晖 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期1015-1016,共2页

在高纯ZnGeP2多晶批量合成基础上,采用垂直布里奇曼法生长出尺寸（40~50）mm×140 mm的高品质单晶。切割出多种6 mm×6 mm×（16~30）mm规格的晶体元件,元件o偏振光2.05μm吸收系数为0.01~0.03cm-1,通过光参量振荡技术实... 在高纯ZnGeP2多晶批量合成基础上,采用垂直布里奇曼法生长出尺寸（40~50）mm×140 mm的高品质单晶。切割出多种6 mm×6 mm×（16~30）mm规格的晶体元件,元件o偏振光2.05μm吸收系数为0.01~0.03cm-1,通过光参量振荡技术实现中波（3~5μm）40 W和远波（8~10μm）3 W的激光输出。 展开更多

关键词 zngep2晶体 垂直布里奇曼法 元件 光参量振荡

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垂直布里奇曼法生长磷锗锌单晶体与性能表征（英文） 被引量：1

15

作者 杨登辉 赵北君 +5 位作者 朱世富 陈宝军 何知宇 曹礼强 陈成 谢虎 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第10期2368-2372,共5页

采用改进的垂直布里奇曼法在自制的三温区炉内生长出尺寸达Ф24 mm×70 mm的磷锗锌（ZnGeP2,ZGP）单晶体,将晶体在600℃下于同成分粉末包裹中进行了500 h退火热处理。采用X射线衍射仪（XRD）、X射线荧光仪（XRF）以及傅里叶红外光... 采用改进的垂直布里奇曼法在自制的三温区炉内生长出尺寸达Ф24 mm×70 mm的磷锗锌（ZnGeP2,ZGP）单晶体,将晶体在600℃下于同成分粉末包裹中进行了500 h退火热处理。采用X射线衍射仪（XRD）、X射线荧光仪（XRF）以及傅里叶红外光谱仪（FTIR）对ZGP晶体结构、成分和光学性能进行了测试和分析表征。加工制作出ZGP光参量振荡器（ZGP-OPO）,采用2.1μm、7 kHz激光泵浦ZGP-OPO,实现了3~5μm中红外调谐激光输出,功率达0.48 W。上述结果表明所研制的ZGP晶体结构完整,品质高,能够用于制作非线性光学元器件应用。 展开更多

关键词 zngep2 单晶生长 XRD IR透过谱 ZGP-OPO

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ZnGeP_2单晶生长温场研究 被引量：2

16

作者 孙永强 赵北君 +6 位作者 朱世富 赵欣 杨慧光 程江 张羽 陈宝军 何知宇 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期552-555,共4页

根据ZnGeP2（ZGP）晶体的生长特性,自行设计组装了三段式独立控温生长炉,优化了温场分布。采用改进的垂直布里奇曼法成功生长出外观完整、无裂纹的ZGP单晶体,尺寸达φ15 mm×35 mm。对晶体进行解理实验和X射线衍射分析,发现ZGP晶体... 根据ZnGeP2（ZGP）晶体的生长特性,自行设计组装了三段式独立控温生长炉,优化了温场分布。采用改进的垂直布里奇曼法成功生长出外观完整、无裂纹的ZGP单晶体,尺寸达φ15 mm×35 mm。对晶体进行解理实验和X射线衍射分析,发现ZGP晶体易沿（101）面解理,其回摆峰尖锐无劈裂。对未经退火处理的晶片进行红外透过率测试,在2-12μm波段内红外透过率达45%以上。研究结果表明所设计的温场适合于ZGP单晶生长,生长出的ZGP晶体完整性好、质量较高。 展开更多

关键词 磷锗锌 晶体生长 温场分布 红外透过率 X射线衍射

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磷锗锌单晶生长装置的设计与优化 被引量：1

17

作者 赵欣 《新技术新工艺》 2011年第6期79-82,共4页

根据磷锗锌(ZnGeP2)晶体的生长特性,分析了ZnGeP2单晶生长对生长炉温场的要求。在两温区单晶生长炉的基础上,设计出适合ZnGeP2单晶生长的三温区管式生长炉,并对其温场进行了设计与优化。在经优化的温场中进行ZnGeP2单晶生长,获得了尺寸... 根据磷锗锌(ZnGeP2)晶体的生长特性,分析了ZnGeP2单晶生长对生长炉温场的要求。在两温区单晶生长炉的基础上,设计出适合ZnGeP2单晶生长的三温区管式生长炉,并对其温场进行了设计与优化。在经优化的温场中进行ZnGeP2单晶生长,获得了尺寸达20 mm×30 mm、外观完整的单晶体。 展开更多

关键词 磷锗锌 晶体生长 三温区 温场设计

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镀碳石英坩埚生长ZnGeP_2单晶体

18

作者 赵欣 李梦 +1 位作者 朱世富 吴小娟 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第2期356-360,共5页

在熔体法生长ZnGeP2单晶体的过程中,如何解决熔体与坩埚的粘连问题是一个研究关键。本文研究了石英坩埚的镀碳工艺,采用化学气相沉积法成功在坩埚内壁镀上结合牢固且均匀的碳膜。采用垂直布里奇曼法,并结合适时补温技术,在内部镀碳的双... 在熔体法生长ZnGeP2单晶体的过程中,如何解决熔体与坩埚的粘连问题是一个研究关键。本文研究了石英坩埚的镀碳工艺,采用化学气相沉积法成功在坩埚内壁镀上结合牢固且均匀的碳膜。采用垂直布里奇曼法,并结合适时补温技术,在内部镀碳的双层坩埚中成功生长出Ф20 mm×50 mm外观完整,无裂纹的ZnGeP2单晶体。经XRD,TEM,FTIR分析结果表明:生长的ZnGeP2晶体缺陷少,结构完整,红外透过率高,是质量较高的单晶体。 展开更多

关键词 磷锗锌 单晶生长 镀碳 双层坩埚

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磷锗锌晶体制备中的化学配比控制研究

19

作者 赵欣 李梦 +2 位作者 程江 吴小娟 朱健健 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第S1期352-355,共4页

分析了磷锗锌(ZnGeP_2)化学配比偏离产生的原因和对晶体造成的不良影响,提出了改进的方案。通过采用富P配料,提高生长料的装满度等措施,并运用改进的布里奇曼法,科学地设计出一个适宜晶体生长的温场,成功获得尺寸为Φ22 mm×45 mm... 分析了磷锗锌(ZnGeP_2)化学配比偏离产生的原因和对晶体造成的不良影响,提出了改进的方案。通过采用富P配料,提高生长料的装满度等措施,并运用改进的布里奇曼法,科学地设计出一个适宜晶体生长的温场,成功获得尺寸为Φ22 mm×45 mm的磷锗锌单晶。利用EDS和FTIR对生长的晶体进行表征,结果表明晶体化学元素配比接近理论值红外透过率高,满足光学器件的制做要求。 展开更多

关键词 磷锗锌 化学配比偏离 垂直布里奇曼法 晶体生长

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大尺寸ZnGeP2单晶生长与大尺寸晶体器件制备 被引量：3

20

作者 袁泽锐 窦云巍 +3 位作者 陈莹 方攀 尹文龙 康彬 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第8期1491-1493,共3页

磷锗锌(ZnGeP2,ZGP)晶体是一种性能十分优异的中红外非线性光学材料。本研究采用自制的双温区管式炉成功合成出高纯ZGP多晶,单次合成量达到600 g;采用超微梯度水平冷凝法(0.5~1℃/cm)成功生长出55 mm×30 mm×160 mm的大尺寸ZG... 磷锗锌(ZnGeP2,ZGP)晶体是一种性能十分优异的中红外非线性光学材料。本研究采用自制的双温区管式炉成功合成出高纯ZGP多晶,单次合成量达到600 g;采用超微梯度水平冷凝法(0.5~1℃/cm)成功生长出55 mm×30 mm×160 mm的大尺寸ZGP单晶;通过工艺优化、定向、切割、退火、抛光和高能束流辐照等处理工艺,成功实现大口径(12 mm×12 mm×50 mm)ZGP晶体器件制备,器件在2.09μm的吸收系数仅为0.03 cm^-1,可以用于大能量和高平均功率红外激光输出。 展开更多

关键词 中红外非线性光学晶体 zngep2单晶 水平梯度冷凝法 晶体生长

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